「Dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent desorption of nitrogen atoms in GaN in dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングにおけるＧａＮ中の窒素原子の脱離を防止する。 - 特許庁

PATTERNING METHOD BY DRY ETCHING AND METHOD FOR MANUFACTURING INKJET HEAD例文帳に追加

ドライエッチングによるパターニング方法及びインクジェットヘッドの製造方法 - 特許庁

To provide a dry etching system and a dry etching method by which a damage to a lower layer can be eliminated and the yield of elements can be improved.例文帳に追加

下層のダメージを軽減し、素子の歩留りを向上することのできるドライエッチング装置及びドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To facilitate a dry-etching process for forming a contact hole.例文帳に追加

接触孔を形成するための乾式エッチング工程を容易にする。 - 特許庁

The second dry etching process can be carried out using HCl gas.例文帳に追加

第２のドライエッチングはＨＣｌガスを用いて行うことができる。 - 特許庁

A dry etching device 1 is equipped with an inert gas supply source 31.例文帳に追加

ドライエッチング装置１に不活性ガス供給源３１を備える。 - 特許庁

DRY ASHING METHOD FOR ASHING TiN LAYER WITHOUT ISOTROPIC ETCHING例文帳に追加

ＴｉＮ層を等方性エッチングなしにアッシングするドライアッシング方法 - 特許庁

Only a semiconductor layer at the bottom of the mask is left by dry etching (S5).例文帳に追加

ドライエッチングにより、マスクの下部の半導体層のみを残す（Ｓ５）。 - 特許庁

DRY ETCHING METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DYNAMIC QUANTITY SENSOR例文帳に追加

ドライエッチング方法及び半導体力学量センサの製造方法 - 特許庁

Herein, the roughening of the surface is carried out by a blast by dry ice particles, a sputtering using an inert gas, or a dry etching using an etching gas.例文帳に追加

ここで、粗面化にはドライアイス粒子によるブラスト、不活性ガスを用いるスパッタリング、またはエッチングガスを用いるドライエッチングにより行う。 - 特許庁

DRY ETCHING METHOD FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR AND COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

化合物半導体のドライエッチング方法および化合物半導体素子 - 特許庁

Dry etching treatment is not applied to the magnetoresistance effect film at all.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜には全くドライエッチング処理は施されない。 - 特許庁

By the dry etching method, even when dry etching advances, it becomes difficult for the semiconductor substrate to be electrically charged, thus increasing the uniformity of the etching rate in the plane of the substrate.例文帳に追加

このドライエッチング方法によれば、ドライエッチングが進行しても半導体基板が帯電し難くなり、基板面内におけるエッチングレートの均一性が向上する。 - 特許庁

To provide a dry etching method which is capable of realizing anisotropic etching in an etching operation where oxygen active species are mainly used.例文帳に追加

酸素活性種を主体とするエッチングにおいてエッチング異方性を得ることができるドライエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

Then, etching is conducted for the substrate 1 by dry etching of a chemical etching mode by chlorine-based gas using the nickel layers 4 as protective layers (e).例文帳に追加

続いて、ニッケル層４を保護層として、塩素系ガスによる化学エッチンブモードのドライエッチングにより、基板１をエッチングする（ｅ）。 - 特許庁

The photomask blank includes a chromium-free film 14 which can be etched by fluorine-based dry etching as well as by oxygen-containing chlorine-based dry etching, layered on a light-shielding film 13 containing chromium, which in turn cannot be substantially etched by fluorine-based dry etching but etched by oxygen-containing chlorine-based dry etching.例文帳に追加

フッ素系ドライエッチングでは実質的なエッチングがされず且つ酸素含有塩素系ドライエッチングでエッチングが可能なクロムを含む遮光膜１３の上に、フッ素系ドライエッチング且つ酸素含有塩素系ドライエッチングでエッチングが可能なクロムを含まない膜１４が積層される。 - 特許庁

To inhibit deposition of a reaction product that is generated in dry etching, and to carry out etching with high machining accuracy.例文帳に追加

ドライエッチング時に生じる反応生成物の付着を抑制して、高い加工精度でエッチングを行う。 - 特許庁

The wet etching or dry etching of the resultant structure makes the surface of the low-melting-point glass 13 porous.例文帳に追加

ウェットエッチング処理又はドライエッチング処理により低融点ガラス１３の表面をポーラス状にする。 - 特許庁

The vicinity of a part for forming the ink ejection opening surface (etching areas 32-34) is then removed by dry etching.例文帳に追加

次に、インク吐出口面が形成される近傍（エッチングエリア３２〜３４）を、ドライエッチングにより除去する。 - 特許庁

The channel stopper layer 150 is worked by wet etching, and the poly-Si layer 107 is worked by dry-etching.例文帳に追加

チャネルストッパ層１５０はウェットエッチングで加工され、ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７はドライエッチングで加工する。 - 特許庁

The method also includes a step of etching the silicon layer 101 from a lower side of Fig. by using an ICP dry etching (C).例文帳に追加

そして、ＩＣＰドライエッチング法を用いて、図の下側からシリコン層１０１のエッチングを行う（Ｃ）。 - 特許庁

Secondarily, etching is stopped in the middle of a first insulating layer 2 in the case of dry etching of the antireflection film 7.例文帳に追加

第２に反射防止膜７のドライエッチングの際に第１の絶縁膜２の途中でエッチングを止める。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of color filter which permits the removal of resist as a pattern mask for etching concurrently with dry etching of a colored layer.例文帳に追加

着色層のドライエッチング処理と共にエッチング用パターンマスクをなすレジストの除去を可能とする。 - 特許庁

By using the resist pattern 4 as a mask, the conductive layer 3 is subjected to dry etching.例文帳に追加

レジストパターン４をマスクに用いて、導電層３をドライエッチングする。 - 特許庁

A wafer conveying robot R carries wafers turning to dry etching objects.例文帳に追加

ウェーハ搬送ロボットＲは、ドライエッチング対象となるウェーハを搬送する。 - 特許庁

DRY ETCHING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ドライエッチング方法、及び半導体装置の製造方法、半導体装置 - 特許庁

DRY ETCHING METHOD OF SILICON NITRIDE FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR例文帳に追加

窒化シリコン膜のドライエッチング方法および薄膜トランジスタの製造方法 - 特許庁

DRY ETCHING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ドライエッチング方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 - 特許庁

DRY ETCHING PROCESS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

ドライエッチングプロセスおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR DRY ETCHING AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ドライエッチング方法、ドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

By using the resist pattern 4 for a mask, the conductive layer 3 is subjected to dry etching.例文帳に追加

レジストパターン４をマスクに用いて、導電層３をドライエッチングする。 - 特許庁

Thereafter, dry etching is applied to Si remaining on the contact part to perforate the contact part.例文帳に追加

その後、コンタクト部に残存するＳｉをドライエッチングにて開口する。 - 特許庁

DRY ETCHING APPARATUS AND METHOD OF TREATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE USING THE SAME例文帳に追加

ドライエッチング装置およびそれを用いた半導体基板の処理方法 - 特許庁

DRY ETCHING METHOD, MICROSTRUCTURE FORMING METHOD, MOLD AND ITS PRODUCTION METHOD例文帳に追加

ドライエッチング方法、微細構造形成方法、モールド及びその製造方法 - 特許庁

Then, the semiconductor layer part is etched 0.2 μm by dry-etching.例文帳に追加

そして、ドライエッチングにより半導体層部分を約０．２μｍエッチングする。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE FORMATION AND DRY ETCHING METHOD例文帳に追加

半導体デバイス形成用基板の製造方法及びドライエッチング方法 - 特許庁

DRY ETCHING METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER AND MANUFACTURE OF EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

半導体ウェーハのドライエッチング方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法 - 特許庁

In a method for detecting a dry etching endpoint, spectral analysis of plasma-emitted light is used in a dry etching process of a contact hole or the like.例文帳に追加

ドライエッチング終点検出方法であって、コンタクトホール等のドライエッチング工程において、プラズマ発光のスペクトル分析を利用するものである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nitride semiconductor device wherein the occurrence of the damage due to dry etching is prevented and the flexibility in dry etching is enhanced.例文帳に追加

ドライエッチングによるダメージの発生を防止するとともに、ドライエッチングの自由度の大きい窒化物半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching device which is capable of carrying out a dry etching work in a short time, and furthermore satisfying strict requirements as to tolerance sufficiently.例文帳に追加

短時間でのドライエッチング作業を可能とし、しかも、許容誤差に関する厳格な要求にも十分応えることができるようにする。 - 特許庁

To prevent the occurrence of contamination and dust in the etching chamber of a plasma etching system which dry-etches a wafer by blowing an etching gas upon the wafer from an exhaust nozzle.例文帳に追加

噴出ノズルからエッチングガスをウエーハに吹付けてドライエッチングする装置において、エッチング室内の汚染やダストの発生を防止する。 - 特許庁

To improve the surface positional accuracy of an etching side wall face by suppressing the side etching in the dry etching of a single crystal silicon layer.例文帳に追加

単結晶シリコン層のドライエッチングにおけるサイドエッチングを抑制してエッチング側壁面の面位置精度の向上を図れるようにする。 - 特許庁

To perform dry etching so that desired etching types can be obtained without causing any etching stop regardless of a material of an object to be etched.例文帳に追加

エッチング対象物の材料と無関係に、エッチストップが発生せず所望のエッチング形状が得られるようにドライエッチングを行う。 - 特許庁

In a series of dry etching, the resist mask RM1 is used as a common etching mask in the etching of each layer, and a common etching device is used for execution.例文帳に追加

この一連のドライエッチングに際しては、各層のエッチングにおいてレジストマスクＲＭ１を共通のエッチングマスクとして使用し、共通のエッチング装置を用いて実行する。 - 特許庁

Half-etching by dry etching is performed after performing full etching by wet etching to first and second surfaces 12, 14 mutually turning to the opposite side of a piezoelectric body 10.例文帳に追加

圧電体１０の相互に反対を向く第１及び第２の面１２，１４に対して、ウェットエッチングによるフルエッチングを行った後に、ドライエッチングによるハーフエッチングを行う。 - 特許庁