「Ga - Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The coating elements are one or more elements selected from Mg, Al, Co, K, Na, Ca, Si, Ti, Sn, V, Ge, Ga, B, As and Zr.例文帳に追加

コーティング元素は、Ｍｇ，Ａｌ，Ｃｏ，Ｋ，Ｎａ，Ｃａ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｖ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｂ，Ａｓ，Ｚｒから選択される一つ以上の元素である。 - 特許庁

To efficiently separate one or more of Ga, Ge and In from a material containing one or more of Ga, Ge and In as solid material by a simple process.例文帳に追加

Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を固形物として含有するものからＧａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を単純な工程で効率よく分離することを可能にする。 - 特許庁

The solder may further comprise at least one oxidation-inhibiting element selected from the group consisting of P, Ge, and Ga in a total amount of 0.001 to 0.5 mass%, and/or Ag in an amount of 0.005 to 2 mass% as a wettability improving element.例文帳に追加

はんだ合金は、さらに、P 、Ge、Gaのような酸化抑制元素を 0.001〜0.5 質量％、および／またはAgのような濡れ性改善元素を 0.005〜２質量％の量で含有してもよい。 - 特許庁

The Mg-based ferrite material includes Li, Na, K, Pb, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, or their combinations, wherein the saturation magnetization is 30 to 80 emu/g and the dielectric breakdown voltage is 1.5 to 5.0 kV.例文帳に追加

本発明のMg系フェライト材料は、Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, またはそれらの組み合わせを含み、飽和磁化が30〜80emu/gであり、絶縁破壊電圧が1.5〜5.0 kVである。 - 特許庁

In a process where a leach liquor is added to the the material containing one or more of Ga, Ge and In, and one or more of Ga, Ge and In are leached and separated, a sulfurizing agent is added to the leach liquor, thus one or more of Ga, Ge and In are efficiently leached and separated from the material containing one or more of Ga, Ge and In.例文帳に追加

Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を含有するものに浸出液を加えてＧａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を浸出して分離する過程において、この浸出液に硫化剤を添加することによって、前記Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を含有するものからＧａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を効率よく浸出して分離する。 - 特許庁

The plurality of groups GA to GE are arranged in a staggered manner so that the cross- sections defined as the estimating objects in the plurality of groups GA to GE are positioned on the same plane (a plane including a F-F line).例文帳に追加

そして、上記複数のグループＧＡ〜ＧＥの評価対象となる断面が同一平面(Ｆ−Ｆ線を含む平面)上に存在するように、複数のグループＧＡ〜ＧＥの位置をずらして配置する。 - 特許庁

As the soft magnetic thin band, the one expressed by compositional formula: Fe_100-x-yCu_xX_y (wherein, X denotes one or more kinds of elements selected from B, Si, S, C, P, Al, Ge, Ga and Be and, by atom%, 0≤x≤5 and 10≤y≤24 are satisfied) is preferably used.例文帳に追加

軟磁性薄帯は、組成式：Ｆｅ_100-ｘ-ｙCu_ｘX_ｙ（但し、XはB,Si，S，C，P，Al，Ge，Ga，Beから選ばれた少なくとも一種以上の元素）で表され、原子%で、0≦ｘ≦5、10≦ｙ≦24により表されるものが好ましい。 - 特許庁

Each of the electrodes 12 comprises a nickel alloy, containing at least one kind of element selected from among a first group comprising Ca, Sc, Ga, Ge, Ag, Rh and Ta in total, with a content of 0.001 mass% and higher and 3.0 mass% and lower.例文帳に追加

電極12は、Ca,Sc,Ga,Ge,Ag,Rh,及びTaからなる第1のグループから選ばれた少なくとも1種の元素を合計で0.001質量％以上3.0質量％以下含有し、残部がNi及び不純物からNi合金で構成する。 - 特許庁

Further, Ge, P or Ga is incorporated therein, so that the oxidation resistance of the solder can be improved.例文帳に追加

さらに、Ｇｅ、Ｐ又はＧａを含有させることによって、はんだの耐酸化特性を向上させることができる。 - 特許庁

Element X represents one or two and more out of Ge, Ga, In, Si, Pb, Zn, Sn, Al and Sb.例文帳に追加

元素ＸはＧｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｂのうち１種または２種以上である。 - 特許庁

In the formula, A is selected from the group consisting of Si, Ge, Ti, Zr, Al, and Ga, and x denotes 1-6.例文帳に追加

式中のＡはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ及びＧａからなる群から選択され、ｘは１〜６である。 - 特許庁

The aluminum alloy for conduction has a composition comprising at least one kind of element selected from Ag, Mn, Sn, Zn, Cu, Ga, Ge, Li, Mg, Si, Th, Ti, V and Zr in the ratio of 0.3 to 10.0 wt.%, and the balance Al as the main component with inevitable impurities.例文帳に追加

本発明に係る導電用アルミニウム合金は、 Ag,Mn,Sn,Zn,Cu,Ga,Ge,Li,Mg,Si,Th,Ti,V,Zrから選択される少なくとも１種の元素を0.3〜10.0重量％の割合で含有し、 残部が主成分であるAlと不可避不純物、で構成されるものである。 - 特許庁

A part or the whole of the oxide layer contains any element of In, Ga, Zn, Sn, Sb, Ge or As.例文帳に追加

前記酸化物層の一部又は全部が、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、又はＡｓのいずれかの元素を含有する。 - 特許庁

The metal oxide catalyst is characterized in that the metal ions of the metal oxide catalyst are ions of In, Ga, Al, B, Si, Ge, Sn, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Sb, Bi, W, Mo or Cr, or combination of these metals.例文帳に追加

金属イオンは、Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ，Ｂ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ、または、これらの組み合わせであることを特徴とする。 - 特許庁

Every groups GA to GE, the unit cells are arranged so that the cross-sections defined as the estimating object includes more than three unit cells.例文帳に追加

上記グループＧＡ〜ＧＥ毎に、評価対象となる断面が３個以上のユニットセルを含むようにユニットセルを配列させる。 - 特許庁

It preferably contains further one or two of Mg, Si, Ge and Ga added by a total of 5-30 mass ppm.例文帳に追加

更にＭｇ、Ｓｉ、ＧｅおよびＧａの１種または２種以上を合計で５〜３０質量ｐｐｍ添加することが好ましい。 - 特許庁

An optical fiber for an optical amplifier contains Ge-Ga-S glass and alkaline metal-halogenide and is doped with Dy.例文帳に追加

Ｇｅ−Ｇａ−Ｓ系ガラスとアルカリ金属−ハロゲン化物を含み、Ｄｙがドーピングされている光増幅器用光繊維である。 - 特許庁

The alloy for hydrogen generation is obtained by adding ≥0.1wt% Al to Ga alloy containing, in Ga, 0.05-1wt% at least one element selected from a group consisting of Ge, Fe, Cu and Sb.例文帳に追加

ＧａにＧｅ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｓｂからなる群から選ばれる少なくとも１種以上を０．０５〜１ｗｔ％含有するＧａ合金にＡｌを０．１ｗｔ％以上添加してなる水素発生用合金。 - 特許庁

In addition, by containing Ge and/or Ga, oxidation-resistant characteristic of the solder and suppression of elution of Co can be enhanced.例文帳に追加

さらに、Ｇｅ及び／又はＧａを含有させることによって、はんだの耐酸化特性とＣｏの溶出抑制を向上させることができる。 - 特許庁

Similarly, an optical fiber for an optical amplifier contains Ge-Ga-As-S glass and alkaline metal-halogenide and is doped with Dy.例文帳に追加

同様に、Ｇｅ−Ｇａ−Ａｓ−Ｓ系ガラスとアルカリ金属−ハロゲン化物を含み、Ｄｙがドーピングされている光増幅器用光繊維である。 - 特許庁

Preferably, the R2-based alloy may contain as a sub-element at least one of element selected from among Cu, Al, Ga, Ge, Sn, In, Si, P, and Co.例文帳に追加

上記Ｒ２系合金は、副元素として、Ｃｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｐ、Ｃｏから選択される少なくとも１種の元素を含んでいると良い - 特許庁

When at least one or more selected from P, Ga and Ge are added, the oxidation of the solder alloy is suppressed, and dross generated upon flow soldering is remarkably suppressed.例文帳に追加

Ｐ、Ｇａ、Ｇｅの少なくとも一種以上が添加されると、はんだ合金の酸化が抑制され、フローソルダリング時に発生するドロスを大幅に抑制する。 - 特許庁

Element X represents one or two and more out of Ge, Ga, In, Si, Pb and Zn, and element Z represents one or two and more out of Al, Sn and Cr.例文帳に追加

元素ＸはＧｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｚｎのうち１種または２種以上、元素ＺはＡｌ、Ｓｎ、Ｃｒのうち１種または２種以上である。 - 特許庁

The M^2 may be also at least one selected from rare-earth elements In, Pd, Sb, Ti, As, Al and Ga, and the M^3 may be also at least one selected from Si, Ge, Ti, Mo, W, Pt and Zr.例文帳に追加

Ｍ^２は希土類元素、Ｉｎ，Ｐｄ，Ｓｂ，Ｔｉ，Ａｓ，Ａｌ，Ｇａの中から選ばれる少なくとも一種、Ｍ^３はＳｉ，Ｇｅ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｚｒの中から選ばれる少なくとも一種からなるものであってもよい。 - 特許庁

An optical semiconductor device includes: a Ge layer 2; a first GaAs layer 3 which is formed on the Ge layer 2 and in which an As site of GaAs is partially substituted with Ga; and an active layer 4, containing GaAs, formed above the first GaAs layer 3.例文帳に追加

光半導体素子を、Ｇｅ層２と、Ｇｅ層２上に形成され、ＧａＡｓのＡｓサイトの一部がＧａで置換されている第１ＧａＡｓ層３と、第１ＧａＡｓ層３の上方に形成されたＧａＡｓを含む活性層４とを備えるものとする。 - 特許庁

Further, when at least one or more elements of P, Ga, and Ge are added, the oxidation of the solder alloy can be suppressed, and the dross produced in flow-soldering can be greatly suppressed.例文帳に追加

さらに、Ｐ、Ｇａ、Ｇｅの少なくとも一種以上が添加されると、はんだ合金の酸化が改善され、フローソルダリング時に発生するドロスを大幅に抑制することが可能となる。 - 特許庁

The copper powder for conductive paste contains, at the inside of each particle, Al, Si, Ge and Ga by 0.1 to 10 atm% and also comprises 0.1 to 10 atm% Sn.例文帳に追加

粒子内部にＡｌ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＧａを０．１ａｔｍ％〜１０ａｔｍ％、かつＳｎを０．１ａｔｍ％〜１０ａｔｍ％含有する導電性ペースト用銅粉。 - 特許庁

The copper powder for conductive paste contains, at the inside of each particle, Al, Mg, Ge and Ga by 0.1 to 10 atm%, and also comprises 0.1 to 10 atm% In.例文帳に追加

粒子内部にＡｌ、Ｍｇ、Ｇｅ及びＧａを０．１ａｔｍ％〜１０ａｔｍ％、かつＩｎを０．１ａｔｍ％〜１０ａｔｍ％含有する導電性ペースト用銅粉。 - 特許庁

The Li-β-alumina ceramic material contains in the crystal structure one or two or more elements selected from the group consisting of Mg, Zn, Ga, Ge, Zr, Sn and Hf.例文帳に追加

Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｓｎ及びＨｆからなる群から選択される１種又は２種以上の元素を結晶構造内に有するＬｉ−β−アルミナ系セラミックス材料。 - 特許庁

Preferably, the lithium ion conductive inorganic material contains crystals represented by Li_1+x+y(Al, Ga)_x(Ti, Ge)_2-xSi_yP_3-yO_12, 0≤x≤1, 0≤y≤1.例文帳に追加

好ましくは、リチウムイオン伝導性の無機物はＬｉ_１＋ｘ＋ｙ（Ａｌ，Ｇａ）_ｘ（Ｔｉ，Ｇｅ）_２−ｘＳｉ_ｙＰ_３−ｙＯ_１２ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１である結晶を含むことを特徴とする。 - 特許庁

It is preferable that the alkoxide of the metal is at least alkoxide of one kind of metal selected from a group of Al, Si, Ti, Ga, Ge, Zr, Nb, la, and Ta.例文帳に追加

前記金属のアルコキシドが、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｌａ及びＴａからなる群より選択される少なくとも１種の金属のアルコキシドであるのが好ましい。 - 特許庁

A road surface state determination part 106 corrects the presumed acceleration Ge according to the vehicle state for giving influence to a relationship of the presumed acceleration and the actual acceleration to obtain presumed acceleration Ga after correction, and compares the presumed acceleration Ga after correction with the actual acceleration Gx to determine the road surface state.例文帳に追加

路面状態判定部１０６は、推定加速度と実加速度との関係に影響を与える車両状態に応じて推定加速度Ｇｅを補正して補正後推定加速度Ｇａを取得し、補正後推定加速度Ｇａと実加速度Ｇｘとを比較して路面状態を判定する。 - 特許庁

The first and second heat-resistance reinforcing layers are each formed of a layer using selenium as a main body and containing 10-40 wt.% in total of one or more constituents out of As, Ge and Ga.例文帳に追加

第１、第２の耐熱強化層は、セレンを主体とし、Ａｓ、Ｇｅ、Ｇａのうち少なくとも一以上の成分を総量で１０重量パーセント以上４０重量パーセント以下含有する層とする。 - 特許庁

A free magnetic layer 16 is a laminate of Co_2MnZ alloy layer 16a (Z is one kind or more of elements including Al, Sn, In, Sb, Ga, Si, Ge, Pb, Zn) and Co_aFe_100-a alloy layer 16b.例文帳に追加

フリー磁性層１６はＣｏ_２ＭｎＺ合金層１６ａ（ＺはＡｌ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ｚｎのうち１種または２種以上の元素）とＣｏ_ａＦｅ_１００−ａ合金層１６ｂの積層体である。 - 特許庁

The garnet type oxide may be expressed by a composition formula Li_5+XLa_3(Zr_X,A_2-X)O_12 (wherein A is one or more elements selected from the group of Sc, Ti, V, Y, Nb, Hf, Ta, Al, Si, Ga and Ge, and X is 1.4≤X<2).例文帳に追加

このガーネット型酸化物は、組成式Ｌｉ_5+XＬａ_3（Ｚｒ_X，Ａ_2-X）Ｏ_12（式中、ＡはＳｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｙ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔａ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｇａ及びＧｅからなる群より選ばれた１種類以上の元素、Ｘは１．４≦Ｘ＜２）で表されるものとしてもよい。 - 特許庁

The sintered body may also contain at least one kind of 0 to 0.6 mass% (where 0 mass% is not contained) selected from Al, Cu, Zr, Bi, Sn, Ga, Nb, Ta, Si, V, Ag and Ge.例文帳に追加

焼結体は、さらにＡｌ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｖ、Ａｇ、Ｇｅから選ばれる少なくとも１種を０質量％〜０．６質量％（ただし０質量％は含まず。）含有してもよい。 - 特許庁

The joining material is composed of an Al-based alloy layer containing metals of one or more out of Mg, Sn, Ge, Ga, Bi and In, and a Zn-based alloy layer provided on an outermost surface of the Al-based alloy layer.例文帳に追加

Ｍｇ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｂｉ、Ｉｎのうちの１種以上の金属を含有するＡｌ系合金層と、前記Ａｌ系合金層の最表面に設けられたＺｎ系合金層とからなることを特徴とする接続材料。 - 特許庁

There is provided an alloy for a seed layer of a magnetic recording medium as a perpendicular magnetic recording medium which is an Ni-based alloy and contains one kind or two or more kinds among Sn, In, Ga, Ge, and Si by 0.5-20 at.% or more and Ni for the rest.例文帳に追加

Ｎｉ系合金であって、Ｓｎ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｉの１種又は２種以上をａｔ．％で０．５〜２０％含有し、残部がＮｉからなる垂直磁気記録媒体におけることを特徴とする磁気記録媒体のシード層用合金。 - 特許庁

The aluminosilicate-based material is treated with an aqueous composition having chemical formula H_xAF_6 (wherein, A is selected from the group consisting of Si, Ge, Ti, Zr, Al and Ga; and x is 1 to 6) and containing at least one acid.例文帳に追加

アルミノケイ酸塩系物質は、化学式Ｈ_XＡＦ_6（式中、ＡはＳＩ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、及びＧａからなる群から選択され、ｘは１−６である）を有する少なくとも１つの酸を含有する水性組成物を用いて処理される。 - 特許庁

A white-color LED 1 each is apportioned to a plurality of groups against chromaticity coordinates of emission light, for instance, a total of five groups Ga, Gb, Gc, Gd, Ge whose chromaticity coordinates exist in areas near five chromaticity coordinates a to e.例文帳に追加

使用する白色ＬＥＤ１について放射光の色度座標を調べて複数のグループ、例えば、５つの色度座標ａ〜ｅにそれぞれ近い領域に色度座標が存在する合計５つのグループＧａ，Ｇｂ，Ｇｃ，Ｇｄ，Ｇｅに各白色ＬＥＤ１を振り分けておく。 - 特許庁

The electrode catalyst for fuel cells containing an oxynitride with cathode catalyst ability is produced using as raw materials at least one type of the metal salts selected from the group consisting of La, Ba, Ca, Sr, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mo, W, Ge, Ga, and the like, and using carbon particles with good conductivity.例文帳に追加

酸窒化物を構成するＬａ，Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｇｅ，Ｇａ等の群から選ばれる少なくとも１種の金属塩と、電導性のよい炭素粒子とを原料として、カソード触媒能を持つ酸窒化物を含む燃料電池用電極触媒を製造する。 - 特許庁

The biological superelastic titanium alloy has a composition containing Mo as a β phase stabilizing element of titanium and one kind of metal selected from Al, Ga and Ge which are α phase stabilizing elements and have the biocompatibility and the balance Ti with inevitable impurities.例文帳に追加

チタンのβ相安定化元素であるＭｏと、α相安定化元素であり生体適合性の良いＡｌ、Ｇａ，Ｇｅのうち１種を含有し、残部がＴｉおよび不可避不純物からなることを特徴とする生体用超弾性チタン合金である。 - 特許庁

The purification filter comprises a whisker formed on a raw material substrate made of an alloy or a ceramic containing Mn, Al, Cr, In, Ag, Ga, Sn, Cu, Sc, Ge, Ti, Si, and the like.例文帳に追加

原料基体上にウィスカーを形成して成る浄化フィルターであって、 上記原料基体が、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｓｃ、Ｇｅ、Ｔｉ及びＳｉなどを含む合金やセラミックスより成る原料基体上にウィスカーを形成して成る浄化フィルターである。 - 特許庁

The sputtering target material is composed of the Ag alloy which is prepared by adding specific small amounts of metal component (A) selected from Ge, Ga and Sb, specific small amounts of metal component (B) selected from Au, Pd and Pt, and, if necessary, a small amounts of Cu to Ag and carrying out alloying.例文帳に追加

Ａｇに、特定少量のＧｅ、ＧａおよびＳｂから選ばれる金属成分（Ａ）、特定少量のＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる金属成分（Ｂ）、及び場合により、少量のＣｕを添加して合金化してなるＡｇ合金から構成されたスパッタリングターゲット材。 - 特許庁

Alternatively, a metal foil to form the negative electrode current collector 21 is prepared separately from the first laminate, and a second laminate 2 is fabricated by forming an adhesive layer 40 composed of an element selected from Si, Al, Ga, Ge, In, Sn, Tl, and Pb on one face side of that metal foil by a vapor-phase method.例文帳に追加

一方、第一積層体１とは別個に、負極集電体２１となる金属箔を用意し、その金属箔の一面側に、Ｓｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｓｎ，ＴｌおよびＰｂから選択される元素からなる接着層４０を気相法により形成して第二積層体２を作製する。 - 特許庁