「Dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

To form a mask pattern of high dimensional precision by preventing the change of width of a mask pattern line after plasma dry etching to a resist pattern turning to an etching mask, in a forming method of a mask pattern for an EUV lithography.例文帳に追加

ＥＵＶリソグラフィ用のマスクパターン形成方法において、エッチング・マスクとなるレジストパターンに対するプラズマ・ドライエッチング後のマスクパターン線幅変動を防止し、高寸法精度なマスクパターンを形成することを目的とする。 - 特許庁

When the contact holes 5 is formed on an inter-layer insulating film 2, first anisotropic dry etching is applied to the midway of the inter-layer insulating film 2, under the condition of the etching selection ratio between a photoresist 3 and the inter-layer insulating film 2 being low.例文帳に追加

層間絶縁膜２にコンタクトホール５を形成する際に、最初にフォトレジスト３と層間絶縁膜２とのエッチング選択比が低い条件で、層間絶縁膜２の途中まで異方性のドライエッチングを行う。 - 特許庁

A mask pattern is formed having a pair of slits corresponding to the side faces, and after wet etching is performed to form the side faces formed of the (111) faces, a part other than the plate-like structure is eliminated by dry etching.例文帳に追加

側面に対応して一対のスリットを有するマスクパターンを形成し、ウエットエッチングを行って（１１１）面からなる側面を形成した後、板状構造体以外の部分をドライエッチングにより除去する。 - 特許庁

In the inside of the chamber 1 of an etching apparatus, a first step of performing H2O plasma processing and following the first step, and a second step of performing Cl2 plasma processing, are executed after executing an Al dry etching process.例文帳に追加

プラズマエッチング装置のチャンバー内部１において、Ａｌドライエッチング工程を行った後、Ｈ_2Ｏプラズマ処理を行う第１工程と、第１工程に続いて、Ｃｌ_2プラズマ処理を行う第２工程とを実施する。 - 特許庁

To provide a print circuit board which can reduce process time and cost by using a first insulation layer as an etching resist instead of a dry film and not removing it after etching as well as the method of manufacturing the same.例文帳に追加

エッチングレジストとしてドライフィルムの代わりに第１絶縁層を使用し、エッチング後にも除去しないことにより、工程費用および工程時間が節減できるプリント基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the first dry etching, a first mixed gas is used in which O_2 concentration is set so that an etching rate of the via hole 9 having a small opening size is set larger than that of the via hole 8 having a large opening size.例文帳に追加

第１ドライエッチングでは開口径が小さいビアホール９のエッチングレートが、開口径が大きいビアホール８のエッチングレートよりも大きくなるようにＯ_２濃度が設定された第１混合ガスを用いる。 - 特許庁

A resist film covering a part of the insulating silicone compound layer 19a is formed, and dry etching using a fluorine-based etchant is performed to the insulating silicone compound layer 19a to form an etching mask.例文帳に追加

絶縁性シリコン化合物層１９ａの一部を覆うレジスト膜を形成し、絶縁性シリコン化合物層１９ａに対してフッ素系エッチャントを用いたドライエッチングを施すことにより、エッチングマスクを形成する。 - 特許庁

Thereafter, a portion of the silicon oxide film 30 in the silicide region except a part in contact with the lower end of the side wall spacer 14 is removed by anisotropic dry etching, and after the photoresist 4 is removed, wet etching is carried out.例文帳に追加

その後、異方性ドライエッチングを行うことによりシリサイド領域におけるシリコン酸化膜３０のうちサイドウォールスペーサ１４の下端部と接する部分以外を除去し、フォトレジスト４を除去した後、ウェットエッチングを行う。 - 特許庁

A dry etching method has: a process for performing the pattern formation of resist on a member to be etched made of a substance containing zinc oxide; and a process for etching the member to be etched by gas containing reducing gas.例文帳に追加

酸化亜鉛を含む物質からなる被エッチング部材の上にレジストをパターニング形成する工程と、還元性ガスを含むガスを用いて前記被エッチング部材をエッチングする工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

In an etching step after cutting a wafer 21, a semiconductor substrate 21 having been cut into a semiconductor chip 22 is disposed in a chamber for performing isotropic dry etching in a state that the substrate 21 is stuck on a sheet 411.例文帳に追加

ウェハ２１を割断した後のエッチング工程では、まず、半導体チップ２２に割断した後の半導体基板２１をシート４１に貼り付けた状態で、等方性ドライエッチングを行うチャンバー内に配置する。 - 特許庁

During dry etching of the carbon-contained film for forming a lower mold layer, a storage node hole having an outer diameter size that is larger in a lower part than in an upper part by using an isotropic etching characteristic of the carbon-contained film.例文帳に追加

下部モールド層の形成のための炭素含有膜のドライエッチング時、炭素含有膜の等方性エッチング特性を利用して、上部より下部でさらに大きい外径サイズを持つストレージノードホールを形成できる。 - 特許庁

This texture forming method has processes (P2, P3) for introducing a treatment gas into a vacuum treatment chamber and etching the surface of a silicon-based workpiece by a dry etching method to form a texture.例文帳に追加

本発明は、真空処理槽内に処理ガスを導入し、ドライエッチング法によってシリコン系処理対象物の表面をエッチングしてテクスチャーを形成する工程（Ｐ２、Ｐ３）を有するテクスチャー形成方法である。 - 特許庁

An antioxidant film 3 and a pad oxide film 2 are removed by dry etching or the like in a step (d), and the pad oxide film 2 is made to retreat, and the exposed part of a silicon substrate 1 is removed through an isotropic etching method in steps (e) and (f).例文帳に追加

（ｄ）にて酸化防止膜３、パット酸化膜２をドライエッチング等により除去し、（ｅ）、（ｆ）にてパット酸化膜２を後退させ等方性エッチング法を用いて露出したシリコン基板１を除去する。 - 特許庁

Next, both sides of the layer structure are removed by dry etching with a reactive ion etching device while its variable applied current is alternately changed between 0 V and 500 V, so that the sectional shape of the active layer may become trapezoidal, that is, the lower side of the substrate is shorter than the upper side thereof.例文帳に追加

次に、これらの層構造の両側部を除去するドライエッチングを、印加電圧が可変の反応性イオンエッチング装置を用い、印加電圧を０Ｖと５００Ｖとの間で交互に変化させて行う。 - 特許庁

The HDP-NSG film 16 which is flat and has little dispersion in a remaining film is subjected to wet etching, dry etching or CMP in good plane uniformity, and the HDP-NSG film 16 is thinned.例文帳に追加

次に、この平坦でかつ残膜ばらつきの少ないＨＤＰ−ＮＳＧ膜１６に、面内均一性のよい条件でウェットエッチング、ドライエッチングまたはＣＭＰを施し、ＨＤＰ−ＮＳＧ膜１６を薄膜化する。 - 特許庁

The method of manufacturing the optical semiconductor device having the light emitting device and the functional portion carries out a dry etching at the time of forming at least a part of the functional portion, and thereafter carries out a wet etching.例文帳に追加

発光素子部と機能部とを有してなる光半導体素子の製造方法であって、少なくとも前記機能部の一部を形成するときに、ドライエッチングを行い、その後に、ウエットエッチングをすることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a resist undercoat forming composition excellent in etching resistance and forming an undercoat pattern which hardly bends in a dry etching process and faithfully transfers a resist pattern to a workpiece substrate with good reproducibility.例文帳に追加

エッチング耐性に優れ、ドライエッチングプロセスにおいて、下層膜パターンが折れ曲がり難く、レジストパターンを忠実に再現性よく被加工基板に転写することが可能なレジスト下層膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

To enable application of the dry etching to etching of a semiconductor layer to which electrodes are contacted in a GaAs semiconductor device having to form non-alloy ohmic contact electrodes.例文帳に追加

半導体装置に関し、ノン・アロイ・オーミック・コンタクト電極を形成する必要があるＧａＡｓ系半導体装置に於いて、電極をコンタクトさせる半導体層のエッチングにドライ・エッチング法の適用を可能にしようとする。 - 特許庁

In dry etching, etching is made while a quartz substrate and a group III nitride semiconductor are placed on the surface of a lower electrode, thus forming a nanopillar structure 50 on the upper surface of the group III nitride semiconductor 101.例文帳に追加

ドライエッチングにおいて、下方の電極の上面に、石英基板とIII族窒化物半導体とを載置した状態でエッチングを行うことにより、III族窒化物半導体１０１の上面にナノピラー構造５０が形成される。 - 特許庁

The antireflection film 7 is removed by this way, and the time of subsequent wet etching is shortened and the spread to a substrate plane direction is suppressed by film thinning of the first insulating layer 2 by dry etching.例文帳に追加

これにより反射防止膜７を除去すると共に第１の絶縁膜２をドライエッチングにより薄膜化することによってその後のウェットエッチングの時間を短くして基板面方向への広がりを抑制する。 - 特許庁

After a surface modified layer 21 insoluble in an etching solution E (for example limonene) is formed on the substrate P by ion implantation treatment, an opening portion 21U is formed on the surface modified layer 21 by dry etching treatment.例文帳に追加

イオン注入処理によりエッチング溶液Ｅ（例えばリモネン）に不溶な表面改質層２１を基板Ｐの表面に形成したのち、ドライエッチング処理により表面改質層２１に開口部２１Ｕを形成する。 - 特許庁

After a thermal oxide film 14 is selectively removed from an intermediate voltage transistor forming region MV through both a dry etching technique and a wet etching technique, ions are implanted into spots on the sides of a gate electrode 17b.例文帳に追加

ドライエッチング技術およびウェットエッチング技術を用いて、中電圧トランジスタ形成領域ＭＶの熱酸化膜１４を選択的に除去してから、ゲート電極１７ｂの両側にイオン注入を行う。 - 特許庁

A gas mixture of hydrogen iodide gas and helium gas is introduced into inside of a reaction vessel 1 through a gas inlet opening 6, and the ITO layer of a specimen 8 placed on a lower electrode 2 is dry etching by reactive ion etching.例文帳に追加

ガス導入口６からヨウ化水素ガスとヘリウムガスとの混合ガスを反応容器１内に導入し、下部電極２上に載置された試料８のＩＴＯ層を反応性イオンエッチングによりドライエッチングする。 - 特許庁

To provide a dry etching method for precisely treating an area to be etched of a workpiece with the use of a reactive ion etching process using a carbon monoxide gas including a nitrogen-containing compound gas, as a reactant gas.例文帳に追加

含窒素化合物ガスが添加された一酸化炭素ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングを用いて被加工体のエッチング対象領域を精密に加工することができるドライエッチング方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method capable of increasing an etching rate for a transparent conductive film on a substrate to 1500 to 2000 Å/min. without impairing a selection ratio and also suppressing dusting.例文帳に追加

基板上の透明導電性膜へのエッチングレートを１５００〜２０００Å／ｍｉｎまで選択比を損なうことなく向上させ、さらにダストの発生も抑制したドライエッチング方法を提供することにある。 - 特許庁

In a method of manufacturing a ridge semiconductor laser, a lower clad layer 2, an active layer 3, a first upper clad layer 4, a dry etching stop layer 13, an etching stop layer 5, a second upper clad layer 6, a contact layer 7 and a striped mask layer 8 are formed in order on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に、下クラッド層２、活性層３、第１上クラッド層４、ドライエッチングストップ層１３、エッチングストップ層５、第２上クラッド層６、コンタクト層７、およびストライプ状のマスク層８を順次形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device of this invention comprises a step of forming the silicon nitride film having a part with the arsenic included and a part without the arsenic included; a first etching step of etching the part with the arsenic included out of the silicon nitride film by a dry etching; and a second etching step for etching the part without the arsenic included out of the silicon nitride film by the wet etching.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、砒素が含まれている部分と砒素が含まれていない部分とを有するシリコン窒化膜を形成する工程と、ドライエッチングにより、前記シリコン窒化膜のうちの前記砒素が含まれている部分をエッチングする第１のエッチング工程と、ウェットエッチングにより、前記シリコン窒化膜のうちの前記砒素が含まれていない部分をエッチングする第２のエッチング工程と、を含む、ことを特徴とする - 特許庁

This method for peeling the resist left on a substrate 5 after dry etching includes a step of dry ashing the resist left on the substrate 5 and a step of wet-peeling the resist left on the substrate 5 after dry ashing with ozone water excited by ultraviolet rays.例文帳に追加

ドライエッチング後に、基板に残留するレジストを除去するレジスト剥離方法において、上記基板５に残留するレジストをドライアッシングする工程と、ドライアッシングによって基板に残留するレジストを紫外線で励起されたオゾン水によってウエット剥離する工程とを具備する。 - 特許庁

The dry etching system comprises, on the wall surface of an etching chamber 1 in which plasma is kept, a transmission window 9 of light transmissive material for detecting the end point of etching, and a detector 11 which measures the light intensity of specific wavelength emitted from plasma through the transmission window 9.例文帳に追加

本発明のドライエッチング装置は、プラズマが維持されるエッチング室１の壁面に、透光性材料からなるエッチング終点検知用の透過窓９と、プラズマから放射される特定波長の光強度を、透過窓９を通じて計測する検出器１１とを備える。 - 特許庁

Also, dry etching using mixed gas including isotropic etching gas made of SF_6 and anisotropic etching gas made of Cl_2 is carried out to a site above a photo-diode to form a vertically shaped opening whose lower edge has the minimum width which is 1 μm or less not following a tungsten grain.例文帳に追加

また、フォトダイオード上の部位には、ＳＦ_6からなる等方性エッチング・ガスとＣｌ_2からなる異方性エッチング・ガスを含む混合ガスを用いたドライ・エッチングを行なうことにより、下端の最小幅が１μｍ以下で、タングステン・グレインに沿わない、垂直形状の開口を形成する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, in which wiring patterns 20 and 21 and gate electrode patterns 36 and 37 having various pattern densities coexist mixedly, the wiring patterns 20 and 21 and gate electrode patterns 36 and 37 are formed, by dry etching performed under an etching condition such that the etching rate becomes faster as the pattern densities become higher.例文帳に追加

様々なパターン密度を有する配線パターン２０、２１やゲート電極パターン３６、３７が混在する半導体装置の製造方法において、パターン密度が高いほど、エッチング速度が速くなるエッチング条件によるドライエッチングで配線パターンやゲート電極パターンのパターニングを行なう。 - 特許庁

To provide a method for dry-etching of a High-k film having an etching speed difference between a rarefaction part and a dense part as well as an etching property with a small shape difference, while keeping high selectivity (ratio) of a metal oxide served as the High-k film to a foundation polysilicon film.例文帳に追加

本発明の目的は、Ｈｉｇｈ−ｋ膜である金属酸化物を、下地ポリシリコン膜との高い選択性（比）を保ちつつ、パターンの疎部と密部によるエッチング速度差、及び形状差の小さいエッチング特性を有するＨｉｇｈ−ｋ膜のドライエッチング方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a reactant gas supply method of a dry etching device which can prevent a gas composition from altering by the generation of H_2, when HF or a gas containing HF is used as a reactant gas, and can prevent reaction of an etching process from altering, to conduct etching of high accuracy.例文帳に追加

反応ガスとしてＨＦやＨＦを含むガスを用いる場合に、Ｈ_２の発生によりガス組成が変化するのを防ぎ、エッチングプロセスの反応が変化するのを防いで精度の良いエッチング処理を行うことが可能になるドライエッチング装置の反応ガス供給方法を提供する。 - 特許庁

Then, when reactive ion etching using the gas mixture of a fluorine gas (100 sccm) and an oxygen gas (100-400 sccm) as an etching gas is performed, the silicon nitride film 22 in an area other than the one below the resist film 23 is dry-etched, and its etching rate is about 2,000 Å/min.例文帳に追加

そして、エッチングガスとしてフッ素ガス（１００ｓｃｃｍ）および酸素ガス（１００〜４００ｓｃｃｍ）の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングを行なうと、レジスト膜２３下以外の領域における窒化シリコン膜２２がドライエッチングされ、そのエッチングレートは約２０００Å／ｍｉｎであった。 - 特許庁

According to this constitution, in a dry etching process, etching gas is sufficiently supplied to the gap from a space between the dummy electrodes 16A, 16B, 16C, and 16D and the reflector electrode 12, the reflector electrode 13, or the IDT electrode 11, and etching can be stably performed.例文帳に追加

この構成によって、ドライエッチングを行う際、エッチングガスをダミー電極１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄと反射器電極１２または反射器電極１３またはＩＤＴ電極１１との間の隙間からギャップに充分にエッチングガスを供給でき、エッチングを安定的に行うことができる。 - 特許庁

In a semiconductor device formed on a GaAs substrate 1, a base to which an emitter electrode 9 contacts uses an n-GaAsNSb layer 8, and hence if the dry etching method using a chloric gas as an etching gas is applied to etch, there is no fear of impeding the etching reaction at all.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１上に形成された半導体装置に於いて、エミッタ電極９がコンタクトする下地がｎ−ＧａＡｓＮＳｂ層８になっているので、塩素系ガスをエッチング・ガスとするドライ・エッチング法を適用してエッチングを行なっても、エッチング反応が阻害されるおそれは皆無である。 - 特許庁

In producing a structure 19 of rectangular cross section by dry-etching a region with a wide etching width, first etching treatment is performed using a first mask pattern 1 for forming a fine groove 10 with an outline coinciding with the side face 20 of the structure 19.例文帳に追加

広いエッチング幅を持つ領域をドライエッチングして断面矩形の構造体１９を作製するに際して、最初に前記構造体１９の側面２０に一致する輪郭を備えている細い溝１０を形成するための第１マスクパターン１を用いて第１のエッチング処理を行う。 - 特許庁

In the method for dry etching wherein a wafer to be etched is set onto the wafer chuck, an etching gas suitable for the wafer is introduced, and the surface of the wafer is etched; the adhesion of the wafer to the wafer chuck is evaluated beforehand, and the etching condition is adjusted according to the evaluated adhesion.例文帳に追加

ウエーハチャックにエッチングすべきウエーハをセットし、前記ウエーハに合わせたエッチングガスを導入し、前記ウエーハ表面をエッチングするドライエッチング方法において、前記ウエーハの前記ウエーハチャックへの密着度を予め評価し、この評価した密着度によってエッチング条件を調整するようにした。 - 特許庁

To provide a pattern forming method, by which when a large number of individual patterns arranged parallel with one another are formed by dry-etching a conductive material joined to an insulating material, the side faces of the patterns are made free of the occurrence of etching defects, such as etching residue (footing) and a wedge-shaped cut (notching).例文帳に追加

絶縁材料上に接合された導電性材料にドライエッチングを施して、多数並列配置された個々のパターンを形成するにあたり、パターンの側面に加工残り（フッティング）や楔状の切れ込み（ノッチング）等のエッチング異常が生じないパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

Therefore, since several kinds of interference type filter layers are respectively arranged on the different layer through the interlayer film, the interlayer film being foundation functions as an etching stopper or an etching buffer in the case of patterning the filter layers, and dry etching can be performed to realize the scale-down of the color filter.例文帳に追加

したがって、複数種類の干渉型フィルタ層が層間膜を介してそれぞれ別々の層に配置されているため、各フィルタ層をパターニングする際に、下地の層間膜画エッチングストッパ若しくはエッチングバッファとして機能し、ドライエッチングが可能となりカラーフィルタの微細化が可能となる。 - 特許庁

The filler 36 is then removed until an upper surface of a partition film 21 on the recording element 20A (when the recording element has no partition film 21, an upper surface of the recording element 20A) is exposed by using a dry etching method by which an etching rate of the filler 36 is higher than an etching rate of the first coating material 42.例文帳に追加

次に充填材３６のエッチングレートが第１被覆材４２のエッチングレートよりも高いドライエッチング法により記録要素２０Ａの上の隔膜２１の上面（隔膜２１がない場合は記録要素２０Ａの上面）が露出するまで充填材３６を除去する。 - 特許庁

After the conductive film of not less than 1 to 10 μm in film thickness containing aluminum or aluminum alloy is etched to a predetermined film thickness using wet etching, the rest is etched by dry etching to suppress side etching and a decrease in film thickness of a mask.例文帳に追加

膜厚１μｍ以上１０μｍ以下のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜を、ウェットエッチングを用いて所定の膜厚となるまでエッチングした後、残りをドライエッチングでエッチングすることで、サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑える。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of conducting dry etching at an upper interlayer insulating film 7 for the stopper film 6 with a resist pattern 11, as a mask under the conditions of higher selective etching selection ratio of 10 or more than prior art, and etching the film 7 to the film 6, thereby forming the wiring groove 12.例文帳に追加

レジストパターン１１をマスクとして、上部層間絶縁膜７が溝用ストッパー膜６に対して、従来よりさらに高選択な、エッチング選択比が１０以上の条件でドライエッチングを行い、上部層間絶縁膜７を溝用ストッパー膜６までエッチングして配線溝１２を形成する。 - 特許庁

When the active layer is etched by a dry etching method by using metal etching gas, the lower barrier layer 30d below the burying layer is formed of an AlGaInAs layer whose composition is different from that of the lattice layer upper than the lower barrier layer so that it shows an etching rate smaller than the lattice layer.例文帳に追加

埋め込み層下の下側障壁層３０ｄが、メタン系エッチングガスを使ったドライエッチング法により活性層をエッチングする際、格子層に比べて小さいエッチングレートを示すように、下側障壁層より上の格子層の組成とは異なる組成のＡｌＧａＩｎＡｓ層で形成されている。 - 特許庁

Portions of a vibrator 11 formed out of a monocrystal silicon substrate 1, other than surfaces where a lower electrode 4a, a piezoelectric thin film 5a, and upper electrodes 6a, 6b, and 6c, are ground by means of reactive ion etching, dry isotropic ion etching, or crystal anisotropic etching, thereby obtaining a desired detuning degree.例文帳に追加

反応性イオンエッチング、乾式等方性イオンエッチング又は結晶異方性エッチングにより、単結晶シリコン基板１から形成された振動子１１の下部電極４ａ、圧電薄膜５ａ、上部電極６ａ，６ｂ，６ｃが形成された面以外を研削することで、所望の離調度とする。 - 特許庁