「Dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

Such a dry etching method includes a stage of etching the copper-containing aluminum film using chlorine gas not containing hydrocarbon gas and a stage of etching the metal conductive film using chlorine gas containing hydrocarbon gas.例文帳に追加

そして、このようなドライエッチング方法において、炭化水素系ガスを含まない塩素系ガスを用いて上記銅含有アルミニウム膜をエッチングする工程と、炭化水素系ガスを含む塩素系ガスを用いて上記金属導電膜をエッチングする工程とを備える。 - 特許庁

When an oxide film pattern is used as an etching mask to form a metal film pattern, the oxide film pattern is formed and then, the cleaning liquid is used to remove the etching by-product layers around the oxide film pattern before dry-etching the metal film.例文帳に追加

金属膜パターンを形成するために、酸化膜パターンをエッチングマスクとして利用する場合には、酸化膜パターンを形成した後、金属膜を乾式エッチングする前に該洗浄液を使用して酸化膜パターン周囲のエッチング副産物層を除去できる。 - 特許庁

According to the manufacturing process, an inter-layer insulating film 9 is subjected to wet etching with 10:1 BHF followed by dry etching using the same resist mask 10 for the wet etching, to form contact holes 11, 12 consecutively on the inter-layer insulating film 9 and a gate insulating film 4.例文帳に追加

層間絶縁膜９に対する１０：１ ＢＨＦによるウェットエッチングに続いて、同一レジストマスク１０を用いたドライエッチングを行うことにより、層間絶縁膜９およびゲート絶縁膜４にコンタクトホール１１，１２を連続して形成する。 - 特許庁

The recessed parts 11 are formed by etching the wafer 1 while forming a protective film on the side faces of the opening parts 21 of a resist pattern 2 by repeating introduction of a protective film forming gas and introduction of an etching gas in a dry etching device.例文帳に追加

この凹部１１の形成は、ドライエッチング装置内で、保護膜形成用ガスの導入とエッチングガスの導入とを繰り返すことにより、レジストパターン２の開口部２１の側壁に保護膜を形成しながらウエハ１をエッチングすることによって行う。 - 特許庁

In a microcrack 32 portion, since etching is promoted by the intrusion of the etchant into the interface between the lower electrode 14 and the piezoelectric body 16, wet etching which makes a chemical circulate in the microcrack 32 is more effective than Dry etching.例文帳に追加

マイクロクラック３２部は下部電極１４と圧電体１６との界面にエッチャントが侵入することでエッチングが促進されるので、Ｄｒｙエッチングよりもマイクロクラック３２内部に薬液が回りこむＷｅｔエッチングのほうがより効果が大きい。 - 特許庁

To provide a method of dry-etching a substrate which can perform a microfabrication to a high-hardness and brittle substrate, and can be actually and practically used.例文帳に追加

高硬度で脆い基板に対する微細加工を実現できる現実に実用化可能な基板のドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

A first process difference between a resist dimension by a lithographic process and a process dimension by a dry etching process is calculated in a N-gate portion.例文帳に追加

Ｎ型ゲート部に対して、リソグラフィ工程によるレジスト寸法とドライエッチ工程による加工寸法との第１の加工差を算出する。 - 特許庁

After that, a resistance element is patterned by dry etching treatment, a cover insulating film 4 is formed, and a contact is opened by a similar technique.例文帳に追加

その後、ドライエッチング処理により抵抗素子をパターニングし、カバー絶縁膜４を成膜し前述同様の手法にてコンタクトを開口する。 - 特許庁

The fracture surfaces 27 and 29 are not formed by dry etching, and are different from a conventional cleavage surface, such a c-surface, an m-surface, or a a-surface, or the like.例文帳に追加

割断面２７、２９は、ドライエッチングにより形成されず、ｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。 - 特許庁

Even if a pn structure on the surface of the second level difference section 33 is damaged by dry etching, the generation of a leak path, or the like is restrained.例文帳に追加

第２段差部３３の表面のｐｎ構造にドライエッチングによる損傷が生じていてもリークパスなどの発生が抑えられる。 - 特許庁

The controller 126 operates the heating means 122 in the case where the dry etching process and protection film forming process are conducted to the processing work.例文帳に追加

制御部１２６は、被加工物に対してドライエッチング処理及び保護膜形成処理を行う場合に、加熱手段１２２を動作させる。 - 特許庁

The method for forming the pattern comprises the steps of forming an ITO film 50 and an MoCr film 100, and dry etching the film 50 and the film 100.例文帳に追加

ＩＴＯ膜５０及びＭｏＣｒ膜１００を形成し、これらＩＴＯ膜５０及びＭｏＣｒ膜１００をドライエッチングする。 - 特許庁

A thermally oxidized film (SiO_2) 22 is formed on a (100) face of the silicon substrate 20 and then the thermally oxidized film 22 is patternized by lithography and dry etching.例文帳に追加

シリコン基板２０の（１００）面に熱酸化膜（ＳｉＯ_２）２２を形成し、リソグラフィーとドライエッチングにより熱酸化膜２２をパターン化する。 - 特許庁

In the process for forming the opening, dry etching is performed so as to expose a second embedding oxide film 40 at an area 55 wherein a bipolar transistor is formed.例文帳に追加

開口部を設ける工程では、ドライエッチングを行って、バイポーラトランジスタ被形成領域55の、第２埋め込み酸化膜40を露出させる。 - 特許庁

To provide a dry etching method which quickly enables deep cutting into a substrate of an InP compound semiconductor, and a device.例文帳に追加

ＩｎＰ系化合物半導体の基板に対して深堀加工を迅速に行うことができるドライエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an oscillator to be manufactured in photolithographic and dry etching processes with its natural frequency having less dispersion.例文帳に追加

フォトリソグラフィ及びドライエッチング行程により製造され、固有振動数のばらつきを低減できる振動子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The torn surfaces 27 and 29 are not formed by dry etching and are different from cleavage planes such as a c plane, an m plane, or an a plane.例文帳に追加

割断面２７、２９は、ドライエッチングにより形成されず、ｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。 - 特許庁

In this manufacturing method, opening parts OP3 penetrating at least an interlayer insulating film 5 are formed by anisotropic dry etching using a resist mask RM2.例文帳に追加

レジストマスクＲＭ２を用いて異方性ドライエッチングを施し、少なくとも層間絶縁膜５を貫通する開口部ＯＰ３を形成する。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device with a self-alignment contact structure using a low-resistance material which makes it difficult to perform dry etching for a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極にドライエッチングが困難な低抵抗材料を用いて、自己整合コンタクト構造を有する半導体装置を製造する。 - 特許庁

To solve the problem that, when a ferroelectric capacitor is dry-etched, an etching damage layer is formed on a ferroelectric film and imprinting characteristics deteriorate.例文帳に追加

強誘電体キャパシタのドライエッチングにおいて、強誘電体膜にエッチングダメージ層形成され、インプリント特性が劣化してしまう。 - 特許庁

An electric charge is poured into the ONO laminated film 5 by plasma dry etching or plasma chemical gas phase growing method after the charge accumulation treatment.例文帳に追加

電荷蓄積処理の後、プラズマ・ドライエッチングまたはプラズマ化学的気相成長法によりＯＮＯ積層膜５に電荷を注入する。 - 特許庁

Next, by anisotropic dry-etching, it is scraped from an opening part 3a of the resist 3 to the middle of the metal layer 2 for the emitter, and a recessed part is formed.例文帳に追加

次に、異方性のドライエッチングにより、レジスト３の開口部３ａからエミッタ用金属層２の途中まで削り、凹部を形成する。 - 特許庁

This manufacturing method of the nitride semiconductor device 10 comprises the steps of first formation, second formation, and dry etching.例文帳に追加

窒化物半導体素子１０の製造方法は、第１形成工程と、第２形成工程と、ドライエッチングを行なう工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition excellent in sensitivity, from which a cured film excellent in dry etching durability and transparency can be obtained.例文帳に追加

耐ドライエッチング性及び透明性に優れた硬化膜を得ることができ、かつ感度に優れる感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide an Al taper dry etching method for Al used as a wiring material of a thin film device such as a liquid crystal display.例文帳に追加

液晶ディスプレイなどの薄膜デバイスの配線材料として使用されているＡｌのＡｌテーパドライエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

The damage is suppressed by forming a conductive layer so that charged particles due to plasma during dry etching are not generated in a semiconductor layer.例文帳に追加

ドライエッチングのプラズマによる荷電粒子の発生を、半導体層に達しないように、導電層を形成してダメージを抑制する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for accurately determining the end point of dry etching for cleaning a reaction tank.例文帳に追加

反応槽のクリーニングのためのドライエッチングの終点判断を正確に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method or the like wherein a processed layer can be worked into a shape whose peripheral edge is square with a detailed pattern.例文帳に追加

微細なパターンで、且つ、周縁部が角張った形状に被加工層を加工することができるドライエッチング方法等を提供する。 - 特許庁

By performing the dry etching using the mask 145, a grating 146 that is shallow at both sides of the element and deep at a center is formed.例文帳に追加

マスク１４５を用いてドライエッチングを施すと、素子両端で深さが浅く素子中央部で深い回折格子１４６が形成される。 - 特許庁

To provide a dry processing device which is small in storage of charge and at the same time fast in reaction speed, and is suitable for etching and ashing treatment, or the like.例文帳に追加

電荷の蓄積が少なくかつ反応速度が速い、エッチング処理やアッシング処理等に適したドライプロセッシング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching device which can etch substrates to be processed in various shapes, based on a satisfactory interface uniformity.例文帳に追加

各種形状の被処理基板を良好な面内均一性のもとでエッチング処理することができるドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

Further, overetching with proper depths is practiced after the dry-etching to remove side wall adhering films 55 remaining on the side walls of a circuit pattern completely.例文帳に追加

また、ドライエッチング後に適切な量のオーバーエッチングを行ってパターンの側面に残った側壁付着膜５５を完全に除去する。 - 特許庁

To provide a dry etching method which rapidly etches a magnetic film having a thickness of 200-500 nm and is capable of excellent microfabrication.例文帳に追加

２００〜５００ｎｍの厚さの磁性膜を高速エッチングし、良好な微細加工が可能なドライエッチング方法を提供することである。 - 特許庁

The silicon nitride film 3 and the silicon oxide film 2 are etched simultaneously by dry etching, using a halogen system gas by using a photoresist 4 as a mask.例文帳に追加

フォトレジスト４をマスクとし、ハロゲン系のガスを用いたドライエッチングによりシリコン窒化膜３、シリコン酸化膜２を同時にエッチングする。 - 特許庁

To provide a filling method which can be improved in throughput by selectively removing titanium metal by dry etching.例文帳に追加

チタン金属をドライエッチングにより選択的に除去することにより、スループットの向上を図ることができる埋め込み方法を提供する。 - 特許庁

When layers 3, 4 comprising Cu or Cu alloy are dry etched, use is made of gas containing a halogen compound and oxygen as etching gases.例文帳に追加

Ｃｕ又はＣｕ合金から成る層３，４をドライエッチングする際に、ハロゲン化合物を含むガスと酸素とをエッチングガスとして使用する。 - 特許庁

Subsequently the first electrode layer 2 and the crystal orientation control layer 3 are patterned by dry etching so as to make them correspond to the positions of the pressure chambers 8.例文帳に追加

次に、第1電極層2及び結晶配向制御層3を各圧力室8の位置に対応するようにドライエッチングでパターニングする。 - 特許庁

The layer 5 exposed after this process is removed by dry etching at the pressure of 10mTorr using chlorine gas.例文帳に追加

この工程の後に露出したエッチングストップ層５を、塩素ガスを用いたエッチング圧力１０ｍＴｏｒｒのドライエッチングにより除去する。 - 特許庁

Side spacers 22a to 22d are formed on each of the both sides of the electrode layers 20A, 20B, respectively by dry etching the formed insulating films.例文帳に追加

被着した絶縁膜をドライエッチングして電極層２０Ａ，２０Ｂの各々の両側部にサイドスペーサ２２ａ〜２２ｄをそれぞれ形成する。 - 特許庁

In the case of gate processing, a silicon nitride film 8 is laminated thereon as a hard mask, so as to dig the respective layers by dry etching.例文帳に追加

ゲート加工時には、その上部にハードマスクとしてシリコン窒化膜８を積層し、ドライエッチングで、上記の各層をエッチングして掘り下げる。 - 特許庁

An ink channel formed in a silicon single crystal substrate having an optional plane orientation into an optional shape by a dry etching process.例文帳に追加

任意の面方位を有するシリコン単結晶基板に形成されたインク流路をドライエッチング加工により任意の形状で形成する。 - 特許庁

The first insulating film 16 consists of a material in which dry etching is possible by a gas which contains a hydrogen atom and does not contain a fluorine atom.例文帳に追加

第１の絶縁膜１６は、水素原子を含み且つフッ素原子を含まないガスによりドライエッチング可能な材料からなる。 - 特許庁

The buffer film 15 and 1st insulating film 4 are processed by dry etching to form an opening part 6 reaching the 1st wiring layer 3.例文帳に追加

その後、バッファ膜１５及び第１の絶縁膜４のドライエッチングを行い、第１の配線層３に到達する開口部６を形成する。 - 特許庁

To successfully perform dry etching of a silicon nitride film on a genuine amorphous silicon film without using gas such as SF_6 which contributes to global warming.例文帳に追加

ＳＦ_6等の地球温暖化の一因となるガスを用いずに、真性アモルファスシリコン膜上の窒化シリコン膜を良好にドライエッチングする。 - 特許庁

Plasma dry etching using an endpoint mode may be performed according to the position of the TBO layer in order to improve uniformity in the depth of the trench.例文帳に追加

終点モードを用いたプラズマドライエッチングが、トレンチの深さの均一性を改善するためにTBO層の位置にしたがって実行され得る。 - 特許庁