「Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Ah, i'm his editor, ge... kahiyama.例文帳に追加

あッ 私 編集者のゲ... 下日山です - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

METHOD FOR MANUFACTURING Ge FILM-PROVIDED SOI SUBSTRATE, AND Ge FILM-PROVIDED SOI SUBSTRATE例文帳に追加

Ｇｅ膜付きＳＯＩ基板の製造方法及びＧｅ膜付きＳＯＩ基板 - 特許庁

His rank was Jugoi-ge (Lower Junior Fifth Rank), Uhyoe no jo (officer of the Right Division of middle Palace Guards). 例文帳に追加

従五位下、右兵衛尉。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

June 3, 1395, promoted to Ju Shii-ge. 例文帳に追加

1395年（応永2）6月3日、従四位下に昇叙。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Kanetsugu NAOE, Jugoi no ge (1583 (Tensho 1)～) 例文帳に追加

直江兼続従五位下（天正11年（1583年）～） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Sadamasa TOKI, Jugoi no ge (1593 (Bunroku 2) ～) 例文帳に追加

土岐定政従五位下（文禄2年（1593年）～） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To form an excellent Ge oxide film on a boundary surface of a Ge substrate and an insulating film.例文帳に追加

Ｇｅ基板と絶縁膜との界面に、良好なＧｅ酸化膜を形成する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACUTURING SUBSTRATE WITH Ge FINE CRYSTAL NUCLEI AND SUBSTRATE WITH Ge FINE CRYSTAL NUCLEI例文帳に追加

Ｇｅ微結晶核付き基板の作製方法及びＧｅ微結晶核付き基板 - 特許庁

This Article "Ge-shiki" was put here to specify documentary forms of official documents called "ge" that were submitted by lower-ranked governmental officials to their superiors. 例文帳に追加

解式（解（下級官司より所属の上級官司へ）の書式） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Masanobu TAKEKOSHI, Jugoi no ge (1611 (Keicho 16) ～) 例文帳に追加

竹腰正信従五位下（慶長16年（1611年）～） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

array( 'name' = package name 'type' = 'pkg' - anything else is an error 'rel' = 'has', 'ge', 'le', 'lt', 'le', 'not', 'ne' ['version' = specific version to retrieve,] ) 例文帳に追加

array('name' = パッケージ名,'type' = 'pkg' - これ以外はエラー,'rel' = 'has', 'ge', 'le', 'lt', 'le', 'not', 'ne'['version' = 取得したい特定のバージョン,]) - PEAR

Kitaro, a main character of "Ge Ge Ge no Kitaro (Kitaro in the Graveyard)" created by Shigeru MIZUKI, is set as a child of this ghost. 例文帳に追加

水木しげるの『ゲゲゲの鬼太郎（墓場の鬼太郎）』の主人公、鬼太郎はこの幽霊の子供という設定になっている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In 862, he was created Ge-jugoinoge (Junior Fifth Rank, Lower Grade, given to persons outside Kyoto). 例文帳に追加

862年に外従五位下に叙された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Then, Ge ions are injected from the front surface side of the Ge epitaxial film 11.例文帳に追加

続いて、Ｇｅエピタキシャル膜１１の表面側からＧｅをイオン注入をおこなう。 - 特許庁

The adhesion interfacial layer is formed from a Ge-N or Ge-O-N substance.例文帳に追加

前記粘着界面層は、Ｇｅ−ＮまたはＧｅ−Ｏ−Ｎ物質から形成される。 - 特許庁

DEPOSITION OF GROUP III-NITRIDES ON GE例文帳に追加

ＩＩＩ族−窒化物のＧｅ上への形成 - 特許庁

He was appointed to Ge-jugoinoge (Jugoinoge [Junior Fifth Rank, Lower Grade] given to persons outside Kyoto) in 862. 例文帳に追加

862年に外従五位下に叙された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

GE NANOPARTICLE AND BIOSUBSTANCE LABELLING AGENT例文帳に追加

Ｇｅナノ粒子、及び生体物質標識剤 - 特許庁

Thus, a substitution of a Ge atom to a Ga atom position and a suppression of generation of an N vacancy are sufficiently executed, and hence an activity as a toner of an impurity Ge atom can be improved.例文帳に追加

これによりGe原子のGa原子位置への置換と、N原子の空孔発生の抑制を十分に行い、不純物Ge原子のドナーとしての活性を向上させることができる。 - 特許庁

To form a Ge oxide film on a surface of a Ge substrate without generating an in-film deficit.例文帳に追加

膜中欠損を生じさせることなくＧｅ基板の表面にＧｅ酸化膜を形成する。 - 特許庁

This lead-free solder alloy is composed of, by weight, 0.10% Ni, 0.08% Al, 0.06% Ge, 0.2% Bi, 0.2% Ag and the balance Sn.例文帳に追加

Ni:0.10wt％;Al：0.08wt％；Ge:0.06wt％;Bi:0.2wt％;Ag:0.2wt％;残部Snからなる鉛フリー半田合金である。 - 特許庁

Ge is selectively grown on Si while Si is selectively grown on Ge.例文帳に追加

ＳｉをＧｅ上で選択的に成長させる間に、ＧｅをＳｉ上で選択的に成長させる。 - 特許庁

The pulsed laser beam 16 is delivered to the Ge material after going through the second Si lump from the top of the drawing.例文帳に追加

パルスレーザ光16は、図の上方から第2のSi塊を透過してGe材に照射されている。 - 特許庁

METHOD OF DEPOSITING Ge-Sb-Te THIN FILM例文帳に追加

Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ薄膜蒸着方法 - 特許庁

A Ge solar cell layer may be formed on the other surface of the Si solar cell layer to include a solar cell layer having an InGaP/(In)GaAs/Si/Ge 4-junction structure.例文帳に追加

前記Si太陽電池層の他面にGe太陽電池層を形成し、InGaP/(In)GaAs/Si/Ge４接合構造の太陽電池層を含む構成としてもよい。 - 特許庁

July 24, 1266: Given the rank of Ju shi-i no ge. 例文帳に追加

文永3年（1266年）7月24日、従四位下に叙位。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Then, the substrate is heated to form an (Ni_1-xPt_x)Ge thin film made of three elements, e.g. Ni, Pt and Ge on the Ge substrate.例文帳に追加

その後、熱処理を加えることによって、Ｇｅ基板上にＮｉ、Ｐｔ、Ｇｅの三元素からなる（Ｎｉ_1-xＰｔ_x）Ｇｅ薄膜が形成された。 - 特許庁

On August 11th, ranked Ju Goi-ge and appointed as Samanokami. 例文帳に追加

8月11日、従五位下に叙し、左馬頭に任官。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

He was given the court rank of Jyu Goi-ge on April 28, 1493. 例文帳に追加

1493年（明応2年）4月28日、従五位下に叙す。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Ge-DOPED N-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

Ｇｅドープｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体 - 特許庁

Gokan no ge is also called "gokanmon," "shokuji gokanmon" or "shokujikun" in Japanese. 例文帳に追加

五観文、食事五観文、食事訓とも。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In a bipolar transistor using an SiGe mixed crystal layer as a base, the Ge compsns. of an emitter-base junction region and base-collector junction region which is adjacent the base layer are made higher than the Ge compsn. of the base layer.例文帳に追加

SiGe混晶層をベースに用いたバイポーラトランジスタにおいて、ベース層に隣接するエミッタ-ベース接合領域とベース−コレクタ接合領域のGe組成を、ベース層のGe組成よりも高くした構造。 - 特許庁

To provide a Ge light receiving element having high photosensitivity and low dark current characteristics, and to provide a method for manufacturing the same by establishing a method for forming a Ge of a large area and low defect density on an Si substrate.例文帳に追加

Si基板上に大面積且つ低欠陥密度のGeを形成する手法を確立し、高い受光感度と低暗電流特性を有するGe受光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Hence the diffusion of B from the base layer can be suppressed by making higher the Ge compsns. of the emitter- base junction region and base-collector junction region, which sandwich the base layer than the Ge compsn. of the base layer.例文帳に追加

したがって、ベース層を挟むエミッタ-ベース接合領域とベース−コレクタ接合領域のGe組成を、ベース層のGe組成よりも高くすることにより、ベース層からのBの拡散を抑制できる。 - 特許庁

MI means a first element such as Si, Sn, Ge and Pb.例文帳に追加

ＭＩはＳｉ，Ｓｎ，Ｇｅ，Ｐｂなどの第１の元素を表す。 - 特許庁

The Ge substrate 31 is oxidized over the insulating film 32, and a Ge oxide film 33 is formed on the boundary surface of the insulating film 32 and the Ge substrate 31.例文帳に追加

絶縁膜３２越しにＧｅ基板３１を酸化させて、絶縁膜３２とＧｅ基板３１との界面にＧｅ酸化膜３３を形成する。 - 特許庁

This metal complex dendrimer is expressed by the general formula (wherein, M is a metal selected from Al, Zn, Be, Ge and Mg; R_1, R_2 are each H or a 1-8C alkyl, and may be the same or different; and X is a halogen).例文帳に追加

一般式(Mは、Al,Zn,Be,Ge,Ge,Mgから選ばれる金属、R_1及びR_2はH又はC1〜8のアルキル基、R_1及びR_2は同じでも異なっても良く、Xはハロゲン。)で示される。 - 特許庁

The highly concentrated Ge layer 8 is formed on an upper surface of the SiGe layer 7, and has a Ge concentration that is higher than the Ge concentration in the SiGe layer 7.例文帳に追加

高濃度Ｇｅ層８は、ＳｉＧｅ層上面に形成され、ＳｉＧｅ層７内におけるＧｅ濃度よりも高いＧｅ濃度を有する。 - 特許庁

April 7, 1335 - Awarded Ju-Goi-ge (Junior 5th Class, Minor). 例文帳に追加

1335年（建武(日本)2年）4月7日、従五位下に叙す。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Yoriyuki TOKI, Jugoi no ge (October 28, 1624 (Kanei 1) ～) 例文帳に追加

土岐頼行従五位下（寛永元年（1624年）10月28日～） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Ge CHANNEL ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

Ｇｅチャネル素子およびＧｅチャネル素子の製造方法 - 特許庁

Cr is preferable as M_1, and Ge is preferable as M_2.例文帳に追加

Ｍ1はＣｒが好ましく、Ｍ_2はＧｅが好ましい。 - 特許庁

The phase-change material may include Ge, Sb, and Te.例文帳に追加

相変化材料はＧｅ、Ｓｂ、及びＴｅを含む。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING Ge-Mn MAGNETIC SEMICONDUCTOR THIN FILM例文帳に追加

Ｇｅ−Ｍｎ磁性半導体薄膜の製造方法 - 特許庁

In 1566, Yoshiwaki was appointed as Jugoi-ge and Samanokami. 例文帳に追加

永禄9年（1566年）、従五位下に叙し、左馬頭に任官。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス