「Dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a radiation-sensitive resin composition useful as a chemically amplified resist having high transmittance of radiation and excelling in sensitivity, resolution, dry etching resistance and pattern profile.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターンプロファイル等に優れ、化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Then, a groove is formed on the non-porous insulation film by dry-etching with a resist pattern as a mask, and after the resist pattern is removed by ashing, the surface of the semiconductor substrate is cleaned.例文帳に追加

次に、レジストパターンをマスクとしたドライエッチングにより非多孔質絶縁膜に溝を形成し、アッシングによりレジストパターンを除去した後、半導体基板の表面を洗浄する。 - 特許庁

The manufacturing method is such that a capacitor lower electrode layer 113, a ferroelectric film 114 and a capacitor upper electrode layer 115 are formed in this order, and a dry etching using a photo resist 116 and a patterning follow.例文帳に追加

容量下部電極層１１３、強誘電体膜１１４、および容量上部電極層１１５をこの順で成膜した後、フォトレジスト１１６を用いてドライエッチングし、パターニングする。 - 特許庁

A dry etching apparatus 1 is disposed in an upper opening of a vacuum container facing a substrate 2, and on the upper surface 7g thereof, a beam-like spacer 7 for supporting a dielectric plate 8 is provided.例文帳に追加

ドライエッチング装置１は、基板２と対向する前記真空容器の上部開口に配置され、その上面７ｇに誘電体板８を支持する梁状スペーサ７を備える。 - 特許庁

After first dry etching are carried out on the third insulating film 4 and the second insulating film 3 with the resist film 6 as a mask, the resist film 6 and the anti-reflection film 5 are removed by ashing.例文帳に追加

レジスト膜６をマスクとして、第３の絶縁膜４および第２の絶縁膜３に第１のドライエッチングを行った後、レジスト膜６および反射防止膜５をアッシングにより除去する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor apparatus preventing a dielectric breakdown of a passivation film in a process of dry etching for forming a pad opening on the passivation film.例文帳に追加

パッシベーション膜にパッド開口部を形成するためのドライエッチング工程において、パッシベーション膜が絶縁破壊することを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The rotating stage 33 on which the tray 3 before dry etching is mounted is rotated, and a notch 3c is detected by a notch detection sensor 44, thereby adjusting a rotation angle position of the tray 3.例文帳に追加

ドライエッチング前のトレイ３を載置した回転ステージ３３を回転させ、ノッチ検出センサー４４によりノッチ３ｃを検出することでトレイ３の回転角度位置調整を行う。 - 特許庁

Then, in-layer lenses are formed by carrying out dry etching using the resist pattern 30d as a mask with a selection ratio of approximately 1, and by transferring the convex lens shape of the resist pattern 30d to a transparent film 29a.例文帳に追加

そして、このレジストパターン３０dをマスクとして選択比が略１でのドライエッチングを行って、透明膜２９aにレジストパターン３０dの凸レンズ形状を転写して、屋内レンズを形成する。 - 特許庁

An air knife is used in spraying the dry air into a layer type on a substrate in a substrate treater for performing an etching and is provided with air knife main bodies 51 and 52 and a gas feed piping 53.例文帳に追加

エアーナイフ５０は、エッチングを行う基板処理装置において、基板に対してドライエアーを層状に吹き付けるもので、エアーナイフ本体５１，５２と、気体供給配管５３とを備える。 - 特許庁

Dry-etching is performed with the annular film 144 as a mask to form a cylinder 142 which encloses a recessed part that is to be a vacuum dome for an infrared ray sensor, and a cylinder 142a for a visible light sensor.例文帳に追加

環状膜１４４をマスクとしてドライエッチングを行なって、赤外線センサ用の真空ドームとなる凹部を囲む筒部１４２と可視光センサ用の筒部１４２ａを形成する。 - 特許庁

To provide a chemical amplification type resist composition giving a resist pattern excellent in transparency particularly to radiation and property for dry etching and excellent further in sensitivity, resolution, flatness, heat resistance, etc.例文帳に追加

特に放射線に対する透明性、ドライエッチング性に優れ、さらに感度、解像度、平坦性、耐熱性等に優れたレジストパターンを与える化学増幅型レジスト用組成物を提供すること。 - 特許庁

Then, after a resist pattern is formed on the nonporous insulating film, a groove is formed in the nonporous insulating film by dry-etching the film by using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

次に、この非多孔質絶縁膜の上にレジストパターンを形成した後、このレジストパターンをマスクとして非多孔質絶縁膜のドライエッチングを行い、非多孔質絶縁膜に溝を形成する。 - 特許庁

To provide a dry etching method whereby a wiring pattern can be formed with ensuring a sufficient remaining quantity of resist, without giving damage to a base in manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造において、下地にダメージを与えずに、十分なレジスト残量を確保しながら配線パターンを形成することができるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition having high transparency to a radiation and useful as a chemically amplified resist excellent in sensitivity, resolution, dry etching resistance and pattern shape.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等に優れる化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a small, low-cost stage cooling mechanism for a plasma processing apparatus, which performs such plasma processing as filming or dry-etching a substrate that is an object to be processed.例文帳に追加

本発明は被処理物である基板に成膜、ドライエッチングなどのプラズマプロセスを行うプラズマプロセス用装置に関し、ステージ冷却機構の小型化及び低コスト化を図ることを課題とする。 - 特許庁

Then, the frame is removed and, further, the unnecessary part of the substrate film 21 other than a part present blow the track width defining layer 12a is removed by using dry etching such as ion milling.例文帳に追加

次に、フレームを除去し、更に、下地膜２１のうち、トラック幅規定層１２ａの下に存在する部分以外の不要な部分をイオンミリング等のドライエッチングを用いて除去する。 - 特許庁

To directly form a resist pattern on an Al alloy surface for use in an electrode pad or a wiring, and to cause etching residues not to be produced, when Al alloy film is selectively dry-etched.例文帳に追加

電極パッドや配線に用いられるＡｌ合金表面上に直接レジストパターンを形成し、Ａｌ合金膜を選択的にドライエッチングしたとき、エッチング残渣が発生しないようにする。 - 特許庁

To provide a plasma working apparatus of high working accuracy in achieving the dry etching of a sheet-like working material formed by laminating a plurality of material of different coefficient of thermal expansion.例文帳に追加

熱膨張係数が異なる複数の材料を積層してなるシート状の加工材料をドライエッチングするに際し、加工精度を高くできるようにしたプラズマ加工装置を提供する。 - 特許庁

The wettability of the surface of a transparent organic resin film 15b is improved by subjecting the interlayer insulating film 15 to nitrogen plasma treatment after dry etching the interlayer insulating film 15 to form a contact hole 16.例文帳に追加

層間絶縁膜１５にドライエッチングを行ってコンタクトホール１６を形成後、窒素プラズマ処理を施すことによって、透明有機樹脂膜１５ｂ表面のぬれ性を改善する。 - 特許庁

The bed surface treatment is selected from a group of phosphate coating film treatment, sealing treatment for the multipolar magnet of the sintered body, blast treatment, dry type super ultraviolet ozone plasma etching, wet type coupling, and primer treatment.例文帳に追加

下地処理は、燐酸塩皮膜処理、焼結体の多極磁石の封孔処理、ブラスト処理、乾式超紫外線オゾンプラズマエッチング、湿式カップリング、およびプライマー処理のいずれかとされる。 - 特許庁

To reduce parasitic capacity in a groove wiring, using a simple method whereby a low dielectric constant film can be applied effectively to a layer insulation film by facilitating dry-etching of an SiC film.例文帳に追加

ＳｉＣ膜のドライエッチングを容易にし、低誘電率膜を効果的に層間絶縁膜に適用でき簡便な方法で溝配線間の寄生容量の低減を可能にする。 - 特許庁

The sand blast treatment or the dry etching treatment is carried out until the overcoat film 3 disappears, and after fluctuations in film thickness are made uniform within ± 5%, pattern formation is carried out on that exothermic body film 2c.例文帳に追加

オーバーコート膜３がなくなるまでサンドブラスト処理又はドライエッチング処理し、膜厚のばらつきを±５％以下に均一化した後、その発熱体膜２ｃにパターン形成する。 - 特許庁

The shapes 30a and 30b of the curable material 34a are transferred onto the substrate material 2 which is a desired material by simultaneously dry etching the curable material 34a and the substrate material 32 (D).例文帳に追加

硬化性材料３４ａと基板材料３２を同時にドライエッチングして硬化性材料３４ａの形状３０ａ，３０ｂを目的材料である基板材料３２に転写する（Ｄ）。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition for soft X rays which has high sensitivity, high resolution, and a rectangular pattern shape and also has a superior LER characteristic and superior dry etching resistance.例文帳に追加

高感度、高解像性で矩形なパターン形状を有し、ＬＥＲ特性及びドライエッチング耐性に優れた特性を有する軟Ｘ線用感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁

In a process of checking the laminated green sheet 1, a part of the laminated green sheet 1 is subjected to dry etching so as to expose the cross section of the dielectric layers 11 and the internal electrodes 12 in the direction of lamination.例文帳に追加

積層グリーンシート１を検査する工程では、積層グリーンシート１の一部をドライエッチングし、誘電体層１１及び内部電極１２の積層方向の断面を露出させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a liquid crystal display element, which can reduce the loading effect of dry etching in an array process for forming a TFT thin film transistor of a liquid crystal display device.例文帳に追加

液晶表示装置のＴＦＴ薄膜トランジスタ形成のアレー工程において、ドライエッチングのローディング効果を低減できる液晶表示素子の製造方法を提案する - 特許庁

After the water drops are changed to watermarks 22a and 22b through heat treatment, the water marks 22, 22a, and 22b left on the layer 14 and a silicon oxide film naturally generated on the surface of the layer 14 are removed by dry etching.例文帳に追加

熱処理により水滴をウォータマーク２２ａ，２２ｂに変化させた後、ドライエッチングにより層１４上のウォータマーク２２，２２ａ，２２ｂ及び自然発生のシリコンオキサイド膜を除去する。 - 特許庁

After removing a deposition film 105 on the sidewall of the recess 104 by ashing, second time dry etching is performed to form a structure including a level difference shape of two steps.例文帳に追加

次に、凹部１０４の側壁に堆積されたデポ膜１０５をアッシングにより除去してから、２回目のドライエッチングを行い、２段の段差形状を含む構造体を形成する。 - 特許庁

By working on a wiring layer including wiring 14 constituted into multiple layers through the use of, for example, a photolithography technique and dry-etching technique, a protein adsorbing hole 7 is formed.例文帳に追加

多層に構成された配線１４を含む配線層を、たとえばフォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術を用いて加工することにより、タンパク質吸着孔７を形成する。 - 特許庁

After dry etching of a high-k/metal gate structure, plasma cleaning of gas containing chlorine such as Cl_2 and BCl_3 and no fluorine is performed, followed by plasma cleaning of gas containing fluorine such as SF_6, CF_4 and NF_3.例文帳に追加

high-k/メタルゲート構造のドライエッチング後にフッ素を含まずCl_2やBCl_3などの塩素を含むガスのプラズマクリーニングを行い、引き続いてSF_6,CF_4,NF_3などのフッ素を含むガスのプラズマクリーニングを行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid imaging apparatus which can form an optical waveguide without using a photolithography method or anisotropic dry etching which causes optical characteristic deterioration.例文帳に追加

光学特性劣化を招くフォトリソグラフィ法および異方性ドライエッチングを用いずに光導波路を形成することが可能な固体撮像素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having no outer notch formed by a charge generated during dry etching when a through electrode is formed in a Si substrate constituting the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置を構成するＳｉ基板に貫通電極を形成する際、ドライエッチング時に生ずるチャージにより形成される外側ノッチの無い半導体装置を提供する。 - 特許庁

By dry etching, a second trench connecting with this is successively formed on a first trench bottom and the first deposit 7 is covered with a second SiO2-based deposit 8.例文帳に追加

続いて、ドライエッチングにより、前記第１のトレンチ底部に、これと連なる第２のトレンチを形成すると共に、前記第１の堆積付着物７をＳｉＯ_2系の第２の堆積付着物８で覆う。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition excellent in resolution and line edge roughness without spoiling basic physical properties as a resist, such as pattern shape, dry etching resistance and heat resistance.例文帳に追加

パターン形状、ドライエッチング耐性、耐熱性等のレジストとしての基本物性を損なうことなく、解像度およびラインエッジラフネスに優れる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

When each of the sacrifice layers of the micro metal mesh parts is removed by isotropic dry etching, the part of the micro metal mesh is suspended in a state of floating in height to be settled in thickness of the sacrifice layer.例文帳に追加

マイクロ金属メッシュ部分の各犠牲層を等方性ドライエッチングで除去すると、マイクロ金属メッシュの部分は犠牲層の厚さで定まる高さで浮いた状態で懸架される。 - 特許庁

To substantially completely remove a photosensitive material including a altered photosensitive material by using a solvent which does not necessitate a dry etching device, and as less harmful as possible to a human body.例文帳に追加

乾式エッチング装置を用いないですみ、なるべく人体への害が少ない溶剤を用いて、変質感光性材料を含め感光性材料を実質的に完全に除去する。 - 特許庁

The first light-shieldable film 13 is the film that is not substantially etched by fluorine-based (F-based) dry etching and is primarily composed of chromium oxide, chromium nitride, chromium oxynitride or the like.例文帳に追加

第１の遮光性膜１３はフッ素系のドライエッチング（Ｆ系ドライエッチング）では実質的にエッチングされない膜であり、その主成分がクロムである酸化物、窒化物、酸窒化物、などの膜である。 - 特許庁

The first light-shieldable film 13 is a film that is not substantially etched by fluorine-based (F-based) dry etching and is primarily composed of chromium oxide, chromium nitride, chromium oxynitride or the like.例文帳に追加

第１の遮光性膜１３はフッ素系（Ｆ系）のドライエッチングでは実質的にエッチングされない膜であり、その主成分がクロムである酸化物、窒化物、酸窒化物、などの膜である。 - 特許庁

The insulating film (14) is partially removed by dry etching in a fluorocarbon gas for the exposure of the copper layer (13), and then the copper layer (13) is subjected to a nitrogen plasma treatment.例文帳に追加

フルオロカーボン系ガスを用いたドライエッチングに供して絶縁膜（１４）を部分的に除去して銅層（１３）の表面を露出させた後、銅層（１３）を窒素プラズマ処理に供する。 - 特許庁

Next, the anisotropic dry etching is conducted to the HfSiON film 15 to largely damage only a region along the top surfaces of the silicon substrate 10 and gate electrode layer 14.例文帳に追加

次に、ＨｆＳｉＯＮ膜１５に、異方性ドライエッチングを行うことにより、シリコン基板１０およびゲート電極層１４の上面に沿った領域のみにダメージを大きく与える。 - 特許庁

The resist is developed to form a resist pattern, and the resist pattern is transferred on the substrate by dry-etching simultaneously the resist and the substrate, so as to manufacture the microlens array comprising the substrate.例文帳に追加

そして、レジストを現像してレジストパターンを形成し、レジストと基板を同時にドライエッチングすることによりレジストパターンを基板に転写して基板からなるマイクロレンズアレイを製造する。 - 特許庁

A part of the semiconductor film is etched by dry etching along a device division line to form a lattice-shaped groove which forms the street on the semiconductor film and does not reach the metal supporter.例文帳に追加

次にドライエッチングにより素子分割ラインに沿って半導体膜の一部をエッチングして半導体膜にストリートを構成する金属支持体に達しない格子状の溝を形成する。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device manufacturing method for producing less electromigration and stress migration by removing a reactive product after forming an aluminum wire with dry-etching.例文帳に追加

ドライエッチングによるアルミニウム配線形成後、反応生成物を除去することにより、エレクトロマイグレーション、ストレスマイグレーションの少ない、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereby, when the thickness of the interlayer insulation film in the outer peripheral part of the semiconductor wafer is smaller than that at the center part of thereof, plasma charge to the gate insulation film in dry etching is restrained.例文帳に追加

その為、層間絶縁膜の膜厚は半導体ウェハの中央部に比べて外周部が薄くなっている場合において、ドライエッチング時のゲート絶縁膜へのプラズマチャージを抑制する。 - 特許庁

The underlying layer formed before the rerecording layer is temporarily formed a predetermined thickness thicker than a desired thickness and then it is removed by dry etching and formed in the desired thickness.例文帳に追加

このとき記録層よりも前に形成される下地保護層を、一旦所望の膜厚よりも所定膜厚だけ厚く形成し、その後、ドライエッチングで除去して所望の膜厚に形成する。 - 特許庁