「Dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

The metal film is made of a material which is easily etched by a dry etching and is made of a material which is soluble in an acid-based mixture solution in a salicide process.例文帳に追加

当該メタル膜は、ドライエッチングで容易にエッチングされる材料から成り、且つ、サリサイドプロセス中の酸系の混合溶液に可溶な材料から成る。 - 特許庁

A fine raw of grooves 12 is machined on the end face of an optical fiber by a photolithography method and a dry etching method to match the optical axis of a polarized wave conservation fiber 10.例文帳に追加

偏波保存ファイバ１０の光軸に合わせ、フォトリソグラフィーとドライエッチング法により光ファイバの端面に微細な溝列１２を加工する。 - 特許庁

Conic projection parts (11) are formed on a surface of a substrate through exposure, development, and dry etching of resist provided on a substrate by a double-beam interference method.例文帳に追加

基板上に設けたレジストの二光束干渉法による露光、現像、およびドライエッチングによって基板の表面に円錐状の凸部（１１）を形成する。 - 特許庁

To provide a simple method for preventing an occurrence of a notch at a feed port in a liquid jet recording head forming a feed port by dry etching.例文帳に追加

供給口をドライエッチングによって形成する液体吐出記録ヘッドにおいて、供給口へのノッチ発生を防止可能な簡便な方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching apparatus where a stable plasma state can be maintained and that has a structure capable of extending life of the outer circumferential ring such as a Si ring in a chamber.例文帳に追加

安定なプラズマ状態を維持でき、Ｓｉリングなどチャンバー内の外周リングの長寿命化が図れる構成を有するドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

Thus, a field-plated device can be realized without the need of a material which is less-damaged during a dry/wet etching process.例文帳に追加

このため、乾式または湿式のエッチングプロセスで受けるダメージの少ない材料を用いることなく、フィールドプレートされたデバイスを、実現することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, using a dry etching technique that can precisely etch a fine pattern at high speed.例文帳に追加

微細パターン形成にあたり高真空中で高速エッチングできるエッチング技術を用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide dry etching method/device for reducing reaction products bonded to an equalized ring disposed in a vacuum vessel.例文帳に追加

真空容器内に設けられた均一化リングに付着する反応生成物を低減させることが可能なドライエッチング方法および装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive composition for soft X-rays forming a square pattern profile with high sensitivity and high resolution and having excellent LER (line edge roughness) characteristics and dry etching resistance.例文帳に追加

高感度、高解性で矩形なパターン形状を有し、ＬＥＲ特性及びドライエッチング耐性に優れた軟Ｘ線用感放射線性組成物の提供。 - 特許庁

To realize a semiconductor storage having a three-dimensional structure of capacitors wherein the capacitors are separated electrically from each other without any process of processing finely their Pt lower electrodes by dry etching, etc.例文帳に追加

ドライエッチング等によってPt下部電極を微細加工する工程なしで、キャパシタ間が電気的に分離された立体構造キャパシタを実現すること。 - 特許庁

To provide a remover composition having low corrosion behavior to a wiring layer and superior performance to remove residue formed by dry etching and ashing.例文帳に追加

配線層の腐食性が低く、しかもドライエッチングやアッシングで生成する残留物の除去性がさらに優れた剥離剤組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a surface treatment method and its apparatus which can efficiently remove an oxide film generated in a minute connection hole by means of dry etching.例文帳に追加

微細な接続孔内等に発生した酸化膜をドライエッチングにより効率良く除去できる表面処理方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

As the forming method, an Al film is formed with the sputtering process from aluminum (Al) as an electrode material and this film is changed to an electrode pattern with the dry etching process.例文帳に追加

形成方法は、電極材料であるＡｌをスパッタ処理によりＡｌ膜を形成し、リソグラフィ、ドライエッチング処理により電極パターンにする。 - 特許庁

To provide a positive chemical amplification type resist composition having favorable various kinds of resist performances such as sensitivity and resolution and particularly excellent in dry etching durability.例文帳に追加

感度や解像度などの各種のレジスト性能が良好であるとともに、特にドライエッチング耐性に優れたポジ型化学増幅型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a chemical amplification type resist composition giving a resist pattern having excellent transparency to radiation, dry etching properties, sensitivity, resolution, flatness, heat resistance, etc.例文帳に追加

放射線に対する透明性、ドライエッチング性、感度、解像度、平坦性、耐熱性等に優れるレジストパターンを与える化学増幅型レジスト組成物の提供。 - 特許庁

Next, a predetermined area of the insulating film 206 is subjected to dry etching in an atmosphere containing fluorine, thereby the layer 205 is exposed partially or wholly.例文帳に追加

次に、絶縁膜２０６の所定領域を弗素を含む雰囲気でドライエッチングすることによりアルミ配線層２０５の一部或いは全部を露出させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nitride semiconductor laser element for suppressing variation of a characteristic by improving accuracy of dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングの精度を向上させることにより、特性のばらつきを抑制することが可能な窒化物系半導体レーザ素子の製造方法を提供する - 特許庁

To solve the problem in which ohmic contact is impossible even if an electrode is formed on a flat surface which is formed by dry etching a p-type group III nitride semiconductor 8.例文帳に追加

ｐ型III族窒化物半導体８をドライエッチングして形成した平坦表面に電極を形成してもオーミック接触させることができない。 - 特許庁

To prevent generation of processing defect in a substrate due to an increase of leak flow rate of He gas in a processing device for carrying out dry etching and plasma CVD film deposition.例文帳に追加

ドライエッチングやプラズマＣＶＤ膜堆積する処理装置において、Ｈｅガスのリーク流量増大による基板の処理不良が発生するのを防止する。 - 特許庁

Recesses 13a are formed on the exposed surface of an active region 13 by digging the exposed surface of the active region 13 by dry or wet etching.例文帳に追加

活性領域１３の露出面をドライエッチング又はウェットエッチングで掘り下げることにより、活性領域１３の露出面には凹部１３ａが形成される。 - 特許庁

When the total gas exhaust amount reaches a reference level, the exhaust amount monitoring means 8 delivers an exhaust amount reaching signal 20 to the dry etching system 102.例文帳に追加

排出量監視手段８は、このガス総排出量が基準値に到達したとき排出量到達信号２０をドライエッチング装置１０２に出力する。 - 特許庁

In the second place, the buffer layer 3 is partially removed by an unreactive dry etching method, and the opening part 8 where the primary face 1A of the substrate 1 is exposed is formed.例文帳に追加

次いで、バッファ層３を非反応性ドライエッチングによって部分的に除去し、基板１の主面１Ａが露出した開口部８を形成する。 - 特許庁

After patterning the silicon oxide layer in accordance with a gate electrode pattern, the polysilicon layer is patterned by dry-etching using a remaining resist layer as a mask.例文帳に追加

シリコンオキサイド層をゲート電極パターンに従ってパターニングした後、残存するレジスト層をマスクとするドライエッチングによりポリシリコン層をパターニングする。 - 特許庁

A surface viahole 14 is formed by applying dry etching of the aluminum gallium nitride/gallium nitride layer 12 from the surface side using chlorine-based gas (first gas).例文帳に追加

塩素系ガス（第１のガス）を用いて表面側からアルミ窒化ガリウム／窒化ガリウム層１２をドライエッチングすることで表面バイアホール１４を形成する。 - 特許庁

To form a high resolution and high accuracy chemically amplified resist film pattern having excellent dry etching resistance and small edge roughness in electron beam lithography.例文帳に追加

電子線リソグラフィにおいて、ドライエッチング耐性に優れ、エッジラフネスが小さい、化学増幅型高解像度・高精度レジスト膜パターンの形成を可能にする。 - 特許庁

The step of processing the object 10 may be conducted by dry etching using plasma containing oxygen since HSQ is hardly etched by oxygen plasma.例文帳に追加

ＨＳＱは酸素プラズマにエッチングされ難い為、被加工体１０を加工する工程は、酸素を含むプラズマを用いてドライエッチングする工程であってもよい。 - 特許庁

To prevent occurrence of particles due to residual gases and electrification of a wafer by treating the inside of a chamber with plasma of an inert gas after dry etching.例文帳に追加

ドライエッチング後に、チャンバー内を不活性ガスのプラズマによって処理することにより、残留ガスによるパーティクルの発生とウエハーの帯電を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate manufacturing method which includes a dry etching process, through which a semiconductor wafer is etched at the same rate through its surface.例文帳に追加

半導体よりなるウェハの表面をドライエッチングする工程を備える半導体基板の製造方法において、ウェハ面内のエッチングレートを均一化する。 - 特許庁

Then a resist layer 15 is applied onto the polysilicon layer 13 and patterned, and dry etching is carried out, by using the resist layer 15 as a mask to form a polysilicon gate electrode G.例文帳に追加

その後、ポリシリコン層１３上にレジスト層１５を塗布し、パターニングし、レジスト層１５をマスクにドライエッチングすることによりポリシリコンゲート電極Ｇを形成する。 - 特許庁

The barrier metal film 4 outside the recessed part 3 is removed by dry etching, thus obtaining a pattern of a metal wiring 8 which is embedded in the recessed part 3.例文帳に追加

その後、ドライエッチング法によって凹部３外のバリアメタル膜４を除去することにより、凹部３に埋め込まれた金属配線８のパターンを得る。 - 特許庁

Thereafter, with the resist 18 and the SiO2 film 17 as the mask, the GaN layer 13 to the upper surface of the SiC substrate 11 or a part is removed by dry etching by using chlorine-based gas.例文帳に追加

その後、レジスト18とSiO_2膜17をマスクとして、GaN層13を塩素系のガスを用いてドライエッチングによりSiC基板11の上面まであるいは一部を除去する。 - 特許庁

To provide semiconductor manufacturing equipment which suppresses the corrosion of an aluminum film on the surface of a wafer by residual chlorine produced by selectively dry-etching the aluminum film.例文帳に追加

アルミニウム膜の選択ドライエッチングで発生した残存塩素によって発生するウエハ面のアルミニウム膜腐食を抑制する半導体製造装置の提供。 - 特許庁

(b): A trench 16 is made on the single crystalline silicon layer 11C of an SOI substrate 11 by anisotropic dry etching using a silicon oxide film 14 as a mask.例文帳に追加

（ｂ）ＳＯＩ基板１１の単結晶シリコン層１１Ｃ上に、酸化シリコン膜１４をマスクとした異方性ドライエッチングによりトレンチ１６を形成する。 - 特許庁

When dry etching is conducted, cooling gas supplied to the back side of the TFT array substrate 60 is sucked through the suction hole 79.例文帳に追加

そして、ドライエッチングの際に、吹き出し孔７７からＴＦＴアレイ基板６０の裏面へ供給された冷却ガスを吸引孔７９により吸引する。 - 特許庁

To make a color filter further miniaturized and thinned by preventing deposition of impurities such as residuals on the color filter formed by dry etching to improve the precision to mask dimensions.例文帳に追加

ドライエッチングで形成するカラーフィルタに残渣などの不純物が付着することを防ぎ、マスク寸法に対する精度を向上させて微細化、薄膜化を図る。 - 特許庁

An Al film 11 is formed as a first light shielding film on a transparent substrate 1 and the Al patterns 12 are formed by dry etching this Al film 11.例文帳に追加

透明基板１上に第１の遮光膜としてのＡｌ膜１１を形成し、このＡｌ膜１１をドライエッチングしてＡｌパターン１２を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a ferroelectric capacitor capable of compensating a damaged part formed when dry etching of the ferroelectric layer is carried out.例文帳に追加

強誘電体層をドライエッチングしたときに形成されたダメージ部分を補填することのできる、強誘電体キャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

At static elimination, the charge of a wafer is removed with an electrostatic chuck, which is a wafer clamp method and used in a general semiconductor dry-etching.例文帳に追加

除電処理では、一般的な半導体ドライエッチングで用いられているウエーハクランプ方式である静電チャックによって、帯電したウエーハの帯電を除去する。 - 特許庁

The wafer processor 100 is equipment for carrying out dry-etching to a semiconductor wafer loaded on a surface of a stage 14 by a plasma treatment.例文帳に追加

ウェハ処理装置１００は、ステージ１４の表面に載置した半導体ウェハに対してプラズマ処理によってドライエッチングを行うための装置である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an actuator, in which a diaphragm is prevented from being etched when a piezoelectric element is formed by dry etching.例文帳に追加

圧電素子をドライエッチングして形成する際に、振動板がエッチングされるのを防止することができるアクチュエータ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor apparatus for suppressing charge damage on a gate insulating film even when the dry etching to form wiring progresses.例文帳に追加

配線形成のためのドライエッチングが進行しても、ゲート絶縁膜にチャージダメージを与えることを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, second dry etching is carried out on the first insulating film 2 with the third insulating film 4 as a mask to form a wiring groove up to the lower layer wiring 1.例文帳に追加

その後、第３の絶縁膜４をマスクとして第１の絶縁膜２に第２のドライエッチングを行い、下層配線１に至る配線溝を形成する。 - 特許庁

Before synthesizing the soot, the interface part is subjected to dry etching using a halogen gas such as a fluorine (F)-containing gas such as SiF_4, Si_2F_6, CF_4 and C_2F_6.例文帳に追加

スート合成前に、界面部分をＳｉＦ_４、Ｓｉ_２Ｆ_６、ＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_６などのフッ素（Ｆ）を含有するフッ素系ガスなどのハロゲンガスを用いてドライエッチングする。 - 特許庁

To provide a treatment which makes a dry halogen flue gas, such as an etching flue gas containing hydrogen chloride or chlorine, harmless, is based on adsorption, and exhibits an increased treatment capacity.例文帳に追加

処理能力を増大させた吸着による塩化水素又は塩素を含むエッチング排ガス等のハロゲン系乾燥排ガスの除害処理の提供。 - 特許庁

Thereafter, the first insulation film 7 and then the interlayer insulation film 6 are dry-etched with the hard mask as an etching mask to expose the stopper film 3 in the opening.例文帳に追加

その後、ハードマスクをエッチングマスクとして第１の絶縁膜７、層間絶縁膜６を順にドライエッチングし、開孔部からストッパー膜３を露出させる。 - 特許庁