FLASH memoryの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4423件
Examples of operating modes may include (1) reading or writing to a flash memory when connected to an external power source, (2) reading from the flash memory when powered by a portable power source (e.g., battery), and (3) writing to the flash memory when powered by a portable power supply.例文帳に追加
動作モードの例としては、(1)外部電源に接続されたときにフラッシュメモリの読出しまたは書込みを行うもの、(2)携帯型電源(例えば、バッテリ)から給電されたときにフラッシュメモリの読出しを行うもの、および(3)携帯型電源から給電されたときにフラッシュメモリへの書込みを行うものを挙げることができる。 - 特許庁
When data is stored in the NAND flash memory 11, the data is stored by using each page in order.例文帳に追加
NAND型フラッシュメモリ11にデータを保存する際、各ページを順番に使用してデータを保存する。 - 特許庁
The flash memory includes a farm data area storing farm data that is a control program for the card controller.例文帳に追加
フラッシュメモリは、カードコントローラのための制御プログラムであるファームデータを格納するファームデータ領域を有する。 - 特許庁
To provide a method for producing flash memory device, with which the coupling ratio of a gate electrode can be improved.例文帳に追加
ゲート電極のカップリング比を高くすることができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a flash memory element for preventing an occurrence of a residue of a gate etching.例文帳に追加
ゲートエッチングの残余物の発生を防止するためのフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
In addition, data can be shared by only mounting the flash memory 13 in which data are recorded to the other expansion card.例文帳に追加
又、データを記録したフラッシュメモリ13を、他の拡張カードに装着するだけでデータを共用できる。 - 特許庁
To provide a NAND type flash memory apparatus that has a shared string/ground selection line structure.例文帳に追加
共有されたストリング/グラウンド選択ライン構造を有するNAND型フラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁
To provide a NAND-type flash memory allowing reduction of the time required for writing and verification.例文帳に追加
書き込みとベリファイに要する時間を短縮することが可能なNAND型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁
To shorten the time required to update data written in a NOR flash memory.例文帳に追加
NOR型フラッシュメモリに書き込まれているデータの更新にかかる時間を短縮することができるようにする。 - 特許庁
Performance control boards 30 and 30z have a NAND type flash memory 340 as a character ROM.例文帳に追加
演出制御基板30,30zは、キャラクタROMとしてNAND型フラッシュメモリ340を備えている。 - 特許庁
On a monitor 12, the list information stored in the flash memory 5 can be displayed in a list.例文帳に追加
モニタ12には、フラッシュメモリ5に記憶されているリスト情報を一覧で表示させることができる。 - 特許庁
The digital camera transmits the image data in a flash memory to the printer, and the printer performs printing, based on the image data.例文帳に追加
デジタルカメラはフラッシュメモリ内の画像データをプリンタへ送信し、プリンタは画像データを基に印刷を行う。 - 特許庁
Only at the time of executing the starting program (system boot), the multivalue NAND flash memory 3 is used in the same manner as a binary NAND flash memory, whereby a small-scale 1-bit error correction circuit 4 used in binary NAND flash memory access can be used as the error correction circuit, and the circuit scale can be reduced.例文帳に追加
起動プログラム実行時(システム起動時)のみ、多値NANDフラッシュメモリ3を2値NANDフラッシュメモリと同等の使い方にすることで、エラー訂正回路として2値NANDフラッシュメモリアクセス時に用いる小規模な1ビットエラー訂正回路4を使用することが可能となり、回路規模を削減することが可能になる。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a flash memory element capable of raising a quality of a tunnel oxide film.例文帳に追加
トンネル酸化膜のクォリティーを向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
The flash memory part 100 includes a data block 130, a spare block 110 and a management block 120.例文帳に追加
前記フラッシュメモリ部100はデータブロック130、予備ブロック110、および管理ブロック120を含む。 - 特許庁
An address A1 from the multiplexer 13 is impressed to a present address latch 19 for a flash memory bank 21.例文帳に追加
マルチプレクサ13からのアドレスA1は、フラッシュメモリ・バンク21用の現在アドレスラッチ19に印加される。 - 特許庁
The mode setting signal Smod is set to H-level in a mode other than the flash memory writing mode.例文帳に追加
また、フラッシュメモリ書込みモード以外のときには、モード設定信号SmodをHレベルに設定する。 - 特許庁
To provide a NAND type flash memory apparatus having a page buffer which can verify prior erasing.例文帳に追加
事前消去を検証することが可能なページバッファを有するNAND型フラッシュメモリ装置の提供。 - 特許庁
To provide a system, method, and apparatus for multiplexing a parallel bus interface with a flash memory interface.例文帳に追加
広く1つのフラッシュメモリインターフェースで1つのパラレルバスインターフェースを多重化するシステム、方法、および装置。 - 特許庁
The original image data are written to the flash memory 18 through DCT transformation, quantization processing and encoding processing.例文帳に追加
元画像データは、DCT変換、量子化処理、符号化処理を経て、フラッシュメモリ18に書き込まれる。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing flash memory elements which prevents a polysilicon film from residing at gate etching.例文帳に追加
ゲートエッチングの際にポリシリコン膜の残留を防止するためのフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
A flash memory 5 registers the main storage 2 and hard disk 9 together with the serial numbers 21 and 91.例文帳に追加
フラッシュメモリ5は、主記憶2及びハードディスク9をそのシリアル番号21、91と共に登録する。 - 特許庁
The flash memory 7 is provided with the buffer 11 consisting of a main buffer area 12 and a standby buffer area 13.例文帳に追加
フラッシュメモリ7に主バッファ領域12と予備バッファ領域13から成るバッファ11を設ける。 - 特許庁
The controller 4 executes the access to the NAND type flash memory 3 by use of the second address.例文帳に追加
コントローラ4は、前記第2のアドレスを用いてNAND型フラッシュメモリ3に対するアクセスを実行する。 - 特許庁
To improve the reliability in a semiconductor device including a flash memory having an auxiliary gate electrode structure.例文帳に追加
補助ゲート電極構成を持つフラッシュメモリを有する半導体装置の信頼性を向上させる。 - 特許庁
SYSTEM, METHOD, AND COMPUTER PROGRAM FOR PROBABILISTIC MULTILAYER ERROR CORRECTION OF NAND FLASH MEMORY例文帳に追加
NANDフラッシュ・メモリにおける確率論的多層エラー訂正のためのシステム、方法、およびコンピュータ・プログラム - 特許庁
For example, a test of the flash memory chip 3 is performed during a data holding period of a hold-test of the SRAM chip 2.例文帳に追加
たとえばSRAMチップ2のホールドテストのデータ保持期間内にフラッシュメモリチップ3のテストを行なう。 - 特許庁
Unit information of the unit to permit connection is stored as a connection permissible unit list in a flash memory 3.例文帳に追加
接続を許可するユニットのユニット情報を接続許可ユニットリストとしてフラッシュメモリ3に保持している。 - 特許庁
FLASH MEMORY DEVICE FOR REDUCING ERROR OCCURRENCE RATIO IN PROGRAM OPERATION AND METHOD OF CONTROLLING PROGRAM OPERATION THEREOF例文帳に追加
プログラム動作時のエラー発生比率を減少させるフラッシュメモリ装置およびそのプログラム動作制御方法 - 特許庁
A flash memory 20 stores in advance standard photographing conditions set at factory shipment.例文帳に追加
フラッシュメモリ20には工場出荷時に設定される標準の撮影条件が予め記録されている。 - 特許庁
The CPU 10 temporarily stores recording data relating to the write operation into a flash memory 10.例文帳に追加
CPU10は、当該ライト動作に関係する記録データをフラッシュメモリ110に一時的に記憶する。 - 特許庁
In a first mode (automatic answering telephone), digitally encoded voice data are recorded in a flash memory 14.例文帳に追加
第1のモード(留守番電話)においては、デジタル符号化された音声データは、フラッシュメモリ14に記録する。 - 特許庁
To provide an NAND-type flash memory device having shared string/ground selection line structure.例文帳に追加
共有されたストリング/グラウンド選択ライン構造を有するNAND型フラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁
To provide a flash memory device capable of improving a program speed and its programming method.例文帳に追加
プログラム速度を向上させることができるフラッシュメモリ装置及びそれのプログラム方法を提供する。 - 特許庁
In this implementation configurations, a power source 8 supplies a voltage V to a controller 3, a flash memory 7 and a charging circuit 5 of the memory drive device 2.例文帳に追加
尚、本実施形態では、電源8がメモリドライブ装置2のコントローラ3、フラッシュメモリ7、及び充電回路5に電圧Vを供給している。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of writing a product program into flash memory from external memory, without increasing capacity of boot ROM.例文帳に追加
ブートROMの容量を増やすことなく、製品プログラムを外部メモリからフラッシュメモリに書き込むことが可能な半導体装置を提供すること。 - 特許庁
A high-k dielectric layer can be patterned to allow the formation of a non-memory transistor together with a process of forming the flash memory cell.例文帳に追加
high−k誘電体層は、フラッシュメモリセルを形成するプロセスとともに、非メモリトランジスタの形成を可能にするようにパターニングされ得る。 - 特許庁
To sufficiently achieve both various characteristics of a memory cell transistor and a cut off characteristic of a select gate transistor in a NAND type flash memory.例文帳に追加
NAND型フラッシュメモリにおけるメモリセルトランジスタの様々な特性と選択ゲートトランジスタのカットオフ特性とを共に良好に実現する。 - 特許庁
To substantially increase a data write cyclability per sector of a non-volatile memory represented by a flash memory or the like to extend a service life.例文帳に追加
フラッシュメモリ等に代表される不揮発性メモリのセクタ当たりのデータ書換え可能回数を実質的に増加し、寿命を延ばすようにする。 - 特許庁
To reduce the erroneous writing to a memory cell MC0 caused by an excessive boost voltage of a channel in a NAND type flash memory.例文帳に追加
本発明は、NAND型フラッシュメモリにおいて、チャネルのブースト電圧過多によるメモリセルMC0の誤書き込みを低減できるようにする。 - 特許庁
To make a flash memory, etc., of multiple bit configuration a basic element and to reduce test cost of a memory card performing an input-output operation of data in one-bit unit.例文帳に追加
多ビット構成のフラッシュメモリ等を基本素子とし、1ビット単位でデータの入出力動作を行うメモリカードの試験コストを低減する。 - 特許庁
To provide a high-density flash memory matrix comprising a memory cell capable of storing many bits, the number of which is far larger than two.例文帳に追加
その数が2を遙かに超える多数のビットを格納する能力のあるメモリ・セルを備える高密度のフラッシュ・メモリ・マトリクスの開示を提供する。 - 特許庁
In a flash memory, a trench 1a in a memory cell region 3 has a large aspect ratio and a trench 2b in a peripheral circuit region 4 has a small aspect ratio.例文帳に追加
フラッシュメモリにおいて、メモリセル領域3のトレンチ1aは、アスペクト比が高く、周辺回路領域4のトレンチ2bはアスペクト比が低い。 - 特許庁
A memory controller 1 controls access to a flash memory 2 and a nonvolatile RAM 3 on the basis of a logical address applied from a host system 4.例文帳に追加
メモリコントローラ1は、ホストシステム4から与えられる論理アドレスに基づいて、フラッシュメモリ2と不揮発性RAM3とに対するアクセスを制御する。 - 特許庁
To provide a memory system for validly using relaxation effects, and for constructing a highly reliable system in case of using a flash memory.例文帳に追加
フラッシュメモリを用いる場合に、リラクゼーション効果を有効利用でき、信頼性の高いシステムを構築することが可能となるメモリシステムを提供する。 - 特許庁
To provide a memory controller capable of easily acquiring an access state to a flash memory, and easily suspending the access operation.例文帳に追加
フラッシュメモリに対するアクセス状況を容易に把握できると共に、アクセス動作を容易に中止させることができるメモリコントローラを提供する。 - 特許庁
After the post-processing test of the flash memory 1 is performed, these stored data are read by each memory 30 while using the pattern data as the address data.例文帳に追加
フラッシュメモリ1の後工程試験を行った後に、各メモリ30は、パターンデータをアドレスデータとして用いて、記憶したこれらのデータを読み出す。 - 特許庁
A data storage device comprises a memory module having a flash memory chip in which a prescribed page size is set as an access unit, and a controller.例文帳に追加
実施形態によれば、データ記憶装置は、所定のページサイズをアクセス単位とするフラッシュメモリチップを有するメモリモジュールと、コントローラとを具備する。 - 特許庁
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