「Dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a dry etching method superior in workability in the formation of high dielectric capacity, which forms a lower electrode where platinum is used in a recessed area, and to provide a capacity forming method using the dry etching method.例文帳に追加

凹部領域に白金を用いた下部電極を形成する高誘電体容量の形成において、加工性に優れたドライエッチング方法と、それを用いた容量形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive and simple measuring instrument for machining amounts having high accuracy in dry etching equipment and the dry etching equipment using the same and capable of controlling the machining amounts.例文帳に追加

ドライエッチング装置において高精度でありながら廉価で簡便な加工量の測定装置およびその場測定装置、およびこれを用いた加工量の制御が可能なドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method of a II-VI compound semiconductor crystal for dry-etching the II-VI compound semiconductor crystal such as a ZnTe crystal at room temperature while keeping a flat surface as it is.例文帳に追加

ＺｎＴｅ結晶などのII−VI族化合物半導体結晶を平坦な表面を保ったまま室温でドライエッチングできるII−VI族化合物半導体結晶のドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The system has a function of verifying the pattern line width with the dimensional specification; and if the line width fails the specification, the system has a function of automatically performing feedback and continuing the dry etching in the vacuum chamber for dry etching.例文帳に追加

パターン線幅を寸法規格と照合し、寸法規格に至らない際には、自動でフィードバックしてドライエッチング用真空チャンバー内でドライエッチングを継続して行う機能を備えたこと。 - 特許庁

Then, the low-level second metal film 30 is etched under second dry-etching conditions, having selection ratio with respect to the metal oxide of the main component metal, the selection ratio being higher than that under the first dry-etching conditions.例文帳に追加

そして、第１のドライエッチング条件の場合と比較して、主成分金属の金属酸化物に対する選択比が高い第２のドライエッチング条件により、下層の第２の金属膜３０をエッチングする。 - 特許庁

To provide a radical-supporting dry etching device capable of avoiding an electronic shadow effect and being constituted as a dry etching causing no damage without producing ions or electrons having high energy.例文帳に追加

電子陰影効果を避けることができ、高いエネルギを有したイオンあるいは電子を作ることなく、ダメージのないドライエッチングとして構成することができるラジカル支援ドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

Then, by using a gas containing halogen, first dry etching is executed for the surface 3a of the wafer 3, while applying first bias power to a chuck 24 for placing the wafer 3 (first dry etching step S9).例文帳に追加

次に、ハロゲンを含むガスを用いて、ウェハ３を載置するためのチャック２４に第１のバイアス電力を印加しながら、ウェハ３の表面３ａに第１のドライエッチングを施す（第１のドライエッチング工程Ｓ９）。 - 特許庁

A wafer 11 formed with the resist pattern 16 is charged in a dry etching apparatus, and an antireflection film 15 and a silicon nitride film 14 are dry etched with the pattern 16 used as an etching mask.例文帳に追加

レジストパターン１６が形成されたウエハ１１をドライエッチング装置に投入し、レジストパターン１６をエッチングマスクとして、反射防止膜１５及びシリコン窒化膜１４に対してドライエッチングを行なう。 - 特許庁

Then, the second dry etching DE2, where high frequency power is lower than that of the first dry etching DE1 and gas without containing the compound of carbon, hydrogen, or fluorine is used, is performed in the second region R2.例文帳に追加

その後、第１ドライエッチングＤＥ１よりも低い高周波パワーで、かつ、炭素、水素およびフッ素の化合物を含まないガスを用いた第２ドライエッチングＤＥ２を、第２領域Ｒ２に対して施す。 - 特許庁

To provide a dry etching residue remover that has superior removal effect of dry etching residue being generated in a process for manufacturing a device, and prevents metal contained in the device from corroding.例文帳に追加

本発明は、デバイスを製造する過程で発生するドライエッチング残渣の除去効果に優れ、デバイスに含まれる金属を腐食させる虞れのないドライエッチング残渣除去剤を提供することを課題とする。 - 特許庁

The system is equipped with a scanning electron microscope 30 for measuring a pattern line width in a vacuum chamber 20 for dry etching so as to carry out intermediate length measurement of a pattern line width while a dry-etched photomask substrate 10 is mounted in the vacuum chamber for dry etching.例文帳に追加

ドライエッチング用真空チャンバー２０にパターン線幅を測長する走査型電子顕微鏡３０を備え、ドライエッチングしたフォトマスク基板１０をドライエッチング用真空チャンバー内に載置した状態でパターン線幅を中間測長する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device that performs anisotropic dry-etching on an insulating film allowing for high selectivity with a photo-resist film and without causing an etching stop, the anisotropic dry-etching done when forming an upper contact with a large radius and a lower contact with a small radius.例文帳に追加

上部の径が大きく、下部の径が小さなコンタクトを形成する際に行う絶縁膜の異方性ドライエッチングを、フォトレジスト膜との選択性が高く且つエッチストップを生ずることなくエッチングする、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

First and second ridges 32 and 33 are formed in the first and second semiconductor lasers 19 and 29 by dry etching, using a resist 31 as a mask, and the dry etching is stopped when a second etching stopper layer 25 is exposed in a side part of the second ridge 33.例文帳に追加

レジスト３１をマスクとしたドライエッチングにより、第１，第２の半導体レーザ１９，２９に第１，第２のリッジ３２，３３を形成し、第２のリッジ３３の横の部分において第２のエッチングストッパ層２５が露出した時点でドライエッチングを停止する。 - 特許庁

The pattern forming method comprises a step for forming an etching mask 2 on the surface of a substrate 1 of a sintered body material and a step for dry-etching the material through the etching mask 2 as a mask, wherein the cross sectional area of the etching mask 2 is a trapezoid.例文帳に追加

焼結体素材の基板１の表面にエッチングマスク２を形成する工程と、前記エッチングマスク２をマスクとしてドライエッチングする工程を含むパターン形成方法において、前記エッチングマスク２の断面形状が台形をなす。 - 特許庁

To provide a dry etching method for preventing borderless etching by using new materials as an etching reducing film in the selective etching method of a silicon oxide film, and a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

シリコン酸化膜の選択エッチング方法において、エッチング抑制膜として新規な材料を用いることにより、ボーダレスなエッチングにならないドライエッチング方法及びこの方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The residual thickness T1 of a metal mask 2 of a metal mask groove M1 before the start of the dry etching is all dry-etched at a time t2 and reaches zero.例文帳に追加

時間ｔ２では、メタルマスク溝部Ｍ１のメタルマスク２がドライエッチング開始以前に備えていた残厚Ｔ１は全てドライエッチングされ、残厚がゼロになっている。 - 特許庁

MASK FORMING METHOD, FUNCTIONAL LAYER FOR MASK FORMATION, DRY ETCHING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING INFORMATION RECORDING MEDIUM例文帳に追加

マスク形成方法、マスク形成用機能層、ドライエッチング方法および情報記録媒体製造方法 - 特許庁

An injection-molded recess and protrusion pattern surface of a resin stamper is subjected to a dry etching process for surface treatment.例文帳に追加

射出成形された樹脂スタンパーの凹凸パターン面をドライエッチングプロセスに供し、表面処理を行う。 - 特許庁

To provide a rectifying wall for achieving uniform dry etching to the entire surface of a substrate.例文帳に追加

基板の全面について均一なドライエッチングを実現することのできる整流ウォールを提供する。 - 特許庁

ASHING METHOD, DRY ETCHING DEVICE, AND METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING ELECTRO-OPTICAL DEVICE例文帳に追加

アッシング方法、ドライエッチング装置、電気光学装置の製造方法および電気光学装置の製造装置 - 特許庁

To provide a dry etching gas which allows for patterning of a contact hole, or the like, having a high aspect ratio.例文帳に追加

高アスペクト比のコンタクトホールなどのパターンを形成することが可能となるドライエッチングガスを提供する。 - 特許庁

To provide a chip separation method and a conveyance method using characteristics of a chip separation method by dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングによるチップ分離法の特徴を生かしたチップ分離方法と搬送方法を提供する。 - 特許庁

With an oxidized upper layer resist pattern 61 used as a mask, a lower layer resist 2 is patterned by dry-etching.例文帳に追加

酸化された上層レジストパターン６１をマスクとして、ドライエッチングにより下層レジスト２をパターニングする。 - 特許庁

(a) A mask, i.e., a Ti film 44, being used for dry etching an ejection nozzle is formed on an orifice plate 37.例文帳に追加

(a) オリフィス板３７上に吐出ノズルをドライエッチングするときのマスクであるＴｉ膜４４を形成する。 - 特許庁

In one embodiment, the dies are separated using a technology of alternating dry-etching/polymer deposition.例文帳に追加

一実施形態において、ダイは、交互のドライ・エッチングおよびポリマー堆積技術を使用して分離される。 - 特許庁

Then the conductive film 2A is patterned by dry etching method to shape the conductive layer 2, as specified.例文帳に追加

次に、導電膜２Ａをドライエッチング法によりパターニングして所定の形状の導電層２を形成する。 - 特許庁

To provide a dry etching method in which a trench whose upper and lower portions are in different shapes can be formed.例文帳に追加

トレンチの上部と下部とで形状を変えたトレンチを形成できるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

PHOTOMASK BLANKS ADDED WITH HIGH DRY ETCHING RESISTANCE POLYMER LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING PHOTOMASK USING PHOTOMASK BLANKS例文帳に追加

高ドライエッチング耐性ポリマー層を付加したフォトマスクブランクスおよびそれを用いたフォトマスクの製造方法 - 特許庁

The p-type first clad layer 14A can be made uniform in thickness without affected by dry etching.例文帳に追加

ｐ型第１クラッド層１４Ａがドライエッチングによる影響を受けることなく、その層厚が均一になる。 - 特許庁

To provide a resin raw material of a resist composition excellent in sensitivity, resolution, dry etching resistance and line edge roughness.例文帳に追加

感度、解像度、ドライエッチング耐性、ラインエッジラフネスに優れるレジスト組成物の樹脂原料を提供する。 - 特許庁

In the optical waveguide 2, total reflection mirrors 5 and 6 formed by dry etching are provided.例文帳に追加

光導波路２中にはドライエッチングによって形成された全反射鏡５及び６が設けられる。 - 特許庁

A dry etching step is conducted until the layer 103 for forming a trapezoidal electrode 108 is exposed.例文帳に追加

そして、台座電極１０８形成のためｎ型層１０３が露出するまでドライエッチング工程を行う。 - 特許庁

The resist pattern is used as a mask for a dry etching method to transfer the figure onto a substrate material.例文帳に追加

このレジストパターンをマスクとしてドライエッチング法を用いることで、基板材料に形状転写する。 - 特許庁

DRY ETCHING DEVICE EXHAUST ELECTRODE AND PROCESS CHAMBER OF FETCHING DEVICE FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

乾式エッチング装置用排気エレクトロ—ド及び半導体装置製造用乾式エッチング装置の工程チャンバ— - 特許庁

A surface of poly-Si 2 is flattened by dry etching from the surface of a resist 3.例文帳に追加

レジスト３の表面からドライエッチングをおこなうことによりｐｏｌｙ−Ｓｉ２の表面を平坦化する。 - 特許庁

One or pluralities of lens parts 20 and 22 are formed on a lens substrate 16 by dry etching.例文帳に追加

レンズ基板１６には、２０，２２等の１又は複数のレンズ部をドライエッチング処理等により形成する。 - 特許庁

Then, dry-etching is carried out for the tantalum film 13 in this state, and a lower electrode 13b is formed.例文帳に追加

しかる後に、この状態でタンタル膜１３にドライエッチングを行い、下部電極１３ｂを形成する。 - 特許庁

MULTISTAGE LOCAL DRY ETCHING METHOD FOR CORRECTING THICKNESS SHAPE OR SURFACE SHAPE OF SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

半導体ウエハの厚さ形状もしくは表面形状を修正するための多段局所ドライエッチング方法 - 特許庁

To provide a dry etching method that has very small lateral roughness and brings about high perpendicular processing accuracy.例文帳に追加

側壁ラフネスが極めて小さく、かつ高い垂直加工精度が得られるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

As shown in figure (c), the dielectric protection layer 4 other than a masked part is etched by dry etching.例文帳に追加

次いで、（ｃ）に示すように、ドライエッチングにより、マスクされた部分以外の誘電体保護層４をエッチングする。 - 特許庁

(d) Ejection nozzles 39 are made in the orifice plate 37 by dry etching according to the openings 44-1.例文帳に追加

(d) その開口４４−１に従ってドライエッチングにてオリフィス板３７に吐出ノズル３９を穿設する。 - 特許庁

To suppress a size variation in a material film pattern formed on a semiconductor substrate by dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングにより半導体基板上に形成した材料膜パターンの寸法変動を抑制する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a color filter capable of suppressing the occurrence of support damage on dry etching.例文帳に追加

ドライエッチング処理時の支持体ダメージの発生を抑制可能なカラーフィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To form a mask which is thin and fine and has extremely high resolution and high heat resistance and dry etching resistance.例文帳に追加

薄く、かつ、細く、解像度が極めて高く、しかも耐熱性、耐ドライエッチング性の高いマスクを形成する。 - 特許庁

To provide a dry etching agent having less global environmental impact, and a required performance.例文帳に追加

地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング剤を提供する。 - 特許庁