「Dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

A dry-etching method is used for the process to cut out the semiconductor substrates from the semiconductor wafer to suppress a slant of the lateral side.例文帳に追加

半導体ウエハから斯様な半導体基板を切り出す工程にはドライエッチングを用い、側面の傾斜を抑える。 - 特許庁

A hole 35 with a desired size and shape is formed in a silicon substrate 31 using a dry etching (Fig.3 (B)).例文帳に追加

シリコン基板３１には、ドライエッチングを用いて、所望の寸法および形状を有する孔３５を形成しておく（図３（Ｂ））。 - 特許庁

Secondly, a support material membrane is filmed on a whole surface of the Si substrate 1, and a support material 22 is formed through dry etching of the support material membrane.例文帳に追加

次に、Ｓｉ基板１上の全面に支持体膜を成膜し、これをドライエッチングして支持体２２を形成する。 - 特許庁

To improve plasma-density distribution properties on a substrate to be processed in a parallel-plate dry etching apparatus.例文帳に追加

平行平板型ドライエッチング装置において被処理基板上におけるプラズマ密度の分布特性を向上させること。 - 特許庁

Next, a through hole 10 is formed in a circuit 2 by dry-etching, and a recess 11 is formed in a bonding pad 3.例文帳に追加

次に、ドライエッチングにより回路部２にスルーホール１０を形成すると共に、ボンディングパッド部３に凹部１１を形成する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition for manufacture of a semiconductor device excellent in transparency, dry etching resistance and uniformity in film thickness.例文帳に追加

透明性、ドライエッチング耐性、膜厚均一性が優れた半導体デバイス製造用感放射線性樹脂組成物。 - 特許庁

DRY ETCHING METHOD AND APPARATUS, PHOTORESIST MASK AND METHOD OF PRODUCING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR CIRCUIT AND METHOD OF PRODUCING THE SAME例文帳に追加

ドライエッチング方法および装置、フォトマスクおよびその作製方法、ならびに半導体回路およびその製作方法 - 特許庁

To efficiently perform processes to a semiconductor substrate, such as dry etching, and cleaning for removing foreign materials after the processes.例文帳に追加

半導体基板に対するドライエッチング等の加工、および加工後の異物除去のための洗浄を効率よく実現する。 - 特許庁

A trimming-window opening 19 and an opening 21 for film-thickness monitoring are formed simultaneously through dry etching ((a-3), (b-3)).例文帳に追加

ドライエッチングにより、トリミング窓開口部１９及び膜厚モニタ用開口部２１を同時に形成する（（ａ−３），（ｂ−３））。 - 特許庁

Through these dry etching processes, a vapor deposition surface of a negative electrode 107 corresponding to the layer 103 was exposed.例文帳に追加

これらのドライエッチング工程で、ｎ型半導体層１０３に対する負電極１０７の蒸着面が露出された。 - 特許庁

The end point of the dry etching of a low selection ratio is detected on a basis of the disturbance of a waveform of the measured interference light.例文帳に追加

測定された干渉光の波形の乱れに基づき、低選択比のドライエッチングの終点検出を行なう。 - 特許庁

To provide a semiconductor device suppressing a plasma charge to a gate insulating film in case of dry etching, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ドライエッチング時のゲート絶縁膜へのプラズマチャージを抑制した半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

It is preferable that the doped quartz glass part is formed to constitute a part being exposed to a plasma gas in a dry etching process.例文帳に追加

前記ドープ石英ガラス部分が、ドライエッチング工程のプラズマガスに被曝する部分に構成されることが好ましい。 - 特許庁

To easily remove foreign matters sticking on the internal wall of a thin hole formed on the top surface of a component in a dry etching device.例文帳に追加

ドライエッチング装置内の部品表面に形成された細孔の内壁に付着した異物を簡単に除去する。 - 特許庁

A predetermined area the active region is oxidized and then etched by a dry oxide etching process to remove the oxide in the trenches.例文帳に追加

作動領域の所定領域を酸化し、乾式酸化物エッチング法によりエッチングして溝の酸化物を除去する。 - 特許庁

To improve plasma-density distribution properties on a substrate to be processed in a parallel-plate dry etching apparatus.例文帳に追加

平行平板型ドライエッチング装置において被処理基板上におけるプラズマ密度の分布特性を向上させること。 - 特許庁

A texture structure can be obtained by dry etching of a second interlayer dielectric 19 using the residue 20b as the mask.例文帳に追加

この残渣２０ｂをマスクとして第２層間絶縁層１９をドライエッチングすることでテクスチャー構造を得ることができる。 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD OF DRY-ETCHING PIEZOELECTRIC SUBSTRATE PREFORM, PIEZOELECTRIC SUBSTRATE PREFORM, PIEZOELECTRIC VIBRATION ELEMENT AND PIEZOELECTRIC DEVICE例文帳に追加

圧電基板母材のドライエッチング装置、圧電基板母材のドライエッチング方法、圧電基板母材、圧電振動素子、及び圧電デバイス - 特許庁

It is preferred that the at least sidewalls of the etched semiconductor film are subjected to an oxidation processing, before performing the dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングを行う前に、少なくともエッチングされた半導体膜の側壁を酸化処理することが好ましい。 - 特許庁

Next, the surface of the silicon support substrate 108 is etched until the thickness becomes a predetermined value by a dry etching method.例文帳に追加

次に、ドライエッチング法により前記シリコン支持基板１０８の表面を、その厚さが所定の値になるまでエッチングする。 - 特許庁

Next, a photoresist 31 is formed on the oxide layer 32, and the oxide layer 32 is etched under a first dry-etching condition.例文帳に追加

次に、酸化層３２上にフォトレジスト３１を形成して、第１のドライエッチング条件により、酸化層３２をエッチングする。 - 特許庁

Thereafter, a heater pit 8 is formed by dry etching and a liquid-resistant layer 40, a surface protective film 41 and a resin layer 42 are formed.例文帳に追加

その後、ヒーターピット８をドライエッチングで形成し、耐液体層４０，表面保護膜４１，樹脂層４２を形成する。 - 特許庁

To easily remove reaction products remaining on a semiconductor substrate in a dry etching stage for an organic material film.例文帳に追加

有機材料膜のドライエッチング工程において、半導体基板上に残存する反応生成物を容易に除去する。 - 特許庁

The through via 31 penetrating the Si layer 21 is formed through dry etching using a mixed gas containing at least SF_6 and O_2.例文帳に追加

少なくともSF_6とO_2を含む混合ガスを使用したドライエッチングによりSi層２１を貫通する貫通ビア３１を形成する。 - 特許庁

The dry etching residue remover is to contain ammonium salt of α-hydroxy fatty monocarboxylic acid.例文帳に追加

本発明のドライエッチング残渣除去剤は、α−ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸のアンモニウム塩を含有することを特徴とする。 - 特許庁

Dry etching is selectively applied to the conductive film 15 to form a gate electrode 15A composed of the conductive film 15.例文帳に追加

導電膜１５に対して選択的にドライエッチングを行なって、導電膜１５よりなるゲート電極１５Ａを形成する。 - 特許庁

To provide a dry etching process using a selective polymer mask formed by CO gas on a photoresist pattern.例文帳に追加

フォトレジストパターン上にＣＯガスによって形成された選択的ポリマーマスクを使用する乾式エッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a fine rectangular resist pattern having satisfactory resistance to dry etching with reproducibility.例文帳に追加

十分なドライエッチング耐性を有し、微細なレジストパターンを矩形形状で再現性良く形成する方法を提供する。 - 特許庁

Dry etching through a lithographically defined mask produces a laser mesa 30 with a length I_c and width b_m.例文帳に追加

リソグラフィによって画定されたマスクを介したドライエッチングは、長さＩ_ｃおよび幅ｂ_ｍのレーザメサ３０を作製する。 - 特許庁

Thereafter, a gate electrode layer is obtained by patterning the layer 14 by dry etching by using the resist layers 18a and 18b as masks.例文帳に追加

この後、レジスト層１８ａ，１８ｂをマスクとするドライエッチングにより層１４をパターニングしてゲート電極層を得る。 - 特許庁

A silicon-based protective film is formed between the magnetic recording layer and a photoresist and is subjected to dry etching and an oxygen plasma treatment.例文帳に追加

磁気記録層とフォトレジストとの間にシリコン系保護膜を形成して、ドライエッチング、及び酸素プラズマ処理に供する。 - 特許庁

Thereafter, a gate electrode formation film 62 is formed by processing the amorphous silicon film by a photolithography method and dry etching.例文帳に追加

次に、フォトリソグラフィ法及びドライエッチングにより、アモルファスシリコン膜を加工してゲート電極形成用膜６２を形成する。 - 特許庁

Since the polysilicon can be finely worked by dry etching, the gap between adjacent field plates can be narrowed.例文帳に追加

ポリシリコンはドライエッチングによる微細加工が可能であるため、隣り合うフィールドプレート間の間隔を狭めることができる。 - 特許庁

Then, an insulating film 21 covering these electrodes 20P and 20 is formed, and the insulating film 21 is subjected to selective dry etching.例文帳に追加

その後、それらの電極２０Ｐ，２０を覆う絶縁膜２１を形成し、絶縁膜２１を選択的にドライエッチングする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a color filter in which the occurrence of damage (scrap) of a support in dry etching is suppressed.例文帳に追加

ドライエッチング処理時の支持体ダメージ（削れ）の発生が抑制されたカラーフィルタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

When the photosensitive resin layer 13 is constituted of two layers, a dry resist film layer A14 and a dry resist film layer B15 provided on the etching layer 12, the uppermost layer of the dry resist film layer B15 contains tri(meth)acrylate.例文帳に追加

感光性樹脂層１３がエッチング層１２上に設けられたドライレジストフィルム層Ａ１４と、このドライレジストフィルム層Ｂ１５の２層で構成される場合、最上層のドライレジストフィルム層Ｂ１５がトリ（メタ）アクリレートを含有する。 - 特許庁

In a first dry etching step, dry etching is applied to the substrate for the master disk with the upper layer resist 13 as a mask and in a first ashing step, ashing is applied to an area exposed with a weak beam up to the glass substrate 1 with the intermediate layer 12 as a mask.例文帳に追加

第１のドライエッチング工程で、上層レジスト１３をマスクにして原盤用基板をドライエッチングし、第１のアッシング工程で、上記中間層１２をマスクにして弱いビームで露光された領域を硝子基板１までアッシングする。 - 特許庁

Electrostatic attraction of the support substrate 11 is performed on a substrate installation surface 41a of a dry-etching device 6, and dry-etching of the crystal substrate 9 on which a plasma is generated is performed at a state that heat transmission gas is supplied between the support substrate 11 and the substrate installation surface 41a.例文帳に追加

支持基板１１をドライエッチング装置６の基板載置面４１ａに静電吸着すると共に、支持基板１１と基板載置面４１ａの間に伝熱ガスを供給した状態で、プラズマを発生させた水晶基板９をドライエッチングする。 - 特許庁

Then, in performing film deposition in the reaction vessel, the film deposition is performed in a state where the exhaust piping is electrically non-grounded, and in subjecting the inside of the reaction vessel to dry etching, the dry etching is performed in a state where the exhaust piping is electrically grounded.例文帳に追加

そして、反応容器内で成膜を行う場合には、該排気配管を電気的に非接地とした状態で行い、反応容器内をドライエッチングする際には、該排気配管を電気的に接地した状態で行うことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of dry etching by which a high selection rate can be obtained and a method of manufacturing a semiconductor device by which the manufacturing yield or performance of a semiconductor device can be improved by using the method of dry etching.例文帳に追加

高選択比を得ることの出来るドライエッチング方法、または高選択比の得られるドライエッチング方法を用いることにより、製造歩留まりや半導体装置の性能を向上できる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor device which has a mesa structure formed by dry etching, the nitride semiconductor device having electric characteristics and optical characteristics improved by removing a layer damaged during dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングによって形成されたメサ構造を有する窒化物半導体素子において、ドライエッチングにより生じたダメージ層を除去することにより、電気特性、光学特性が改善された窒化物半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve problems such as the occurrence of etching spots or the deterioration of surface roughness due to the local increase of the etching speed caused by the stress or the impurity that is existed on the surface of a glassy carbon when processing the glassy carbon by a dry etching method.例文帳に追加

ガラス状カーボンをドライエッチング法にて加工した場合、ガラス状カーボン表面に存在する応力や不純物によって、局所的なエッチング速度の増加が生じ、エッチング斑や面粗度悪化が発生してしまう。 - 特許庁

To provide a dry etching method that improves a mask selection ratio and further obtains both high selectivity and a vertical processing shape in etching processing on a silicon substrate, particularly, etching processing for fabricating a solid structure.例文帳に追加

シリコン基板のエッチング加工、特に立体型構造体を作製するためのエッチング加工において、マスク選択比の向上を可能とし、さらには高選択性と垂直加工形状との両立を可能とするドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method, an etching rate of the second guide layer 22 is calculated on the basis of a change in AlCl emission intensity in the etching of the monitor layer 20 and the second guide layer 22 by dry etching using a chlorine type gas.例文帳に追加

本製造方法では、塩素系ガスによるドライエッチングによってモニタ層２０及び第２ガイド層２２がエッチングされる際のＡｌＣｌの発光強度の変化に基づいて、第２ガイド層１８のエッチングレートが算出される。 - 特許庁

To provide dry etching gas selectively etching a resist and underlying silicon while avoiding a reduction of an etching speed of a silicon oxide film, a silicon nitride film, and a silicon-containing film such as a silicon-containing low dielectric constant film in a manufacturing process of a semiconductor device; and to provide an etching method using the same.例文帳に追加

半導体デバイスの製造プロセスにおいて、シリコン酸化膜、窒化シリコン膜、シリコン含有低誘電率膜等のシリコン含有膜のエッチング速度の低下を防ぎ、レジストや下地のシリコンなどに対して、選択的にエッチングすることができるドライエッチングガス及びそれを用いたエッチング方法を提供する。 - 特許庁