「Dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

To remove a residue simply and effectively by eliminating a decline in tact taken for a residue removing process after dry etching.例文帳に追加

ドライエッチング後の残渣除去工程にかかるタクトの低下をなくして簡便かつ効果的に残渣を除去する。 - 特許庁

DRY ETCHING METHOD FOR ITO FILM, PRODUCTION OF LIQUID CRYSTAL ELEMENT SUBSTRATE USING THE METHOD AND LIQUID CRYSTAL ELEMENT SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＴＯ膜のドライエッチング方法及び該方法を用いた液晶素子基板の製造方法、液晶素子基板 - 特許庁

This method for manufacturing a nitride semiconductor element is used for forming the end face of a resonator by dry etching.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体素子の製造方法では、ドライエッチングにより共振器端面を形成する。 - 特許庁

As a result, after the dry etching is finished, a second sidewall spacer 9M made of the metal film is formed.例文帳に追加

その結果、ドライエッチングの終了後に、当該メタル膜より成る第２サイドウォールスペーサー９Ｍが形成される。 - 特許庁

The first paddle treatment selectively removes a reaction product 5 produced when dry-etching the aluminum film 3.例文帳に追加

第１パドル処理は、アルミニウム膜３をドライエッチングするときに生成する反応生成物５を選択的に除去する。 - 特許庁

A second polysilicon film is formed on the second insulating film, and a second polysilicon electrode is formed by dry etching.例文帳に追加

第２絶縁膜上に第２ポリシリコン膜を形成し、ドライエッチングにより第２ポリシリコン電極を形成する。 - 特許庁

To form an ohmic electrode of low contact resistance on the surface of a p-type nitride semiconductor processed by dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングで加工したｐ型の窒化物半導体の表面に低コンタクト抵抗のオーミック電極を形成する。 - 特許庁

As a result, the surface layer part of the trench 7, containing crystal defects introduced through the dry etching, is removed.例文帳に追加

その結果、ドライエッチングを通じて導入された結晶欠陥を含むトレンチ７の表層部９が除去される。 - 特許庁

METHOD FOR DRY ETCHING WIRING LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED IN THIS WAY例文帳に追加

配線層のドライエッチング方法、半導体装置の製造方法および該方法によって得られた半導体装置 - 特許庁

Finally, the SiN film 2 is removed by dry etching by SF6 gas from the back side, thereby the metal membrane 4 is completed.例文帳に追加

最後に、裏面側から、ＳＦ_6ガスによるドライエッチングによりSiＮ膜２を除去し、金属メンブレン４を完成させる。 - 特許庁

Furthermore, the lower layer resist film 2 is subjected to patterning by dry etching by using the upper layer silylation pattern 6 as a mask.例文帳に追加

さらに、この上層シリル化パターン６をマスクとしたドライエッチング処理により、下層レジスト膜２をパターニングする。 - 特許庁

Further, the second unit has a benzene ring in its side chain, so that the second unit contributes to improvement of resistance to dry etching of the resist film.例文帳に追加

また、第２のユニットは側鎖にベンゼン環を有しており、これがドライエッチング耐性の向上に寄与する。 - 特許庁

When the via hole 10 is formed in a GaAs single crystal substrate 8 by dry etching, a GaAs single crystal substrate 8, in which the content of oxygen impurities is sufficiently small to an extent that an etching residual material is not formed, is used, and dry etching is applied to the GaAs single crystal substrate 8.例文帳に追加

ドライエッチングによりＧａＡｓ単結晶基板８にビアホール１０を形成するに際し、エッチング残留物が生成されない程度に酸素不純物の含有量が十分少ないＧａＡｓ単結晶基板８を用い、このＧａＡｓ単結晶基板８に対してドライエッチングを行う。 - 特許庁

The dry etching method of the device sheet includes a stage for sticking the device sheet 4 via wax W onto the flat surface of a ceramic substrate (substrate) 20 consisting of AlTiC or the like and a stage for performing dry etching e.g. ion beam etching(IBE) to the stuck device sheet 4.例文帳に追加

ＡｌＴｉＣなどからなるセラミック基板(基板)２０の平坦な表面上に、ワックスＷを介してデバイスシート４を貼り付ける工程と、この貼り付けられたデバイスシート４に対してイオンビームエッチング(ＩＢＥ)などのドイラエッチングを施す工程と、を含む、デバイスシートのドライエッチング加工方法。 - 特許庁

A second layer 58 to fifth layer 64 included in a laminated body 54 are formed from a material having resistance to wet-etching to a first layer 56, and the fifth layer 64 is formed from a material having resistance to each dry-etching when dry etching is applied to each of the second layer 58 to fourth layer 62.例文帳に追加

積層体５４に含まれる第２層５８〜第５層６４は、第１層５６に対するウェットエッチングに対しエッチング耐性のある材料から成り、第５層６４は、第２層５８〜第４層６２に対しドライエッチングが行われる場合、各ドライエッチングに対してエッチング耐性のある材料から成る。 - 特許庁

When a wiring groove is formed by dry etching an insulating film 21 with a photoresist film 23 patterned in a groove pattern as a mask, an etching ending point of the film 21 is detected by using an optical reflection interference waveform monitor or a plasma luminescence ending point monitor, thereby dry-etching only the film 21.例文帳に追加

溝パターンにパターニングされたフォトレジスト膜２３をマスクとして絶縁膜２１をドライエッチングし、配線溝を形成する際、光学式反射干渉波形モニタまたはプラズマ発光終点モニタを用いて絶縁膜２１のエッチング終点検出を行うことにより、絶縁膜２１のみをドライエッチングする。 - 特許庁

To provide a dry etching method free from sidewall deposit by employing mixture gas of halogen gas and inert gas as etching gas in the dry etching process of a ferroelectric film and applying high frequency bias power to the ferroelectric film under high vacuum high density plasma.例文帳に追加

強誘電体膜のドライエッチング工程において、ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で強誘電体膜に高周波のバイアス電力を印加することにより側壁付着物のないドライエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The hole 12a is formed by dry etching treatment for masking a resist layer, and after dry etching is performed in a condition that an undercut occurs under the resist layer in the treatment, the hole 12a is formed so that a diameter is increased in an opening part outward by performing the dry etching in a condition that the undercut does not occur under the resist layer.例文帳に追加

孔１２ａは、レジスト層をマスクとするドライエッチング処理により形成し、この処理ではレジスト層の下にアンダーカットが生ずるような条件でドライエッチングを行なった後、レジスト層の下にアンダーカットが生じないような条件でドライエッチングを行なうことにより孔１２ａを開口部で外方にいくにつれて直径が増大するように形成する。 - 特許庁

To provide a photomask blank which is capable of shortening the dry-etching time by increasing the dry-etching speed of a light shielding film, reducing the film reduction of a resist film, improving resolution and pattern accuracy (CD accuracy) by reducing the thickness of the resist film, and forming a light shielding film pattern having a good cross-sectional shape due to the reduction of the dry-etching time.例文帳に追加

遮光膜のドライエッチング速度を高めることで、ドライエッチング時間が短縮でき、レジスト膜の膜減りを低減することができ、レジスト膜を薄膜化して解像性、パターン精度（ＣＤ精度）を向上でき、ドライエッチング時間の短縮化による断面形状の良好な遮光膜のパターンが形成することができるフォトマスクブランクを提供する。 - 特許庁

Then, first dry etching is made to the metal film 24 using a first resist mask 30, further second dry etching is made to the metal film 24 using a second resist mask 31, and dry etching is made twice at the overlapped machining region [C] between a scanning line 12 and an auxiliary capacity line 18, and between a gate electrode 26 and a gate electrode 27.例文帳に追加

次いで第１のレジストマスク３０を用いて金属膜２４に１回目のドライエッチングを行い、更に第２のレジストマスク３１を用いて金属膜２４に２回目のドライエッチングを行い、走査線１２と補助容量線１８間、及びゲート電極２６とゲート電極２７間の重複加工領域［Ｃ］にてドライエッチングを２回実施する。 - 特許庁

This grinding system is composed at least of a chuck table 11 for holding a plate matter, grinding means 12a and 12b for grinding the plate matter held by the chuck table 11, a cleaning means 13 for cleaning the ground plate matter, and a dry etching means 14 for dry etching the cleaned plate matter, thus realizing efficient grinding up to dry etching steps.例文帳に追加

少なくとも、板状物を保持するチャックテーブル１１と、チャックテーブル１１に保持された板状物を研削する研削手段１２ａ、１２ｂと、研削済みの板状物を洗浄する洗浄手段１３と、洗浄済みの板状物をドライエッチングするドライエッチング手段１４とからなる研削システムを構成し、研削からドライエッチングまでを効率良く行う。 - 特許庁

The dry etching method includes a mounting process for mounting a material A to be etched onto the lower electrode of a vacuum treatment chamber 20a having upper and lower electrodes 21 and 23, a heating process for heating the inside of the vacuum treatment chamber and the upper and lower electrodes, and a dry etching treatment process for carrying out dry etching treatment to the material to be etched.例文帳に追加

上部電極２１及び下部電極２３を具えた真空処理室２０ａの、下部電極上に被エッチング材Ａを搭載する搭載工程と、真空処理室の内部、上部電極及び下部電極を加熱する加熱工程と、被エッチング材に対してドライエッチング処理を施すドライエッチング処理工程とを、ドライエッチングプロセスに用いる。 - 特許庁

In conducting dry cleaning, while suspending dry etching treatment, only the O_2 gas is made to flow as the reactant gas under pressures of 20 to 200 Pa with the operation of the plasma generator.例文帳に追加

ドライエッチング処理を中止してドライクリーニングを行う場合には、反応ガスとしてＯ_2ガスのみを圧力２０〜２００Ｐａで流しながらプラズマ生成部を作動させる。 - 特許庁

The step of dry-etching dry-etches the entire surface of the interlayer insulating film 11 having the recess 13 after the mask 12 is removed.例文帳に追加

前記ドライエッチングの工程で、前記マスク１２が除去された後に、前記リセス１３を有する前記層間絶縁膜１１の表面全体をドライエッチングによりエッチングする。 - 特許庁

After hardening the resist, the substrate is dry-etched with a TCP dry etching device using the resulting resist pattern as a mask to transfer the resist pattern to the substrate and to obtain the objective MLA.例文帳に追加

レジストのハードニングを行なった後、レジストパターンをマスクとしてＴＣＰドライエッチング装置にて基板をドライエッチングしてレジストパターンを基板に転写し、ＭＬＡを得た。 - 特許庁

To provide a dry etching system having a function of intermediate length measurement for producing a photomask in which the pattern line width of a dry-etched metal film always satisfies dimensional specifications.例文帳に追加

ドライエッチングした金属膜のパターン線幅が常に寸法規格を満たしたフォトマスクを作製する中間測長機能を備えたドライエッチングシステムを提供する。 - 特許庁

To provide an anisotropic dry etching method in which a silicon nitride film can be selectively anisotropically dry-etched for all of a silicon oxide film, a polysilicon film and a silicon film.例文帳に追加

シリコン窒化膜をシリコン酸化膜、ポリシリコン膜及びシリコン膜の全てに対して選択的に異方性ドライエッチングすることができる異方性ドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The first intermediate layer 11 is then etched in a dry etching unit at an etching rate of 50 nm/sec or less to form a first intermediate layer 11a having a film thickness of d_1'.例文帳に追加

ドライエッチング装置にて第一中間層１１を５０ｎｍ／ｓｅｃ以下のエッチングスピードでエッチング処理し、膜厚ｄ_1’の第一中間層１１ａを形成する。 - 特許庁

To provide a dry etching method and a device to be used for it capable of sufficiently taking the etching selection ratio of metal of a high melting point such as MoW and SiO2.例文帳に追加

ＭｏＷのような高融点金属とＳｉ０_2とのエッチング選択比を十分にとることが可能なドライエッチング方法及びそれに用いる装置を提供する。 - 特許庁

At forming of an opening 24a in an interlayer insulation layer 24 through dry etching, damage is absorbed by the polycrystal line silicon layer 12a even if over-etching is carried out.例文帳に追加

ドライエッチングにより層間絶縁膜２４に開口部２４ａを形成する際において、オーバーエッチングを行っても、ダメージは多結晶シリコン層１２ａに吸収される。 - 特許庁

A hole 5b penetrating a light shielding film 4, a halftone film 3, an etching stopper film 2 and to a predetermined depth from the principal surface of a transparent substrate 1 is formed by dry etching.例文帳に追加

遮光膜４、ハーフトーン膜３、およびエッチングストッパ膜２を貫通し、透明基板１の主表面から所定の深さにまで至るホール５ｂをドライエッチングにより形成する。 - 特許庁

To provide a dry-etching method which can confirm that an etching selection ratio between a high melting point metal film such as an Mo film, a W film, etc., and an oxide film such as an SiO_2 film, etc., is secured.例文帳に追加

ＭｏＷ等の高融点金属とＳｉＯ_2等の酸化膜とのエッチング選択比確保を確認することが可能なドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique capable of performing highly uniform etching to a substrate when a treatment gas is changed into plasma to perform dry etching to a film to be etched.例文帳に追加

処理ガスをプラズマ化して基板上の被エッチング膜をドライエッチングするにあたり、基板に対して均一性高くエッチング処理を行うことができる技術を提供すること。 - 特許庁

To provide a resist paste having high plasma resistance, even when dry etching is performed using fluorine plasma and no risk of causing a patterning failure by remaining after etching.例文帳に追加

フッ素プラズマにてドライエッチングを行う場合でも耐プラズマ性が高く、エッチング後も残存してパターニング不良が発生する恐れがないレジスト用ペーストを提供する。 - 特許庁

In the corner mirror part, etching is performed by self alignment while a pattern of the first resist 1 is maintained, so that position deviation is not generated throughout dry etching of two times.例文帳に追加

またコーナーミラー部は第一のレジスト１のパターンを維持したままセルフアラインにてエッチングが行われており、二回のドライエッチングを通して位置ずれを起こすことがない。 - 特許庁

Before carrying out dry-etching to the rear face of a semiconductor substrate 10, a film 70 reduced in the area of an etching opening is formed on the rear face 10b of the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板１０の裏面をドライエッチングする前に、半導体基板１０の裏面１０ｂに、エッチング開口面積を低減させる膜７０を形成する。 - 特許庁

The etching temperature is lowered from approximately 300°C to approximately 100°C, and a dry etching is conducted at a stage when the tantalum film 15 reaches the specified film thickness or less and begins to be partially isolated.例文帳に追加

その後、タンタル膜１５が所定の膜厚以下になって部分的に孤立し始めた段階で、エッチング温度を約３００℃から約１００℃に下げてドライエッチングする。 - 特許庁

Then the application of dry etching to a crystal wafer 1 by an RIE (reactive ion etching) method to form nearly a cross-sectional tapered shape on the end face of the crystal element chip 1a.例文帳に追加

そして、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）法により水晶ウェハ１をドライエッチングすると、水晶素子片１ａの端面に略断面テーパー形状が形成される。 - 特許庁

In the next step, after removing the resist film 36 outside the wiring groove 35 by means of dry-etching method, the resist film 36 inside the groove is removed by means of wet-etching method.例文帳に追加

次に、ドライエッチングにより、配線溝３５の外側にあるレジスト膜３６を除去した後、ウェットエッチングにより、配線溝３５の内部にあるレジスト膜３６を除去する。 - 特許庁

An etching stopper layer 3 is formed previously on a heating element 2 in order to protect the heating element 2 against dry etching of a wiring pattern 4.例文帳に追加

本発明は、エッチングストッパー層３を発熱素子２上に事前に作成し、このエッチングストッパー層３により配線パターン４のドライエッチングから発熱素子２を保護する。 - 特許庁

To provide a method of forming a SiO2 buffer layer by which etching to produce a perpendicular cross section is possible without using dry etching, and the center electrode is not deteriorated.例文帳に追加

ドライエッチングに依らずに垂直な断面を有するエッチングを可能とすると共に、中心電極を劣化させないＳｉＯ_2 バッファ層の形成方法を提供する。 - 特許庁

The method further comprises the steps of burying the metal plug in the port, then dry etching exposed surfaces of the fifth interlayer dielectric and the plug with an atmosphere containing a CF4 and executing etching back.例文帳に追加

接続口に金属プラグを埋め込んだ後、第５の層間絶縁膜と金属プラグの露出表面をＣＦ4ガスを含む雰囲気でドライエッチングを行い、エッチバックを実施する。 - 特許庁

To control the etching rate and to detect the end point in the formation of an optical element by transferring a three-dimensional shielding structure on a base material to a base material by dry etching.例文帳に追加

基材上に設けた３次元形状遮蔽構造物をドライエッチングにて基材に転写する光学素子形成において、エッチング速度制御と終点検出を行う。 - 特許庁

To provide a magnetic material dry etching method capable of precisely etching a very small area to be etched of a magnetic material of the area width of ≤ 150 nm.例文帳に追加

領域幅が例えば１５０ｎｍ以下の磁性材の微細なエッチング対象領域を精密にエッチングすることができる磁性材のドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Then, an etching process with a high frequency inert gas plasma of Ar, etc. is performed in the same processing apparatus for maintaining, for example, a vacuum state in this dry etching.例文帳に追加

次に、例えばこのドライエッチング工程における真空の状態が維持される同一処理装置内で、Ａｒ等の高周波不活性ガスプラズマによるエッチング処理を行う。 - 特許庁