「Dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a pattern forming method capable of easily removing photoresist remaining after dry etching processing in the case of forming a pattern by a dray etching method.例文帳に追加

ドライエッチング法によってパターンを形成する場合に、ドライエッチング処理後に残存するフォトレジストを容易に除去することが可能なパターン形成方法を提供する - 特許庁

In an n-type SiCz layer etching step, the n-type SiC layer is etched through dry etching using a mixed gas comprising a gas containing F and a gas containing O.例文帳に追加

そして、ｎ型ＳｉＣｚ層エッチング工程では、Ｆを含有するガスとＯを含有するガスとを含む混合ガスを用いたドライエッチングによりｎ型ＳｉＣ層がエッチングされる。 - 特許庁

The aperture 3 is formed through a dry etching step, and its aspect ratio becomes lower by broadening the reference surface through an ensuing wet chemical etching process.例文帳に追加

開口部３は、ドライエッチング工程により形成され、該開口部３のアスペクト比は続いて行われるウェットケミカルエッチング工程により基準表面部を広げることにより低くなる。 - 特許庁

The upper face (surface) of a first region 110 of the vibration electrode is configured of a chrome layer, and formed of materials whose etching rate in dry etching is relatively small.例文帳に追加

励振電極の第１の領域１１０はその上面（表面）がクロム層からなり、ドライエッチングにおけるエッチングレートが比較的小さい材料からなっている。 - 特許庁

ETCHING METHOD FOR MACHINING SUBSTRATE, DRY ETCHING METHOD OF POLYETHERAMID RESIN LAYER, MANUFACTURE OF INK JET RECORDING HEAD, INK JET HEAD AND INK JET PRINTER例文帳に追加

基板に加工を行うためのエッチング方法およびポリエーテルアミド樹脂層のドライエッチング方法、並びに、インクジェット記録ヘッドの製造方法、インクジェットヘッドおよびインクジェットプリント装置 - 特許庁

In the dry etching method, mixture gas of halogen gas and inert gas is employed as etching gas and low frequency bias power is applied to a film containing a noble metal under high vacuum high density plasma.例文帳に追加

ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で貴金属を含む膜に低周波のバイアス電力を印加する方法とする。 - 特許庁

An etching mask 23 is formed on the metal film 17 containing the titanium and formed on a semiconductor substrate, and the metal film 17 is dry-etched through the etching mask 23.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたチタンを含む金属膜１７上にエッチングマスク２３を形成し、エッチングマスク２３を介して、金属膜１７をドライエッチングする。 - 特許庁

To control a ridge shape and ridge height by controlling the stabilization of wet etching which follows dry etching in the manufacture of a semiconductor device having a ridge shaped part.例文帳に追加

リッジ形状部を有する半導体装置の製造において、ドライエッチングに引き続くウェットエッチングを安定して制御して、リッジ形状とリッジ高さを制御する。 - 特許庁

To provide a halftone phase shift photomask having a structure which enables dry etching without complexing steps and the structure of an etching apparatus and to provide blanks for the halftone phase shift photomask.例文帳に追加

工程を複雑にせず、エッチング装置の構成も複雑にせず、ドライエッチング加工ができる構成のハーフトーン位相シフトフォトマスクを提供しようとするものである。 - 特許庁

A semiconductor device manufacturing method comprises selectively etching an In-Sn-Zn-O-based semiconductor layer by dry etching using a gas containing chlorine such as Cl_2, BCl_3 and SiCl_4.例文帳に追加

Ｃｌ_２または、ＢＣｌ_３または、ＳｉＣｌ_４などの塩素を含むガスを用いたドライエッチングによりＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体層を選択的にエッチングする。 - 特許庁

In the dry etching method, mixture gas of halogen gas and inert gas is employed as etching gas and high frequency bias power is applied to a ferroelectric film under high vacuum high density plasma.例文帳に追加

ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で強誘電体膜に高周波のバイアス電力を印加する方法とする。 - 特許庁

The recess forming process comprises two steps of a step for digging each recess by dry etching, and a step for removing a surface deterioration layer of each recess inner wall, by wet etching using an acid.例文帳に追加

凹部形成工程は、ドライエッチングにより凹部を掘り下げるステップと、酸を用いたウエットエッチングにより凹部内壁の表面変質層を除去するステップの２段階からなる。 - 特許庁

To provide a dry etching device which is capable of preventing reaction product gas from adhering to a view port by a simple method and determining the end point of the etching stably.例文帳に追加

簡単な方法でエッチングの反応生成ガスがビューポートへ付着するのを防止し、安定したエッチングの終点判定ができるドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a stable process by restraining discharge of those other than the process and eliminating power losses and abnormal discharges, and to provide a dry etching apparatus for improving an etching rate.例文帳に追加

プロセス以外の放電を抑え、パワーロスや異常放電をなくし安定したプロセス及びエッチングレートを向上させることのできるようにしたドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

This dry etching equipment is down flow type dry etching equipment in which a plasma forming region is isolated from a treating chamber 1 for treating the object 3 to be treated, and active species formed in the plasma forming region are introduced to the treating chamber 1.例文帳に追加

プラズマ生成領域と被処理物３を処理する処理室１とが分離されており、プラズマ生成領域にて生成された活性種を処理室１に導くようになされたダウンフロー型のドライエッチング装置である。 - 特許庁

This method has (c) an anisotropic dry etching process of forming a predetermined pattern recess 20 by piercing the tunnel barrier layer 15 of a tunnel junction film 10a, and (d) an isotropic dry etching process of removing a sidewall deposit (22) of the recess 20.例文帳に追加

（ｃ）トンネル接合膜１０ａのトンネルバリア層１５を貫通して、所定パターンの凹部２０を形成する異方性ドライエッチング工程と、（ｄ）凹部２０の側壁付着物（２２）を除去する等方性ドライエッチング工程とを有する。 - 特許庁

Then, by using a gas containing halogen, second dry etching is executed for the surface 3a of the wafer 3 while applying second bias power that has a power value smaller than that of the first bias power, to the chuck 24 (second dry etching step S11).例文帳に追加

次に、ハロゲンを含むガスを用いて、チャック２４に第１のバイアス電力よりも電力値が小さい第２のバイアス電力を印加しながら、ウェハ３の表面３ａに第２のドライエッチングを施す（第２のドライエッチング工程Ｓ１１）。 - 特許庁

To provide an organic substance removing method for removing a hardened resist film generated after dry etching, a BARC film remaining on a lower layer of the resist film, and a residue or the like after dry etching present on a semiconductor substrate without executing ashing treatment.例文帳に追加

半導体基板に存在する、ドライエッチング後に生成する硬化したレジスト膜、その下層に残留するＢＡＲＣ膜、及びドライエッチング残渣等の除去において、アッシング処理を行わずに除去する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a mold used for a nano imprint technique with high accuracy, a tray for dry etching capable of conveniently manufacturing the mold, a method of manufacturing the same, and a dry etching method using the tray.例文帳に追加

ナノインプリント技術に用いるモールドを高い精度で製造する方法と、このモールドの製造を簡便に行うことができるドライエッチング用のトレーとその製造方法、および、このトレーを用いたドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In a method for dry etching the insulating film provided on the semiconductor substrate, a ratio of an Ar gas in mixture gas used when dry etching is carried out is set at 40% or less.例文帳に追加

本発明のドライエッチング方法は、半導体基板に設けられた絶縁膜をドライエッチングする方法において、ドライエッチングする際に使用する混合ガスの中のＡｒのガス比率を、４０％以下に設定することを特徴とするものである。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device including a process for dry etching a silicon nitride film, a mixed gas obtained by doping methanol gas with a prescribed density for a total gas flow rate to fluorocarbon gas is used for the dry etching of a silicon nitride film 15.例文帳に追加

シリコン窒化膜をドライエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法において、シリコン窒化膜１５のドライエッチングに、フロロカーボンガスと、総ガス流量に対し所定の濃度のメタノールガスとを添加した混合ガスを用いる。 - 特許庁

The resist mask 4 is used, the metal film 3 is subjected to dry etching, the amount of retreat of the resist mask 4 by dry etching is controlled, and a metal mask 5 is formed, where an open side face 5a has a first tilt angle to the film.例文帳に追加

このレジストマスク４を用い、金属膜３をドライエッチングするとともに、ドライエッチングによるレジストマスク４の後退量を制御して、開口側面５ａが膜に対して第１の傾斜角度を有する金属マスク５を形成する。 - 特許庁

To provide a dry-etching method which can obtain a high etching rate when an interlayer insulating film coated with a resist mask is dry-etched, also can prevent a selection ratio with respect to a resist from lowering without damaging the interlayer insulating film.例文帳に追加

レジストマスクで覆われた層間絶縁膜をドライエッチングする場合に、高いエッチングレートが得られると共に、対レジスト選択比が低下することを防止でき、さらに、層間絶縁膜にダメージを与えることがないドライエッチング方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a mold for photo imprinting economically without the need of a step of forming mask by photo lithography necessary when dry-etching a quartz substrate, a dry-etching step for the quartz substrate after that and the like.例文帳に追加

石英基板をドライエッチングする場合に必要な、フォトリソグラフィーによるマスクの形成工程、その後の石英基板のドライエッチング工程などが不要で、経済的に光インプリント用モールドを製造することが可能な方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride semiconductor device which has the mesa structure formed by the dry etching includes a stage (A) of plasma-processing a surface exposed by the dry etching in an atmosphere including nitrogen plasma.例文帳に追加

ドライエッチングによって形成されたメサ構造を有する窒化物半導体素子の製造方法であって、窒素プラズマを含む雰囲気中で、前記ドライエッチングにより露出した面を、プラズマ処理する工程（Ａ）を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a plasma etching method capable of making compatible a control of an etching shape and a restraint of a residue when a lower layer resist film of a three layer resist is dry-developed by using a plasma of an O_2 based etching gas.例文帳に追加

Ｏ_２系エッチングガスのプラズマを使用して３層レジストの下層レジスト膜をドライ現像する際に、エッチング形状の制御と残渣の抑制を両立させることが可能なプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The processing unit is a wet etching unit 14 using a chemical liquid capable of dissolving the native oxide of the metal or a dry etching unit 206 using a gas capable of reducing or etching the native oxide of the metal.例文帳に追加

処理ユニットは、金属の自然酸化膜を溶解可能な薬液を用いたウェットエッチングユニット１４、あるいは、金属の自然酸化膜を還元可能またはエッチング可能なガスを用いたドライエッチングユニット２０６とする。 - 特許庁

To provide a wiring electrode for an organic EL display device in which formation is possible by wet etching and which is hard to be etched at the time of dry etching of the insulating film since a difference between etching rates of an insulating film is large, the organic EL display device equipped with the wiring electrode, and its manufacturing method.例文帳に追加

ウェットエッチングにより形成が可能であり、絶縁膜のドライエッチング時に絶縁膜のエッチングレートとの差が大きくエッチングされ難い、有機ＥＬ表示装置用の配線電極を提供する。 - 特許庁

To obtain a display of a high grade by increasing auxiliary capacitors without lowering an aperture ratio and well maintaining the writing potential of respective pixels without the impairment of the brightness and contrast of display images and further to permit the selective etching of only the necessary materials by a dry etching method without requiring intricate etching control.例文帳に追加

開口率を低下する事無く補助容量の増大を図り、表示画像の明るさ及びコントラストを損なう事無く各画素の書き込み電位を良好に保持して、高品位の表示を得る。 - 特許庁

Side etching of the gate insulation film of the channel region through region selective etching of the silicon oxide film by dry etching of poor selectivity, or leaving of the gate insulation film on the source and drain regions will be involved in the process.例文帳に追加

選択性の悪いドライエッチングで酸化シリコン膜の領域選択エッチングをしてチャネル領域のゲート絶縁膜をサイドエッチングしたり、ソース、ドレイン領域上のゲート絶縁膜を残したりすることがない。 - 特許庁

To realize a working method using wet etching which does not deteriorate element characteristics, because when working of a nitride based compound semiconductor layer is performed by dry etching, etching damage is left, which becomes a cause of deterioration of element characteristics.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体層の加工をドライエッチングにより行うとエッチングダメージが残り素子特性を悪化させる原因となるため、素子特性を悪化させないウエットエッチングによる加工方法の実現を図る。 - 特許庁

To stabilize the etching rate in a method for dry etching an article containing silicon and titanium or a titanium compound and an organic matter by the plasma of etching gas containing fluorine atoms.例文帳に追加

フッ素原子を含むエッチングガスのプラズマにより、シリコンとチタンまたはチタン化合物と有機物を含む被エッチング物をエッチングするドライエッチング方法において、エッチング速度を安定にする方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An etching device 1 is aged, then dry etching treatment is successively performed to a material film on the semiconductor substrates of one lot by using the etching device 1 to form the material film pattern on each semiconductor substrate.例文帳に追加

エッチング装置１のエージングを行った後に、エッチング装置１を用いて１ロットの半導体基板上の材料膜に対してドライエッチング処理を順次行い、各半導体基板上に材料膜パターンを形成する。 - 特許庁

To provide dry etching method and system in which etching rate can be raised at the end portion of a body to be etched and in-plane etching rate can be made uniform.例文帳に追加

ドライエッチング方法およびその装置に関し、被エッチング体の端部のエッチング速度を上げ、かつ、面内のエッチング速度を均一化することができるドライエッチング方法およびその装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a dry etching method which does not need aftertreatment for corrosion and an anti-corrosion measure for an etching apparatus, and reduces such an etching damage as to deteriorate magnetic properties of a magnetic material, when etching the magnetic material by using a masking material made from a non-organic material.例文帳に追加

非有機材料からなるマスク材を用いて磁性材料をエッチングする場合に、アフターコロージョン処理、エッチング装置に対する耐腐食性対策が不要で、磁気特性を劣化させてしまうエッチングダメージを減少させることができるドライエッチング方法を提案する。 - 特許庁

The method for manufacturing a silicon carbide mold includes forming a dry etching mask having an opening and comprising tungsten silicide on a silicon carbide substrate, and then dry-etching the silicon carbide substrate by a reactive ion etching method using a single fluorine-containing gas or a mixture gas of the fluorine-containing gas and oxygen gas as an etching gas.例文帳に追加

炭化ケイ素基板上に、開口部を有するタングステンシリサイドからなるドライエッチング用マスクを形成した後、エッチングガスとしてフッ素含有ガス単独又はフッ素含有ガスと酸素ガスとの混合ガスを用いて、反応性イオンエッチング法によって炭化ケイ素基板をドライエッチングすることを特徴とする炭化ケイ素製モールドの製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device comprises: (a) a process of forming the contact hole (6) at an upper part inside an insulation layer 3 containing a silicon oxide by dry etching using a first etching gas containing an Xe gas, (b) and a process of deepening the contact hole 7 more inside the insulation layer 3 by dry etching using a second etching gas not containing the Xe gas.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、（ａ）Ｘｅガスを含む第１エッチングガスを用いたドライエッチングにより、酸化シリコンを含む絶縁層３内の上部にコンタクトホール（６）を形成する工程と、（ｂ）Ｘｅガスを含まない第２エッチングガスを用いたドライエッチングにより、絶縁層３内でコンタクトホール７をより深くする工程とを具備する。 - 特許庁

To obtain a pattern of a high melting point metal film having rectangular or trapezoidal cross-section by dry etching a high melting point metal film.例文帳に追加

高融点金属膜をドライエッチングして断面が矩形状或いは台形状の高融点金属膜のパターンを得る。 - 特許庁

The method carries out a patterning by forming a low-resistance metal film 5 and a low-dielectric constant film 7 and then dry-etching using a resist 9.例文帳に追加

低抵抗金属膜５、低誘電率膜７を成膜した後、レジスト９を用いてドライエッチングし、パターニングする。 - 特許庁

The second light-shieldable film 14 is a film that mainly comprises a silicon-containing compound and that can be etched by F-based dry etching.例文帳に追加

また、第２の遮光性膜１４はＦ系ドライエッチングが可能な珪素含有化合物を主成分とする膜である。 - 特許庁

In addition the formation of the notches is performed by oxidation or dry etching, such as the CDE, etc., using a mask.例文帳に追加

また、このような切り欠き形状の形成をマスクを用いた酸化処理もしくはＣＤＥなどのドライエッチングにより行う。 - 特許庁

Furthermore, a burr 121 formed to an upper part of the wall part 122 is removed by applying dry etching to the entire surface of the wall part.例文帳に追加

更に、壁部１２２の上部に形成されているバリ１２１を全面にドライエッチングにすることにより除去する。 - 特許庁

Here again, no cleaning or drying processes are used since it is dry-etching, causing no watermarks.例文帳に追加

この場合も、ドライエッチングであるので、洗浄工程及び乾燥工程は行わず、したがってウォータマークが発生することはない。 - 特許庁

To obtain a shape without skirt trailing and side etch while preventing the penetration through a base oxide film upon dry etching of polysilicon.例文帳に追加

ポリシリコンのドライエッチング時に、下地酸化膜の突き抜けを防止しながら、スソ引き及びサイドエッチの無い形状を得る。 - 特許庁

To obtain a pattern forming method which can form a detailed hole pattern while increasing dry etching endurance of resist.例文帳に追加

レジストのドライエッチング耐性を向上させつつ、微細なホールパターンを形成することができるパターン形成方法を得る。 - 特許庁