「FLASH memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method and a device, capable of safely and surely rewriting a flash memory rewrite program (boot program) itself being stored in a flash memory, when it is rewritten.例文帳に追加

フラッシュメモリに格納したフラッシュメモリ書き換えプログラム（ブートプログラム）自身を書き換えるときに、安全・確実に書き換えることが可能な方法及び装置を提供する。 - 特許庁

DATA UPDATING METHOD OF FLASH MEMORY, ITS DATA UPDATING PROGRAM AND DATA WRITE-IN DEVICE例文帳に追加

フラッシュメモリのデータ更新方法、そのデータ更新プログラム、およびデータ書込み装置 - 特許庁

To provide a flash memory capable of copying data at a high speed.例文帳に追加

データを高速でコピーすることのできるフラッシュメモリを提供することを課題とする。 - 特許庁

Fail bit map information is examined in order of lower voltage applied to a flash memory.例文帳に追加

フェイルビットマップ情報をフラッシュメモリに印可した電圧が小さい順に調べる。 - 特許庁

To provide a fit-in type flash memory cell structure which reduces manufacturing cost by simultaneously manufacturing a flash memory cell structure and a CMOS device on a substrate, and simplifies a manufacturing process.例文帳に追加

基板上にフラッシュメモリセル構造とＣＭＯＳ装置を同時に製作して製造コストを下げ、製造工程を簡素化する嵌入式フラッシュメモリセル構造を提供する。 - 特許庁

To provide a CAM cell of flash memory element operating stably even at a low voltage.例文帳に追加

低電圧でも安定的に動作するフラッシュメモリ素子のＣＡＭセルを提供する。 - 特許庁

To provide a data managing method for stacking rewrite data in a flash memory per data kind, and reducing the number of times of data erasing on the flash memory.例文帳に追加

データ種別毎に再書き込みデータのフラッシュメモリへのスタックを可能とし、フラッシュメモリ上でのデータの消去回数を減少させるデータ管理方法を提供する。 - 特許庁

To make it unnecessary to add a circuit to a circuit board in the case of writing (erasing) the contents of a flash memory in a state that a microcomputer incorporating the flash memory is loaded on the circuit board.例文帳に追加

フラッシュメモリ内蔵マイクロコンピュータを回路基板に実装したままで、フラッシュメモリ内容を書込み(消去)する際の回路基板上の回路追加を不要とする。 - 特許庁

To provide a flash memory element and an erasing method of a flash memory cell using the same which allow the erasing of a cell block unit and a page unit to be performed.例文帳に追加

セルブロック単位の消去及びページ単位の消去を行うことが可能なフラッシュメモリ素子及びこれを用いたフラッシュメモリセルの消去方法を提供する。 - 特許庁

To improve disturbance resistance during writing in a flash memory with reduced voltage of Vcc.例文帳に追加

Ｖｃｃを低電圧化したフラッシュメモリで書き込み時のディスターブ耐性を改善する。 - 特許庁

Thus, the flash memory 32 can be efficiently used by plural microcomputers.例文帳に追加

これにより複数のマイクロコンピュータで、フラッシュメモリ３２を有効利用することができる。 - 特許庁

The handy scanner has a compact flash memory CF card slot 6 to mount a CF card.例文帳に追加

ハンディスキャナ装置は、ＣＦカードを装着するためのＣＦカードスロット６を有する。 - 特許庁

To provide an evaluation system of access frequency to a prescribed domain of a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリの所定領域に対するアクセス頻度の評価装置を提供する。 - 特許庁

To realize a flash memory management device capable of speeding up the access to a write management area provided within a flash memory while ensuring the validity of write frequency information.例文帳に追加

書き込み回数情報の正当性を確保すると共に、フラッシュメモリ内に設けた書き込み管理領域へのアクセスを高速化したフラッシュメモリ管理装置を実現する。 - 特許庁

Accordingly, the flash memory medium is organized as a continuous circle of addresses, whereby clear and write operations are handled in a continuous and repeating circular manner to achieve uniform wear leveling through the flash memory medium.例文帳に追加

したがって、クリアおよび書き込みオペレーションが、連続かつ反復する円形の方法で処理されて、一様なウェアレベリングがフラッシュメモリメディア中で達成される。 - 特許庁

In a step 110, the measurement start time and mode are recorded in a flash memory 55.例文帳に追加

ステッフ゜１１０では、測定開始時刻及びモードを、フラッシュメモリ５５に記録する。 - 特許庁

In a step 160, the measurement end time and mode are recorded in the flash memory 55.例文帳に追加

ステッフ゜１６０では、測定終了時刻及びモードを、フラッシュメモリ５５に記録する。 - 特許庁

Further, at least a first NAND flash memory cell is connected to the first bit line portion, and at least a second NAND flash memory cell is connected to the second bit line portion.例文帳に追加

少なくとも第一のＮＡＮＤフラッシュメモリセルは第一のビットライン部分に接続され、少なくとも第二のＮＡＮＤフラッシュメモリセルは第二のビットライン部分に接続される。 - 特許庁

When data for one page are recorded in a flash memory (FM1), and a writing stand-by state is obtained, data for the next page are immediately written in another flash memory (FM2).例文帳に追加

フラッシュメモリ（ＦＭ１）に１ページ分のデータを記録して書き込み待ち状態になったとき、直ちに別のフラッシュメモリ（ＦＭ２）に次の１ページ分のデータを書き込みにいく。 - 特許庁

To provide an improved method for correlation with a flash memory compatible electronic device.例文帳に追加

改良されたフラッシュメモリ互換性の電子デバイスと相関する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multi-bit flash memory device, a program thereof, and a read method.例文帳に追加

マルチビットフラッシュメモリ装置及びそれのプログラム及び読み出し方法を提供する。 - 特許庁

To reduce a storage capacity of a flash memory storing firmware for reducing a cost.例文帳に追加

ファームウェアが記憶されるフラッシュメモリの記憶容量を削減して、コストダウンを図る。 - 特許庁

A flash memory system 1 is removably attached to a host system 4 to write user data supplied from the host system 4 and corresponding additional data to the flash memory 2.例文帳に追加

フラッシュメモリシステム１は、ホストシステム４に着脱自在に取付けられ、ホストシステム４から供給されるユーザデータとそれに対応する付加データとをフラッシュメモリ２に書込む。 - 特許庁

When copying the data recorded in the flash memory 4 to a DVD, a management information switch 8 converts the logical address in the flash memory 4 into the logical address of DVD.例文帳に追加

フラッシュメモリ４に記録したデータをＤＶＤにコピーするときには、管理情報切換部８がフラッシュメモリ４での論理アドレスをＤＶＤの論理アドレスに変換する。 - 特許庁

FLASH MEMORY CAPABLE OF VARIABLY CONTROLLING PROGRAMMING VOLTAGE, AND METHOD OF PROGRAMMING THE SAME例文帳に追加

プログラム電圧を可変的に制御できるフラッシュメモリ装置及びそのプログラミング方法 - 特許庁

The flash memory controller also includes programmable wait state registers 138, and a password register 140 providing separate passwords for different portions of the flash memory array.例文帳に追加

フラッシュメモリコントローラは、また、プログラム可能な待機状態レジスタ１３８及びフラッシュメモリ列の異なる部分のための別々のパスワードを提供するパスワードレジスタ１４０を含む。 - 特許庁

The system 10 includes a first flash memory device 30a having a plurality of storage elements 12 for storing data, and a host 20 for accessing the first flash memory device 30a.例文帳に追加

システム１０は、データを記憶する複数の記憶エレメント１２を有する第一フラッシュメモリ装置３０ａと、第一フラッシュメモリ装置３０ａにアクセスするホスト２０とを含む。 - 特許庁

FLASH MEMORY CELL FOR EXECUTING CONTACTLESS CHANNEL WRITE/ERASURE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

コンタクトレス・チャネル書き込み／消去を実行するフラッシュメモリセル及びその製造方法 - 特許庁

The physical address space of a flash memory is divided into a plurality of local spaces.例文帳に追加

フラッシュメモリの物理アドレス空間は、複数の局所空間に分割されている。 - 特許庁

To provide a firmware transfer method by which firmware transfer processing is continued even when writing to a flash memory fails and another means to write firmware to an initial flash memory is unnecessitated.例文帳に追加

フラッシュメモリへの書き込みが失敗した場合でもファームウェアの転送処理を継続でき、初期のフラッシュメモリへのファームウェアの書き込みに別の手段を必要としない。 - 特許庁

FLASH MEMORY CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND PROGRAMMING, ERASING, AND READING METHODS THEREIN例文帳に追加

フラッシュメモリセルとその製造方法及びプログラム方法／消去方法／読出方法 - 特許庁

To solve the problem that a cost of a system is increased if a bootstrap program is stored in a NOR type flash memory in an information processor storing a main program in a NAND type flash memory.例文帳に追加

メインプログラムをＮＡＮＤ型フラッシュメモリに格納する情報処理装置において、ブートストラッププログラムをＮＯＲ型フラッシュメモリに格納すると、システムのコストが高くなる。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR PROGRAMMING AND STABILIZING MULTILEVEL CELL FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加

多重レベル・セル・フラッシュ・メモリ・デバイスをプログラムおよび安定化するための方法とデバイス - 特許庁

FLASH MEMORY DEVICE CAPABLE OF IMPROVING PROGRAM SPEED AND ITS PROGRAMMING METHOD例文帳に追加

プログラム速度を向上させることができるフラッシュメモリ装置及びそれのプログラム方法 - 特許庁

To obtain a highly reliable semiconductor memory device that prevents malfunction of writing to a memory cell unit, even when the semiconductor memory, such as a flash memory is microfabricated.例文帳に追加

フラッシュメモリ等の半導体記憶装置を微細化した場合においても、メモリセルユニットに対する書き込み誤動作を抑制し、高信頼性の半導体記憶装置を得る。 - 特許庁

By switching flash memories 4, 5 through the processing of the loader software, the content (data 7b) of the flash memory 5 in the instrument 2 is copied into the flash memory 4 of the set main body 1, while making the RAM 6 function as a temporary buffer.例文帳に追加

ローダーソフトの処理により、フラッシュメモリ４，５を切り替えながら、セット本体１のＲＡＭ６を一時バッファとして作用させ、治具２内のフラッシュメモリ５の内容（データ７ｂ）をセット本体１のフラッシュメモリ４にコピーする。 - 特許庁

To provide a flash memory device including a controller having one or more flash modules where a flash memory is mapped in an ASIC address space, or having an electric interface of USB definition and a logic interface of USB definition.例文帳に追加

フラッシュメモリがＡＳＩＣのアドレス空間にマッピングされた一つ以上のフラッシュモジュール、あるいはＵＳＢ定義の電気インタフェースとＵＳＢ定義の論理インタフェースとを持つ制御器を含むフラッシュメモリ装置を得る。 - 特許庁

To provide a memory controller, capable of avoiding concentration of defective blocks to a specific physical zone even for concentration of defective blocks to a specific area within a flash memory, and a flash memory system provided with the memory controller.例文帳に追加

フラッシュメモリ内の特定の領域に不良ブロックが集中したときでも特定の物理ゾーンに不良ブロックが集中することを回避できるメモリコントローラ、及び当該メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory cell in which a peripheral circuit is designed easily, a plane area occupied by a memory cell is reduced and memory density can be improved effectively in the flash memory cell in which double bit data are conserved and its operating method.例文帳に追加

ダブルビットデータを保存するフラッシュメモリセルであって、周辺回路の設計が容易で、記憶セルの占める平面面積を縮小して記憶密度を効果的に高めることができるフラッシュメモリセルとその操作方法を提供する。 - 特許庁

Also, a control circuit 12 has a pointer 17 designating an address of a memory cell, and performs processing in which it is decided whether data in the memory cell satisfies retrieving conditions or not in a flash memory device when data inside a flash memory device is retrieved.例文帳に追加

また、制御回路１２はメモリセルのアドレスを指定するポインタ１７を有し、フラッシュメモリ装置内部のデータの検索に際しメモリセル内のデータが検索條件を満すかどうかを判断する処理をフラッシュメモリ装置内で実行する。 - 特許庁

An external memory cell mounted with a flash memory is connected to a receiver 3 via an external memory interface 45 comprising a connector and an interface circuit.例文帳に追加

フラッシュメモリが搭載された外部メモリ素子１００がコネクタとインターフェース回路とからなる外部メモリインターフェース４５を通じて接続される。 - 特許庁

The flash memory has a main memory area storing user data and a spare memory area storing additional information necessary for transmission of the user data.例文帳に追加

フラッシュメモリは、ユーザデータを保存するメインメモリ領域及びユーザデータの伝送に必要な付加情報を保存するスペアメモリ領域を備える。 - 特許庁

To provide a charge trap flash memory cell with multi-doped layers in an active region, a memory array using the memory cell and an operating method of the same.例文帳に追加

アクティブ領域に複数層のドーピング層を有する電荷トラップフラッシュメモリセルとこれを利用したメモリアレイ及びその動作方法の提供。 - 特許庁

To provide a programming method of a flash memory device including at least one memory block having memory cells in which word lines and bit lines are arranged.例文帳に追加

ワードラインとビットラインで配列されたメモリセルを有する少なくとも一つのメモリブロックを含むフラッシュメモリ装置のプログラム方法を提供する。 - 特許庁

The flash memory control part 140 reads the data for the portion of management unit from the nonvolatile memory 150, and writes the data in a memory 130 for mount processing.例文帳に追加

フラッシュメモリ制御部１４０は、管理単位分のデータを不揮発性メモリ１５０から読み出してマウント処理用メモリ１３０に書き込む。 - 特許庁