「Dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

A wiring layer is formed by dry-etching a silicon nitride film 5, a titanium nitride film 3 and a tungsten film 4 one by one.例文帳に追加

シリコン窒化膜５、窒化チタン膜３、タングステン膜４を順次ドライエッチングして、配線層を形成する。 - 特許庁

At this time, dry-etching is terminated after detection of boron in gas discharged from the reaction tank.例文帳に追加

このとき、ドライエッチングは、反応槽から排出されるガスにホウ素が検出された後で終了させる。 - 特許庁

Furthermore, these alloys are high in chemical resistance, and are easy of dry etching, and are excellent in stress controllability, too.例文帳に追加

さらに、これら合金は薬品耐性が高く、ドライエッチングが容易で、応力制御性にも優れている。 - 特許庁

To avoid formation of residues on a semiconductor substrate in forming a gate electrode by dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングによりゲート電極を形成したときに、半導体基板上に残渣が形成されないようにする。 - 特許庁

All the portions protruding outside from the gate electrode 19 of the silicon oxide layer 62 can be removed by dry etching.例文帳に追加

酸化シリコン層62のゲート電極19より外側に突出した部分全てをドライエッチングにて除去できる。 - 特許庁

The antireflection film 11 is patterned by dry etching with the resist pattern as a mask.例文帳に追加

反射防止膜１１に対してレジストパターンをマスクにドライエッチングを行なって、反射防止膜をパターン化する。 - 特許庁

Then, a groove 5 is provided to the substrate 1 by dry etching using a photoresist pattern 4 as a mask.例文帳に追加

次に、フォトレジストパターン４をエッチングマスクに用いて、ドライエッチングにより、溝５をシリコン基板１に形成する。 - 特許庁

After the member to be etched is patterned by applying dry etching through the mask, the mask is removed.例文帳に追加

マスクを介してドライエッチングを施すことにより被エッチング部材をパターニングした後、マスクを除去する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method in which high-accuracy dry etching can be performed.例文帳に追加

高精度なドライエッチングを行うことができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then the exposed stopper nitride film 53 on the upper part of the gate electrode 100 is removed by dry etching.例文帳に追加

その後、露出したゲート電極１００上部のストッパー窒化膜５３を、ドライエッチングにより除去する。 - 特許庁

An inner wall surface of the via hole 3 is planarized by removing a scallop shape 4 by a dry etching method.例文帳に追加

次に、ドライエッチング法によりスキャロップ形状４を除去し、ビアホール３の内壁面を平坦化させる。 - 特許庁

In addition, the different refractive index region assembly 25 can be easily fabricated by ordinary dry etching.例文帳に追加

また、異屈折率領域集合体２５は通常のドライエッチングにより容易に作製することができる。 - 特許庁

The dry etching is stopped in the way of the SOI layer 4, so that the trench 7 is prevented from approaching the BOX layer 3.例文帳に追加

このドライエッチングはＳＯＩ層４の途中で止め、溝７がＢＯＸ層３に到達しないようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a dry etching device and a in which etching deflection in a wafer surface to be plasma-treated can be adjusted, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device and an Si ring.例文帳に追加

プラズマ処理されるウェハ面内のエッチング偏向が調整可能なドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法、Ｓｉリングを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a color filter, in which the occurrence of damage (scrap) of a support in dry etching processing and generation of an etching product are suppressed.例文帳に追加

ドライエッチング処理時の支持体ダメージ（削れ）の発生、及びエッチング生成物の発生が抑制されたカラーフィルタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a gas for dry etching or the like that yields improved etching characteristics and least affects the environment, even if it is discharged into the atmosphere.例文帳に追加

優れたエッチング特性が得られ、さらに大気中に放出されても環境への影響が極めて小さいドライエッチング用ガス等を提供する - 特許庁

Subsequent to each of the wet etching treatment steps, peripheral edge parts of the semiconductor substrate are removed by dry etching treatment.例文帳に追加

複合基板Ｓをウエットエッチング処理する工程を複数有し、各ウエットエッチング処理後、半導体基板の周端部をドライエッチング処理によって除去する。 - 特許庁

Upon dry etching of polysilicon, overetching high in skirt removing effect is carried out after carrying out overetching of high side-wall protecting effect, as the overetching after main etching.例文帳に追加

ポリシリコンのドライエッチング時に、メインエッチング後のオーバーエッチングとして、側壁保護効果が高いオーバーエッチングを実施後に、スソ取り効果が高いオーバーエッチングを実施する。 - 特許庁

By using photolithography technique and dry etching technology, patterning is performed by anisotropical etching of the insulating film 19 up to the middle of a conductive film 4A.例文帳に追加

フォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術を用い、絶縁膜１９および導電性膜４Ａの途中までは異方性エッチングによりパターニングを進める。 - 特許庁

To improve characteristics of a semiconductor layer element by maintaining perpendicularity at the side face of a ridge even if the ridge is formed by both of dry etching and wet etching.例文帳に追加

ドライエッチングとウェットエッチングとを併用してリッジを形成しても、リッジ側面の垂直性を維持し、これによって素子特性を向上させる。 - 特許庁

To precisely calculate an etching speed during dry etching processing, to determine whether the processing is normal/abnormal, and to improve the yield of the processing.例文帳に追加

ドライエッチング処理中に精度よくエッチング速度を算出可能であると共に、処理の正常・異常の判定が可能で、処理の歩留まりを向上させる。 - 特許庁

To provide a device and method for dry etching, simplifying a gas supply system and capable of improving the anisotropy of an etching shape.例文帳に追加

ガス供給系の簡略化を図るとともに、エッチング形状の異方性を向上することができるドライエッチング装置及びドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

By using the etching mask formed in this way, dry etching is performed in a condition wherein the reflecting mirror part is formed vertically and smoothly as shown in figure (D).例文帳に追加

このように形成したエッチングマスクを用いて、反射ミラー部が（Ｄ）に示すように、垂直かつ平滑に形成される条件でドライエッチングを行う。 - 特許庁

The p-side contact layer 21 is made as a layer to be processed having a surface 61 for recovering damage formed by wet etching after processing by dry etching.例文帳に追加

ｐ側コンタクト層２１は、ドライエッチングで加工したのちウェットエッチングを行うことにより形成されたダメージ回復面６１を有する被加工層となっている。 - 特許庁

In the meantime, in the NPN transistor, the silicon oxide film is used as an etching protective film at the time of dry-etching a silicon nitride film and the characteristics are improved.例文帳に追加

一方、ＮＰＮトランジスタでは、シリコン窒化膜をドライエッチングする際、シリコン酸化膜をエッチング保護膜として用い、特性を向上させることができる。 - 特許庁

The method further comprises the steps of dry etching the film 3 and the film 4 under the condition in which the films 3 and 4 have substantially the same etching rate, and forming a straight gate opening 7.例文帳に追加

ＳｉＯ_2膜３とＨＳＱ膜４をそれらがほぼ同じエッチング・レートを持つ条件下でドライエッチングし、ストレート状のゲート開口部７を形成する。 - 特許庁

SiNx, SiO2, Ti, Ta, Mo, or MoW is stacked on the source drain film Ag alloy film, and then, a collective pattern is made by dry etching or wet etching.例文帳に追加

ソース・ドレイン膜Ａｇ系合金膜上にＳｉＮ_x，ＳｉＯ_2，Ｔｉ，Ｔａ，ＭｏまたはＭｏＷを積層した後ドライまたはウェットエッチにより一括パターン形成する。 - 特許庁

To provide a method to manufacture a microfabricated object by fabricating the surface of a fluorite by chemical etching using ICP or RIE dry etching.例文帳に追加

蛍石の表面をＩＣＰ又はＲＩＥドライエッチングを使用した化学的エッチングで加工して微細加工物を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The etching is carried out by dry etching, and the quality of the semiconductor substrate is evaluated on the basis of the number of detected bright points and or its distribution pattern.例文帳に追加

前記エッチングをドライエッチングによって行い、前記半導体基板の品質を、前記検出される輝点の数および／または分布パターンに基づき評価する。 - 特許庁

To provide a dry etching apparatus capable of etching at a high speed and enhancing the yield, without impairing a productivity by suppressing occurrence of particles.例文帳に追加

高速度でエッチングできる上に、パーティクルの発生を抑えることで、生産性を損なわず歩留まりを高めることが可能なドライエッチング装置を提供すること。 - 特許庁

An exposed surface of an active region 13 is deepened by dry etching or wet etching, thereby forming a recess portion 13a on the exposed surface of the active region 13.例文帳に追加

活性領域１３の露出面をドライエッチング又はウェットエッチングで掘り下げることにより、活性領域１３の露出面には凹部１３ａが形成される。 - 特許庁

To provide a technique capable of favorably forming a tapered hole by utilizing an etching technique (dry etching technique) that uses plasma.例文帳に追加

プラズマを利用したエッチング技術（ドライエッチング技術）を利用して、テーパ形状の孔を良好に形成し得る技術を提供することを一つの目的とする。 - 特許庁

The interlayer insulating film 106 is removed, until its thickness becomes 10-50% of its original thickness through anisotropic dry etching, and the remaining portion of the film 106 is removed by isotropic wet etching.例文帳に追加

異方性のドライエッチングで層間絶縁膜１０６の膜厚の５０〜９０％まで除去し、残りを等方性のウェットエッチングで除去する。 - 特許庁

To develop an etching stop layer for a nitrided gallium compound semiconductor which is eagerly desired to effect highly accurate dry etching of the nitrided gallium compound semiconductor.例文帳に追加

精度の良い窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチングを行うために、窒化ガリウム系化合物半導体のエッチングストップ層の開発が切望されている。 - 特許庁

An etching resistant mask TiN film 42a for upper electrode formation is formed on the upper surface of the Ir layer 40a and a first dry etching process is carried out.例文帳に追加

このＩｒ層４０ａの上面に上部電極形成のための耐エッチングマスクＴｉＮ膜４２ａを形成して、第１のドライエッチング工程を実施する。 - 特許庁

Since dry etching of isotropic etching is adopted to remove the outer periphery of the layer 10A, the outer peripheral edge surface of the layer 10 becomes smooth.例文帳に追加

また、この活性層１０Ａの外周部の除去に等方性エッチングのドライエッチングを採用したので、活性層１０Ａの外周縁面がなめらかになる。 - 特許庁

The photo diode 12 is formed by dry-etching a photo diode formed on the top face of the support film 14 with the support film 14 as an etching stopper.例文帳に追加

フォトダイオード１２は、支持膜１４上面に設けられたフォトダイオードが、支持膜１４をエッチングストッパーとしてドライエッチングされることにより成形されたものである。 - 特許庁

A first dry etching is performed with a mixed gas of chlorine gas and oxygen gas as etchant, to form a pseudo etching mask M on an n-type AlGaInP clad layer 11.例文帳に追加

塩素系ガス及び酸素ガスの混合ガスをエッチャントとして第１のドライエッチングを行い、ｎ型AlGaInPクラッド層１１に擬似エッチングマスクＭを形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of improving an etching rate in dry etching and improving the quality of the semiconductor device.例文帳に追加

ドライエッチング処理におけるエッチングレートの向上を図り、半導体装置の品質を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method, capable of reducing a residue of side wall portion in a dry etching treatment of lamination consisting of electrode film/perovskite layer/electrode film.例文帳に追加

電極膜／ペロブスカイト層／電極膜からなる積層体のドライエッチング処理における側壁部の残渣を低減可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The metal film 110 is selectively etched thereafter to be removed by a dry etching method such as reactive ion etching method, for example, using the resist pattern 111 as a mask.例文帳に追加

この後、レジストパターン１１１をマスクとし、例えばリアクティブイオンエッチングなどのドライエッチング法により金属膜１１０を選択的にエッチング除去する。 - 特許庁

Then, anistropic dry etching is performed to the silicon nitride film 6bb in first and second element forming regions with the silicon oxide film 6aa as an etching stopper.例文帳に追加

次に、シリコン酸化膜６ａａをエッチングストッパとして、第１及び第２の素子形成領域におけるシリコン窒化膜６ｂｂを異方性ドライエッチングする。 - 特許庁

The device layer 43 is vertically etched by using the mask 45 as an etching mask until the internal layer 41 is exposed by a reactive ion dry etching method (Fig. C).例文帳に追加

マスク４５をマスクとしてデバイス層４３を、反応性イオンのドライエッチングにより、中間層４１が露出するまで垂直にエッチングする（図１０Ｃ）。 - 特許庁

Next, anisotropic dry etching is performed on the silicon oxide film 6cc in first and second element forming regions with the silicone nitride film 6bb as an etching stopper.例文帳に追加

次に、シリコン窒化膜６ｂｂをエッチングストッパとして、第１及び第２の素子形成領域におけるシリコン酸化膜６ｃｃを異方性ドライエッチングする。 - 特許庁

When the contact holes 17 and 23 are formed in the overcoat film 16 by dry etching, top surfaces of the metal oxide films 11 and 22 exposed through the contact holes 17 and 23 are resistant of plasma damage due to the dry etching and never change in quality even when exposed to etching gas.例文帳に追加

そして、オーバーコート膜１６にコンタクトホール１７、２３をドライエッチングにより形成するとき、コンタクトホール１７、２３を介して露出される金属酸化膜１１、２２の上面はドライエッチングによるプラズマダメージに強く、またエッチングガスにさらされても変質することはない。 - 特許庁