「FLASH memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

In a development support system which performs product development of a user system using the MPU which carries a built-in flash memory, a cache memory corresponding to the memory space of the above built-in flash memory is connected to the emulation module of the above user system and the emulator, and this cache memory executes the function of the built-in flash memory by proxy, and the emulation is performed.例文帳に追加

内蔵フラッシュメモリを搭載したＭＰＵを用いたユーザシステムの製品開発を行なう開発支援システムにおいて、前記ユーザシステムと接続するエミュレータのエミュレーションモジュールには、前記内蔵フラッシュメモリのメモリ空間と対応したキャッシュメモリを接続し、このキャッシュメモリが内蔵フラッシュメモリの機能を代行して、エミュレーションを行なう。 - 特許庁

Consequently, the 2nd memory part 110 is used in the debugging, and after the debugging, the program is written to the flash memory part 100 to minimize the frequency of writing, thereby prolonging the life of the flash memory part 100.例文帳に追加

これにより、デバッグ中は第２メモリ部110を使用し、デバッグ完了後フラッシュメモリ部100へ書き込みを行うことにより、最小限の書き込み回数とすることができ、フラッシュメモリ部100を長寿命化できる。 - 特許庁

This purpose is achieved using a plurality of IC memory circuits each of which decodes a part of an address input signal and an output signal from a CAM circuit 15 provided in a flash memory 1 by a decoder 2 and outputs a chip selection signal to the flash memory 1.例文帳に追加

デコーダ２によって、アドレス入力信号の一部およびフラッシュメモリ１内のＣＡＭ回路１５からの出力信号をデコードして、フラッシュメモリ１にチップセレクト信号を出力する。 - 特許庁

To provide a flash memory device in which variation in threshold voltage of a flash memory cell can be prevented/minimized while performing a high speed program, its programming method, a memory system including it, and a computer system.例文帳に追加

高速プログラムを遂行しながらフラッシュメモリセルのしきい値電圧の変化を防止／最小化できるフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法、並びにそれを含むメモリシステム及びコンピュータシステムを提供する。 - 特許庁

A microcomputer 30 containing a flash memory includes: the CPU 1; the flash memory 2; the memory (RAM)3; an I/O 4; an address decoder 5; an instruction cycle detecting part 6; a counter 7; a register 8 and a comparator 9.例文帳に追加

フラッシュメモリ内蔵マイクロコンピュータ３０には、ＣＰＵ１、フラッシュメモリ２、メモリ（ＲＡＭ）３、Ｉ／Ｏ４、アドレスデコーダ５、命令サイクル検出部６、カウンタ７、レジスタ８、及び比較器９が設けられる。 - 特許庁

A storage control program stored in a flash memory 101 is executed by a CPU 102 so that board unique information stored in the flash memory 101 can be stored in a non-volatile memory 103 in the same way.例文帳に追加

フラッシュメモリ１０１に記憶された記憶制御プログラムをＣＰＵ１０２が実行することで同じくフラッシュメモリ１０１に記憶されたボード固有情報を不揮発性メモリに１０３に記憶する。 - 特許庁

To provide a method for forming a dielectric film of a flash memory element by which the reliability of an element is improved by increasing a coupling ratio of a flash memory and improving characteristics of a leakage current.例文帳に追加

フラッシュメモリのカップリング比を増加させ、漏洩電流特性を改善して素子の信頼性を改善し得るフラッシュメモリ素子の誘電体膜形成方法を開示する。 - 特許庁

In this way, reduction of reliability of the flash memory can be prevented effectively.例文帳に追加

これにより、フラッシュメモリの信頼性低下を効果的に防止することが可能となる。 - 特許庁

STORAGE METHOD USING FLASH MEMORY AND RECORDING MEDIUM RECORDING STORAGE CONTROL PROGRAM例文帳に追加

フラッシュメモリを用いる記憶方法及び記憶制御プログラムを記録した記録媒体 - 特許庁

Then, the flash memory is controlled by using the command set stored in the storage device in response to the instruction from a host system using the flash memory as a storage medium.例文帳に追加

そして、フラッシュメモリを記憶媒体として利用するホストシステムからの命令に応じて、前記記憶装置に保持されているコマンドセットを用いて前記フラッシュメモリを制御する。 - 特許庁

Data within the determined block are then temporarily saved in a flash memory (S13).例文帳に追加

そして、この決定したブロック内のデータをフラッシュメモリに一時的に退避する（Ｓ１３）。 - 特許庁

One or more flash memory modules 14, 14, ... are connected to a flash memory controller 12 for communicating with a host system through a serial interface 16 having only three signal lines.例文帳に追加

ホストシステムと通信するフラッシュメモリコントローラ１２に、１個以上のフラッシュメモリモジュール１４、１４、…が、たった３本の信号線をもつシリアルインタフェース１６を介して接続される。 - 特許庁

To provide a novel structure of a flash memory for enhancing the quality and integration of a prior art flash memory and to provide its fabricating method.例文帳に追加

本発明は、従来技術によるフラッシュメモリの品質及び集積度を改善するために新しいフラッシュメモリの構造及び製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To solve problems that the costs of a system are increased when a bootstrap program is stored in a NOR type flash memory in an information processor storing a main program in a NAND type flash memory.例文帳に追加

メインプログラムをＮＡＮＤ型フラッシュメモリに格納する情報処理装置において、ブートストラッププログラムをＮＯＲ型フラッシュメモリに格納すると、システムのコストが高くなる。 - 特許庁

After switching to an array reading mode of the flash memory is ended, the flash memory outputs an interruption signal to a processor through an interruption output terminal B.例文帳に追加

フラッシュメモリのアレイ読み出しモードへの切り替えが終了した後、このフラッシュメモリは、割り込み出力端子［Ｂ］を通じてプロセッサに割り込み信号を出力する。 - 特許庁

The segmentation calculating part updates the segmentation position data stored in a flash memory of the solid-state imaging apparatus, based on the inputted amount of displacement and overwrites it in the flash memory.例文帳に追加

切出演算部は、入力されたズレ量を基に、立体撮像装置のフラッシュメモリに記憶された切出位置データを更新し、それをフラッシュメモリに上書きする。 - 特許庁

To provide a flash memory device which can prevent program judgement errors of a flash memory cell and have distribution of uniform threshold voltage and to provide its program verifying method.例文帳に追加

フラッシュメモリセルのプログラム誤判定を防止し、均一のしきい値電圧の分布を有することができるフラッシュメモリ装置及びそのプログラム検証方法を提供する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING TRANSISTOR OF NAND FLASH MEMORY ELEMENT USING STEP STI PROFILE例文帳に追加

ステップＳＴＩプロファイルを用いたＮＡＮＤフラッシュメモリ素子のトランジスタ形成方法 - 特許庁

NAND TYPE FLASH MEMORY DEVICE COMPATIBLE WITH SEQUENTIAL ROM INTERFACE, AND CONTROLLER THEREFOR例文帳に追加

シーケンシャルＲＯＭインターフェース対応ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーデバイス及びそのコントローラ - 特許庁

FLASH MEMORY DEVICE THAT CAN IMPROVE PROGRAM PERFORMANCE AND ITS PROGRAMMING METHOD例文帳に追加

プログラム性能を向上させることができるフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法 - 特許庁

NAND-TYPE FLASH MEMORY DEVICE AND STARTING METHOD FOR COMPUTING SYSTEM USING IT例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリデバイス及びこれを利用したコンピューティングシステムの起動方法 - 特許庁

WALL OXIDE FILM FORMING METHOD AND ELEMENT ISOLATION FILM FORMING METHOD OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法及び素子分離膜形成方法 - 特許庁

To provide a positive charge pumping voltage switching circuit in which a write-in time characteristic of a flash memory can be improved, and a row decoder circuit of a flash memory using it.例文帳に追加

フラッシュ・メモリの書き込み時間(Write time)特性を改善し得るポジティブ・チャージ・ポンピング電圧スイッチング回路及びそれを用いたフラッシュ・メモリのローデコーダ回路を提供すること。 - 特許庁

To provide a multi-channel flash memory system using a plurality of flash memory chips and having an increased overall bandwidth, and a programming method therefor.例文帳に追加

複数個のフラッシュメモリチップを使用する多チャンネル（multi-channel）方式のフラッシュメモリシステムで、全体帯域幅を向上させるフラッシュメモリシステム及びそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁

The character ROM 195 is provided with a NAND type flash memory 195a, and the image data and all the program are stored in the NAND type flash memory 195a.例文帳に追加

キャラクタＲＯＭ１９５には、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１９５ａが設けられており、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１９５ａに画像データと全てのプログラムが記憶されている。 - 特許庁

Furthermore, the CPU specifies the flash memory being the installation destination of the differential package from the package information, and calculates an update processing time in installing the differential package in the flash memory.例文帳に追加

更にパッケージ情報から差分パッケージのインストール先となるフラッシュメモリを特定し、差分パッケージを該フラッシュメモリにインストールする際のアップデート処理時間を算出する。 - 特許庁

To provide a device for accessing a flash memory to obtain a dual-channel flash memory set that increases a transmission band width and obtains data backup capability.例文帳に追加

伝送帯域幅を増大させうるとともに、データのバックアップ能力を得ることができるデュアルチャネルフラッシュメモリセットを得るためのフラッシュメモリのアクセス装置を提供する。 - 特許庁

The NAND type flash memory 3 has the second erasure block size.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ３は、前記第２の消去ブロックサイズを有するメモリである。 - 特許庁

When the disk is not rotated and a flash memory 22 is not filled (38), data is destaged to the flash memory from the DRAM (40), and write request is satisfied using the DRAM (32).例文帳に追加

ディスクが回転していない場合で、フラッシュメモリ22が満杯でない場合(38)、DRAMからフラッシュメモリにデータをデステージし(40)、DRAMを使用して書き込み要求を満足させる(32)。 - 特許庁

In the flash memory control method, it is discriminated whether merge state information shows the merge state of the flash memory or not in response to input of a command.例文帳に追加

本発明のフラッシュメモリ制御方法によれば、命令が入力されるとき、マージ状態情報が前記フラッシュメモリのマージ状態を示すか否かが判別される。 - 特許庁

A data management table 1 is set for each data which are likely to be rewritten in a flash memory so that it is possible to stack the rewrite data in the flash memory per data kind.例文帳に追加

フラッシュメモリ上に書き換えの可能性のあるデータ毎にデータ管理テーブル１を設定することで、データ種別毎に再書き込みデータのフラッシュメモリへのスタックを可能とする。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for managing a flash memory, which can extend the life of flash memory.例文帳に追加

本発明はフラッシュメモリの管理方法及び装置に関し、フラッシュメモリの寿命を長くすることができるフラッシュメモリの管理方法及び装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

In the flash memory element, a gate dielectric film to be formed between the floating gate 12 of the flash memory element and the control gate 16 thereof is formed by laminating an oxide film and a ZrO_2film.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のフローティングゲート１２とコントロールゲート１６との間に形成されるゲート誘電膜を酸化膜とZrO_2膜を積層して形成することを特徴とする。 - 特許庁

When the image data are written to the internal flash memory, the image data are copied to the external medium after photography ends, and then the image data are deleted from the internal flash memory.例文帳に追加

内蔵フラッシュメモリに画像データを記録したときには、撮影終了後に画像データを外部メディアにコピーして内蔵フラッシュメモリから画像データを削除する。 - 特許庁

An address storage area 12 and a function storage area 13 are formed in the flash memory 5.例文帳に追加

フラッシュメモリ５にアドレス格納エリア１２と関数格納エリア１３を形成する。 - 特許庁

The fingerprint authenticating module (2) is formed by mounting the fingerprint sensor (1), an MPU, a flash memory, and an SDRAM on a small printed board, and incorporating authenticating software in the flash memory.例文帳に追加

指紋認証モジュール（２）は、小型プリント基板上に指紋センサ（１）、ＭＰＵ、フラッシュメモリ、ＳＤＲＡＭを実装し、フラッシュメモリ内に認証ソフトを組み込んで構成している。 - 特許庁

DEVICE FOR USING NAND FLASH MEMORY FOR SYSTEM DRIVING AND DATA STORAGE例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリをシステム駆動用及びデータ貯蔵用として使用する装置 - 特許庁

To rewrite a program of a boot program itself because operation is made with a flash memory rewriting control program on the boot program in rewriting a program on a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリ上のプログラムを書き換えるときにはブートプログラム上のフラッシュメモリ書き換え制御プログラムで動作するため、ブートプログラム自身のプログラムを書き換えることができる。 - 特許庁

A write-in circuit 14 writes the conversion error correction data S2 in the flash memory 3.例文帳に追加

書込回路１４は、その変換誤差補正データＳ２をフラッシュメモリ３に書き込む。 - 特許庁

The flash memory device comprises a program verifying voltage generating part variably generating program verifying voltage for confirming the propriety of programming of the flash memory cell.例文帳に追加

本発明のフラッシュメモリ装置は、フラッシュメモリセルのプログラム可否を確認するためのプログラム検証電圧を可変的に発生させるプログラム検証電圧発生部を含む。 - 特許庁

In case an error occurs while writing a current information data part into a page of a current one of the flash memory devices, the current information data part is written into a non-flash memory.例文帳に追加

現在の情報データ部分をフラッシュメモリデバイスの現在のものに書き込む間にエラーが生じた場合、現在の情報データ部分は非フラッシュメモリに書き込まれる。 - 特許庁

A multifunction machine (communication terminal device) comprises a flash memory, a control part, and a display part.例文帳に追加

複合機（通信端末装置）は、フラッシュメモリと、制御部と、表示部と、を備える。 - 特許庁

The electronic equipment is provided with an RS 232C interface for rewriting the flash memory of the microcomputer with built-in flash memory, and the RS232C terminal and the microcomputer are connected to each other.例文帳に追加

電子機器に、フラッシュメモリ内蔵マイコンのフラッシュメモリ書き換えのためのＲＳ２３２Ｃインタフェースを設け、そのＲＳ２３２Ｃ端子とフラッシュ内蔵マイコンを接続する。 - 特許庁

Data pages of the flash memory each stores data and the ECC corresponding to the data.例文帳に追加

フラッシュメモリのデータページ毎は、データ及び前記データに対応するＥＣＣを記憶する。 - 特許庁

FLASH MEMORY TEST SYSTEM SHORTENING TEST TIME, AND ELECTRIC TEST METHOD USING THAT例文帳に追加

検査時間を短縮するフラッシュメモリテスタ及びこれを利用した電気的検査方法 - 特許庁