「Dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

At this time, the spectral analysis involves introduction of a semiconductor substrate into the process chamber, dry etching of the semiconductor substrate with a plasma, detection of the beam emitted from a viewpoint during dry etching, and turning of the beam into a spectrum, as well as sampling the spectrum per dry etching time zone, and aquisition of more than one specific wave strength.例文帳に追加

この時、スペクトル分析は、工程チェンバー内に半導体基板を投入する段階と、前記半導体基板をプラズマで乾式エッチングする段階と、乾式エッチングの間にビューポイントから投射された光を検出する段階と、前記光をスペクトル化することは勿論、スペクトルを乾式エッチング時間帯ごとに抽出して、一つ以上の特定波の強さを得る段階で構成される。 - 特許庁

A method of forming the through holes comprises processes of (a) forming a resist pattern on the insulation film by photolithography, (b) forming the through holes by dry-etching the insulation film according to the resist pattern, (c) removing the resist pattern by dry-etching, and (d) removing a polymer residue in the through holes by dry-etching.例文帳に追加

（ａ）フォトリソグラフィーにより絶縁膜上にレジストパターンを形成する工程と、（ｂ）レジストパターンに基づいて絶縁膜をドライエッチングすることによりスルーホールを形成する工程と、（ｃ）ドライエッチングによりレジストパターンを除去する工程と、（ｄ）ドライエッチングによりスルーホール内のポリマー残留物を除去する工程とを含むスルーホールの形成方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

In the method of dry-etching the silicon nitride film 103 for dry-etching the silicon nitride film 103, the silicon nitride film 103 is dry-etched with no generation of plasma by using a process gas at least containing a hydrogen fluoride gas (HF gas) and a fluorine gas (F_2 gas) for an object to be processed 100 with the silicon nitride film 103 formed.例文帳に追加

窒化珪素膜１０３をドライエッチングする窒化珪素膜１０３のドライエッチング方法であって、窒化珪素膜１０３が形成された被処理体１００に対して、少なくともフッ化水素ガス（ＨＦガス）とフッ素ガス（Ｆ_２ガス）とを含む処理ガスを用いて、プラズマを生成することなく、窒化珪素膜１０３をドライエッチングする。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a step of forming an insulation film on the semiconductor substrate, a step of dry-etching the insulation film by a dry process, and a step of removing the damaged layer occurring on the semiconductor substrate by the dry etching by thermally decomposed atomic hydrogen at a predetermined temperature.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を、ドライ工程によりエッチングする工程と、前記エッチングにより前記半導体基板上に生じたダメージ層を、熱分解した原子状の水素により、所定の温度下で除去する工程とを含む。 - 特許庁

Although the ground real amorphous silicon film 21 is exposed and the exposed real amorphous silicon film 21 is dry-etched to some extent, a selection ratio of the dry etching is about 7.例文帳に追加

この場合、下地の真性アモルファスシリコン膜２１が露出され、この露出された真性アモルファスシリコン膜２１がある程度ドライエッチングされるが、その際の選択比は約７である。 - 特許庁

The method of forming the fine metal pattern comprises dry film resist thinning treatments (T1 to T4) which are carried out in a period from a process of coating the dry film resist on a board (a) to a process of carrying out an etching process (d).例文帳に追加

基板上にドライフィルムレジストを貼り付け（ａ）てから、エッチング（ｄ）を行うまでの間に、ドライフィルムレジストの薄膜化処理（Ｔ１〜Ｔ４）を行う金属パターンの形成方法。 - 特許庁

To provide an electrophotographic offset master of high printing durability using dry toner, capable of preventing the occurrence of a blister puncture at thermally fixing the dry toner, preventing an etching curl due to the infiltration of etching liquid from a back layer at etching, and also, attaining stable image quality free from a fogging phenomenon.例文帳に追加

本発明は、乾式トナーの熱定着時におけるブリスターパンクの発生を防止し、エッチング時にバック層からのエッチング液の浸透によるエッチングカールを防止し、かつカブリ現象の発生しない安定した画質を有する、乾式トナーを使用する高耐刷性を目的とする電子写真オフセットマスターを提供しようとするものである。 - 特許庁

In this manufacturing method for a thin-film transistor, a sacrifice layer formed of a metal oxide semiconductor is formed over a conductive layer formed of a metal oxide semiconductor; a metal film is formed over the sacrifice layer; the metal film is processed by dry etching; and the sacrifice layer exposed by the dry etching is subjected to wet etching.例文帳に追加

薄膜トランジスタの製造方法において、金属酸化物半導体から成る導電層上に金属酸化物半導体から成る犠牲層を形成し、前記犠牲層上に金属膜を形成し、前記金属膜をドライエッチングにより加工し、前記ドライエッチングにより露出した前記犠牲層へウェットエッチングを行なう。 - 特許庁

Sidewalls 8s and 8d, which have vertical planes are made by switching the etching conditions such as pressure, gas flow, etc., into the conditions for strengthening the sidewall deposit after anisotropically dry-etching the TEOS oxide film 7, leaving it for a specified thickness h1, and then by continuing the anisotropic dry etching of the TEOS oxide film 7.例文帳に追加

ＴＥＯＳ酸化膜７を所定の膜厚ｈ１だけ残して異方性ドライエッチングした後、圧力、ガス流量等のエッチング条件を、側壁デポを強くする条件に切り換え、さらにＴＥＯＳ酸化膜７の異方性ドライエッチングを続行することにより、垂直面１１を有するサイドウォール８ｓ，８ｄを形成する。 - 特許庁

After a trench 14 is formed, the insulating layer on the bottom of the trench 14 is charged by dry etching, and a second silicon layer 12 positioned in the lateral direction of the bottom of the trench is removed, by implanting the etching ions of dry etching to the second silicon layer 12 positioned in the relevant lateral direction, so that the movable part can be formed.例文帳に追加

トレンチ１４を形成した後、ドライエッチングを行い、トレンチ１４の底部の絶縁層を帯電させ、ドライエッチングのエッチングイオンをトレンチの底部の横方向に位置する第２のシリコン層１２へ当てて当該横方向に位置する第２のシリコン層１２を除去することにより、可動部を形成する。 - 特許庁

After the photoresist pattern 6 is removed, an interlayer insulation film is formed, and then, by subjecting it to dry-etching with the P-SiN 15 as an etching stopper, a through-hole(TH) to the aluminum wring layer 4b is formed.例文帳に追加

フォトレジストパターン６を除去した後、層間絶縁膜を形成し、Ｐ−ＳｉＮ１５をエッチングストッパーとして、ドライエッチングすることによりアルミ配線層４ｂへのＴＨを形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which dimensional conversion difference of an etching pattern can be controlled over a wide range by taking a measure other than the resizing of a photomask, and to provide a dry etching system.例文帳に追加

フォトマスクのリサイズ以外の方策で対処すべく、大きい範囲で寸法変換差を制御し得る半導体装置の製造方法及びドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

Thereafter, deposition substances stuck on the layer 107 by the dry etching are removed therefrom, and only the etching stop layer 106 exposed to the periphery of the ridge of the semiconductor laser is removed selectively by using a sulfuric-acid-based etchant.例文帳に追加

その後、ドライエッチングにより付着したデポ物を除去し、硫酸系のエッチャントを用いてリッジの周りに露出したエッチングストップ層１０６のみを選択的に除去する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing ink discharge head hardly causing a manufacturing step dependent variation in opening size of an ink supply port, and not requiring dry etching in removal of an etching stop layer.例文帳に追加

インク供給口の開口サイズが製造工程によって変動し難く、且つ、エッチングストップ層の除去にドライエッチングが不要なインク吐出ヘッドの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a patterning method wherein, when etching a chemically stable material, the dry etching technique is mainly used while partially using the lift-off technique and thereby what is called the fence can be prevented and there is no overetching, and to provide a high-durability ink jet head using the same.例文帳に追加

化学的に安定な材料をエッチングする場合、ドライエッチングを主に、部分的にリフトオフをすることで、フェンスを防止し、オーバーエッチングのないパターン形成をする。 - 特許庁

Then, a pre-etching process through which all the area of the non-doped region 132 of the polysilicon layer 13 is removed as thick as prescribed is carried out before the dry etching process is carried out.例文帳に追加

そこで、上記ドライエッチング工程の前に、予めポリシリコン層１３におけるノンドープ領域１３２の全域を所定厚さ分除去しておくプリエッチング工程を設けている。 - 特許庁

Recessed and projecting sections of 5-20 nm size are formed on the surface of the transparent conductive film 7, which is composed of an ITO through spraying method or performing wet etching, dry etching, sandblasting, polishing, etc.例文帳に追加

スプレー法を用いて、又はウエットエッチング、ドライエッチング、サンドブラスト、研磨などにより、ＩＴＯの透明導電膜７の表面に５ｎｍ以上で２００ｎｍ以下の凹凸を形成する。 - 特許庁

Via holes (opening patterns) 107 are formed in a substrate 101 by selectively etching the substrate 101 by the dry etching method using chlorine gas with a mask pattern 106 used as a mask.例文帳に追加

塩素ガスを用いたドライエッチング法によりマスクパターン１０６をマスクとして基板１０１を選択的にエッチングすることで、基板１０１にビアホール（開口パターン）１０７を形成する。 - 特許庁

For the dry-etching with a lower-layer titanium film 2, the etchant is added with CHF3 whose aluminum etching rate is low, and Cl2, BCl3 and CHF3 are used for adjustment to a specified partial pressure ratio.例文帳に追加

下層のチタン膜２のドライエッチングは、上記のエッチャントに、アルミニウムのエッチングレートの低いＣＨＦ_3を加え、Ｃｌ_2、ＢＣｌ_3、及びＣＨＦ_3を用いて、所定の分圧比に調整して行う。 - 特許庁

When the polysilicon layer 13 is subjected to patterning through the same dry etching process, the impurity-doped region 131 is etched sooner than the non-doped region 132 due to an etching rate difference.例文帳に追加

このようなポリシリコン層１３を同一のドライエッチング工程でパターニングする場合、エッチングレートの違いから不純物のドープされた領域１３１の方が早くエッチングされてしまう。 - 特許庁

POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING PATTERN, MEMS STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, DRY ETCHING METHOD, WET ETCHING METHOD, MEMS SHUTTER DEVICE AND IMAGE DISPLAY DEVICE例文帳に追加

ポジ型感光性樹脂組成物、パターン作製方法、ＭＥＭＳ構造体及びその作製方法、ドライエッチング方法、ウェットエッチング方法、ＭＥＭＳシャッターデバイス、並びに、画像表示装置 - 特許庁

The weight of the removed matter is converted to a thickness subtracted from the etched material 5, and the etching operation carried out by the dry etching means 1 is stopped when the converted thickness reaches to a prescribed value.例文帳に追加

除去された重量を被エッチング材料５から減じられた厚みに換算し、その換算された値が所定値に達したときにドライエッチング手段１によるエッチング作用を停止する。 - 特許庁

To remove an etching product adsorbed onto a semiconductor substrate substantially thoroughly in an interface cleaning process for removing an oxide film on the semiconductor substrate by dry etching.例文帳に追加

ドライエッチング処理により半導体基板上の酸化膜を除去する界面清浄化処理において、半導体基板上に吸着させたエッチング生成物をほぼ確実に除去可能にする。 - 特許庁

To provide a dry etching device in which generated foreign matter hardly adhere onto the surface of a semiconductor wafer, exhaust conductance is good, various etching conditions are accommodated, and structure is made simple.例文帳に追加

半導体ウエハ表面上に発生異物が付着しにくく、排気コンダクタンスが良好で、様々なエッチング条件に対応できる構造が簡単なドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

In a dry etching using a mixed gas of SF6/Cl2/O2, oxygen radicals produced in plasma oxidize the surface of an Ag-Pd-Cu film 17 to accelerate etching carried out by fluorine radicals and fluorine ions.例文帳に追加

ＳＦ_6 ／Ｃｌ_2 ／Ｏ_2 ガス系を使ったドライエッチングは、プラズマで生成された酸素ラジカルがＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜17の表面を酸化してフッ素ラジカル、フッ素イオンによるエッチングを加速する。 - 特許庁

To obtain a high etching precision by suppressing the generation of a striation in the case of dry-etching the interlayer insulating film covered with a resist mask formed by the ArF photolithography.例文帳に追加

ＡｒＦフォトリソグラフィ法により形成したレジストマスクで覆われた層間絶縁膜をドライエッチングする際に、ストリエーションの発生を抑制して高いエッチング加工精度が得られるようにする。 - 特許庁

After chemically etching or dry etching an R-plane sapphire substrate 2 having a good cleavage in this element 1, a low-resistance ZnO film 3 is made to align with the c-axis on the R-plane sapphire substrate 2.例文帳に追加

へき開性の良好なＲ面サファイア基板２を化学エッチング又はドライエッチングした後、Ｒ面サファイア基板２上に低抵抗のＺｎＯ膜３をｃ軸配向させる。 - 特許庁

In addition, the organic compound film, which consists of two or more high polymer organic compounds, can be made and divided separately by using combining of an wet type etching method or a dry type etching method.例文帳に追加

なお、湿式エッチング法と乾式エッチング法を組み合わせて用いることにより、複数の高分子系有機化合物からなる有機化合物膜を作り分けることができる。 - 特許庁

This method is provided with a process for removing an etching damaged layer 11 which occurs in a source/drain formation region when dry- etching the first thick oxide film 9 of the high breakdown strength MOS transistor.例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳトランジスタの厚い第１の酸化膜９をドライエッチングする際にソースドレイン形成領域に発生したエッチング・ダメージ層１１を除去するための工程を設ける。 - 特許庁

A substrate 21 (SOI substrate) equipped with a slab layer 211 composed of Si and a clad layer 212 composed of SiO_2, is used first to form holes 22 for introducing an etching agent in the slab layer 211 by dry etching ((b)).例文帳に追加

Siから成るスラブ層２１１、SiO_2から成るクラッド層２１２を備える基板２１(SOI基板)を用い、まず、ドライエッチングによりスラブ層２１１にエッチング剤導入用空孔２２を形成する((b))。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a display by which a photolithographic process is eliminated by changing a wet etching process to a dry etching process using laser and high productivity is realized.例文帳に追加

ウェットエッチングプロセスを、レーザを用いたドライエッチングプロセスにすることにより、フォトリソグラフィー工程を削減でき、高生産性を実現するディスプレイの製造方法を提案することを目的とする。 - 特許庁

To provide a dry etching method for forming the sidewall shape of a groove into a desired shape, and achieving superior etching, for example, even if the width of the groove is different.例文帳に追加

溝の幅が相違する場合等においても、溝の側壁形状を所望の形状とすることができ、良好なエッチングを行うことのできるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To apply second etching to the bottom of a recessed part by the dry etching of a substrate to suppress the deterioration of an image even if an opening position of an ink supply opening at a substrate end is deviated.例文帳に追加

基板をドライエッチングにより凹部の底面に対して第２のエッチングを行うことにより基板端部のインク供給口の開口位置がずれた場合であっても、画像劣化を抑制する。 - 特許庁

In the dry etching method using mixed gas of only CF_4 and Ar as process gas, O_2 gas is added to reduce the in-plane variance in etching rate.例文帳に追加

プロセスガスとしてＣＦ_4とＡｒのみの混合ガスを用いるドライエッチング方法において、Ｏ_2ガスを添加するようにしたことにより、エッチングレートの面内バラツキを低減させることができるようになる。 - 特許庁

To provide the method of countermeasure for the change of critical dimension caused by etching of photoresist of an upper layer into lateral direction employing gas containing O_2 in the dry etching of an organic reflection preventing film.例文帳に追加

有機反射防止膜のドライエッチングに、Ｏ２を含むガスを用いて、上層のフォトレジストが横方向にエッチングされ、クリティカルディメンジョンの変化を対策する方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, by conducting dry etching using the Ni layer 8 as an etching stopper, the via hole 1s reaching the Ni layer 8 from a back face side of the insulating substrate 1 is formed in the insulating substrate.例文帳に追加

その後、Ｎｉ層８をエッチングストッパとするドライエッチングを行うことにより、絶縁性基板１に、その裏面側からＮｉ層８まで到達するビアホール１ｓを形成する。 - 特許庁

Then, a wiring groove 9 is made in an organic low-permittivity insulating film 3 by the dry etching using this mask layer as an etching mask, and groove wiring is made by the CMP of a conductor film.例文帳に追加

そして、このマスク層をエッチングマスクとしたドライエッチングで有機系の低誘電率絶縁膜３に配線溝９を形成し、導電体膜のＣＭＰでもって溝配線を形成する。 - 特許庁

Then anisotropic dry etching is applied up to the electric connection region or electric wires of active elements, under the condition of the etching selection ratio being high between the photoresist 3 and the inter-layer insulating film 2.例文帳に追加

次に、フォトレジスト３と層間絶縁膜２とのエッチングの選択比が高い条件で能動素子の電気的接続領域あるいは電気配線の上まで異方性のドライエッチングを行う。 - 特許庁

Two photoresist films 2a, 2b are formed on a quartz substrate 1 and a groove 10 having a large taper angle is formed by using dry etching conditions vastly different from each other in etching rate.例文帳に追加

石英基板１上に２層のホトレジスト膜２ａ，２ｂを形成し、エッチレートが大きく異なるドライエッチング条件を用いることにより、大きなテーパ角の溝１０を形成する。 - 特許庁

To improve the taper shape or the phase difference accuracy of a mask pattern after dry etching working by controlling the etching rate of each layer of a multilayer half tone blanks.例文帳に追加

多層膜ハーフトーンブランクスの各層のエッチングレートを制御することで、ドライエッチング加工後のマスクパターンのテーパー形状の改善や位相差精度の向上を図ることを目的とする。 - 特許庁

The organic film 12 is then cleaned and removed by wet etching with solution of SPM (sulfuric acid hydrogen peroxide solution), which is a relatively strong oxidant, or by dry etching using hydrogen gas.例文帳に追加

その後、有機膜１２を比較的強い酸化剤であるＳＰＭ（硫酸過酸化水素水）の溶液によるウェットエッチング、若しくは水素ガスを用いたドライエッチングで洗浄して除去する。 - 特許庁

The insulating film is subjected to dry etching through the mask pattern as a mask by the use of etching gas containing C_4F_8 and C_xF_y (x and y are each an integer and so set as to satisfy formulas, x≥5 and y≤(2x-1)).例文帳に追加

マスクパターンをマスクとし、Ｃ_4Ｆ_8ガスとＣ_xＦ_y（ｘ及びｙは整数であり、ｘ≧５、ｙ≦（２ｘ−１）を満たす）ガスとを含むエッチングガスを用いて、絶縁膜をドライエッチングする。 - 特許庁

Thus, it is possible to precisely perform the pattern formation of a residual part 23A of the translucent part 23 without carrying out dry etching.例文帳に追加

これによってドライエッチングを行うことなく、透光部２３の残留部分２３Ａを精度よくパターン形成することができる。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition useful for a chemically amplified resist with excellent dry etching resistance and a low LWR.例文帳に追加

ドライエッチング耐性が優れ且つＬＷＲが小さい化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物。 - 特許庁

To form microlenses of such a shape that aberration in its outer peripheral part can be decreased without using a dry etching process.例文帳に追加

ドライエッチングプロセスを使用することなく、外周部における収差を低減できる形状のマイクロレンズを形成可能とする。 - 特許庁