「Dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

DRY ETCHING APPARATUS, ELECTROOPTICAL DEVICE MANUFACTURING APPARATUS, AND ELECTROOPTICAL DEVICE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ドライエッチング装置、電気光学装置の製造装置および電気光学装置の製造方法 - 特許庁

To provide a dry etching method for readily forming sequentially tapered aluminium wiring.例文帳に追加

順テーパ状のアルミニウム配線を容易に形成するためのドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Dry etching is executed, and fine irregularities 2 are formed on a polycrystalline silicon substrate.例文帳に追加

多結晶シリコン基板１の表面に、ドライエッチングを行い微細な凹凸２を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR DRY ETCHING AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

ドライエッチング方法及びこのドライエッチング方法を用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁

The film making and the etching can be successively performed in an in-situ dry vacuum step.例文帳に追加

成膜とエッチングは、ｉｎ−ｓｉｔｕドライ真空工程で逐次的に行われてもよい。 - 特許庁

To easily form a precisely right-angled side face suitable for a mirror, by dry etching treatment.例文帳に追加

ドライエッチング処理でミラーに適する精密に直角な側面を簡単に形成する。 - 特許庁

The power supply film 15 exposed in the wiring pattern 21 is removed by dry etching.例文帳に追加

配線パターン２１から露出している給電膜１５は、ドライエッチングにより除去する。 - 特許庁

To provide a composition for nanoimprint that is excellent in mold peeling performance and dry etching resistance.例文帳に追加

モールド剥離性およびドライエッチング耐性に優れるナノインプリント用組成物を提供する。 - 特許庁

Next, as illustrated in Fig.1(d), dry etching is carried out to the first insulating layer 103.例文帳に追加

次に、図１（ｄ）に示されるように、第１の絶縁層１０３のドライエッチングを行う。 - 特許庁

To provide a plasma working device capable of efficiently dry-etching a filmlike working material.例文帳に追加

フィルム状の加工材料を効率的にドライエッチングできるプラズマ加工装置を提供する。 - 特許庁

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD FOR ENHANCING DRY ETCHING RESISTANCE OF SAME例文帳に追加

感光性樹脂組成物および感光性樹脂組成物のドライエッチング耐性向上方法 - 特許庁

A method for forming a dry etching reaction mask is also provided.例文帳に追加

さらに、本発明によりドライエッチング反応用マスクを形成する方法も提供される。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS, SPUTTERING APPARATUS, DRY ETCHING APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

半導体製造装置、スパッタリング装置、ドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

SILICON/GRAPHITE COMPOSITE RING FOR MOUNTING SILICON WAFER, AND DRY ETCHING APPARATUS HAVING THE SAME MOUNTED THEREON例文帳に追加

シリコンウェハー搭載用シリコン−グラファイト複合リング及びそれを装着したドライエッチング装置 - 特許庁

A mask material 18 is used for dry-etching the aluminum film to form the aluminum wire 15.例文帳に追加

アルミニウム膜をマスク材１８を用いてドライエッチングし、アルミニウム配線１５を形成する。 - 特許庁

WIRING AND ITS CREATING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THIS WIRING, AND DRY-ETCHING METHOD THEREFOR例文帳に追加

配線およびその作製方法、この配線を備えた半導体装置、ドライエッチング方法 - 特許庁

The first dry etching is carried out using the gas containing fluorine under a pressure of 0.1-4 Pa.例文帳に追加

第１のドライエッチングは、０．１Ｐａ〜４Ｐａの圧力でフッ素を含むガスを用いて行う。 - 特許庁

DRY ETCHING DEVICE AND DEVICE AND METHOD FOR MONITORING OPERATION OF PUMP ATTACHED THERETO例文帳に追加

ドライエッチング装置およびそれに付属するポンプの運転監視装置及び運転監視方法 - 特許庁

Cyclic trenches are produced on the substrate by electron beam lithography and dry etching (S1).例文帳に追加

基板上に電子ビームリソグラフィとドライエッチングにより周期的な溝を製作する（Ｓ１）。 - 特許庁

The antireflection film is patterned by dry etching (b) (a broken line showing the proper patterning position).例文帳に追加

ドライエッチングで反射防止膜をパターニングする（ｂ）（破線は本来のパターン位置を示す）。 - 特許庁

Etching is performed by the dry etching on a reverse surface 9b to the depth where a remaining part of the outer shape cross section of the crystal device is removed.例文帳に追加

裏面９ｂのドライエッチングで水晶デバイスの外形断面の残りの一部が除去される深さまでエッチングする。 - 特許庁

To provide a solid source etching device and a method for carrying out dry etching by a simple device configuration.例文帳に追加

簡単な装置構成によりドライエッチングを行うことができる固体ソースエッチング装置及び固体ソースエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching apparatus, with which information effective for an actual plasma etching process can be monitored more precisely and which is of high reliability.例文帳に追加

実際のプラズマエッチングプロセスに有効な情報をより正確にモニタリングできる高信頼性のドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching apparatus in which a damage removing unit is stably operated before the exhaust of etching starts.例文帳に追加

エッチング処理の排気が始まったときには除害装置が安定して稼動しているようにするドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To obtain an etching shape having no p-n difference while preventing a base HfSiON film from penetrating during dry etching of metal gates.例文帳に追加

メタルゲートのドライエッチング時に、下地ＨｆＳｉＯＮ膜の突き抜けを防止しながら、ｐ−ｎ差の無いエッチング形状を得る。 - 特許庁

To provide a dry etching method that forms a fine pattern, provides a high etching selection ratio, and allows patterning at a high aspect ratio.例文帳に追加

微細パターンに形成でき、エッチング選択比が高く、かつ高いアスペクト比でパターニングできるドライエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

A process modified layer generated in the mark of a wafer in a laser marking process is completely removed by etching in a dry-etching process 1.例文帳に追加

レーザマーキング工程１０３で生じたウエハのマーク内の加工変質層をドライエッチング工程１で完全にエッチング除去する。 - 特許庁

After that, the film 15 is removed through dry etching, and the unwanted part on the film 14 is removed through wet etching.例文帳に追加

その後、ドライエッチングによってパターニング膜１５を除去し、さらに、ウエットエッチングによってシード膜１４の不要部分を除去する。 - 特許庁

After the maintenance of the dry etching unit, an adherent layer 11 is formed first on the surface of the upper electrode 8, which faces the etching film.例文帳に追加

ドライエッチング装置のメンテナンス後に、まず、上部電極８の被エッチング膜との対向面上に密着層１１を形成する。 - 特許庁

To provide a dry etching method which improves uniformity an etching rate, in a center part and peripheral part of a substrate and in all the peripheral parts thereof.例文帳に追加

基板の中央部と周辺部、周辺部全般においてエッチングレート均一性の良いドライエッチング処理を提供する。 - 特許庁

The method includes a step of patterning the buffer film 3 by dry etching performed by the use of an etching gas containing oxygen.例文帳に追加

本製造方法は、バッファ膜３を酸素含有エッチングガスによりドライエッチングしてバッファ膜パターンを形成する工程を含む。 - 特許庁

Then processing the switching active element protection film by dry etching using patterned etching resist 10 forms a contact part 6.例文帳に追加

その後、パターニングされたエッチングレジスト１０を用いてスイッチング能動素子保護膜７をドライエッチングしコンタクト部位６を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of optical element without using dry etching and without performing a plurality of times of etching steps.例文帳に追加

ドライエッチングを使用することなく、かつ、エッチング工程を複数回行わずに、光学素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The further etching step of the back channel portion is preferably conducted by dry etching using an N_2 gas or a CF_4 gas with bias not applied.例文帳に追加

バックチャネル部の更なるエッチングにはＮ_２ガス又はＣＦ_４ガスにより無バイアスで行うドライエッチングを用いることが好ましい。 - 特許庁

Changing of the selection ratio of the dry etching and changing, etc., of etching points make changing of groove angles and changing of groove shapes possible.例文帳に追加

ドライエッチングの選択比の変更、エッチングエンドポイントの変更等によって溝角度の変更、溝形状の変更が可能となる。 - 特許庁

Thereafter, an unnecessary part as the stopper during contact etching except for a contact region is removed by photolithography and dry etching.例文帳に追加

その後、コンタクト領域以外のコンタクトエッチング時のストッパとして不要な部分をフォトリソグラフィ及びドライエッチングによって除去する。 - 特許庁

To achieve an excellent sidewall shape together with high perpendicularity in the anisotropic dry etching of silicon having an etching stop layer.例文帳に追加

エッチングストップ層を有するシリコンの異方性ドライエッチングにおいて、高い垂直性とともに、良好な側壁形状を達成する。 - 特許庁

At that time, an oxide film on the semiconductor layer formed with an oxygen plasma processing is subjected to plasma dry etching with etching gas.例文帳に追加

その際、酸素プラズマ処理によって形成される半導体層上の酸化膜をエッチングガスによってプラズマドライエッチングする。 - 特許庁

Etching is conducted using the resist pattern as a mask on the a-Si membrane by dry etching by using CF_4 gas to form a Si mask 5.例文帳に追加

レジストパターン４をマスクとしてＣＦ_４ガスを用いたドライエッチングでａ−Ｓｉ膜をエッチングしてＳｉマスク５を形成する。 - 特許庁

Then, by using the pseudo-etching mask M, a second dry etching is performed with the chlorine gas as etchant anda rough structure is formed.例文帳に追加

次いで、この擬似エッチングマスクＭを用い、塩素系ガスをエッチャントとして第２のドライエッチングを行い、凹凸構造を形成する。 - 特許庁

The heating reaction unit 101 takes in mixed gas G1 containing exhaust gas from a dry etching device with SF_6 gas as an etching gas.例文帳に追加

加熱反応部１０１は、ＳＦ_６ガスをエッチングガスとしたドライエッチング装置からの排気を含む混合ガスＧ１を取り込む。 - 特許庁

To provide a method for dry etching without re-vapor deposition of etching residues, when a ferroelectric substance capacitor structural body is formed.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ構造体を形成する際の蝕刻残留物の再蒸着のない乾式蝕刻方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device which prevents the deterioration of an etching rate, eliminates the fluctuation of etching time and uniforms the etching characteristic of a silicon layer including metal, and to provide a dry etching device.例文帳に追加

エッチングレートの劣化を防止しエッチング時間の変動をなくし、金属を含むシリコン層のエッチング特性を均一化する半導体装置の製造方法及びドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To control the etching rate distribution by operating the etching gas flow field and to realize highly accurate and uniform dry etching by attaining a desired etching rate distribution for each kind of film by that method.例文帳に追加

エッチングガス流れ場を操作して、エッチングレート分布を制御することを目的とし、この方法により、所望のエッチングレート分布を膜種毎に獲得し、高精度、高均一なドライエッチングを実現させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an oxide thin film transistor element, wherein an etching process condition is optimized by using specific etching gas through a helicon plasma dry etching process and etching selectivity is improved.例文帳に追加

特定エッチングガスを使用してヘリコンプラズマ乾式エッチング工程を通じてエッチング工程条件を最適化し、エッチング選択性を向上させた酸化物薄膜トランジスタ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁