「Dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide, as an ArF excimer laser mask, a phase shift mask blank which has minimized wavelength dependency of transmittance so as to make defect inspection possible, and which is processed with a single dry etching gas, and also to provide a phase shift mask and a pattern transfer method using the blank.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザ用マスクとして、欠陥検査も可能となるよう透過率の波長依存性が小さく、単一のドライエッチングガスで加工可能な位相シフトマスクブランク、それを用いたいそうシフトマスク、及びパターン転写方法を提供する。 - 特許庁

The trench 106 is formed in a semiconductor silicon substrate 101 by dry etching using the mask, and hydrophilic treatment is performed on the interior of the hydrophobic trench 106, and then, the SiO_2 film 104 used as the mask for trench formation is removed by a wet process.例文帳に追加

マスクを用いて、シリコン基板１０１にドライエッチングにより溝部１０６を形成し、その疎水性の溝部１０６の内部に親水化処理を行った後に、溝部形成にマスクとして用いたＳｉＯ_２膜１０４をウェット処理により除去する。 - 特許庁

Upon forming a light-transmitting pixel electrode 7a having a slit 7b on an insulating film 8 in the process of manufacturing an element substrate of a liquid crystal, a resist mask 96 is formed on an overlay conductive film 7 and subjected to dry etching.例文帳に追加

液晶装置の素子基板の製造工程において、スリット７ｂを備えた透光性の画素電極７ａを絶縁膜８上に形成するにあたって、上側導電膜７の上にレジストマスク９６を形成した後、ドライエッチングを行なう。 - 特許庁

Even if abrasion in the upper surface 41a of the tray body 41 due to repetition of a dry etching treatment develops, a substrate 2 maintains a state where the substrate is received in the substrate receiving holes 42A-42F without causing displacement by being restrained by the projection 45.例文帳に追加

ドライエッチング処理の繰り返しでトレイ本体４１の上面４１ａの削れが進行しても、基板２は突起４５で規正されることで位置ずれを生じることなく基板収容孔４２Ａ〜４２Ｆに収容された状態を維持する。 - 特許庁

A metal atom in the reaction product 7 generated during the dry etching of the insulating film is allowed to react to other substances for changing into a compound, and the compound is removed, thus simultaneously performing the generation inhibition and elimination of the reaction product 7.例文帳に追加

上記絶縁膜のドライエッチング中に生じた反応生成物７中の金属原子を、他の物質と反応させて化合物に転化し、その化合物を除去することにより、上記反応生成物７の生成抑制及び除去を同時に行う。 - 特許庁

A surface treatment, using nitrogen plasma, is performed on the damages that have occurred on the surface of the first compound semiconductor layer 22 during the dry etching, thereby the surface of the first compound semiconductor layer 22, having proper electrical characteristics is formed.例文帳に追加

前述のドライエッチングの際に第１化合物半導体層２２の表面に生じたダメージを、窒素プラズマを用いた表面処理を行うことにより、良好な電気特性をもつ第１化合物半導体層２２の表面を形成する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resist composition less liable to cause the photodegradation and crosslinking reaction of a base resin in a lithographic process using radiation of an ultra-short wavelength of ≤160 nm as a light source and excellent in dry etching resistance.例文帳に追加

波長１６０ｎｍ以下の超短波長放射線を光源に用いるリソグラフィープロセスにおいて、基材樹脂の光分解や架橋反応が起こりにくく、しかも耐ドライエッチング性に優れる放射線感応性レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

In this case, when the silicon nitride film 22 is completely removed, the genuine amorphous silicon film 21 of the base is exposed, the exposed genuine amorphous silicon film 21 is dry-etched to some extent, and its etching rate is about 400 Å/min.例文帳に追加

この場合、窒化シリコン膜２２が完全に除去されると、下地の真性アモルファスシリコン膜２１が露出され、この露出された真性アモルファスシリコン膜２１がある程度ドライエッチングされるが、そのエッチングレートは約４００Å／ｍｉｎであった。 - 特許庁

Then, holes 25 having a periodic array and in-crystal waveguide 27 are formed in the slab layer 211 by dry etching, with a groove 26 formed simultaneously, thereby forming the fine wire waveguide 25 on the extension of the in-crystal waveguide 27 ((e)).例文帳に追加

次に、ドライエッチングにより、スラブ層２１１に周期的配列を有する空孔２５と結晶内導波路２７を形成すると共に、溝２６を形成することにより結晶内導波路２７の延長上に細線導波路２５を形成する((e))。 - 特許庁

To provide a photosensitive polymer which satisfactorily ensures dry etching resistance while keeping the production cont low and has superior adhesiveness to an under film and a resist composition for ArF excimer laser containing the polymer.例文帳に追加

製造コストが低廉でありつつ乾式蝕刻に対する耐性を十分に確保すると同時に、下部膜質に対する優れた接着特性を持つ感光性ポリマーおよびこれを含有するＡｒＦエクシマレーザ用レジスト組成物を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for efficiently producing a new adamantane derivative which is useful as a modifying agent for a resin for a photoresist and a dry etching resistance-improving agent in the photolithography field, agricultural and medical intermediates and other various industrial products.例文帳に追加

フォトリソグラフィー分野におけるフォトレジスト用樹脂の改質剤やドライエッチング耐性向上剤、農医薬中間体、その他各種工業製品として有用な新規なアダマンタン誘導体を効率よく製造する方法を提供すること。 - 特許庁

By performing dry etching using the photoresist film 31 as a mask, the upper electrode material film 12A and the memory layer material film 13A are etched in this order thus forming an upper electrode 12 and a memory layer 13 in the shape of a line (linearly).例文帳に追加

フォトレジスト膜３１をマスクとしたドライエッチングを行うことにより、上部電極材料膜１２Ａおよび記憶層材料膜１３Ａをこの順にエッチングし、上部電極１２および記憶層１３をライン状（線状）に形成する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition having high transparency to a short-wavelength radiation typified by far UV, excellent in basic physical properties as a resist, such as sensitivity, resolution, dry etching resistance and pattern shape, and ensuring few development defects.例文帳に追加

遠紫外線に代表される短波長の放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れ、特に現像欠陥が少ない感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition having high transparency to ArF excimer laser light, high sensitivity and high resolution, and high affinity with an alkali and giving a pattern with a preferable pattern profile and preferable dry etching durability and adhesion property by a paddle development system.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザー光に対する透明性が高く、高感度で高解像度、アルカリに対して高い親和性、パドル現像によりパターン形状、耐ドライエッチング性、密着性の良好なパターンが得られるポジ型ホトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing various forms of replica molds for nano imprint using nano imprint and a dry etching process; and a method of forming a multi-step pattern or a micro pattern using a nano imprint process with the manufactured replica molds for nano imprint.例文帳に追加

ナノインプリントと乾式エッチング工程とを用いて多様な形態のナノインプリント用のレプリカモールドを製作する方法と製作されたナノインプリント用のレプリカモールドでナノインプリント工程を用いて多段パターンや微細パターンを成形する方法を提供する。 - 特許庁

After a plurality of conductive carbon films 3 separated mutually and used as sensor parts are formed on the surface of an insulating substrate 2, a through hole is formed on an area just under each conductive carbon film 3 on the insulating substrate 2 by dry etching.例文帳に追加

絶縁性基板２の表面上に、センサ部となる相互に分離された複数の導電性炭素膜３を形成した後、ドライエッチングにより、絶縁性基板２における各導電性炭素膜３の直下域に貫通孔を形成する。 - 特許庁

The side surface 12a of the laminate structure 12 is formed by dry etching, and at least a part thereof has a cross section formed by cutting the laminate structure at a plane perpendicular to a laminating direction is an uneven shape as a corrugated shape.例文帳に追加

積層構造体１２の側面１２ａはドライエッチングにより形成されており、その少なくとも一部は当該積層構造体の積層方向に直交する平面で切断したときにできる断面の形状が波状である凹凸面である． - 特許庁

To provide an electrode plate for a plasma device which can easily be positioned when fitted to a diffusion plate of a plasma dry etching device, etc., and causes neither cracking nor breaking during fitting using a bolt and an actual process.例文帳に追加

プラズマ装置用電極板をプラズマドライエッチング装置等の拡散板部に取り付けるに際して、容易に位置決めが可能で、かつボルトによる取り付け時および実プロセスにおいて、クラックや割れが発生しないプラズマ装置用電極板を提供する。 - 特許庁

Subsequently the insulating film 4 is subjected to anisotropic dry etching, thereby removing the insulating film 4 on the top face of the lower electrode wiring MO, and a part of the insulating film 4 is left undone as a sidewall between the adjacent lower electrode wirings MO.例文帳に追加

それから、絶縁膜４を異方性ドライエッチングすることにより、下部電極配線Ｍ０の上面上の絶縁膜４を除去し、かつ隣り合う下部電極配線Ｍ０間に絶縁膜４の一部をサイドウォールＳＷとして残す。 - 特許庁

To solve the problem that, in a method of making an electrode forming unit simply by dry etching in a GaN RHET element, it is difficult to form an electrode with sufficient yield while reducing a contact resistance with a thin base layer as low as possible.例文帳に追加

ＧａＮ系ＲＨＥＴ素子においては、単純にドライエッチングによって電極形成部を作り込むだけの方法ではその薄いベース層に接触抵抗を極力低くしつつ歩留まりよく電極を形成することは困難である。 - 特許庁

A patterning is made on a transparent conductive film laminate, which is made by laminating a transparent film layer of high refraction factor (a) 20 and a transparent metal film layer (b) 30 on a transparent substrate (A) 10, by a dry etching method by sputtering with an inert gas.例文帳に追加

透明基体（Ａ）１０上に、透明高屈折率薄膜層（ａ）２０及び透明金属薄膜層（ｂ）３０を積層してなる透明導電性膜膜積層体を不活性ガスによるスパッタリングによりドライエッチング法でパターニングを行なう。 - 特許庁

To provide a method by which the fall of a resist selection ratio can be prevented and, in addition, no damage is given to a low-dielectric constant interlayer insulating film covered with a resist mask and composed of an SiOCH- or SiOC-based material in dry-etching the interlayer insulating film.例文帳に追加

レジストマスクで覆われたＳｉＯＣＨ或いはＳｉＯＣ系材料の低誘電率層間絶縁膜をドライエッチングする場合に、対レジスト選択比が低下することが防止でき、その上、層間絶縁膜にダメージを与えることがないようにする。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive composition having a chemical structure transparent to ArF excimer laser beams having a wavelength of 193 nm and high in resistance to dry etching, and a method for forming a negative pattern free from swelling and high in resolution and superior in developability by using an aqueous developing solution of widely used tetramethylammonium hydroxide.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザの波長１９３nmに透明かつドライエッチング耐性が高い化学構造を持ち、汎用のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液による現像で膨潤のない、解像性に優れたネガ型のパタン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of recovering dielectric constant increase caused by damage of dry etching, and of preventing increase of a dielectric constant due to storage in the atmosphere, in relation to a manufacturing method of a semiconductor device using a silica-based insulating layer.例文帳に追加

シリカ系絶縁膜を用いた半導体装置の製造方法に関し、ドライエッチングのダメージに起因する誘電率増加を回復するとともに、大気放置による誘電率の増加を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a polymer molded body includes a process of dry-etching a polyglycolic acid-containing polymer structure by the use of a power output of 1-6 W and an electric current of 3 mA or less under the degree of vacuum of 50 mTorr or less, and thus forming a recessed part on the above polymer structure.例文帳に追加

ポリグリコール酸を含むポリマー構造体を、真空度５０ｍＴｏｒｒ以下、出力１〜６Ｗかつ電流３ｍＡ以下でドライエッチングして、上記ポリマー構造体に凹部を形成する工程を備える、ポリマー成形体の製造方法。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition having excellent adhesion property with a metal substrate such as a 42 alloy (Fe:Ni=58:42) and causing no elusion of an adhesion accelerating agent from the resist even in an etching liquid at a high temperature, and to provide a dry film photoresist using the above composition.例文帳に追加

４２アロイ等の金属基材との密着性に優れ、高温のエッチング液に対しても密着促進剤がレジストから溶出しない、感光性樹脂組成物及びそれを用いたドライフィルムフォトレジストを提供しようとするものである。 - 特許庁

A third insulating film 112 is formed on the trench liner 110, then the second insulating film and the trench liner 110 are etched flat till the surface of the first insulating film is exposed, and the first insulating film and the trench liner 110 are removed by dry etching.例文帳に追加

そして、トレンチライナ上に第３絶縁膜１１２が形成された後、第１絶縁膜の表面が露出するまで第２絶縁膜とトレンチライナ１１０が平坦にエッチングされ、第１絶縁膜とトレンチライナ１１０が乾式エッチングで除去される。 - 特許庁

With this structure, a new process and device development for forming a penetration electrode by dry-etching method after thinning the wafer becomes unnecessary and introduction of special design makes it possible to produce a penetration electrode which is largely decreased in each process difficulty.例文帳に追加

これにより、ウェハを薄型化した後にドライエッチングによって貫通電極を形成する新規のプロセス、装置開発が不要となり、さらに専用設計の導入によって各プロセス難易度を大幅に低減した貫通電極の形成が可能となる。 - 特許庁

When the retaining capacitor of a liquid crystal device is constituted, a thick lower-layer-side gate insulating layer 4a of a gate insulating layer 4 is formed and then the lower-layer-side gate insulating layer 4a at a part overlapping the lower electrode 3c is removed by dry etching.例文帳に追加

液晶装置の保持容量を構成するにあたって、ゲート絶縁層４の厚い下層側ゲート絶縁層４ａを形成した後、ドライエッチングにより下電極３ｃと重なる部分の下層側ゲート絶縁層４ａを除去する。 - 特許庁

To provide a chemical amplification type positive type resist composition containing a resin component and an acid generator, suitable for excimer laser lithography using ArF, KrF or the like, excellent in performance balance of resolution and sensitivity and having high dry etching resistance.例文帳に追加

樹脂成分と酸発生剤を含有し、ＡｒＦやＫｒＦなどのエキシマレーザーリソグラフィに適した化学増幅型のポジ型レジスト組成物であって、解像度、感度の性能バランスに優れ、高いドライエッチング耐性を有する組成物を提供する。 - 特許庁

To obtain a positive photosensitive resin compsn. excellent in the rate of a residual film, resist profile and dry etching resistance and not causing the problem of development defects when far UV, in particular ArF excimer laser light is used as a light source for exposure.例文帳に追加

露光光源として、深紫外線、特にＡｒＦエキシマレーザー光を用いた場合、残膜率、レジストプロファイル及びドライエッチング耐性が優れるとともに、現像欠陥の問題を生じないポジ型感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

Since the holes 24 are separately arranged in such a way that the intervals between the holes 24 and adjacent holes 24 become larger than the minimum interval of the connecting holes of a circuit, the shaved amount of a substrate is reduced at the time of forming the connecting holes 24 by dry etching.例文帳に追加

また、これらの接続孔２４は、隣接する接続孔２４とのピッチが回路の接続孔の最小ピッチよりも大きくなるように離間して配置され、ドライエッチングで接続孔２４を形成する際の基板削れ量が低減される。 - 特許庁

After a dry etching process of the semiconductor substrate, when the cleaning liquid composition for the semiconductor substrate is used for surface cleaning of the semiconductor substrate, damage is minimized in a metal layer and an oxide film, and an impurity left on the substrate is easily removed.例文帳に追加

半導体基板のドライエッチング工程後、半導体基板の表面洗浄に前記洗浄液組成物を用いると、金属層及び酸化膜の損傷を最小化し、基板上に残留する不純物の除去を容易にすることができる。 - 特許庁

To provide a washing method of a coverslip with a spacer which prevents the stripping of a spacer and the formation of adhesive residue and which is capable of removing the residue at the time of dry etching and the environmental foreign matter.例文帳に追加

固体撮像装置に組み込まれるスペーサ付カバーガラスを洗浄するにあたり、スペーサの剥がれ、接着剤残りの形成を防ぎ、ドライエッチング時の残渣、環境異物を除去することのできるスペーサ付カバーガラスの洗浄方法を提供すること。 - 特許庁

It is realized to form an electrode having the superior ohmic characteristic and high adhesion between the electrode and the backside of the GaN substrate by dry etching the backside of the GaN substrate, when the electrode is formed on the backside of the GaN substrate.例文帳に追加

ＧａＮ基板裏面に電極を形成する際に、ＧａＮ基板裏面をドライエッチング処理することによって、ＧａＮ基板裏面との間に良好なオーミック特性を有して、かつ密着性の高い電極を形成することが可能となる。 - 特許庁

The rolling bearing of this configuration can be used for a long time even under the atmosphere in which strongly corrosive fluorine gas is generated, such as a dry etching apparatus or an excimer laser apparatus in a semi-conductor manufacturing step.例文帳に追加

この構成により、本発明の転がり軸受は、半導体製造工程におけるドライエッチング装置あるいはエキシマレーザー装置等、強い腐食性を有するフッ素系ガスが発生する環境下においても、長期に渡り使用することができる。 - 特許庁

To provide a monomer containing a polar group such as a lactone group or an ether group in its aliphatic structure and having excellent dry etching resistance and good adhesiveness to substrates among industrially profitable new photoresist monomers, and to provide a new lubricant and a new solvent.例文帳に追加

工業的に経済性上有利な新規フォトレジストモノマーの中で、その脂環構造にラクトン基やエーテル基等の極性基を導入し、ドライエッチング耐性に優れ、かつ基板密着性の良好なモノマー及び新規潤滑油や溶媒の提供。 - 特許庁

To provide a photoresist remover composition which removes a photoresist and resist residue produced after the dry etching of a wiring material used for a copper wiring semiconductor substrate, an insulating film or the like and has no corrosiveness to a metallic material, etc.例文帳に追加

銅配線半導体基板に用いられる配線材料、絶縁膜等のドライエッチング後に生じるレジスト残留物およびフォトレジストを除去し、かつ金属材料などに対する腐食性のないフォトレジスト剥離液組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a 2-alkyl-2-adamantyl (meth)acrylate having excellent physical properties such as excellent dry etching resistance in a semiconductor production process and useful as a semiconductor resist material in high pyrity and yield.例文帳に追加

半導体製造プロセスにおいてドライエッチング耐性が優れている等、優れた物性があり、半導体レジスト材料として有用な化合物である２−アルキル−２−アダマンチル（メタ）アクリレートを高純度、高収率で製造する方法を提供すること。 - 特許庁

In a state where the back surface 11R applied with the grease 12 is supported by a support substrate 13, dry etching is applied to the front surface 11F of the main substrate 11, and the boundary part between the back surface 11R and the front surface 11F is penetrated via the initial groove FV.例文帳に追加

さらに、このグリス１２の塗られた裏面１１Ｒを支持基板１３が支える状態で、主基板１１の表面１１Ｆに対してドライエッチングが行われ、初期溝ＦＶを介して裏面１１Ｒと表面１１Ｆとの間が貫通する。 - 特許庁

To provide a coating liquid for forming an intermediate layer of a multilayer resist, the coating liquid having high dry etching durability, causing no mixing or dissolution with other layers, and capable of preventing a stationary wave effect by UV absorption, and to provide a method for forming a pattern using the coating liquid.例文帳に追加

ドライエッチング耐性が高く、他層とのミキシングや溶解を起こさず、また紫外光吸収により定在波効果を防ぐことのできる多層レジスト中間層形成用塗布液及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The mask layer 30b and the substrate 10 are simultaneously removed, e.g. by dry etching under conditions which make selection ratios to the substrate 10 and the mask layer 30b nearly equal to each other to transfer the shape of the mask layer 30b to the substrate 10 and to obtain the shape of the optical lens.例文帳に追加

基板１０とマスク層３０ｂに対する選択比が略同等となる条件のドライエッチング処理などによりマスク層と基板を同時に除去することで、マスク層３０ｂの形状を基板１０に転写し、光学レンズの形状とする。 - 特許庁

Then, a stripe area where the SiO2 film 14 of the width of 5 μm is removed is formed with the interval of about 25 μm, it is turned to a mask, the GaN layer 13 is removed for the depth of about 3 μm by dry etching and rectangular groove stripes are formed.例文帳に追加

その後SiO_2膜14を形成し、レジスト15を塗布後、幅5μmのSiO_2膜14を除去したストライプ領域を25μm程度の間隔で形成し、これをマスクにしてGaN層13をドライエッチングにより深さ3μm程度除去し、矩形状の溝ストライプを形成する。 - 特許庁

Furthermore, the subproduct is selectively deposited on the substrate of a low temperature so as not to be stuck inside the chamber of the dry etching device, thereby avoiding maintenance cycle reduction caused by atmospheric variations and particle generation that is the demerit when using depository production gases.例文帳に追加

また、副生成物は温度の低い基板へ選択的に堆積するためドライエッチング装置のチャンバー内には付着せず、デポ生成ガスを使用した場合のデメリットである、雰囲気変動およびパーティクルの発生による、メンテサイクルの短命化を回避できる。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition, excellent in light transmissivity, excellent in dry-etching tolerance, high in reaction efficiency by an acid catalyst, and excellent in adhesiveness to a substrate, and a pattern forming method giving an excellent pattern shape.例文帳に追加

光透過性に優れ、ドライエッチング耐性に優れ、酸触媒による反応効率が高く、かつアルカリ溶解性、基板との密着性に優れる感光性組成物と、表面粗さの小さい、優れたパターン形状が得られるパターン形成方法の提供。 - 特許庁