「Dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

To suppress variations in threshold caused by a plasma damage to a memory cell and a peripheral transistor at the time of dry etching of an EEPROM capable of electrically rewriting data.例文帳に追加

本発明は、データを電気的に書き換えることが可能なＥＥＰＲＯＭにおいて、ドライエッチングの際のメモリセルおよび周辺トランジスタに対するプラズマダメージに起因するしきい値のばらつきを抑制できるようにする。 - 特許庁

After arranging a mask 14 which has prescribed thickness distribution on a piezoelectric material substrate 11, working is performed in the target three dimensional shape by dry etching using working speed difference between the piezoelectric material substrate 11 and the mask 14.例文帳に追加

圧電材料基板１１上に所定の膜厚分布をもつマスク１４を設けた後、圧電材料基板１１，マスク１４の加工速度差を利用したドライエッチングにより目標三次元形状に加工する。 - 特許庁

To realize a manufacturing apparatus of semiconductor devices which enables analysis of state of gas adsorbed on the surfaces inside a dry etching device, without having to open to the air, and removal of adsorbed substances before release into the air.例文帳に追加

ドライエッチング装置内の表面に吸着しているガスの状態を大気開放することなく分析し、大気解放前に吸着物質を除去することとが可能な半導体デバイスの製造装置を実現する。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck device which can provide a patterning process of increasing a product yield, and stabilizing dry etching by controlling discharge in the interior of an He gas supply hole.例文帳に追加

Ｈｅガス供給穴内部での放電を制御して、製品の歩留りを向上させ、ドライエッチングによる安定したパターンニング工程を提供することができる静電チャック装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a dry etching method removing a solid material composed of plural constituting elements by one atomic layer or by one molecular layer and capable of controlling the order of the atomic layers or the order of the molecular layers, and to provide a device therefor.例文帳に追加

複数の構成元素からなる固体材料を１原子層又は１分子層ずつ除去して、原子層オーダー又は分子層オーダーの制御が可能なドライエッチング方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

An insulating film 15 is formed on a lower wiring layer 14 formed on a board 11, and then the insulating film 15 is subjected to dry etching using a resist pattern 16 as a mask to bore a viahole 17 in the insulating film 15.例文帳に追加

基板１１上に形成された下層配線１４上に絶縁膜１５を形成した後、レジストパターン１６をマスクとして絶縁膜１５に対してドライエッチングを行なって、絶縁膜１５にビアホール１７を形成する。 - 特許庁

The ND filter is manufactured by applying a resist 3 on an ND filter material 4 having uniform density, exposing the resist while masking with a density gradation pattern, developing, and dry etching to develop a gradient in the thickness.例文帳に追加

一様な濃度を持つＮＤフィルタ材４にレジスト３を塗布し、前記レジストを濃度のグラデーションパターンでマスキングして露光しかつ現像して、ドライエッチングを行って厚みに傾斜をもつように作製されている。 - 特許庁

In the dry etching system 10, a chamber 12 for containing an Si wafer W is coupled with supply sources 32, 38, 40 and 42 of SF6 gas, N2 gas, CF4 gas and O2 gas through a gas mixing chamber 30.例文帳に追加

ドライエッチング装置１０は、ＳｉウェハＷが収容されるチャンバ１２に、ガス混合室３０を介して、それぞれＳＦ_6ガス、Ｎ_2ガス、ＣＦ_4ガス及びＯ_2ガスの供給源３２，３８，４０，４２が接続されたものである。 - 特許庁

To provide a pattern forming method by which a resist pattern having a halftone pattern portion is formed using a photosensitive resist composition so that excellent residual film thickness exposure margin and dry etching resistance of the halftone pattern portion are ensured.例文帳に追加

感光性レジスト組成物を用いて、ハーフトーンパターン部を有するレジストパターンを形成する方法であって、ハーフトーンパターン部の残膜厚露光マージンと耐ドライエッチング性に優れたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for correcting variations in a CD due to fogging effect, that appears in electron beam exposure and/or loading effect that appears in a dry etching process for exposure, and to provide a record medium where the method is recorded.例文帳に追加

電子ビーム露光時に現れるフォギング効果及び／または乾式エッチング工程時に現れるローディング効果によるＣＤの変化を補正して露光する方法及びこれを記録した記録媒体を提供する。 - 特許庁

A substrate 21 equipped with a slab layer 211 composed of Si and a clad layer 212 composed of SiO_2, is used first to form holes 22 having a periodic array in the slab layer 211 and an in-crystal waveguide 23 by dry etching ((b)).例文帳に追加

Siから成るスラブ層２１１、SiO_2から成るクラッド層２１２を備える基板２１を用い、まず、ドライエッチングによりスラブ層２１１に周期的配列を有する空孔２２と結晶内導波路２３を形成する((b))。 - 特許庁

After an insulation film 27 for the insulator mask 25 is grown on the oxide film 23 using the deposition device, the insulation film 27 and the oxide film 23 are subjected to dry etching by using photolithography to form the insulator mask 25.例文帳に追加

成膜装置を用いて、絶縁体マスク２５のための絶縁膜２７を酸化膜２３上に成長する後に、フォトリソグラフィを用いて絶縁膜２７及び酸化膜２３をドライエッチングして絶縁体マスク２５を形成する。 - 特許庁

In Fig. 1 (d), dry etching is added by using first resist 1 and second resist 2 as masks, and an active layer region 12 and an N-type AlGaAs clad layer 11 are exposed only in a corner mirror part.例文帳に追加

図１（ｄ）において、第一のレジスト１と第二のレジスト２とをマスクにしてドライエッチングを追加して、コーナーミラー部でのみ活性層領域１２とｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１１が露出するようにする。 - 特許庁

A connecting hole 107 with the lower layer of the ferroelectric capacitor is filled with a second electric conductor 109 composed of a tungsten film, and the lower layer except for the inside of the connecting hole is removed by anisotropic dry etching and protruded out of the connecting hole.例文帳に追加

強誘電体キャパシタの下層との接続孔１０７を、タングステン膜からなる第二の導電体109で埋め込み、接続孔の内部以外を異方性ドライエッチングにより除去して接続孔より突出させる。 - 特許庁

To provide a polymer compound excellent in resolution in exposure to an ArF excimer laser and dry etching resist, capable of suppressing line edge roughness small and useful for a base resin for use in a radiation sensitive resist.例文帳に追加

特にＡｒＦエキシマレーザー露光における解像性とドライエッチング耐性に優れ、ラインエッジラフネスを小さく抑えることができる感放射線レジスト用のベース樹脂として有用な高分子化合物の提供。 - 特許庁

To pattern a laminated film with small size shift, without reducing photoresist size, in a process where an upper electrode film and a ferroeelctric film are subjected to in batch dry etching by using the same photoresist mask and a pattern is formed.例文帳に追加

上部電極膜と強誘電体膜を同一のフォトレジストマスクを用い一括でドライエッチングを行いパターンを形成する工程において、フォトレジストサイズの縮小がなく、サイズシフトの小さい積層膜のパターニングを行う。 - 特許庁

To provide a light emitting element and a method of manufacturing the same which can prevent a residue of a protective metal layer in a dry etching process from being deposited on a compound semiconductor layer and degrading electrical characteristics.例文帳に追加

ドライエッチング工程で生じる保護金属層の残留物が化合物半導体層に付着され、電気的特性が低下することを解決することができる発光素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide the collection apparatus of solid matter suited to simple and safe treatment of dry etching exhaust gas containing solid matter, and the collection method of the solid matter using the same.例文帳に追加

本発明の課題は、固形物を含有するドライエッチング排ガスの簡便且つ安全な処理をするために適した固形物捕集装置及び当該捕集装置を用いた固形物含有の捕集方法を提供することにある。 - 特許庁

Then, patterning is applied to the first conductive silicon film 30 with dry etching based on a resist mask R1 to form a horizontal CCD-CCD transfer electrode 12 having an inclined side face 12a (Fig.2(b)).例文帳に追加

次いで、第１の導電性シリコン膜３０をレジストマスクＲ１に基づいたドライエッチングによりパターニングすることにより、傾斜した側面１２ａを有する水平ＣＣＤ間転送電極１２を形成する（図２（ｂ））。 - 特許庁

(c) Among anisotropic plasma dry etching devices having cassette-to-cassette functions and load lock functions or devices designed to be connected to and used with equipment falling under (e), those that fall under any of the following 例文帳に追加

ハ　異方性プラズマドライエッチング装置であって、カセットツウカセット機能及びロードロック機能を有するもの又はホに該当するものに接続して使用するように設計したもののうち、次のいずれかに該当するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

To provide an antireflection film for lithography having a high antireflection effect, causing no intermixing with a photoresist layer, having a high dry etching rate compared to the photoresist and giving a wide focus depth margin.例文帳に追加

反射光防止効果が高く、フォトレジスト層とのインターミキシングが起こらず、フォトレジストに比較して大きなドライエッチング速度を有し、広いフォーカス深度マージンを与える、リソグラフィー用反射防止膜を提供すること。 - 特許庁

To provide an antireflection film for lithography having a high antireflection effect, causing no intermixing with a photoresist, having a high dry etching rate compared to the photoresist and giving a wide focus depth margin.例文帳に追加

反射光防止効果が高く、フォトレジストとのインターミキシングを起こさず、フォトレジストに比較して大きなドライエッチング速度を有し、広いフォーカス深度マージンを達成できる、リソグラフィー用反射防止膜を提供すること。 - 特許庁

To provide a new polycyclic unsaturated hydrocarbon derivative useful as a monomer for producing radiation-sensitive resists which have good dry etching resistance and excellent transparency for radiations having wavelengths of ≤160 nm.例文帳に追加

波長１６０ｎｍ以下の放射線に対する透明性が優れ、かつ耐ドライエッチング性の良好な感放射線レジストを製造するためのモノマーとして有用な新規な多環式不飽和炭化水素誘導体を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for forming a resist underlay film having a large selection ratio in a dry etching rate and showing a desired k value and a refractive index n at a short wavelength such as ArF excimer laser light.例文帳に追加

ドライエッチング速度の選択比が大きく、しかもＡｒＦエキシマレーザーのような短波長でのｋ値及び屈折率ｎが所望の値を示すレジスト下層膜を形成するための組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

To incorporate correction for a dimensional difference caused by dry etching in gate portions with different conductivity types into light intensity simulation for the mask data of a semiconductor integrated circuit device having a dual gate structure.例文帳に追加

デュアルゲート構造を含む半導体集積回路装置のマスクデータに、導電型が異なるゲート部にドライエッチにより生じる寸法差に対する補正を光強度シミュレーションに組み込むことができるようにする。 - 特許庁

To prevent a substrate from spring up from a stage due to a pressure of a cooling gas supplied to an area between the substrate and the stage and causing the position aberration when abnormality occurs during dry etching processing.例文帳に追加

ドライエッチング処理の実施中に異常が発生した場合に、基板とステージとの間に供給される冷却用ガスの圧力に起因して基板がステージ上より跳ね上がって位置ズレが生じることを防止する。 - 特許庁

To prevent uneven cooling by preventing leakage of cooling gas for dry etching from a through-hole when the notch of a wafer is aligned in a support plate having a plurality of through-holes in the thickness direction.例文帳に追加

厚さ方向に複数の貫通孔を有するサポートプレートにおいて、ウエハのノッチを位置合わせする際に、貫通孔から、ドライエッチングの際の冷却ガスの漏れを防ぎ、冷却が不均一になることを防止する。 - 特許庁

To prevent a test wire from being broken during dry etching and to prevent a test error by shortening a process time by forming source and drain electrodes of molybdenum and forming the test wire of a gate substance.例文帳に追加

ソース及びドレイン電極をモリブデンで形成して工程時間を短縮し、テスト配線をゲート物質で形成することにより、乾式エッチングの間テスト配線が断線されないようにしてテスト誤りを防止する。 - 特許庁

In the cleaning method of the semiconductor substrate, the residual generated in dry-etching the insulating film layer is removed by a cleaner including oxidizing agent and chelate agent in the manufacturing process of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の製造工程において、絶縁膜層のドライエッチング時に発生する残渣物を酸化剤とキレート剤とを含有する洗浄剤により除去することを特徴とする半導体基板の洗浄方法である。 - 特許庁

To provide a resist residue remover and cleaner capable of removing dry etching residue in a semiconductor device manufacturing process and particles and metal impurities on a wafer surface without corroding wiring and gate metals.例文帳に追加

半導体デバイス製造プロセスにおけるドライエッチング残渣及びウエーハ表面のパーティクル粒子、金属不純物を配線及びゲート金属を腐食することなく除去可能な除去剤・洗浄剤を提供する。 - 特許庁

To provide a new silicon-containing alicyclic compound useful as a raw material for polysiloxane resins used for chemical amplification resists having excellent dry etching resistance, transparency to radiation, resolution, a developing property.例文帳に追加

ドライエッチング耐性、放射線に対する透明性、解像度、現像性等に優れた化学増幅型レジストに使用されるポリシロキサン系樹脂の原料等として有用な新規ケイ素含有脂環式化合物を提供する。 - 特許庁

A manufacturing method of the semiconductor device, in which a semiconductor substrate 100 is etched by using a photoresist 102 including sulfur, in the manufacturing method of the semiconductor device including a dry etching process using a chlorine gase.例文帳に追加

塩素系ガスを用いるドライエッチング工程を含む半導体素子の作製方法において、硫黄を含むフォトレジスト102を用いて半導体基体100をエッチングすることを特徴とする半導体素子の作製方法。 - 特許庁

A substrate coated with a negative type photoresist is rotated and is continuously subjected to surface exposure, heat treatment, development by a dry process, etching and resist removal, thereby, signal projections are formed on the substrate surface and the substrate is worked to have a stamper size.例文帳に追加

ネガタイプフォトレジストを塗布した基板を回転させ、表面露光、加熱処理、ドライプロセスによる現像及びエッチング及びレジスト除去を連続して行い、基板表面に信号突起を形成し、スタンパーサイズに加工する。 - 特許庁

In this way in a manufacturing method for a semiconductor device, the damaged layer 37b as a factor for increasing contact resistance on a surface of the contact plug 37a can be removed in the dry etching step, and the contact resistance can be improved.例文帳に追加

このような半導体装置の製造方法により、コンタクトプラグ表面のコンタクト抵抗の増加要因として作用する損傷層を乾式エッチングで除去することにより、コンタクト抵抗を改善させ得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a patterned magnetic recording medium by which only a necessary part can be highly accurately machined in a dry etching process when forming a rugged pattern of an interlayer.例文帳に追加

本発明の目的は、中間層の凹凸パターン形成時のドライエッチングプロセスにおいて、必要部位のみを高精度に加工することができる、パターンドメディア型の磁気記録媒体の製造方法を提供することである。 - 特許庁

The first mask 102 comprising a resist heated higher than a glass transition point and the second mask 103 comprising a resist not subjected to such heat treatment are formed on a silicon substrate 101, and dry etching is applied thereto.例文帳に追加

シリコンの基板１０１上に、ガラス点移転以上に加熱したレジストからなる第一のマスク１０２と、このような熱処理を実施しないレジストからなる第二のマスク１０３を形成し、ドライエッチングを実施した。 - 特許庁

To prevent roughening on the surface or side walls of land/groove tracks, protrusions at the groove ends and uneven distribution of the groove depth caused by the method of machining and manufacturing a stamper for a substrate having deep land and grooves by a conventional method of dry etching.例文帳に追加

従来のドライエッチングを用いた深溝ランドグルーブ基板用スタンパの加工製造方法で発生するランド／グルーブトラック表面や側壁部の荒れ、グルーブ端部の突起や溝深さの不均一性を改善する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition having high transparency to a radiation, satisfying basic properties required by a resist, such as sensitivity, resolution, dry etching resistance and pattern shape, and ensuring good adhesiveness to a substrate and few development defects.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストに要求される基本性能を満たすとともに、基板に対する接着性が良好で現像欠陥が少ない。 - 特許庁

When a gate electrode film is processed by dry etching, such an impurity concentration distribution as the etching rate in a first gate electrode forming region is substantially equal to the etching rate in a second gate electrode forming region not introduced with impurities is formed from the surface of the region for forming the first gate electrode in the gate electrode film down to a first depth thereof.例文帳に追加

ゲート電極膜をドライエッチングで加工する際に、ゲート電極膜における第１のゲート電極が形成される第１のゲート電極形成領域の表面から前記ゲート電極膜の内部の第１の深さまで、第１のゲート電極形成領域のエッチングレートと、不純物が導入されていない第２のゲート電極形成領域とのエッチングレートとが略同等となるような不純物濃度分布を形成する。 - 特許庁

When formed by dry etching in a laminate structure comprising a high carbon concentration insulating film 114 and a low carbon concentration insulating film 116 containing no carbon or having a low carbon concentration, the groove is formed in the low carbon concentration insulating film 116 under a first etching condition using a first etching gas to which a CHF-based gas is added, and then a high carbon concentration insulating film 114 is exposed from a wiring groove bottom part.例文帳に追加

高炭素濃度絶縁膜１１４と、炭素を含まないまたは炭素濃度が低い低炭素濃度絶縁膜１１６との積層構造にドライエッチングで配線溝を形成する際、ＣＨＦ系ガスを添加した第１のエッチングガスを用いた第１のエッチング条件で低炭素濃度絶縁膜１１６に配線溝を形成し、当該配線溝底部に高炭素濃度絶縁膜１１４を露出させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor devices by which harmful effects due to residues of deteriorated layer formed in a metal film during a wet etching process on subsequent processes and on device characteristics can be reduced, and high-quality semiconductor devices can be stably manufactured when it has a process for wet etching the metal film and a process for dry etching the metal film afterward.例文帳に追加

金属膜をウエットエッチングする工程と、この後、この金属膜をドライエッチングする工程を有する場合において、ウエットエッチング工程において金属膜に形成された変質層の残渣に起因する以後の工程に与える悪影響及びデバイス特性に与える悪影響を軽減することができ、良質な半導体装置を安定的に製造することのできる半導体装置の製造方法等を提供する。 - 特許庁

In a dry etching method, first reaction gas containing hydrogen and second reaction gas containing fluorine are brought into contact with a heating element 110 to generate hydrogen radicals and fluorine radicals, the hydrogen radicals and the fluorine radicals are reacted with the first reaction gas and the second reaction gas to generate etching gas, and a silicon oxide layer on a substrate is etched with the etching gas.例文帳に追加

本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第１の反応ガスとフッ素を含む第２の反応ガスとを加熱体１１０に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第１の反応ガスおよび前記第２の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。 - 特許庁

To prevent the occurrence of a defective shape of a via hole which can occur in the case of using an alumina mask for dry etching of an interlayer insulation film consisting of an SiOC film in a dual damascene process for forming the via hole in advance of forming a wiring groove.例文帳に追加

配線溝の形成に先立ってビアホールを形成するデュアルダマシン工程において、ＳｉＯＣ膜からなる層間絶縁膜のドライエッチングにアルミナマスクを使用する場合に生じ得るビアホールの形状不良を防止する。 - 特許庁

To provide a novel fluorine containing polymer compound useful as a base resin for radiation sensitivity resist excellent in properties such as transparency to radiations at wave length of 200 nm or less, adhesiveness to a base plate, affinity to a developing solution and dry etching resistance.例文帳に追加

波長２００ｎｍ以下の放射線に対する透明性、基板密着性、現像液親和性、ドライエッチング耐性等の性能に優れる感放射線レジスト用のベース樹脂として有用な新規含フッ素高分子化合物の提供。 - 特許庁

In a planar display element which is constituted by being provided with a pair of an ITO (indium tin oxide) electrode layer and an aluminum electrode layer which are disposed to face oppositely with a display layer on an insulating substrate, the aluminum electrode layer is formed by dry etching.例文帳に追加

絶縁基板上に表示層を介して対向配置される一対のＩＴＯ電極層とアルミニウム電極層とを備えてなる平面表示素子において、前記アルミニウム電極層はドライエッチングで形成される。 - 特許庁