「Dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

A part existing in the end nearby region of the word line in the first conductive film is removed by second dry etching.例文帳に追加

次に、第２のドライエッチングによって第１の導電膜におけるワード線の端部近傍領域に存在する部分を除去する。 - 特許庁

To provide a treatment method of a film to be etched capable of both obtaining highly accurate dry etching and reduction of LER.例文帳に追加

高精度のドライエッチング加工とＬＥＲの低減をともに実現することのできる被エッチング膜の加工方法を提供する。 - 特許庁

Then, they are subjected to dry etching, in this order, with a resist film 11 as a mask, and an opening 12 reaching the copper wiring layer 1 is formed.例文帳に追加

次に、これらをレジスト膜１１をマスクとして順にドライエッチングし、銅配線層１に至る開口部１２を形成する。 - 特許庁

To provide a dry etching agent that is economical, has small influence on the earth environment, and has required performance.例文帳に追加

経済性を備え、地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング剤を提供する。 - 特許庁

To provide a photomask blank optimizing a dry etching speed in a depth direction of a light-shielding film and giving favorable pattern accuracy.例文帳に追加

遮光膜の深さ方向でのドライエッチング速度を最適化させ良好なパターン精度が得られるフォトマスクブランクを提供する。 - 特許庁

To etch an InP layer by a dry etching method in a more stable state without inviting a rise in the cost.例文帳に追加

コストの上昇を招くことなく、より安定した状態でＩｎＰの層がドライエッチング法によりエッチングできるようにする。 - 特許庁

Further, a material 30 to be etched which is positioned on one 24 of the electrodes in the vacuum vessel 12 is subjected to dry etching with the plasma.例文帳に追加

真空容器１２内の一方の電極２４側に設けられた被エッチング材料３０をプラズマによりドライエッチングする。 - 特許庁

The dry etching apparatus allows the lower ceramic to adhere to the lower electrode to minimize the gap between them.例文帳に追加

本発明によるドライ・エッチング装置は下部セラミックを下部電極に密着させこれらの間のギャップを最小化することができる。 - 特許庁

The intermediate film pattern 108 is used as a mask for the dry etching of the processed film 103 to form a processed film pattern 109.例文帳に追加

その後、中間膜パターン１０８をマスクに用い、被加工膜１０３をドライエッチングして、被加工膜パターン１０９を形成する。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition having improved marginal resolving power, development defects, linearity and dry etching resistance.例文帳に追加

限界解像力、現像欠陥、リニアリティ及びドライエッチング耐性の４点で良化したポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

A resist pattern is formed on the oxide film 14 by using a resist, and the oxide film 14 is subjected to patterning by CF dry etching.例文帳に追加

この酸化膜１４上にレジストによってレジストパターンを形成し、ＣＦ系ドライエッチングにより酸化膜１４をパターニングする。 - 特許庁

Accordingly, SO_2 is employed as etchant gas and He, Ar or the like is employed as the carrier gas in the dry etching of the organic reflection preventing film.例文帳に追加

その為に、有機反射防止膜のドライエッチングに、エッチャントガスとしてＳＯ２、キャリアガスとしてＨｅ又はＡｒ等を用いる。 - 特許庁

Then, the metal wiring is exposed to an inert gas plasma in the same processing apparatus in which a vacuum state in this dry etching step is maintained.例文帳に追加

次に、このドライエッチング工程における真空の状態が維持される同一処理装置内で、不活性ガスプラズマに晒す。 - 特許庁

A first color/blue layer is formed on a support member, and stripe-shaped blue patterns 27 are formed by using a dry etching method.例文帳に追加

支持体上に第１色目・青色層を形成し、ドライエッチング法を用いて、ストライプ状の青色パターン２７を形成する。 - 特許庁

A silicon nitride film, a thermal oxide film 4, and the silicon substrate 2 are etched anisotropically by dry etching method so as to form a trench.例文帳に追加

ドライエッチング法によりシリコン窒化膜６、熱酸化膜４及びシリコン基板２を異方的にエッチングしトレンチを形成する。 - 特許庁

Here, no cleaning or drying processes are performed, since in the case it is dry-etching, and no water mark occurs.例文帳に追加

この場合、ドライエッチングであるので、洗浄工程及び乾燥工程は行わず、したがってウォータマークが発生することはない。 - 特許庁

Thus, a rectangular resist pattern (line) having good dry etching resistance and small line edge roughness can be formed.例文帳に追加

これにより、レジストパターン（ライン）が矩形でありドライエッチング耐性が良好、かつ、ラインエッジラフネスの小さいレジストパターンの形成が可能となる。 - 特許庁

By using plasma dry etching treatment which uses only oxygen gas, production of a cured film of the resist 24 for the pad window aperture is reduced.例文帳に追加

また、酸素ガスのみを用いたプラズマドライエッチング処理によって、パッド窓開口用レジスト２４の硬化膜の生成を低減する。 - 特許庁

To provide a dry etching method suppressing increase of specific permittivity of a porous insulating film having low permittivity.例文帳に追加

低誘電率を有する多孔性の絶縁膜における比誘電率の増大を抑制可能なドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of comparatively enlarging a selection ratio when dry-etching an insulating film on a molybdenum-based metal film.例文帳に追加

モリブデン系金属膜上の絶縁膜をドライエッチングする際に、選択比を比較的大きくする事ができる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mask creating method for enabling provision of a mask with desired dimensions by dry etching without recreating a mask.例文帳に追加

マスク再作成を行わなくてもドライエッチングによって所望の寸法のパターンが得られるマスクの作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of dry cleaning that can remove the source of dust generated from the inside wall of a semiconductor etching apparatus.例文帳に追加

半導体エッチング装置内壁で発生する塵埃の発生源を取り去ることのできるドライクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

A photomask is manufactured by patterning the light shielding film 2 in the photomask blank 10 by dry etching.例文帳に追加

また、このフォトマスクブランク１０における上記遮光膜２をドライエッチング処理によりパターニングすることにより、フォトマスクを製造する。 - 特許庁

To provide dry etching method capable of working a thick polysilicon (or amorphous silicon) layer so as to have an anisotropic configuration with proper dimensional accuracy.例文帳に追加

厚いポリシリコン（又はアモルファスシリコン）層を寸法精度良く異方性形状に加工できるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

A silicon nitride film 103 and an inter-layer insulating film 102 are formed on lower layer wiring 101, and contact and trench dry etching is carried out.例文帳に追加

下層配線１０１上にシリコン窒化膜１０３と層間絶縁膜１０２を成膜し、コンタクト及びトレンチドライエッチングを行う。 - 特許庁

One sharp-pointed section is formed at the one end of the columnar diamond single crystal 10 by dry etching using the formed ceramic mask.例文帳に追加

得られたセラミックマスクを用いてドライエッチングにより、柱状ダイヤモンド単結晶１０の片端に一ヶ所の先鋭部を形成する。 - 特許庁

The polymer exhibits excellent characteristics such as hydrophilicity and dry etching resistance, and is used for manufacturing a chemically amplified photoresist composition.例文帳に追加

本発明のポリマーは良好な親水性、抗ドライエッチングの特性を有し、化学増幅型ホトレジスト組成物の製造に用いられる。 - 特許庁

To provide a treatment method of a substrate capable of selectively removing deposits generated by the dry etching of silicon.例文帳に追加

シリコンのドライエッチングにおいて生成された堆積物を選択的に除去することができる基板の処理方法を提供する。 - 特許庁

Afterwards, an opening part 8, applying the electron emitting part upper face 3EUS as a bottom face 8BS, is formed by dry-etching the insulation layer.例文帳に追加

その上で、絶縁層４をドライエッチングして、電子放出部上面３EUSをその底面８BSとする開口部８を形成する。 - 特許庁

A dry etching apparatus 1 comprises a stock unit 13 including a cassette 62 which stores therein a conveyable tray 3 housing a substrate 2.例文帳に追加

ドライエッチング装置１は基板２を収容した搬送可能なトレイ３を収納したカセット６２を含むストック部１３を備える。 - 特許庁

Thereafter, the emitter contact layer 7 and the emitter layer 6 are removed sequentially by ICP system dry etching using the resist pattern 9 as a mask.例文帳に追加

その後、レジストパターン９をマスクとして、ＩＣＰ方式ドライエッチングにより、エミッタコンタクト層７とエミッタ層６とを順次除去する。 - 特許庁

To provide a method for removing a dry etching residue containing platinum chloride from a wafer on which a metal oxide is patterned.例文帳に追加

塩化白金含有ドライエッチング残留物を金属酸化物をパターニングしたウェハから取り除く方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain a resin composition for a photoresist having improved alkali solubilization function without impairing adhesion to a substrate or dry etching resistance.例文帳に追加

基板密着性やドライエッチング耐性を損なうことなくアルカリ可溶性機能が向上したフォトレジスト用樹脂組成物を得る。 - 特許庁

A prescribed region of the photoresist is exposed, and then dry etching and hot water washing are carried out and a prescribed pattern is formed.例文帳に追加

次に、このフォトレジストの所定領域を露光し、続いてドライエッチングおよび温水洗浄を行って、所定パターンを形成する。 - 特許庁

A part of the lower semiconductor layer 18 can be exposed by dry etching without damaging the lower semiconductor layer 18.例文帳に追加

ドライエッチングにより半導体下層１８に損傷を与えることなく、半導体下層１８の一部を露出させることができる。 - 特許庁

To provide a technology to improve the unevenness in dry etching caused by the hygroscopicity of a low dielectric constant film.例文帳に追加

低誘電率膜の吸湿性に起因するドライエッチング加工の不均一性を改善することのできる技術を提供する。 - 特許庁

Next, the first opening part 8 is formed by removing the buffer layer 3 by the non-reactivity dry etching partially.例文帳に追加

次いで、バッファ層３を部分的に非反応性ドライエッチングによって除去することによって第１の開口部８を形成する。 - 特許庁

To obtain an excellent processed shape when dry-etching a copper-containing aluminum film and a barrier metal film having high aspect ratios.例文帳に追加

高アスペクト比を有する銅含有アルミニウム膜及びバリアメタル膜のドライエッチングにおいて、良好な加工形状を実現する。 - 特許庁

To provide a power source for generating a high frequency AC pulse which is effective for improving a dry etching device in a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

半導体製造工程におけるドライエッチング装置の改良に有効な高周波交流パルス発生電源の提供。 - 特許庁

In the manufacturing method of color filter using a dry etching method, the dry etching is performed by a first etching step of forming a colored layer removing part 6 by using a gaseous mixture containing fluorine type gas and oxygen gas and a second etching step of removing the colored layer removing part 6 and forming a support exposure part by using a gaseous mixture containing nitrogen gas and oxygen gas.例文帳に追加

ドライエッチング法を用いたカラーフィルタの製造方法において、ドライエッチング処理を、フッ素系ガスと酸素ガスとを含む混合ガスを用いて着色層除去部６を形成する第１のエッチング工程と、窒素ガスと酸素ガスとを含む混合ガスを用いて着色層除去部６を除去し支持体露出部を形成する第２のエッチング工程とで行う。 - 特許庁

It is important for a dry etching condition, which can form the needlelike projection 501 on the polyimide resin 201, not to use fluorine system gas for a reactant gas of a dry etching system, and to make a ratio of argon gas flowing rate with respect to that of oxygen gas be 20% or less.例文帳に追加

このポリイミド樹脂２０１上に針状突起物５０１を形成できるドライエッチング条件は、ドライエッチング装置の反応ガスにフッ素系ガスを使用しないことおよび、酸素ガス流量に対するアルゴンガス流量比を２０％以下にすることが重要である。 - 特許庁

When a color filter is manufactured, the following relation holds; Bft=k(B×Aft/A), wherein dry etching rate and layer thickness of the colored layer are respectively A (μm/min) and Aft (μm), and dry etching rate and layer thickness of a photosensitive resin layer are respectively B (μm/min) and Bft (μm).例文帳に追加

カラーフィルタを作製する際に、着色層のドライエッチング速度Ａ（μｍ／ｍｉｎ）及び層厚Ａｆｔ（μｍ）、並びに感光性樹脂層のドライエッチング速度Ｂ（μｍ／ｍｉｎ）及び層厚Ｂｆｔ（μｍ）が、Ｂｆｔ＝ｋ（Ｂ×Ａｆｔ／Ａ）の関係式を満たす。 - 特許庁

The upper layer of the thin film is etched by a dry etching process by using a chlorine-based gas that substantially does not contain oxygen, and subsequently the lower layer of the thin film and the substrate are etched together by a dry etching process using a fluorine-based gas to obtain a mold for imprint.例文帳に追加

薄膜の上層を、酸素を実質的に含まない塩素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工し、続いて薄膜の下層及び基板を、弗素系ガスを用いたドライエッチング処理により一度にエッチング加工することによりインプリント用モールドを得る。 - 特許庁

Processes for forming the ridge stripe structure (9) includes a first etching process for dry-etching a second conductive type second clad layer 7 leaving a prescribed thickness, and a second etching process for wet-etching and removing the second conductive type second clad layer 7 having the prescribed thickness to a second conductive type etching stop layer 6.例文帳に追加

リッジストライプ構造（９）を形成する工程は、ドライエッチングにより、第２導電型の第２クラッド層７を所定の厚さ残してエッチングする第１のエッチング工程と、ウエットエッチングにより、所定の厚さ残した第２導電型の第２クラッド層７を第２導電型のエッチングストップ層６までエッチングして除去する第２のエッチング工程とを有する。 - 特許庁

After the etching stopper film 4 is exposed at the bottoms of the opening parts OP3, anisotropic dry etching shall be continued, and using the etching stopper film as an etching mask, contact holes CH1 penetrating an interlayer insulating film 3 to source, drain regions 11, 13 are formed, thereby obtaining the opening parts OP3 and the contact holes CH1 simultaneously in the same etching process.例文帳に追加

開口部ＯＰ３の底部にエッチングストッパ膜４が露出した後も異方性ドライエッチングを続行し、エッチングストッパ膜４をエッチングマスクとして、層間絶縁膜３を貫通してソース・ドレイン領域１１および１３に達するコンタクトホールＣＨ１を形成することで、開口部ＯＰ３とコンタクトホールＣＨ１とを同じエッチング工程で同時に得る。 - 特許庁