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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Dry etchingの意味・解説 > Dry etchingに関連した英語例文

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Dry etchingの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2390



例文

A cladding 42 is etched by a dry etching method in which an etch rate of the cladding 42 is equal to or higher than an etch rate of the filler 36.例文帳に追加

被覆材42のエッチングレートが充填材36のエッチングレートと同じ又はこれよりも高いドライエッチング法により被覆材42をエッチングする。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which ensures suppressed cracking in thermal flow and is excellent in dry etching resistance, and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

サーマルフロー時のクラック発生が低減され、耐ドライエッチング性に優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

An activation thermal processing parameter may be calculated instead of the injection parameter, and the thickness of the alteration layer may be estimated from dry-etching conditions (S107).例文帳に追加

注入パラメータの代わりに活性化熱処理パラメータを算出してもよく、変質層の厚さをドライエッチング条件から推定(S107)してもよい。 - 特許庁

To solve a problem that a foundation insulating film is scraped away when removing by dry etching a barrier metal adhered to the side wall portion of a level difference by a transfer electrode.例文帳に追加

転送電極による段差の側壁部分に付着しているバリアメタル膜をドライエッチングで除去する際に、下地の絶縁膜が削れてしまう。 - 特許庁

例文

To obtain a dry etching device, which is manufactured at a low cost and has a low running cost by a method, wherein a window short in maintenance cycles is reduced in cost and enhanced in resistance to plasma.例文帳に追加

メンテナンスサイクルの短い窓を、安価で耐プラズマ性の高いものとし、コスト及びランニングコストの安いドライエッチング装置を提供することを目的とする。 - 特許庁


例文

To provide a pattern forming method for enabling a double patterning process in which a substrate is processed by one-time dry etching, and a resist material used therefor.例文帳に追加

1回のドライエッチングで基板を加工するダブルパターニングプロセスを可能にするためのパターン形成方法及びこれに用いるレジスト材料を提供する。 - 特許庁

The organic layers 18a, 18b, 18c are produced by a light irradiating dry etching method whereby an organic substance layer 12 is irradiated with light so that patterning is made.例文帳に追加

有機層18a、18b、18cを、有機材料層12に光を照射してこれをパターニングする光照射ドライエッチング法によって形成する。 - 特許庁

A lower-level insulating film 161 of the sidewall 16 serves as a stopping layer in dry-etching the upper-level insulating film 162 as well as a protecting layer for the SOI substrate 11.例文帳に追加

サイドウォール16の下層絶縁膜161は、上層絶縁膜162のドライエッチ加工時のストッパ層であると共にSOI基板11の保護層となる。 - 特許庁

The workpiece including the magnetic material is processed by means of dry etching, and then the workpiece is cleaned with an alkaline solution (for example, scrub treatment, ultrasonic cleaning).例文帳に追加

磁性材を含む被加工体をドライエッチングにより加工し、アルカリ性溶液を用いて被加工体を洗浄(例えばスクラブ処理、超音波洗浄)する。 - 特許庁

例文

METHOD FOR CLEANING DEPOSITION FILM FORMING DEVICE, DRY ETCHING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ARTICLE INCLUDING STEP OF EXECUTING EITHER OF THE METHODS例文帳に追加

堆積膜形成装置のクリーニング処理方法、ドライエッチング方法、およびこれらの方法のいずれか一方を行う工程を含む物品の製造方法 - 特許庁

例文

After an n-type embedded diffusion layer 2 is formed, dry-etching is performed to round the corner 9 of a slot 8 used for separating elements.例文帳に追加

本発明では、N型の埋込拡散層2を形成した後、素子間分離等に用いる溝部8のコーナー部9を丸めるため、ドライエッチングを行う。 - 特許庁

Through first dry etching using an insulating layer 51 as a mask, a first sidewall 21 is formed, and a protective film 52 is formed on the first sidewall 21.例文帳に追加

絶縁層51をマスクとした1回目のドライエッチングにより、第1の側壁21を形成すると共に、第1の側壁21に保護膜52を形成する。 - 特許庁

To prevent the inferiority such as the peeling of a resist, the wire breaking, etc., caused by abnormal discharge, by suppressing the accumulation of charge on an insulating substrate by a dry etching device.例文帳に追加

ドライエッチング装置における絶縁性基板への電荷の蓄積を抑制し、異常放電によるレジスト剥がれや断線等の不良を防止する。 - 特許庁

Then poly-Si and a-Si are dry etched simultaneously to remove only the a-Si using the difference in etching speed, thereby leaving only the poly-Si layer 107.例文帳に追加

poly−Siとa−Siを同時にドライエッチングし、エッチング速度の差によってa−Siのみ除去し、poly−Si層107を残留させる。 - 特許庁

The present invention relates to removal of coatings from the predetermined sections near the edges of at least one of the surfaces of a wafer or a semiconducto disk, by a dry etching.例文帳に追加

本発明は、コーティングされたウエーハ(半導体円板)の表面の縁に近い定義された区間を乾式エッチングする装置及び方法に関する。 - 特許庁

To provide a dry film resist roll which suppresses resist exudation and is excellent in adhesion and resolution, as a resist material such as an etching resist or a plating resist.例文帳に追加

エッチングレジスト又はめっきレジスト等のレジスト材料として、レジストのしみ出しが抑制され、かつ密着解像性に優れたドライフィルムレジストロールの提供。 - 特許庁

To provide a dry-etching apparatus having structure to maintain a stable plasma condition and achieve the longer operation life of an external circumferential ring in a chamber such as an Si ring.例文帳に追加

安定なプラズマ状態を維持でき、Siリングなどチャンバー内の外周リングの長寿命化が図れる構成を有するドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

The cutting process of the wiring 90 for short-circuiting and the formation process of the data lines 6 are performed collectively by dry etching, thus reducing manufacturing processes.例文帳に追加

この短絡用配線90の切断工程とデータ線6の形成工程とをドライエッチングにより一括して行うことにより、製造工程を削減する。 - 特許庁

The high-sensitivity negative type resist 10b of the halftone region 10b is simultaneously removed to expose a light shielding film 13 by dry etching of an opening region 10c.例文帳に追加

さらに、開口領域10cのドライエッチングで、ハーフトーン領域10bの高感度ネガ型レジスト14bも同時に除去して遮光膜13を露出させる。 - 特許庁

Contact holes 25 and 26 and a dummy hole 27 are formed by dry-etching in a gate insulating film and an interlayer insulating film positioned in the non-display region 9 of an array substrate 3.例文帳に追加

アレイ基板3の非表示領域9に位置するゲート絶縁膜および層間絶縁膜に、コンタクトホール25,26と、ダミーホール27とをドライエッチングにより形成する。 - 特許庁

The film 16 is subjected to dry etching through a resist 17 having an aperture and after a contact hole 18 is formed in the resist 17 and the film 16, the resist 17 is removed with an oxygen plasma.例文帳に追加

開口を有するレジスト17を通して絶縁膜16をドライエッチングし、コンタクトホール18を形成した後、レジスト17を酸素プラズマで除去する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the resist pattern, the resist composition is applied to form a coating film, the coating film is exposed to light in a pattern shape and then dry etching is performed.例文帳に追加

前記レジスト組成物を塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜にパターン状に露光を行った後、ドライエッチングを行うレジストパターンの製造方法。 - 特許庁

To provide a method for dry etching a wiring layer which is improved not to deteriorate electric properties of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の電気特性を劣化させることがないように改良された、配線層のドライエッチング方法を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁

Then, a contact hole 5 is formed by anisotropic dry etching, and heat treatment is carried out under a condition that a temperature is about 800°C, and that a time is about 30 minutes.例文帳に追加

次に、異方性ドライエッチングによってコンタクトホール5を形成した後、温度が800℃程度、時間が30分程度の条件で、熱処理を行う。 - 特許庁

To provide a material for high performance photoresists having an improved high resolution-imparting property, dry etching resistance, resist transparency, substrate adhesiveness and the like.例文帳に追加

高解像度付与性、耐ドライエッチング性、レジストの透明性、基板などとの密着性などの性能を向上させた高性能フォトレジストの材料を提供すること。 - 特許庁

The exothermic body in which pattern formation has been carried out in advance may be installed and the thickness of the exothermic body may be made uniform by carrying out the sand blast or the dry etching same as the above.例文帳に追加

先にパターン形成した発熱体を設け、上記と同様にサンドブラスト処理又はドライエッチング処理して、発熱体の厚さを均一化しても良い。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ferroelectric capacitor by which a ferroelectric layer can be prevented from being damaged during dry etching as much as possible.例文帳に追加

強誘電体層をドライエッチングしたときに形成されるダメージを低減することのできる、強誘電体キャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

After the resist film 13 is covered, the film 14 and first resist film 12 are patterned by removing the film 14 and resist films 13 and 12 by dry etching.例文帳に追加

次に、ドライエッチングにより、SOG膜14、第2のレジスト膜13、第1のレジスト膜12を除去し、SOG膜14と第1のレジスト膜12をパターニングする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a stamper which dispenses with a special installation such as a dry etching device and cuts short the time required for manufacturing the stamper.例文帳に追加

ドライエッチング装置等の特殊な設備を必要とせず、スタンパの製造に要する時間を短縮することができるスタンパ製造方法を提供する。 - 特許庁

The element separation insulating film 11 formed on the side of the tapered part 5aa of the upper part 5a of the first film 5 can be removed by the dry-etching process.例文帳に追加

第1の多結晶シリコン膜5の上部5aのテーパ部5aaの側部に形成された素子分離絶縁膜11をドライエッチング処理で除去できる。 - 特許庁

To provide a polymer composition for resist, which forms a resist pattern having high dry-etching resistance, and also to provide a method of manufacturing a resist composition.例文帳に追加

高いドライエッチング耐性を有するレジストパターンを形成できるレジスト用重合体組成物およびレジスト組成物を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a curable composition for imprint which has superior pattern formation performance even if pattern forming is repeatedly performed, and satisfies high dry etching resistance.例文帳に追加

繰り返しパターン形成を行っても良好なパターン形成性を有し、さらに高ドライエッチング耐性を満たすインプリント用硬化性組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing microneedles for transdermal drug delivery for obtaining microneedles for transdermal drug delivery by dry-etching by using a biodegradable material as an article to be processed.例文帳に追加

生分解性材料を被加工物として用いてドライエッチングにより得ることができる経皮ドラッグデリバリ用マイクロニードルの製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the density difference (variation) of the finished size when an insulation film to be used as a mask is formed by dry etching using a hard mask.例文帳に追加

ハードマスクを用いたドライエッチングにおいて、マスクとして使用する絶縁膜をドライエッチングにより加工する際の仕上がり寸法の粗密差(ばらつき)を低減する。 - 特許庁

To provide a resin material for a chemically amplified resist which excels in the transparency to the exposure light of190 nm, adhesion to substrate, and resistance to dry etching.例文帳に追加

190nm以下の露光光に対する透明性、基板密着性、及びドライエッチング耐性に優れた化学増幅型レジスト用樹脂材料を提供する。 - 特許庁

When dry etching residue or the like is eliminated through wet treatment, wet treatment time t is determined on the basis of result of preliminary experiment using a dummy board.例文帳に追加

ドライエッチング残渣等をウエット処理により除去する際、ウエット処理時間tを、ダミー基板を用いた予備実験の結果に基づいて決定する。 - 特許庁

To provide a dry etching device of simple constitution which can prevent electrostatic attraction of the object and besides not damaging the object.例文帳に追加

処理対象物の静電吸着を防止することが可能で、しかも対象物を損傷するおそれのない簡素な構成のドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

Then the high dielectric constant insulating film 103 is removed while leaving only a damaged layer 104 formed on the high dielectric constant insulating film 103 by the dry etching.例文帳に追加

この際、ドライエッチングによって高誘電率絶縁膜103に形成されたダメージ層104のみを残して、高誘電率絶縁膜103を除去する。 - 特許庁

After the barrier 8 is masked, by dry etching the silicon oxide base film 9' with C_4F_8 gas, remaining part of the silicon oxide base film 9' becomes a base layer 9.例文帳に追加

次に、隔壁8をマスクとして、C_4F_8ガスで酸化シリコン下地膜9’をドライエッチングすると、酸化シリコン下地膜9’の残った部分が下地層9となる。 - 特許庁

The first and second ridges 127 and 137 are formed by dry etching process and the side surface thereof is not covered with a current block layer.例文帳に追加

第一リッジ部127及び第二リッジ部137はドライエッチングにより形成されたものであり、その側面は電流ブロック層により覆われていない。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition excellent in basic physical properties as a resist, such as transparency and sensitivity to radiations, resolution and dry etching resistance.例文帳に追加

放射線に対する透明性、感度、解像度、ドライエッチング耐性等のレジストとしての基本物性に優れる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The dry etching device 1 produces an inert gas atmosphere for preventing the reaction product gas from adhering to the view port 13.例文帳に追加

本発明のドライエッチング装置1では、ビューポート13の表面に反応生成ガスの付着を防止するための不活性ガスのガス雰囲気が形成される。 - 特許庁

To provide a negative type photosensitive composition, which can form a silicon-containing thick resist film, superior in dry etching resistance in which a crack is hardly generated when the patterning is performed.例文帳に追加

ドライエッチング耐性に優れ、パターンニングの際にクラックが入りにくいケイ素含有レジスト厚膜を形成し得るネガ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁

Then a silicon oxide film 27, formed on the upper surface of a silicon layer 26 in a region except for under the channel protective film 25, is removed by dry-etching.例文帳に追加

次に、チャネル保護膜25下以外の領域におけるシリコン層24の上面に形成されたシリコン酸化膜27をドライエッチングにより除去する。 - 特許庁

To provide the chemically amplified positive resist composition enhanced in adhesiveness to a substrate and dry etching resistance and improved in sensitivity and resolution.例文帳に追加

基板への接着性やドライエッチング耐性に優れるとともに、感度や解像度も改良された化学増幅型のポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

A stage is divided into some regions so that dry etching may be performed by setting up the stage temperature, the quantity of gas flow and pressure for heat conduction for every region.例文帳に追加

ステージをいくつかの領域に分割し、各領域毎にステージ温度、熱伝導用ガス流量及び圧力を設定してドライエッチングを行なうこと。 - 特許庁

A wiring material is formed over the entire surface of the substrate thus obtained, and wiring 19 connected with the thin film resistor 14 is formed by patterning by dry etching.例文帳に追加

そして、全面に配線材料を成膜してドライエッチングによりパターニングすることにより薄膜抵抗体14と接続した配線19を形成する。 - 特許庁

The piezoelectric material substrate 11 can be also worked in a three dimensional shape wherein thickness distribution of the mask 14 is amplified by adjustment of gas composition used for the dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングに使用するガス組成の調整によっても、マスク14の膜厚分布を増幅させた三次元形状に圧電材料基板11を加工できる。 - 特許庁

The inclined side of the ridged waveguide and the reflecting mirror part vertical to a growing layer can be formed by one-time dry etching in this way.例文帳に追加

このようにしてリッジ状導波路の傾斜した側面と成長層に対して垂直な反射ミラー部を一回のドライエッチングにて形成することが出来る。 - 特許庁

例文

As a result, the film 8 can be processed with a high throughput without causing a damage by the dry etching to affect underlying gate oxide film 2.例文帳に追加

その結果、ドライエッチングによるダメージを下地のゲート酸化膜2に与えることなく、高いスループットで多結晶シリコン膜8を加工することが可能になる。 - 特許庁




  
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