「Dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

When dicing a silicon substrate 1 wherein a plurality of semiconductor devices 2 are formed into chips 5, grooves 4 are formed at first on the silicon substrate 1 through dry etching.例文帳に追加

複数の半導体装置２を形成したシリコン基板１をチップ５ごとに分割するにあたり，まずシリコン基板１にドライエッチングによって溝４を形成する。 - 特許庁

To provide a method for preparing a resin composition for photoresist which is improved in alkali solubility without deteriorating adhesion to a substrate and dry etching resistance.例文帳に追加

基板密着性やドライエッチング耐性を損なうことなくアルカリ可溶性機能が向上したフォトレジスト用樹脂組成物の製造法を提供する - 特許庁

To reduce edge exclusion by eliminating edge roll-off in local dry etching using a gas flow controller as a simple tool.例文帳に追加

局所ドライエッチングにおいて、簡単な治具であるガス流コントローラを用いて、エッジロールオフを除去することによりエッジエクスクルージョンを少なくすることを課題とする。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR DRY ETCHING OF HALF-TONE PHASE SHIFTED FILM, HALF-TONE PHASE SHIFTED PHOTOMASK AND MANUFACTURE THEREOF, AND SEMICONDUCTOR CIRCUIT AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

ハーフトーン位相シフト膜のドライエッチング方法および装置、ハーフトーン位相シフトフォトマスクおよびその作製方法、ならびに半導体回路およびその製作方法 - 特許庁

Gate electrodes are formed by selective dry etching and the upper limit value of the in-substrate average value of the thicknesses of the photoresist in substrate coating is confined to 1.5 μm.例文帳に追加

ゲート電極を選択ドライエッチングにより形成し、基板コーティング時におけるフォトレジストの厚みの基板内平均値の上限値を１．５μｍとした。 - 特許庁

Next, the silicon monocrystal substrate 1 is removed by dry etching using fluorine- based active seeds from the back side to produce SiN as a support layer (d).例文帳に追加

続いて、裏面からフッ素系活性種を用いたドライエッチングによりシリコン単結晶基板１を除去して、支持層となるSiＮを製作する（ｄ）。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor laser having a ridge structure wherein a dry etching is used and the generations of crystal defects and plasma damages are prevented.例文帳に追加

ドライエッチングを用いてリッジ構造の半導体レーザを作製する場合に、結晶欠陥およびプラズマダメージの発生を防止する製造方法を提供する。 - 特許庁

Therefrom dry etching treatment is successively performed to the material film on the semiconductor substrates of a next lot to form the material film pattern on each semiconductor substrate.例文帳に追加

それから、次のロットの半導体基板上の材料膜に対してドライエッチング処理を順次行い、各半導体基板上に材料膜パターンを形成する。 - 特許庁

After removing the barrier metal film 106, the organic resin film 103 is removed by dry etching using a halogen gas or by ashing using an oxygen-based gas.例文帳に追加

バリアメタル膜１０６を除去した後、ハロゲン系ガスを用いたドライエッチングまたは酸素系ガスによるアッシングにて有機系樹脂膜１０３を除去する。 - 特許庁

The grooves of the recessed shapes disposed at a transparent substrate of the shifter parts are formed by regulating the bias voltage in the dry etching to ≥-50 V and ≤-85 V.例文帳に追加

シフター部の透明基板に設けた凹型の溝は、ドライエッチング時のバイアス電圧を−５０Ｖ以上、且つ、−８５Ｖ以下で形成することを特徴とする。 - 特許庁

The part of the resist altered by injecting the impurity ions is dry-ashed without exposing semiconductor layers 31, 41, 45, and the remaining resist is removed by wet-etching.例文帳に追加

レジストの不純物イオンの注入により変質した部分を半導体層31，41，45を晒すことなくドライアッシングし、残りのレジストをウェットエッチングで除去する。 - 特許庁

After that, a separation groove 14 is formed by performing dry etching to the silicon substrate 10 by using a patternized silicon nitride film 12A as a mask.例文帳に追加

その後、パターン化されたシリコン窒化膜１２Ａをマスクとしてシリコン基板１０に対してドライエッチングを行なうことにより分離用溝１４を形成する。 - 特許庁

Then, following the third clad layer 7, a dry-etching is carried out in order while the predetermined film thickness of the intermediate layer 6 is left, and a strip-shaped ridge 12 is formed.例文帳に追加

次いで、第３のクラッド層７に続いて、中間層６を所定膜厚残して順にドライエッチングし、ストライプ状のリッジ部１２を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an active matrix substrate for decreasing the number of steps of combining a dry process and photolithographic etching.例文帳に追加

ドライプロセスとフォトリソエッチングを組み合わせた工程の回数を低減することができるアクティブマトリクス基板の製造方法等を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an active matrix substrate for reducing the number of steps where a dry process and photolithographic etching are combined.例文帳に追加

ドライプロセスとフォトリソエッチングを組み合わせた工程の回数を低減することができるアクティブマトリクス基板の製造方法等を提供することを目的とする。 - 特許庁

As a result, the amount of resist retreat in dry etching can be controlled, and the dimensions of a Lov region are increased for controlling to the desired dimension range.例文帳に追加

これにより、ドライエッチング時のレジスト後退量を制御でき、Ｌｏｖ領域の寸法を大きくする方向で所望の寸法範囲に制御することができる。 - 特許庁

By dry-etching the polished surface before the electrode forming process, a damaged layer having deteriorated crystallinity can be removed and good ohmic contact can be obtained.例文帳に追加

電極形成工程の前に被研磨面をドライエッチングすれば、結晶性が劣化したダメージ層が除去でき、良好なオーミック接触が得られる。 - 特許庁

When through holes such as through trenches 4 are formed on one of the surfaces of the etched product by performing dry etching such as reactive ion etching, dry etching is performed while a conductor, which has a higher electrical conductivity than the etched product, is in contact with a region having through holes to be formed or a region around through holes on the other surface of the etched product.例文帳に追加

被エッチング物の一方の面側から反応性イオンエッチングのようなドライエッチングを行うことにより貫通トレンチ４のような貫通孔を形成する場合に、被エッチング物の他方の面の少なくとも貫通孔の形成予定領域またはその近傍に被エッチング物よりも電気伝導度が高い導電体を接触させた状態でドライエッチングを行う。 - 特許庁

When Cu wiring 33 is embedded, by the damascene process, in the wiring trench 32 formed by dry-etching the interlayer dielectric containing the SiOF films 26, 29, an oxynitrided silicon film 27 is interposed between a silicon nitride film 28 constituting the etching stopper layer of the dry etching and the SiOF film 26, thereby trapping free F generated in the SiOF film 26 with the oxynitrided silicon film 27.例文帳に追加

ＳｉＯＦ膜２６、２９を含む層間絶縁膜をドライエッチングして形成した配線溝３２の内部にダマシン法でＣｕ配線３３を埋め込む際、上記ドライエッチングのエッチングストッパ層を構成する窒化シリコン膜２８とＳｉＯＦ膜２６との間に酸窒化シリコン膜２７を介在させ、ＳｉＯＦ膜２６中で発生した遊離のＦを酸窒化シリコン膜２７でトラップする。 - 特許庁

To provide a dry etching method which can enhance the etching selection ratio between a silicon-containing conductive film and a silicon oxide film and assure the etching and removal of only the desired silicon-containing conductive film without etching the silicon oxide film of the under layer and without deforming the etched shape of silicon-containing conductive film.例文帳に追加

従来に較べて、シリコン酸化膜に対するシリコン含有導電膜の選択比を向上させることができ、下地層であるシリコン酸化膜層をエッチングすることなく、また、シリコン含有導電膜層のエッチング形状を崩すことなく、確実に所望のシリコン含有導電膜層のみをエッチングして除去することのできるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The hole 8 has a shape in which a first recess 8a and a second recess 8b are continued, the first recess 8a is formed by etching a part of the dielectric 7 by a wet etching method, and the second recess 8b is formed by etching the film 2, the dielectric 4 and the dielectric 7 by a dry etching method.例文帳に追加

コンタクトホール８は、第１凹部８ａと第２凹部８ｂとが連なった形状を有しており、第１凹部８ａは、第２層間絶縁膜７の一部をウエットエッチング法によりエッチングして形成し、第２凹部８ｂは、ゲート絶縁膜２、第１層間絶縁膜４及び第２層間絶縁膜７をドライエッチング法によりエッチングして形成する。 - 特許庁

The mold is manufactured by continuously executing an etching process, which performs the dry etching of a material 10 to be processed when the mold is produced using the material to be processed having an etching mask 15 formed thereto, a removing process, which removes the etching mask, and a film forming process, which forms a fluorine-based thin film 17 on the material to be processed, in the same apparatus.例文帳に追加

この成形金型の製造方法は、エッチングマスク１５を形成した被加工材１０を用いて成形金型を製造する際に、被加工材をドライエッチングするエッチング工程と、エッチングマスクを除去する除去工程と、被加工材にフッ素系薄膜１７を成膜する成膜工程と、を同一装置内で連続的に実行するものである。 - 特許庁

A method for evaluating a single crystal silicon wafer includes a first step S11 for dry etching a mirror-finished surface 10a of a single crystal silicon wafer 10 on a condition that the etching rate of Si is higher than that of SiO_2, and second steps S12 and S13 for measuring the number of pits existing on the dry etched surface.例文帳に追加

鏡面加工された単結晶シリコンウェーハ１０の表面１０ａに、ＳｉＯ_２よりもＳｉのエッチング速度が大きい条件でドライエッチングを施す第１の工程Ｓ１１と、ドライエッチングされた前記表面に存在するピットの個数を計測する第２の工程Ｓ１２，Ｓ１３とを備える。 - 特許庁

After performing dry etching of a substrate which is electrostatically attracted onto a stage in a processing chamber, He gas is supplied as a neutralization gas into the processing chamber and plasmatized thus performing neutralization processing for reducing a residual electrostatic attraction force generated in a substrate by performing dry etching.例文帳に追加

処理室内のステージ上に静電吸着された基板に対してドライエッチング処理を実施した後、Ｈｅガスを除電用ガスとして処理室内に供給するとともに、Ｈｅガスをプラズマ化することで、ドライエッチング処理の実施により基板に生じた残留静電吸着力を減少させる除電処理を行う。 - 特許庁

The etching method includes a first process which arranges droplets including a thin film forming material on a substrate, a second process which dries the droplets and forms a dry film of a narrower width than a diameter of the droplets at arrangement described above, and a third process to etch using the dry film as an etching protective film.例文帳に追加

本発明は、基板上に膜形成材料を含む液滴を配置する第１工程と、前記液滴を乾燥し、前記配置時の液滴の径よりも狭い幅の乾燥膜を形成する第２工程と、前記乾燥膜をエッチング保護膜としてエッチングする第３工程と、を含むエッチング方法により、上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a dry etching apparatus for removing harmful residual process gas efficiently and safely when returning a vacuum treatment chamber to the atmosphere by detecting the presence or absence of the residual process gas that may be discharged when returning the vacuum treatment chamber to the atmosphere for releasing to take out an already treated substrate after dry etching.例文帳に追加

ドライエッチング後に処理済み基板を取り出すために真空処理室を大気に戻し開放する際に、放出される可能性のある残留プロセスガスの有無を検知して真空処理室を大気へ戻す際に効率的かつ安全に有害な残留プロセスガスを除去できるようにしたドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

This gas for dry etching that is used, when performing the dry etching of a body to be etched with a resist film that is subjected to patterning as a mask containing a fluorine compound, where a C/F value (the ratio of the number of atoms between C and F elements in the fluorine compound) is larger than 0.5.例文帳に追加

パターニングされたレジスト膜をマスクとして被エッチング体をドライエッチングする際に用いられるドライエッチング用ガスであって、前記ドライエッチング用ガスはＣ／Ｆ値（フッ素化合物中のＣ元素とＦ元素との原子数の比）が０．５より大きいフッ素化合物を含むことを特徴とするドライエッチング用ガス。 - 特許庁

The method for manufacturing the ridge waveguide type semiconductor laser element includes dry etching a ridge 8 by retaining a second conductivity type clad layer 7 by a thickness d from a second conductivity type etching stop layer 5, and then etching the second conductivity type clad layer 7 retained on the second conductivity type etching stop layer 5 to the second conductivity type etching stop layer 5 with a tartaric acid etchant to be formed in a rectangular shape.例文帳に追加

リッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法において、リッジ部８を第２導電型クラッド層７を第２導電型エッチング停止層５から厚さｄだけ残してドライエッチングした後、酒石酸エッチング液により第２導電型エッチング停止層５上に残こった第２導電型クラッド層７を第２導電型エッチング停止層５までエッチングして矩形状に形成する。 - 特許庁

To provide a display device and an electronic apparatus, in which when a dry-etched film is formed by dry etching, at the end portion of the film, an organic planarizing film is prevented from having a reverse tapered shape and in which the occurrence of defects caused by discharging can be prevented.例文帳に追加

被ドライエッチング膜をドライエッチする際に、膜端部において有機平坦化膜が逆テーパー形状になることを防ぎ、ひいては放電による欠陥発生を防ぐことができる表示装置および電子機器を提供する。 - 特許庁

The harmful gas exhaust apparatus 1 is an apparatus for depolluting an etching generating gas exhausted from a dry etcher 2 and includes the cylinder for rendering harmless 4 in which an absorber 3 is filled, a dry pump 5, and a main duct 6.例文帳に追加

本発明の有害ガス排気装置１はドライエッチャ２から排出されるエッチング生成ガスを無害化処理する装置であり、吸着剤３が充填された除害筒４と、ドライポンプ５と、メイン配管６を備えている。 - 特許庁

Thereafter, the disused photoresist 24 and the dry film resist 22 are removed by peeling and a solvent and the Ni membrane 23 remaining on nozzle orifice parts 25 and the electrode pad part 15 is removed within a short time by dry etching to complete a printing head.例文帳に追加

その後、不用になったフォトレジスト２４とドライフィルムレジスト２２を剥離溶剤で除去し、ノズルの孔２５部分と電極パット１５部分に残ったＮｉ薄膜２３を短時間ライトエッチングで除去すると印字ヘッドが完成する。 - 特許庁

The silicon element substrate 3 and a glass support substrate 2 are jointed together through anodic bonding, through-parts 20 which reach the etching stop layer 18 penetrating through the surface 3a of the element substrate 3 are provided by dry etching for the formation of a sensor 1.例文帳に追加

そして、シリコンの素子基板３とガラスの支持基板２を陽極接合した後に、素子基板３の表面３ａ側からエッチングストップ層１８に至る貫通部２０をドライエッチングによって複数個形成してセンサ素子１を形作る。 - 特許庁

In the invented method of inspecting an N-region, an anisotropic dry etching having different etching speeds against a part where a crystal defect 4 is present and a part where a crystal defect 4 is absent which are formed in a wafer 2 is applied.例文帳に追加

本発明のＮ領域の検査方法によると、ウェーハ２内に形成されている結晶欠陥４の存在部位と結晶欠陥４の非存在部位に対するエッチング速度が異なる異方性ドライエッチングを実施する。 - 特許庁

The liquid crystal display device is provided which has the video signal line of the bottom gate type TFT meeting the respective required conditions of low resistance, dry etching resistance, selective wet etching of the gate insulating film, ≤2 laminated layers, and tapering of section.例文帳に追加

低抵抗，ドライエッチング耐性，ゲート絶縁膜との選択ウェットエッチング，積層数２層以下、断面のテーパ加工の各要件を満たすボトムゲート型ＴＦＴの映像信号線を有する液晶表示装置が提供される。 - 特許庁

Subsequently, the second intermediate layer 12 is etched in the dry etching unit at an etching rate of 50 nm/sec or less to form a second intermediate layer 12a having a film thickness of d_2' and then a microlens 31 is formed thus obtaining a solid state image sensor.例文帳に追加

ドライエッチング装置にて第二中間層１２を５０ｎｍ／ｓｅｃ以下のエッチングスピードでエッチング処理し、膜厚ｄ_2’の第二中間層１２ａを形成し、マイクロレンズ３１を形成して、固体撮像素子１００を得る。 - 特許庁

Etching is successively performed to the stopper film 2 and the pattern oxidized film 3 by a lithography technique and a dry etching technique, a trench is etched with resist 1 or the stopper film 2 as a mask and the trench of a depth H Åis formed.例文帳に追加

リソグラフィ技術及びドライエッチ技術によってストッパ膜２及びパターン酸化膜３に対して順次エッチングを行い、レジスト１またはストッパ膜２をマスクとしてトレンチのエッチングを行い、深さＨÅのトレンチを形成する。 - 特許庁

To provide a matrix array substrate used in a planar display device, for which short-circuits due to etching residuals between closely and parallelly arranged wirings are prevented in manufacturing pattern wiring by dry etching.例文帳に追加

平面表示装置に用いるマトリクスアレイ基板において、ドライエッチングによりパターン配線を製造する際に、近接して並列される配線間に、エッチング残渣に起因する短絡が生じるのを防止することができるものを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with an MOS transistor which can increase a gate width of the MOS transistor and can restrain excess etching of a gate insulating film in dry etching process for pattern formation of a gate wiring.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタを備える半導体装置であって、ＭＯＳトランジスタのゲート幅を増加でき、且つ、ゲート配線をパターニング形成するドライエッチング工程に際して、ゲート絶縁膜の過剰なエッチングを抑制可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

A thin film aperture part 33 is formed on the thin film 100 by dry etching through the aperture part of the resist film, the first recessed part is formed on the operating layer 111 by wet etching through the thin aperture part 33, and it is used as the first recessed groove.例文帳に追加

レジスト膜の開口部を通してドライエッチングにより薄膜１００に薄膜開口部３３を形成し、この薄膜開口部３３を通してウェットエッチングにより動作層１１に第１凹部を形成し第１リセス溝とする。 - 特許庁

To provide a method for dry-etching a substrate, which can easily control a temperature of the substrate by cooling and heating the substrate, prevents an etching apparatus from being etched, and besides, facilitates the handling of the substrate.例文帳に追加

基板の冷却、加熱による温度管理を容易に行うことができ、かつエッチング装置をエッチングしてしまうのも防止でき、さらには基板の取扱いも容易になる基板のドライエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that is improved to prevent a modified resist surface layer from peeling when continuously performing dry etching and wet etching by the same resist pattern.例文帳に追加

同一のレジストパターンにより、ドライエッチングおよびウエットエッチングを連続的に行なう際に、変質したレジスト表面層を剥がれなくするように改良された、半導体装置の製造方法を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor with a stable characteristic by suppressing the dispersion of etching amount of a lower layer semiconductor film in dry-etching a metallic film to form source-drain electrodes without increasing the number of manufacturing processes.例文帳に追加

製造工程数の増加なく、ソース・ドレイン電極形成のための金属膜のドライエッチングに際して、下層の半導体膜の削れ量のばらつきを抑え特性の安定した薄膜トランジスタを製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for a thermosetting silicon-containing film allowing formation of a silicon-containing film which can be used as a good dry etching mask and having good etching selectivity especially with a photoresist on an upper layer in a multilayer resist process.例文帳に追加

多層レジスト法において、良好なドライエッチングマスクとして使用できるケイ素含有膜を形成でき、特に上層のフォトレジストとのエッチング選択性が良好な熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物の提供。 - 特許庁

At the time of evaluating defects as precipitation of oxygen formed in, for example, a silicon substrate or silicon film, the anisotropic etching is performed in the form of dry etching using a gas containing a halogen gas.例文帳に追加

この円錐状エッチング残渣の形状はエッチング条件によって制御でき、その数および大きさ（例えば円錐底面直径ｄ）を解析することで酸素析出欠陥の密度およびその深さ方向分布が評価できる。 - 特許庁

In this case, when the silicon nitride film 22 is completely removed, the genuine amorphous silicon film 21 of the ground is exposed, the dry etching of the exposed genuine amorphous silicon film 21 is performed to some extent, and its etching rate is about 400 Å/min.例文帳に追加

この場合、窒化シリコン膜22が完全に除去されると、下地の真性アモルファスシリコン膜21が露出され、この露出された真性アモルファスシリコン膜21がある程度ドライエッチングされるが、そのエッチングレートは約４００Å／ｍｉｎであった。 - 特許庁