「FLASH memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

That is, in a series of rewriting sequence in the flash memory 1, output operation of existing data for page buffers 5, 6 of the flash memory 1 can be inhibited, and a write-in time can be largely reduced.例文帳に追加

即ち、フラッシュメモリ１における一連の書き換えシーケンスの中で、フラッシュメモリ１のページバッファ５、６に対する既存データの出力動作を禁止でき、書き込み時間を短縮できる。 - 特許庁

The data of the number of writing times recorded in the flash memory 21 is periodically referred to, and when the number of times for writing data in the flash memory 21 exceeds a threshold, an alarm is output.例文帳に追加

フラッシュメモリ２１に記録されている書込み回数データが定期的に参照され、フラッシュメモリ２１へのデータ書込み回数が閾値を超えていた場合には、アラームが出力される。 - 特許庁

The decryption part 13 of the microcomputer 1A decrypts the encrypted data read from the flash memory 11 by using the encryption key read from the flash memory 11 as a decryption key.例文帳に追加

マイクロコンピュータ１Ａの復号部１３は、フラッシュメモリ１１から読み出した暗号化されたデータを、フラッシュメモリ１１から読み出した暗号鍵を復号鍵として用いて、復号する。 - 特許庁

A list of images stored in the flash memory card 3 is displayed on a monitor 12 and an image selected by the user is copied from the flash memory card 3 to a digital image card 4.例文帳に追加

モニタ１２には、フラッシュメモリカード３に格納されている画像の一覧が表示され、ユーザによって選択された画像が、フラッシュメモリカード３からデジタル画像カード４にコピーされる。 - 特許庁

The flash memory device comprises plural local word lines, plural bit lines, and a memory cell array provided with plural flash EEPROM cells arranged in areas where the local word lines cross the bit lines.例文帳に追加

複数のロ−カルワ−ドライン、複数のビットライン及びロ−カルワ−ドラインとビットラインとの交差領域に配列された複数のフラッシュＥＥＰＲＯＭセルを備えたメモリセルアレイを含む。 - 特許庁

To restore a program to an original state, and to easily and surely rewrite the program of a flash memory, even if a rewrite of the program stored in the flash memory finishes in an incomplete state.例文帳に追加

フラッシュメモリに格納されたプログラムの書き換えが不完全な状態で終了しても元の状態に復旧でき、フラッシュメモリのプログラムの書き換えを容易かつ確実に行えること。 - 特許庁

To provide a single layer polysilicon flash memory operating with a low voltage in which interference is supressed while lowering power consumption, and to provide the structure of a flash memory and an array structure.例文帳に追加

本発明は、低消費電力であり、干渉が少なく、低電圧で使われる単層多結晶シリコンフラッシュメモリ、フラッシュメモリセルの構造及びアレイ構造を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a hardware configuration and a method of handling data that, when an auxiliary storage apparatus is achieved using a flash memory, compensates for a drawback of the flash memory, that the number of times of erasure is limited.例文帳に追加

フラッシュメモリを用いて補助記憶装置を実現する際に、フラッシュメモリの欠点である消去回数の制限を補うハード構成とデータの扱い方に関する発明である。 - 特許庁

To provide a remapping control method for flash memory and a structure for flash memory therefor, with which the states of a block and a unit can be recorded and processed while minimizing the number of times of partial recording.例文帳に追加

部分記録回数を最小化しつつ、ブロック及びユニットの状態を記録かつ処理できるフラッシュメモリの再写像制御方法及びこれによるフラッシュメモリの構造を提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory which has a superior reading-out current characteristic even when the memory is micromachined and the memory is highly integrated and can cope with multi-valuing and a method for manufacturing the memory.例文帳に追加

本発明は、微細化・高集積化した場合であっても、読み出し電流特性に優れ、多値化にも対応しうるフラッシュメモリ、およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a flash memory having high data reliability even when the memory is micromachined and the memory is highly integrated and a method by which the memory can be manufactured with high productivity.例文帳に追加

本発明は、微細化・高集積化した場合であってもデータの信頼性が高いフラッシュメモリおよびそれを生産性よく製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method and a device, which use a phase change memory available as a replacement of a NAND flash memory connected to a buffer, such as a static random access memory and/or a random access memory.例文帳に追加

相変化メモリは、例えば、スタティックランダムアクセスメモリ及び／又はランダムアクセスメモリのようなバッファと結合したＮＡＮＤフラッシュメモリを置き換えるために用いられることが可能である。 - 特許庁

Relieving information consists of a memory identifier indicating that relieving information is any one out of the flash memory 2, the memory blocks 3_1-3_n and relieving data indicating that which memory bit is replaced by a redundant bit.例文帳に追加

救済情報は、フラッシュメモリ２、メモリブロック３_1 〜３_n のうち、いずれのものであるかを示すメモリ識別子とどのメモリビットを冗長ビットと置き換えるかを示す救済データとからなる。 - 特許庁

When plural memory cells in a memory cell array 1 are successively selected and write-in of data is performed in a NOR type flash memory, plural memory cells are divided into a first group and a second group.例文帳に追加

ＮＯＲ型フラッシュメモリにおいて、メモリセルアレイ１内の複数のメモリセルを順次選択してデータの書き込みを行う際、複数のメモリセルを第１のグループと第２のグループに分ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device for easily using a multi-valued NAND flash memory(non-volatile memory in which a plurality of data can be recorded in one memory cell).例文帳に追加

容易に多値ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（１つのメモリセルに複数のデータを記録することが可能な不揮発性メモリ）を使用することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

When the flash address matches with a misaddress in the middle of cache mis-request processing, the cache memory is invalidated and a flash flag 130 is set.例文帳に追加

また、フラッシュアドレスがキャッシュミスリクエスト処理中のミスアドレスに一致した場合にはキャッシュメモリを無効化するとともに、フラッシュフラグ１３０をセットする。 - 特許庁

In the flash memory data storage apparatus, a multistage flash input buffer unit is incorporated in which data bus width is gradually extended and the period of a control clock is gradually made longer.例文帳に追加

データバス幅が漸次増加し、制御する制御クロックの周期が漸次増加する多段階のフラッシュ入力バッファ部を内蔵する。 - 特許庁

To improve the pitch of a nonvolatile memory device by reducing the number of lines for each cell, in a NAND flash memory structure.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリ構造において、各セルについてライン数を削減して、不揮発性メモリデバイスのピッチを改善すること。 - 特許庁

A flash memory (1) has a plurality of nonvolatile memory cells (2) where electrical writing and erasing are possible and a control circuit (5).例文帳に追加

フラッシュメモリ（１）は、電気的に書込み及び消去が可能にされる複数の不揮発性メモリセル（２）と、制御回路（５）とを有する。 - 特許庁

To solve the problem that it is not possible to specify which memory causes an error in developing the program of a flash memory to an RAM for use.例文帳に追加

フラッシュメモリのプログラムをＲＡＭに展開して使用する場合、エラーの原因がいずれのメモリにあるのか特定できない。 - 特許庁

After the whole table area is completely erased, data erased from the table area is saved again to the flash memory from a cache memory.例文帳に追加

テーブル域の全域の消去が完了した後、テーブル域から消去されたデータをキャッシュメモリからフラッシュメモリへ再退避する。 - 特許庁

The flash memory device has a recording unit of specific data size, and writes user data in a memory region for each recording unit.例文帳に追加

フラッシュ・メモリ装置は、特定データ・サイズの記録単位を有しており、その記録単位毎にメモリ領域にユーザ・データを書き込む。 - 特許庁

To utilize a nonvolatile semiconductor memory such as a flash memory as a storage unit of an electronic apparatus.例文帳に追加

電子機器では、フラッシュメモリなどの不揮発性半導体メモリを電子機器の記憶部として実用可能にすることが求められている。 - 特許庁

To provide a memory device which can perform data transfer at high speed between a NAND type flash memory and a RAM.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリとＲＡＭとの間で高速にデータ転送を行うことができるメモリ装置を提供すること。 - 特許庁

The held data is read by the flash memory controller 3, and inputted to an ECC block 11 within the memory controller 3.例文帳に追加

保持されたデータは、フラッシュメモリコントローラ３によって読み出され、フラッシュメモリコントローラ３内のＥＣＣブロック１１に入力される。 - 特許庁

To provide a memory device capable of performing data transfer at a high speed between an NAND type flash memory and a RAM.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリとＲＡＭとの間で高速にデータ転送を行うことができるメモリ装置を提供すること。 - 特許庁

In this microcomputer, a CPU, an I/O port, the flash memory and a random access memory are constituted in a single semiconductor chip.例文帳に追加

本発明のマイクロコンピュータは、ＣＰＵとＩ／Ｏポートとフラッシュメモリとランダムアクセスメモリとを単一の半導体チップに構成される。 - 特許庁

To provide a memory system for securing fixed latency for data write-in processing from a host device to a flash memory.例文帳に追加

ホスト装置からフラッシュメモリへのデータ書き込み処理に対して一定のレイテンシを保証することが可能なメモリシステムを提供する。 - 特許庁

A volatile memory SDRAM has a volatile additional area E2 to store an error correction code for a nonvolatile memory FLASH.例文帳に追加

揮発性メモリＳＤＲＡＭは、不揮発性メモリＦＬＡＳＨ用のエラー訂正コードを記憶する揮発付加領域Ｅ２を有する。 - 特許庁

To improve the pitch of a nonvolatile memory device by reducing the number of lines of each cell in a NAND flash memory structure.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリ構造において、各セルについてのライン数を削減して、不揮発性メモリデバイスのピッチを改善すること。 - 特許庁

To provide a memory controller which can execute scramble to data without restricting copy between pages of a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリのページ間のコピーに制限を生じさせることなく、データに対するスクランブルを実行可能なメモリコントローラを提供する。 - 特許庁

A memory cell region of a NAND flash memory is formed isolated from an active region 3 in a silicon substrate 1 by an STI 2.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリのメモリセル領域は、シリコン基板１がＳＴＩ２により活性領域３に分離形成されている。 - 特許庁

To prohibit over-write-in and over-erasure of data with a bit unit in testing a function of a memory device such as a flash memory or the like.例文帳に追加

フラッシュメモリ等のメモリデバイスの機能試験に際し、ビット単位でデータの過剰書込み及び過剰消去を禁止する。 - 特許庁

To make fast the transfer of data between a buffer and a flash memory by inputting and outputting data to and from a memory module at higher speed.例文帳に追加

メモリモジュールに対するデータの入出力を高速化し、バッファとフラッシュメモリとの間のデータの転送を高速化する。 - 特許庁

To highly integrate a nonvolatile semiconductor memory device having a large number of flash memory cells without decelerating an operating speed.例文帳に追加

多数のフラッシュメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置の高集積化を動作速度の低下を招くことなく実現する。 - 特許庁

To provide a memory controller capable of effectively preventing reduction in reliability of a flash memory due to accumulation of illicit mapping blocks.例文帳に追加

不正マッピングブロックの蓄積によるフラッシュメモリの信頼性低下を効果的に防止することが可能なメモリコントローラを提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element for preventing drain disturbance and the over-erase of an NOR type flash memory, and to provide its operation method.例文帳に追加

ＮＯＲ型フラッシュメモリのドレイン外乱と過消去を防止する不揮発性メモリ素子及びその動作方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory system provided with a flash memory in which the reduction of a read margin caused by high-temperature stress can be compensated.例文帳に追加

高温ストレスによる読み出しマージンの減少を補償することができるフラッシュメモリを具備したメモリシステムを提供する。 - 特許庁

This sewing machine control device controls the operation of the sewing machine according to a content of a control memory SW (switch) group stored in a flash memory.例文帳に追加

ミシン制御装置では、フラッシュメモリに記憶された制御用メモリＳＷ群の内容に従ってミシンの動作を制御する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor memory element capable of stably maintaining the threshold voltage of a flash memory element.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のしきい値電圧を安定的に維持することを可能にした半導体メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

At the time of writing data to the memory card, a pattern addition part 10 generates and adds an additive pattern to writing data to store the data in a flash memory.例文帳に追加

メモリカードの書き込み時に、パターン付加部１０が付加パターンを生成して書き込みデータに付加し、フラッシュメモリに格納する。 - 特許庁

The memory controller 20 includes a refresh controller 26 for executing the rewrite of data retained by the NAND flash memory 10.例文帳に追加

メモリコントローラ２０は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０が保持するデータの再書込みを実行するリフレッシュコントローラ２６を備える。 - 特許庁

To provide a memory controller and a flash memory system in which dummy data to be added is minimized in encoding data with Reed-Solomon codes.例文帳に追加

データをリードソロモン符号で符号化するにあたり、付加するダミーデータの少ないメモリコントローラおよびフラッシュメモリシステムを提供する。 - 特許庁

For the data flash memory cell, on the other hand, memory gate electrodes 22b, 22c are formed on sidewalls at both sides of the control gate electrode 14b.例文帳に追加

一方、データフラッシュメモリセルでは、コントロールゲート電極１４ｂの両側の側壁にメモリゲート電極２２ｂ、２２ｃを形成する。 - 特許庁

Flash memory devices include at least one flash memory array and an address comparison circuit that is configured to indicate whether an applied row address associated with a first operation (that is. program, erase) is within or outside the unlock area of at least the one flash memory array.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置は、一つ以上のフラッシュメモリアレイ及び第１動作(すなわち、プログラム、消去)と関連付けて供給される供給アドレスが一つ以上のフラッシュメモリアレイの解除領域の内部にあるか外部にあるかを指示するように構成されたアドレス比較回路を含む。 - 特許庁