「Dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

In this dry etching apparatus, an annular protruding member 50 is protruded in the periphery of an upper electrode 18 toward an lower electrode 20, which loads a substrate W to be processed, to form a stepped level difference (d) against the upper electrode 18 to strengthen the electric field around the peripheral part of the upper electrode 18, and to increase the plasma density.例文帳に追加

このドライエッチング装置では、上部電極１８の周囲で環状突出部材５０が上部電極１８に対して被処理基板Ｗを載置する下部電極２０側へ突出して段差ｄを形成することで、上部電極１８の周辺部付近において電界が補強され、プラズマ密度が高められる。 - 特許庁

To provide manufacturing method such as dry etching process of a cylinder for forming a capacitor of a D-RAM whereas the conventional manufacturing method causes problems of a short circuit between adjacent holes or coverage trouble in electrode deposition formed in the hole since a profile of the cylinder or a contact having high aspect ratio becomes a bowing profile.例文帳に追加

Ｄ−ＲＡＭのキャパシタを形成するシリンダのドライエッチ加工において、従来技術の製造方法ではアスペクト比が高いシリンダやコンタクトの形状がボーイング形状となり隣接するホール間ショートの問題やホール内に形成する電極成膜のカバレッジ異常などの問題が発生する。 - 特許庁

To provide an active ray sensitive or radiation sensitive resin composition for forming a pattern having excellent roughness characteristics and dry etching resistance when an ArF excimer laser, an electron beam, an X-ray, an EUV and the like are used as an exposure light source, and also to provide a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

特にＡｒＦエキシマレーザー、電子線、Ｘ線、ＥＵＶ等を露光光源とする場合に、ラフネス特性及びドライエッチング耐性に優れたパターンを形成することが可能な感活性光線性または感放射線性樹脂樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

The microlens array substrate 1 is characterized in that a microlens array 8 comprising a plurality of concave microlenses 11 which are successive in a surface of a quartz substrate 2 or of a glass substrate is directly formed and the microlens array 8 is a microlens array 8 formed by a transfer method by dry etching.例文帳に追加

本発明に係るマイクロレンズアレイ基板１は、石英基板２またはガラス基板の表面内に連続した複数の凹レンズ状のマイクロレンズ１１からなるマイクロレンズアレイ８が直接形成され、マイクロレンズアレイ８がドライエッチングによる転写法で形成されたマイクロレンズアレイ８であることを特徴とする。 - 特許庁

In this dry etching apparatus, an annular protruding member 50 is protruded in the periphery of an upper electrode 18 toward an lower electrode 20, which loads a substrate W to be processed, to form a stepped level difference (d) against the upper electrode 18 to strengthen the electric field around the peripheral part of the upper electrode 18, and to increase the plasma density.例文帳に追加

このドライエッチング装置では、上部電極１８の周囲で環状突出部材５０が上部電極１８に対して被処理基板Ｗを載置する下部電極２０側へ突出して段差ｄを形成することで、上部電極１８の周辺部付近において電界が補強され、プラズマ密度が高められる。 - 特許庁

To provide a resist stripping liquid composition with which a resist residue remaining after dry etching or ashing in a wiring step of a semiconductor device such as an IC and an LSI or a liquid crystal panel device can be completely removed at a low temperature in a short time and influences with time are less such as increase in corrosion in an oxide film or a metal wiring material.例文帳に追加

ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子の配線工程におけるドライエッチング、アッシング後に残存するレジスト残渣を低温、短時間で完全に除去でき、酸化膜や金属配線材料への腐食増大などの経時変化による影響の少ないレジスト剥離組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a (meth)acrylic polymer high in transparency to radiation, excellent in basic properties as a resist such as sensitivity, resolution, dry etching resistance, pattern form, etc. especially excellent in the solubility to a resist solvent, and suitable for a radiation-sensitive resin compound which reduces the roughness on a pattern side wall after developing.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れ、特に、レジスト溶剤への溶解性に優れ、現像後のパターン側壁のラフネスを低減する感放射線性樹脂組成物に適した（メタ）アクリル系重合体を提供する。 - 特許庁

To suppress troubles of allowing insulative reaction byproducts to adhere on the surface of an underlying Cu interconnections exposed on the bottoms of interconnection grooves, and allowing a silicon carbide film and an organic insulating film exposed on the sidewalls of interconnection grooves to be side-etched, in forming interconnection grooves on the underlying Cu interconnections by dry-etching an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜をドライエッチングして下層のＣｕ配線の上部に配線溝を形成する際、配線溝の底部に露出した下層のＣｕ配線の表面に絶縁性の反応物が付着したり、配線溝の側壁に露出した炭化シリコン膜や有機絶縁膜がサイドエッチングされるという不具合を抑制する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition simultaneously satisfying sensibility, high resolution, a pattern profile, line edge roughness and dry etching resistance, particularly in lithography using an electron beam, an X-ray or EUV light as an exposure light source, as well as a resist film and a patterning method using the composition.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、高解像性、パターン形状、及びラインエッジラフネス、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

In a dry etching apparatus, high frequency electric power is applied to upper and lower electrodes 2, 4 from high frequency power sources 7, 10 to generate plasma and etch an object 3 on the electrode in a vacuum chamber 1 into which a process gas is introduced via a gas inlet 5 and the interior of which is maintained for a specific pressure by an exhaust unit 11.例文帳に追加

ドライエッチング装置において、ガス導入部５からプロセスガスの導入および排気手段１１により所定圧力に維持した真空処理室１内で上下の電極２、４に高周波電源７、１０より高周波電力を印加してプラズマを発生させ、電極上の被処理物３をエッチング処理する。 - 特許庁

The optical wiring layer is manufactured by the method including a process step of forming the first clad layer and the core layer on at a base, a process step of relieving the internal stress in the first clad layer and the core layer, a process step of forming the core patterns by using dry etching and a process step of forming the second clad having the core patterns.例文帳に追加

少なくとも、支持体上に第１クラッド層及びコア層を形成する工程と、第１クラッド層及びコア層の内部応力を緩和させる工程と、ドライエッチングを用いてコアパターンを形成する工程と、コアパターンを覆う第２クラッドを形成する工程と、を具備することにより光配線層を製造する。 - 特許庁

The dry etching apparatus includes: the vacuum treatment chamber including an exhaust system and a gas introduction system; a gate valve provided at a carry-in/carry-out opening of the vacuum treatment chamber; a case for discharging residual gas provided while surrounding the gate valve outside the gate valve; and an exhaust pipe connected to the case for discharging residual gas.例文帳に追加

本ドライエッチング装置は、排気系及びガス導入系を備えた真空処理室と、真空処理室の搬入・搬出開口部に設けたゲートバルブと、ゲートバルブの外側に、ゲートバルブを囲んで設けた残留ガス排出用ケースと、残留ガス排出用ケースに接続された排気管とで構成される。 - 特許庁

To prevent an n-type amorphous silicon film and an intrinsic amorphous silicon film from remaining unnecessarily even if a foreign matter exists on the formed n-type amorphous silicon film when the formed n-type amorphous silicon film and the intrinsic amorphous silicon film are subjected to patterning by dry etching in manufacturing of a thin film transistor.例文帳に追加

薄膜トランジスタの製造に際し、成膜されたｎ型アモルファスシリコン膜および真性アモルファスシリコン膜のパターニングをドライエッチングによって行なうとき、成膜されたｎ型アモルファスシリコン膜上に異物が存在しても、ｎ型アモルファスシリコン膜および真性アモルファスシリコン膜が不要に残存しないようにする。 - 特許庁

A resist 67 is formed on a silicon oxide film SiO2 66 to have an opening 62 corresponding to a contact hole and an opening 64 for monitor and then the silicon oxide film SiO2 66 is subjected to dry etching through the opening 64 for monitor along with an essential pattern, i.e., the opening 62 corresponding to a contact hole.例文帳に追加

酸化シリコン膜（ＳｉＯ_２）６６上にコンタクトホールに対応した開口部６２と共にモニタ用開口部６４を有するようにレジスト６７を形成し、本来のパターンであるコンタクトホールに対応した開口部６２と共にモニタ用開口部６４を介して酸化シリコン膜（ＳｉＯ_２）６６をドライエッチングする。 - 特許庁

This dry etching apparatus comprises a vacuum container 2 with a treatment chamber 1 formed inside thereof, a substrate holding means 5 to hold a substrate S to be treated inside the treatment chamber 1, a substrate pushing-up means 8 which pushes up the substrate S held by the substrate holding means 5 from a back side thereof and separates the substrate from the substrate holding means 5.例文帳に追加

処理室１が内部に形成された真空容器２と、処理室１内部において被処理基板Ｓを保持する基板保持手段５と、基板保持手段５によって保持された被処理基板Ｓをその裏面側から押し上げて基板保持手段５から分離させる基板押上手段８と、を備える。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist composition for forming a pattern satisfying demands for high sensitivity, high resolution (for example, high resolving power, an excellent pattern profile and small line edge roughness (LER)) and good dry etching durability, and to provide a resist film, a resist-coated mask blank, a resist pattern forming method and a photomask using the composition.例文帳に追加

高感度、高解像性（例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ））、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できる化学増幅型ポジ型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及びフォトマスクを提供する。 - 特許庁

This metallic surface treating composition contains (A) a hydrazine derivative, (B) phosphate and (C) acid capable of etching a metallic surface, and, in the surface treating method for metal, the metallic surface treating composition is applied in such a manner that dry film weight is controlled to 0.05 to 3.0 g/m2, and drying is executed.例文帳に追加

（Ａ）ヒドラジン誘導体、（Ｂ）リン酸塩及び（Ｂ）金属表面をエッチングできる酸を含有することを特徴とする金属表面処理組成物、及び該金属表面処理組成物を、乾燥皮膜重量が０．０５〜３．０ｇ／ｍ^2となるように塗布し乾燥させることを特徴とする金属の表面処理方法。 - 特許庁

Furthermore, after forming a resist pattern on the piezoelectric substrate, the lower layer electrode film, the upper layer electrode film, and the coating electrode film are sequentially formed and an anisotropic dry etching is applied to the element 1 to etch only the upper side of the coating electrode film and then the resist is exfoliated to obtain an electrode structure where the coated electrode film is formed on the side faces only.例文帳に追加

また、圧電基板にレジストパターンを形成した後、下層電極膜、上層電極膜、被覆電極膜を順に形成し、次いで、異方性ドライエッチングによって、被覆電極膜の上面のみをエッチングし、その後、レジストを剥離して、側面部のみに被覆電極膜が形成された電極構造を得る。 - 特許庁

To provide a polymer which has dry etching resistance, is high in sensitivity, resolution and light transmittance, when used for resist compositions for DUV excimer laser lithography or the like, has small line edge roughness of resist patterns and can resist to thin resist films, to provide a resist composition, and to provide a method for producing a substrate on which a resist pattern is formed.例文帳に追加

ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィー等のレジスト組成物に用いた場合に、高感度、高解像度であり、光線透過率が高く、レジストパターンのラインエッジラフネスが小さく、レジスト膜の薄膜化に耐えることができるドライエッチング耐性を有する重合体、レジスト組成物及びパターンが形成された基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist material for manufacturing a substrate having a nanoscale rugged structure by patterning a resin composition applied to the surface of a substrate to be processed by a nanoimprinting method to form a resin layer having a rugged structure and then processing the substrate by a dry etching method using the resin layer as a resist.例文帳に追加

被加工基材上に塗布した樹脂組成物をナノインプリント法にてパターニングを行い、凹凸構造を有する樹脂層を形成し、この樹脂層をレジストとしてドライエッチング法にて加工することによりナノスケールの凹凸構造を有する基材を製造するためのレジスト材料を提供すること。 - 特許庁

An integrated circuit element is formed by applying and baking the resist underlay film forming composition on a semiconductor substrate to form a resist underlay film, coating the resist underlay film with a photoresist, exposing and developing the substrate coated with the resist underlay film and the photoresist, and performing dry etching to transfer an image onto the substrate.例文帳に追加

レジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成してレジスト下層膜を形成し、該レジスト下層膜上にフォトレジストを被覆し、このレジスト下層膜とフォトレジストを被覆した基板を露光し、現像し、ドライエッチングにより基板上に画像を転写して集積回路素子を形成する。 - 特許庁

While an anti-reflection film 9 and a resist pattern 10 are formed on the second interlayer dielectric 8, a capacitor hole 11 is formed between the surface of the second interlayer dielectric 8 and a position-controlled bottom face 11a in the first interlayer dielectric 5 through the stopper film 7 by dry etching process using the resist pattern 10 as a mask.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜８上に反射防止膜９とレジストパターン１０を形成し、このレジストパターン１０をマスクとしたドライエッチングにより第２の層間絶縁膜８の表面からストップ膜７を貫通して第１の層間絶縁膜５内に、底面１１ａの位置が制御されたキャパシタホール１１を形成する。 - 特許庁

In a dry etching process of the fine mask pattern of a membrane mask, a radical and an ion, containing at least one of nitrogen, carbon, and oxygen that do not contribute to pattering, are generated by plasma for supplying to the upper and side surfaces and foundation of the mask pattern, and a layer (membrane) for restraining the generation of stress is reliably formed on the side.例文帳に追加

メンブレンマスクの微細マスクパターンのドライエッチング工程において、パターニングに寄与しない窒素、炭素もしくは酸素の少なくとも一つ以上を含むラジカルやイオンをプラズマにより発生させて、マスクパターンの上面、側面および下地に供給し、側面に応力発生を抑制する層（膜）を確実に形成する。 - 特許庁

It also includes a process of performing either one of a treatment by a chemical containing fluorine ions, a plasma treatment using a gas containing fluorine and a washing process, and a treatment by a vapor phase HF diluted by an inactive gas and a washing process, on the semiconductor substrate 100 after the dry etching process.例文帳に追加

これと共に、ドライエッチングを行なう工程よりも後に、半導体基板１００に対し、フッ素イオンを含む薬液による処理と、フッ素を含むガスを用いたプラズマ処理及び洗浄処理と、不活性ガスによって希釈された気相ＨＦによる処理及び洗浄処理とのうち、いずれか一つを行なう工程を含む。 - 特許庁

Grooves 2a are formed in device isolation regions in a substrate 1 by dry etching using silicon nitride films 14 and side wall spacers 16 as masks.例文帳に追加

窒化シリコン膜１４とサイドウォールスペーサ１６とをマスクにしたドライエッチングによって、素子分離領域の基板１に溝２ａを形成した後、窒化シリコン膜１４の側壁のサイドウォールスペーサ１６を除去し、次いで、基板１を熱酸化することによって、活性領域の周辺部の基板１の表面をラウンド加工し、凸状の丸みが付いた断面形状とする。 - 特許庁

To provide a thermosetting resin composition suitable for forming an antihalation film by which an irregularly reflected light from a base substrate can be effectively suppressed in an exposure process of a solid imaging element during forming a color filter or a microlens and which has high heat resistance and in which a rough film surface is not caused during a dry etching thereof.例文帳に追加

固体撮像素子におけるカラーフィルターやマイクロレンズを形成する際の露光工程において、下地基板からの乱反射光を効果的に抑制でき、かつ高度の耐熱性を有し、ドライエッチングでも膜荒れが発生しないハレーション防止膜を形成するのに適した熱硬化性樹脂組成物を得る。 - 特許庁

The method can prevent an inorganic hard mask film from being damaged by the formation of a pattern by forming a multilayer mask layer, including the inorganic hard mask film, an organic mask film, an antireflection film, and a silicon containing photo resist film and dry-etching the antireflection film and the organic mask film using O_2 plasma.例文帳に追加

この方法は無機ハードマスク膜、有機マスク膜、反射防止膜及びシリコン含有フォトレジスト膜が積層された多層のマスク層を形成し、Ｏ_２プラズマで前記反射防止膜及び有機マスク膜を乾式エッチングしてパターンを形成することによって無機ハードマスク膜の損傷を防止することができる。 - 特許庁

To provide a photomask blank which can reduce the film thickness of a resist to effectively enhance the resolution of a mask pattern, can reduce a loading effect during dry etching, can reduce a shift amount of the mask dimension from the resist dimension, and can reduce the number of mask manufacturing processes, and to provide a photomask manufactured by using the blank.例文帳に追加

マスクパターンの高解像度化に効果的なレジストの薄膜化が可能で、ドライエッチング時のローディング効果が低減され、レジスト寸法からのマスク寸法のシフト量の低減が図れ、マスク製造工程数の削減が図れるフォトマスクブランクスおよびそのブランクスを用いて製造したフォトマスクを提供する。 - 特許庁

When the interpolymer complex layer is formed on an upper resist pattern of a BLR using a coating composition containing a silicon contained substance such as a silicon alcoxide monomer, a silicon alcoxide oligomer, or partial hydrolysates of these, a micropattern is formed with an increased resistance property to dry etching by an increased silicon content.例文帳に追加

シリコンアルコキシドモノマー、シリコンアルコキシドオリゴマー、またはこれらの部分加水分解物などのシリコン含有物質を含むコーティング組成物を使ってＢＬＲの上部レジストパターンにインターポリマーコンプレックス層を形成すれば、増加したシリコン含量によって乾式エッチングに対して増加した耐性を有し、微細パターンを形成しうる。 - 特許庁

In another embodiment, the surface of an aluminum substrate is anodically oxidized to form a porous alumina coat having pores, the frame 4 is prepared by removing a part of the substrate 1 by dry etching so that the porous coat is exposed and the porous film 1 is formed by removing the bottoms of the pores in the porous coat.例文帳に追加

また、アルミニウムからなる基板の表面を陽極酸化してアルミナからなりかつ細孔を有する多孔質被膜を形成し、基板の一部をドライエッチング法により除去して多孔質被膜を露出させることにより枠４を設け、多孔質被膜の細孔の底部を除去することにより多孔質膜１を形成する。 - 特許庁

To provide an electric solid-state device which has sufficient hillock resistance even when used as an aluminum-based wiring material, can be applied with dry etching, and never has wiring etched with a resist stripper used to peel a resist mask, and to provide an electro-optical device and a method of manufacturing the electric solid-state device.例文帳に追加

アルミニウム系の配線材料として用いた場合でも、十分な耐ヒロック性に備えるとともに、ドライエッチングを適用でき、さらに、レジストマスクを剥離する際に用いる剥離液によって、配線がエッチングされることのない電気的固体装置、電気光学装置、および電気的固体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

On a transparent insulating substrate 1, a titanium film as a lower layer 2a, an aluminum film as a middle layer 2b and a nitrogen containing titanium film as an upper layer 2c are laminated by a sputtering process by 30 nm, 100 nm, 50 nm respectively in this order and a gate electrode and gate signal line 2 are formed by a photolithography-dry etching technique.例文帳に追加

透明絶縁性基板１上にスバッタ法を用いて下層２ａにチタニウム膜、中間層２ｂにアルミニウム膜、上層２ｃに窒素を含有したチタニウム膜を順にそれぞれ３０ｎｍ、１００ｍｍ、５０ｎｍ積層し、フォトリソ・ドライエッチ技術を用いて、ゲート電極及びゲート信号線２を形成した。 - 特許庁

To provide a highly practical negative photoresist suitable for lithography using light of ≤220 nm such as ArF excimer laser light as exposure light and having resistance to pattern deformation due to swelling and adhesion to a substrate (a fine pattern is less liable to peel off a substrate) in addition to dry etching resistance and high resolution.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザ光等の２２０ｎｍ以下の光を露光光に用いたリソグラフィ用として好適に用いられる、ドライエッチング耐性、高解像性に加え、膨潤によるパターン変形及び基板密着性（微細なパターンが基板から剥がれにくい）を兼ね備えた実用性が高いネガ型フォトレジストを提供する。 - 特許庁

A carrier device 15 of a dry etching apparatus 1 carries a preprocessing tray 3 from main shelves 67b, 68b of a cassette 62 in a stock section 13 to a rotary stage 33, and after alignment processing at the rotary stage 33, carries the tray 3 to a plasma treatment section 11 through temporally placing sections 67c, 68c in the cassette 62.例文帳に追加

ドライエッチング装置１の搬送装置１５は、処理前のトレイ３をストック部１３のカセット６２の主棚部６７ｂ，６８ｂから回転ステージ３３に搬送し、回転ステージ３３でのアラインメント処理後のトレイ３をカセット６２の仮置き棚部６７ｃ，６８ｃを経てプラズマ処理部１１へ搬送する。 - 特許庁

After a multiple resist layer 3 having at least two resist layers including a lift-off resist layer 1 as the lowermost layer is exposed, the resist is developed with a solution and subjected to dry etching to remove the extending part 4 of the lift-off resist layer 1 from the projected region of the upper resist layer 2 constituting the multiple resist layer 3.例文帳に追加

最下層がリフトオフ用レジスト層１からなるとともに、少なくとも二層のレジスト層からなる積層レジスト層３を露光したのち、溶液現像し、次いで、前記リフトオフ用レジスト層１の前記積層レジスト層３を構成する上層レジスト層２から投影的にはみ出した部分４をドライエッチングによって除去する。 - 特許庁

To provide a resist material having high sensitivity and high resolution to high energy-beam exposure, small line-edge roughness because of controlled swelling at the time of development, small residual dross after development, excellent dry etching resistance, and suitably usable also for liquid immersion lithography, and provide a method for forming patterns by using the resist material.例文帳に追加

レジスト材料であって、高エネルギー線での露光において、高感度で高解像性を有し、また、現像時の膨潤が抑えられるためラインエッジラフネスが小さく、現像後の残渣が少なく、優れたドライエッチング耐性を有し、また、液浸リソグラフィーにも好適に用い得るレジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition having superior dry etching resistance and high transparency to radiation, excellent in basic physical properties as a resist such as sensitivity, resolution and pattern shape, excellent also in shelf stability as a composition and retaining satisfactory adhesiveness to a substrate.例文帳に追加

優れたドライエッチング耐性を有し、しかも放射線に対する透明性が高く、かつ感度、解像度、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れるとともに、組成物としての保存安定性にも優れ、また基板に対する十分な接着性を保持した感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor wafer includes a step of carrying out a grinding process for grinding and flattening the both faces of the wafer instead of a process for flattening a beveled wafer, that is, a lapping process, and carrying out a dry etching process (for example, sandblast) for putting uniform scratches on the back face of the wafer after the grinding process.例文帳に追加

半導体ウェーハの製造方法のうち、面取りしたウェーハを平坦化する工程すなわちラッピング工程に代えて、ウェーハの両面を研削して平坦化する研削工程を行い、さらにこの研削工程後にウェーハの裏面に不均一な傷を入れて梨地にする梨地加工工程（例えば、サンドブラスト）を行う。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which is suitable when an exposure light source of ≤160 nm wavelength, in particular, F_2 excimer laser light (at 157 nm) is used, and specifically, which exhibits sufficient transparency when a light source of 157 nm is used, and which has various excellent characteristics such as affinity with a developer solution, image forming property and dry etching resistance.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、特にＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、現像液親和性、画像形成性、耐ドライエッチング性の諸特性に優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The method for dry-etching includes a step of introducing a treatment component including a halogen containing gas such as Cl_2, HBr, BCl_2 or the like, and a fluorocarbon gas having a chemical formula C_xH_yF_z, wherein x and z are 1 or more and y is 0 or more.例文帳に追加

そのエッチングの処理は、Ｃｌ_２、ＨＢｒ又はＢＣｌ_２等のハロゲン含有ガス、及び化学式Ｃ_ｘＨ_ｙＦ_ｚを有するフルオロカーボンガスであって、ｘ及びｚは１に等しいか又は１より大きく、ｙは０に等しいか又は０より大きい、フルオロカーボンガスを有する処理成分を導入する段階を有する。 - 特許庁

In a region corresponding to a via hole 39a of a second plug 39 described later of a first protective film 33, that is, a region to be matched with a first plug 24, an opening 33a having a hole size, for example, about 0.4 μm larger than that of the via hole 39a is formed by lithography and subsequent dry etching.例文帳に追加

第１の保護膜３３の後述する第２のプラグ３９のビア孔３９ａに相当する部位、即ち第１のプラグ２４に整合する部位に、リソグラフィー及びそれに続くドライエッチングにより、ビア孔３９ａの孔径よりも例えば０．４μｍ程度大きい孔径となる開口３３ａを形成する。 - 特許庁

In the dry etching of an insulating film 10 containing silicon and carbon formed on a wafer 4 (substrate 9), a plasma 3 is generated from a gas mixture containing a first molecule gas containing carbon and fluorine and a second gas containing nitrogen, and RF bias of 2 MHz or lower is applied to an electrode 5 which installs the wafer 4.例文帳に追加

ウエハ４（基板９）上に形成された、シリコンと炭素とを含む絶縁膜１０のドライエッチングにおいて、炭素と弗素とを含む第１の分子ガスと窒素を含む第２の分子ガスとを含む混合ガスからプラズマ３を生成し、且つ、ウエハ４を設置する電極５に２ＭＨｚ以下のＲＦバイアスを印加する。 - 特許庁

(2) The apparatus for disposal of the optical recording medium is equipped with a means for setting the optical recording medium having the metal layer and the ultraviolet-curing resin layer on the polycarbonate resin base and a means for removing these layers from the medium by dry etching and recovering the polycarbonate resin.例文帳に追加

（２）ポリカーボネート樹脂基板上に金属層及び紫外線硬化樹脂層を有する光記録媒体を載置する手段、該光記録媒体を乾式エッチングして金属層及び紫外線硬化樹脂層を除去し、ポリカーボネート樹脂を回収する手段を備えたことを特徴とする光記録媒体の処理装置。 - 特許庁

The black layer 46 is subjected to dry etching to integrally form a peripheral light-shielding film 45 covering the peripheral region S of a pixel forming region A of the solid-state imaging element 10, and an aperture pattern to leave a black matrix 41 as boundaries among red, green and blue pixels 40R, 40G and 40B, respectively, on the pixel forming region A.例文帳に追加

黒色層４６をドライエッチングして、固体撮像素子１０の画素形成領域Ａの周縁領域Ｓを覆う周縁遮光膜４５と、画素形成領域Ａ上に赤色・緑色・青色画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ間の境界となるブラックマトリックス４１を残すように開口パターンとを一体形成する。 - 特許庁

To obtain a polysiloxane which can give a radiation-sensitive resin composition having a high transparency to light of a wavelength of 193 nm or shorter and being highly sensitive, and excellent in dry etching resistance, developability, adhesion to a substrate, or the like, to provide a method for producing the same, and to obtain a radiation-sensitive resin composition containing the polysiloxane.例文帳に追加

１９３ｎｍ以下の波長において透明性が高く、高感度であり、かつドライエッチング耐性、現像性、基板への接着性等にも優れた感放射線性樹脂組成物を与えるポリシロキサン、該ポリシロキサンの製造方法、および該ポリシロキサンを含有する感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁