「Dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, by a dry etching technique using CF_4 gas, the flattened insulating film 7b and one portion of the upper layer insulating film 6 are etched back for flattening.例文帳に追加

次に、ＣＦ_４ガスを用いたドライエッチング技術により、平坦化絶縁膜７ｂと上層絶縁膜６の一部をエッチバックして平坦化する。 - 特許庁

To solve the problem that a precise pattern can not be formed in an ArF resist for exposure to ArF excimer laser light because of inferior durability of the resist against fluorine-based dry etching.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザ露光用のＡｒＦレジストは、弗素系ドライエッチング耐性が劣るため精密なパターンを形成することができない。 - 特許庁

The wafer is etched, using dry etching equipment, in which the distance between the wafer and an opposite surface facing the wafer is set to be 1/2 or smaller than the diameter of the wafer.例文帳に追加

ウエハとウエハと対向する対向面との距離が、ウエハの直径の１／２以下としたドライエッチング装置を用いて、ウエハをエッチングする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, preventing residues in a via hole from being generated in dry etching treatment of the via hole in the semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスにおけるビアホールのドライエッチ処理において、ビアホール内に残渣が発生しない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

As a method for projecting the CNT on the surface, polishing is used here, but dry etching, ashing, or processing using chemicals is applicable.例文帳に追加

ＣＮＴを表面に突出させる方法としては、ここでは研磨を用いたが、その他、ドライエッチングやアッシング、薬液による処理でもかまわない。 - 特許庁

The hole part is formed by a laser machining or a dry etching and the shape of the cross section of the hole does not have rotational symmetries of five times.例文帳に追加

孔部は、レーザ加工やドライエッチングによって形成し、孔部の断面形状は、５回以上の回転対称性を持たないようにする。 - 特許庁

When a Pt film 53 deposited on a semiconductor substrate 50 is subjected to dry-etching, a resist mask 54 is used with head of a rounded outer circumference.例文帳に追加

半導体基板５０上に堆積したＰｔ膜５３をドライエッチングする際、頭部の外周部が丸みを帯びたレジストマスク５４を使用する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of performing high-precision processing of a film to be processed such as an insulating film by using dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングを用いて絶縁膜等の被加工膜の高精度加工を行うことのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A turbo-pump 15, a damage removing unit 16, and a dry pump 17 are provided in this order on the exhaust pipe 14 of an etching chamber 10 and an exhaust gas passes through them.例文帳に追加

エッチングチャンバー１０の排気管１４にはターボポンプ１５、除害処理装置１６、ドライポンプ１７が順に設けられ、排ガスが通過する。 - 特許庁

Metal oxidation and dry etching are employed as a means for changing the size of a gate electrode to be used as a mask during implantation of impurities.例文帳に追加

不純物を注入する際のマスクとして使用するゲート電極の寸法を変える手段として、金属酸化やドライエッチングを利用する。 - 特許庁

Subsequently, after the resist membrane 120 is patterned, the substrate 100 is divided into multiple dies through dry etching, using the resist membrane 120 as a mask.例文帳に追加

次いで、レジスト膜１２０をパターニングした後、レジスト膜１２０をマスクとしてドライエッチングにより基板１００を複数の断片（ダイス）に分割する。 - 特許庁

It is provided with a step of forming a transfer lens by transfering the pattern of the lens matrix on the transparent resin layer by dry etching.例文帳に追加

該レンズ母型のパターンを、ドライエッチングにより前記透明樹脂層に転写し、転写レンズを形成する工程を具備することを特徴とする。 - 特許庁

Then, the silicon oxide film 22 and the silicon nitride film 21 are subjected to dry etching to form through-holes 23 and dummy through-holes 23a and 23b.例文帳に追加

次に、酸化シリコン膜２２および窒化シリコン膜２１をドライエッチングすることにより、スルーホール２３及びダミースルーホール２３ａ，２３ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition not causing a dimensional change due to PED and having high resolving power and excellent dry etching resistance.例文帳に追加

ＰＥＤによる寸法変動を起こさず、高解像力を有し、ドライエッチング耐性に優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供することにある - 特許庁

To provide a processing method of a substrate improved to structuralize the substrate without using a wet or dry chemical etching process.例文帳に追加

ウエット又はドライケミカルエッチングプロセスを用いることなくサブストレートを構造化することに対して、改善されたサブストレートの処理方法を提案する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting diode capable of restraining the influence of damage by dry etching at a level difference section and improving element characteristics and reliability.例文帳に追加

段差部のドライエッチングによる損傷の影響を抑え、素子特性や信頼性を高めることができる半導体発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method and a device which are capable of processing a magnetic material while restraining carbon monoxide from dissociating in plasma.例文帳に追加

プラズマ中の一酸化炭素の解離を抑制しつつ磁性体材料の加工を行うドライエッチング方法及びその装置を提供すること。 - 特許庁

A part not protected by resist 16 is etched using blast, dry etching, or the like, to form a shallow recess 18 or an ink supply restriction part.例文帳に追加

ブラスト、ドライエッチングなどを用いてレジスト１６で保護されていない箇所をエッチングし、浅い凹部１８すなわちインク供給絞りを形成する。 - 特許庁

The piezoelectric material 11 is then surface-worked by dry etching to have a three-dimensional shape 15 that copies the film-thickness distribution of the projection-shaped mask 14.例文帳に追加

次いで、ドライエッチングすると、隆起マスク１４の膜厚分布を倣った三次元形状１５に圧電材料１１が表面加工される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a magnetic head, which forms a mask for dry etching to be used in a manufacturing process of a magnetic head with high accuracy.例文帳に追加

磁気ヘッドの製造工程で用いられるドライエッチング用マスクを、高精度に形成することが可能な磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

Then a second process difference between a resist dimension by a lithographic process and a process dimension by a dry etching process is calculated in a P-gate portion.例文帳に追加

次に、Ｐ型ゲート部に対して、リソグラフィ工程によるレジスト寸法とドライエッチ工程による加工寸法との第２の加工差を算出する。 - 特許庁

In this method, after the over protective layer is once formed greater than the desired film thickness, the layer is removed by dry etching to form the layer with the final film thickness.例文帳に追加

このとき、上地保護層を、一旦所望の膜厚よりも厚く形成した後、ドライエッチングで除去して、最終の膜厚に形成する。 - 特許庁

The colored curable composition includes a colorant, inorganic particles, and a curable compound and is used for pattern formation by a dry etching method.例文帳に追加

着色剤、無機粒子、及び硬化性化合物を含み、ドライエッチング法によるパターン形成に用いられる着色硬化性組成物である。 - 特許庁

To provide a dry etching method providing a good profile with less side etch without receiving restriction by a micro loading effect.例文帳に追加

マイクロローディング効果の制限を受けることなく、さらにサイドエッチの少ない良好な形状を得ることのできるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The dry etching process can be executed under the condition that the aluminum film 103 remains on only the side wall of the hole 321, and a conductive layer 322 is able to be formed.例文帳に追加

このドライエッチングプロセスは、ホール３２１の側壁にのみアルミニウム膜１０３が残留し、導電層３２２を形成可能な条件下とする。 - 特許庁

Contact holes 11 extending to diffusion layer regions 8 respectively are formed by dry-etching a stopper film 9 through an interlayer insulating film 10 as a mask.例文帳に追加

層間絶縁膜１０をマスクとしたストッパー膜９のドライエッチングによって、拡散層領域８に至るコンタクトホール１１を形成する。 - 特許庁

Then, the polysilane thin film 104 is subjected to dry etching, thus forming a polysilane wire 105 since the undercut section of resist 103 becomes a mask.例文帳に追加

次に、ポリシラン薄膜１０４にドライエッチングを施すと、レジスト１０３のアンダーカットの部分がマスクとなり、ポリシラン細線１０５が形成される。 - 特許庁

An insulating film is patterned and an auxiliary mask 15a is formed by performing dry etching by using fluorine gas with photoresist 17a as a mask.例文帳に追加

フォトレジスト１７ａをマスクとしてフッ素系ガスを用いたドライエッチングを行うことにより、絶縁膜をパタニングして補助マスク１５ａを形成する。 - 特許庁

The groove DT is formed in the prescribed region of the semiconductor wafer WF by dry-etching technology using the patterned resist film as a mask.例文帳に追加

そして、パターニングしたレジスト膜をマスクにしたドライエッチング技術により、半導体ウェハＷＦの所定領域に溝ＤＴを形成する。 - 特許庁

To provide a resist composition excellent in dry etching resistance and adhesion to a substrate, and a maleimide copolymer useful therefor.例文帳に追加

ドライエッチング耐性及び基板との密着性に優れたレジスト用組成物及びこの組成物に有用なマレイミド系共重合体を提供する。 - 特許庁

The circuit 5 uses only the first metal wiring layer (51, 52) for the wiring so that microfabrication by dry etching is possible.例文帳に追加

回路部５では、第１の金属配線層（５１，５２）のみを用いて配線することによってドライエッチングによる微細加工が可能な構成とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nanohole structure having regularly arrayed nanoholes formed without using dry etching.例文帳に追加

本発明は、ドライエッチングを用いずに形成した規則配列したナノホールを有するナノホール構造体の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

A part formed on the wafer peripheral edge part 1A out of the silicon nitride film 7 as a passivation film is previously removed by dry etching before dicing.例文帳に追加

ダイシングに先立ち、パッシベーション膜である窒化シリコン膜７のうち、ウエハ周縁部１Ａに形成された部分をドライエッチングで予め除去する。 - 特許庁

The insulating film 8 is formed thicker than a necessary film thickness, and a recessed portion 8a having a bottom is formed in the insulating film 8 by dry etching.例文帳に追加

絶縁膜８については必要膜厚よりも厚く形成しておき、ドライエッチングの際、絶縁膜８に有底の凹部８ａを形成する。 - 特許庁

The film 105 is subjected to anisotropic dry etching, and a side wall insulating film 106 is formed on a side surface of the gate electrode 103.例文帳に追加

その後、側壁用絶縁膜１０５の異方性ドライエッチングを行い、ゲート電極１０３の側面上に側壁絶縁膜１０６を形成する。 - 特許庁

This dry etching apparatus is provided with an insulation member that is divided into at least two portions so that it can adhere to the lower electrode.例文帳に追加

本発明によるドライ・エッチング装置は下部電極に密着するように少なくとも二つ以上に分割された絶縁部材とを具備する。 - 特許庁

To provide a dry etching method that does not generate conical-pattern defects in a separation groove, when the separation groove is formed on a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板に分離用溝を形成するときに、分離用溝に円錐状のパターン欠陥の生じないドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In a following prescribed process, the left n-type amorphous silicon film and intrinsic amorphous silicon film are removed by dry etching.例文帳に追加

そこで、この後の所定の工程において、この残存されたｎ型アモルファスシリコン膜および真性アモルファスシリコン膜をドライエッチングにより除去する。 - 特許庁

The convex parts are formed by selectively growing the corresponding parts, or by laser-processing or wet or dry etching the other parts.例文帳に追加

凸部の形成は、対応部分の選択成長により、もしくは、他の部分をレーザ加工やウェットあるいはドライエッチングすることにより形成される。 - 特許庁

In this manufacturing method of the oxide superconductors, the activation is preferably a dry film-forming method or an ion etching method.例文帳に追加

好ましくは、上述の活性化処理は乾式成膜法であるか、若しくはイオンエッチング法である酸化物超電導導体の製造方法である。 - 特許庁

In this method of manufacturing a semiconductor device, after dry etching, the inside of a process chamber 11 is treated with the plasma of an inert gas 25, such as He or the like.例文帳に追加

ドライエッチング後に、プロセスチャンバー１１内をＨｅ等の不活性ガス２５のプラズマによって処理する、半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a method of dry-etching a low-permittivity interlayer insulating film which brings forth a small CD loss, causes no damage to the film, and is set less pattern-dependent than usual.例文帳に追加

ＣＤロスが小さく、膜ダメージもなく、また、パターン依存性の抑制された低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法の提供。 - 特許庁

To provide a lower layer resist composition excellent in dry etching resistance and uniformity of film thickness as a lower layer resist composition for a silicon-containing two-layer resist.例文帳に追加

シリコン含有２層レジスト用下層レジスト組成物において、ドライエッチング耐性、膜厚均一性に優れた下層レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The detection method of the etching end point in the dry semiconductor etching step is to search for the etching end point from the surfaces of a semiconductor substrate and of a film selected from among multilayer films on the substrate, while spectrally analyzing the beam, in terms of etching time, which is emitted in the course of a plasma etching step onto the semiconductor substrate introduced into the processing chamber.例文帳に追加

本発明の半導体乾式エッチング工程でエッチング終了点の検出方法は、工程チェンバー内に投入された半導体基板上にプラズマエッチング工程を進行する過程で発生された光をエッチング時間によるスペクトル分析で、半導体基板上及びその基板上の多層膜の中で選択された膜上からエッチング終了点を探すものである。 - 特許庁

The method for manufacturing a three-dimensional structure includes: a step of preparing the substrate 200; a mask forming step of forming the etching mask 204 to the surface of the substrate 200 by using the method for forming the etching mask; and an etching step of dry-etching the substrate from a diagonal direction using the etching mask 204 and of forming a plurality of holes.例文帳に追加

また、３次元構造体を製造するに際して、基板２００を準備する工程と、前記基板２００表面に、上記したエッチングマスクの形成方法を用い、エッチングマスク２０４を形成するマスク形成工程と、前記エッチングマスク２０４を用い、前記基板を斜め方向からドライエッチングして複数の開孔を形成するエッチング工程と、を有する製造方法を用いる。 - 特許庁