「Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

The electrode structure includes an ohmic metal layer 11 which is made of a compound containing Au and Ge, and provided on an n-type GaAs semiconductor substrate 10, a first Pt layer 13 provided on the ohmic metal layer 11, and a Ti layer 14 provided on the first Pt layer 13.例文帳に追加

本発明に係る電極構造は、Ａｕ及びＧｅを含む化合物から成り、ｎ型ＧａＡｓ半導体基板１０上に設けられたオーミック金属層１１と、オーミック金属層１１上に設けられた第１のＰｔ層１３と、第１のＰｔ層１３上に設けられたＴｉ層１４とを備える。 - 特許庁

This antenna device is structured such that a pair of planar antenna elements A are arranged at positions facing each other on the same plane by interposing a gap G, and the gap G is composed of a parallel region Gp where one-side ends are set at a constant distance, and an expansion region Ge where the distance between the other-side end sides monotonically increases.例文帳に追加

平面状で一対のアンテナエレメントＡを、同一平面上でギャップ部Ｇを挟んで対向する位置に配置し、一方の端部が一定間隔となる平行領域Ｇｐと、他方の端部側の間隔が単調に拡大する拡大領域Ｇｅとでギャップ部Ｇが構成され、構成されている。 - 特許庁

The light scattering film is an Al alloy film formed on a substrate wherein, when the total amount of Al and additional elements is 100%, the Al alloy film contains 0.1-1.0 atm% of Ge as an additional element, and the remaining portion is composed of inevitable impurities, and the diffuse reflection factor is 40% or higher.例文帳に追加

基板上に形成されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜はＡｌと添加元素の総量を１００％とした時、添加元素としてＧｅを０．１〜１．０原子％含有し、残部不可避的不純物からなり、かつ拡散反射率が４０％以上である光散乱膜である。 - 特許庁

The method comprises steps of: heating the substrate 1 to a nitridation temperature between 400°C and 940°C while exposing the substrate 1 to a nitrogen gas flow; and subsequently depositing the group Ill-nitride, e.g. GaN layer 5, onto the Ge surface 3 at a deposition temperature between 100°C and 940°C.例文帳に追加

この方法は、基板１を４００℃と９４０℃の間の窒化温度に加熱するとともに、基板１を窒化ガスの流れに露出させる工程と、続いて、１００℃と９４０℃の間の堆積温度で、Ｇｅ表面３の上に、例えばＧａＮ層５のようなＩＩＩ族−窒化物を堆積する工程を含む。 - 特許庁

After a source/drain region 4 is formed in a p-type MOS region by using a p-type impurity, an Ni monosilicide film 5 having highly uniform film quality and a film thickness is formed in a region in which an Ni silicide film is formed by suppressing the phase transition and agglomeration of an Ni silicide by injecting Ge into the region.例文帳に追加

Ｐ型不純物によりＰ−ＭＯＳ領域にソース及びドレイン領域４を形成した後、Ｎｉシリサイド膜が形成される領域にＧｅを注入することにより、Ｎｉシリサイドの相転移や凝集を抑制して膜質及び膜厚均一性に優れたＮｉモノシリサイド膜５を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method for the optical information recording medium has a stage for film-depositing the crystallization promoting layer consisting essentially of at least Ge on a substrate and a stage for providing a phase transition type recording layer consisting essentially of Sb and Te and having a layer of metastable Sb_3Te belonging to a space group Fm3m.例文帳に追加

基板上に少なくともＧｅを主成分とする結晶化促進層を製膜する工程と、Ｓｂ及びＴｅを主成分とし、且つ空間群Ｆｍ３ｍに属する準安定Ｓｂ_３Ｔｅ相を有する相変化型記録層を設ける工程とを有することを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。 - 特許庁

A method for manufacturing the SOI substrate with a Ge film includes at least processes of: preparing an SOI substrate 5 including a silicon thin film on a quartz substrate or glass substrate being an insulating substrate; and forming a germanium film 6 by subjecting germanium to epitaxial growth on the silicon thin film of the SOI substrate.例文帳に追加

絶縁性基板である石英基板又はガラス基板上に、シリコン薄膜を備えるＳＯＩ基板を用意する工程と、ゲルマニウムを上記ＳＯＩ基板のシリコン薄膜の上にエピタキシャル成長させてゲルマニウム膜を形成する工程とを少なくとも含んでなるＧｅ膜付きＳＯＩ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The garbage can formed from an polyester resin composition obtained by melt-mixing two or more polyester resins comprises a thermoplastic polyester elastomer resin as an essential component of the composition and has 10/90 to 99/1 mass ratio of Ge/Sb contained in the whole composition as the catalyst.例文帳に追加

二種以上のポリエステル樹脂を溶融混合して得られるポリエステル樹脂組成物から成形されるゴミ箱において、熱可塑性ポリエステルエラストマー樹脂が組成物の必須成分であり、かつ組成物全体に触媒として含まれるゲルマニウム原子／アンチモン原子の質量比率が１０／９０〜９９／１であることを特徴とするゴミ箱。 - 特許庁

To provide a silicon-germanium alloy film and its manufacturing method which facilitates manufacture of the silicon-germanium alloy film, without employing the CVD or the MBE method using explosive and high-toxic Si and Ge hydride gases, and to provide manufacturing methods for various uses according to that manufacturing method.例文帳に追加

本発明の目的は、爆発性で、毒性の強いＳｉ及びＧｅの水素化物ガスを用いるＣＶＤ法やＭＢＥ法によらずにシリコン-ゲルマニウム合金の薄膜を容易に製造できるシリコン-ゲルマニウム合金薄膜とその製造法及びその製造法による各種用途の製造法を提供することにある。 - 特許庁

The optical component material which shields part or all of light from visible light to near infrared light and transmits far infrared light is obtained by incorporating one or more additives which shields light from visible light to near infrared light into ZnS, ZnSe or Ge ceramics.例文帳に追加

ＺｎＳ、ＺｎＳｅあるいはＧｅセラミックスに可視光から近赤外光の光を遮蔽する添加剤を１種類もしくは２種類以上含有させれば、可視光から近赤外光までの光を部分的あるいは全体的に遮蔽し、遠赤外光の光をよく透過する光学部品材料が得られる。 - 特許庁

To provide a sputtering target of Al-(Ni, Co)-(Cu, Ge)-(La, Gd, Nd)-based alloy, which reduces the occurrence of splash at the initial stage of the use of the sputtering target, thereby prevents a defect from occurring in a wiring film or the like, and can improve the yield or performance of FPD, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

スパッタリングターゲットの使用初期段階でのスプラッシュの発生を軽減し、これにより配線膜等に生じる欠陥を防止し、ＦＰＤの歩留りや動作性能を向上させることが可能なＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｃｕ，Ｇｅ）−（Ｌａ，Ｇｄ，Ｎｄ）系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This thermoelectric semiconductor material is represented by a chemical formula, AB2X4 [(where A is a simple substance or a mixture of Pb, Sn, and Ge (IV element), B is a simple substance or a mixture of Bi and Sb (V element), and X is a simple substance or a mixture of Te and Se (VI element)].例文帳に追加

本発明の熱電半導体材料は、化学式ＡＢ_２Ｘ_４（ただしＡはＰｂ、Ｓｎ、Ｇｅ（ＩＶ族元素）の単体あるいは混合物であり、ＢはＢｉ、Ｓｂ（Ｖ族元素）の単体あるいは混合物であり、ＸはＴｅ、Ｓｅ（ＶＩ族元素）の単体あるいは混合物である）からなることを特徴とする。 - 特許庁

In key log storage processing, when a pocket calculator key board KB displayed to an emulation picture GE of a scientific electronic calculator is key input, key data of the pocket calculator are successively stored to a key log memory and displayed to the log picture GL, computing in response to the key input is performed, and displayed to a pocket calculator display DP.例文帳に追加

キーログ記憶処理において、関数電卓のエミュレーション画面ＧＥに表示された電卓キーボードＫＢをキー入力すると、当該電卓のキーデータがキーログメモリに順次記憶されログ画面ＧＬに表示されると共に、当該キー入力に応じた計算処理が実行されて電卓ディスプレイＤＰに表示される。 - 特許庁

The semiconductor layer has a hetero structure that a first layer (SiGe layer 14) containing at least Si and Ge, and a second layer (Si layers 13, 16) having a composition different from the first layer and containing at least an Si are laminated in such a manner that a carbon exists in the interface region between the first layer and the second layer.例文帳に追加

半導体層は、少なくともＳｉおよびＧｅを含む第１層（ＳｉＧｅ層１４）と、前記第１層と異なる組成を有し、かつ少なくともＳｉを含む第２層（Ｓｉ層１３，１６）と、が積層されたヘテロ構造を有し、前記第１層と前記第２層との界面領域に炭素が存在する。 - 特許庁

This is the manufacturing method of the oxide conductive material adjusts a suspension containing a compound composed of an indium compound and two or more elements selected from a group composed of Sn, Zn, Mg, Ni, Al, Ga, Si, and Ge, obtains a vaporized mixture by supplying the suspension into thermal plasma, and cools the mixture.例文帳に追加

インジウム化合物、及びＳｎ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選択される２以上の元素を含有する化合物を含む懸濁液を調製し、前記懸濁液を熱プラズマ中に供給して気化混合物とし、前記混合物を冷却する酸化物導電性材料の製造方法。 - 特許庁

It is preferable to have aspects that the catalyst contains further a cesium (Cs)-containing catalyst, the reaction is a homo-coupling reaction, the atom in the alkene compound is any of Si, S, Se, O, Ge, Sn, Pb and B atoms and two of the alkene compounds are the same as each other.例文帳に追加

触媒が更にセシウム（Ｃｓ）含有触媒を含む態様、反応がホモカップリング反応である態様、アルケン化合物における原子が、Ｓｉ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、Ｏ原子、Ｇｅ原子、Ｓｎ原子、Ｐｂ原子及びＢ原子のいずれかである態様、アルケン化合物の２つが互いに同じである態様、などが好ましい。 - 特許庁

The steel sheet comprises, by mass, ≤0.05% Ni, ≤0.1% Cu, ≤0.005% As, ≤0.005% Ge, ≤1% Si and ≤0.1% P, and is obtained by heating a cold slab, and thereafter performing hot rolling.例文帳に追加

ｍａｓｓ％で、Ｎｉ：０．０５％以下、Ｃｕ：０．１％以下、Ａｓ：０．００５％以下、Ｇｅ：０．００５％以下、Ｓｉ：１％以下、Ｐ：０．１％以下を含有し、冷片スラブを加熱した後熱間圧延して得られる鋼板で、スケール除去後の鋼板表層のＮｉ濃度が０．９％以下で、かつ、表層Ｎｉ濃度コントラスト比が２倍未満である。 - 特許庁

When a trench is built on a silicon substrate for a source region and a drain region and then the trench is filled epitaxially with the SiGe mixed crystal layer, the side wall of the trench is built using multiple facets and the atomic concentration of Ge in the SiGe mixed crystal layer is increased beyond 20%.例文帳に追加

シリコン基板中、ソース領域およびドレイン領域に対応してトレンチを形成し、前記トレンチをＳｉＧｅ混晶層によりエピタキシャルに充填する際に、前記トレンチの側壁面を複数のファセットにより画成し、さらにＳｉＧｅ混晶層中のＧｅ原子濃度を２０％を超えて増大させる。 - 特許庁

A main conductor layer 4 composed of a contact metal layer 2, a first anti-diffusion layer 3 and Au, a second anti-diffusion layer 5 of Pt and a solder material layer 7 composed of an Sn layer 6 and an alloy of Au-M (M is Sn, Si or Ge) are stacked in sequence to form a wiring conductor layer on the top of an insulating substrate 1.例文帳に追加

絶縁基板１の上面に密着金属層２、第１の拡散防止層３、Ａｕより成る主導体層４、Ｐｔより成る第２の拡散防止層５、Ｓｎ層６およびＡｕ−Ｍ（ＭはＳｎ，ＳｉまたはＧｅ）合金より成るロウ材層７が順次積層された配線導体層が形成されている。 - 特許庁

This transparent conductive film satisfies resistivity of less than 250 μΩ.cm, the maximum vertical interval of surface unevenness/film thickness of less than 10% and this conductive film can be made, for example, by sputtering a target consisted of In, Sn, Ge, and O with sputter power in which a radio frequency current is superimposed on a direct current.例文帳に追加

抵抗率が２５０μΩ・ｃｍ以下で表面凹凸の最大高低差／膜厚が１０％以下を満足する透明導電膜であり、この導電膜は、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、ＧｅおよびＯからなるスパッタリングターゲットを、ｄｃにｒｆを重畳したスパッタ電力でスパッタすることにより得られる。 - 特許庁

(1) In the optical recording medium containing a substrate and a recording layer over the substrate, the recording layer primarily contains Bi and O (oxygen), and further contains B and at least one element X selected from Ge, Li, Sn, Cu, Fe, Pd, Zn, Mg, Nd, Mn and Ni.例文帳に追加

（１）基板上に少なくとも記録層を形成した光記録媒体であって、記録層の構成元素の主成分がＢｉ及びＯ（酸素）であり、Ｂを含有し、更にＧｅ、Ｌｉ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｄ、Ｍｎ、Ｎｉから選択される少なくとも一種の元素Ｘを含有する光記録媒体。 - 特許庁

An SOI substrate 1 equipped with an insulating layer 1b on an Si substrate 1a and an Si layer 1c on the insulating layer is equipped with SiGe layers 2 and 3 on the Si layer of the SOI substrate, and the SiGe layer partially has a slanting composition area 2 whose Ge composition ratio is gradually increased toward the surface.例文帳に追加

Ｓｉ基板１ａ上に絶縁層１ｂ及び該絶縁層上にＳｉ層１ｃを備えたＳＯＩ基板１と、該ＳＯＩ基板における前記Ｓｉ層上のＳｉＧｅ層２，３とを備え、該ＳｉＧｅ層は、少なくとも一部にＧｅ組成比を表面に向けて漸次増加させた傾斜組成領域２を有する。 - 特許庁

The semiconductor substrate, which comprises an Si substrate 1 and a first SiGe layer 3 that is disposed on the Si substrate directly or via a different SiGe layer, is characterized in that the first SiGe layer has the in-plane distribution where the composition ratio of Ge decreases gradually from the central region toward the circumference region of the Si substrate surface.例文帳に追加

Ｓｉ基板１と、該Ｓｉ基板上に直接又は他のＳｉＧｅ層を介して配された第１のＳｉＧｅ層３とを備えた半導体基板であって、前記第１のＳｉＧｅ層は、Ｇｅ組成比が前記Ｓｉ基板表面の中心領域から周辺領域に向けて漸次低下した面内分布を有する。 - 特許庁

The polyester resin composition obtained by melt-mixing two or more polyester resins comprises a thermoplastic polyester elastomer resin as an essential component of the component and has 10/90 to 99/1 mass ratio of Ge/Sb contained in the whole composition as the catalyst.例文帳に追加

二種以上のポリエステル樹脂を溶融混合して得られるポリエステル樹脂組成物において、熱可塑性ポリエステルエラストマー樹脂が組成物の必須成分であり、かつ組成物全体に触媒として含まれるゲルマニウム原子／アンチモン原子の質量比率が１０／９０〜９９／１であることを特徴とするポリエステル樹脂組成物。 - 特許庁

To provide a new manufacturing method of a material of a thin film of a compound structure which absorbs visible light and ultraviolet ray of the sunlight, and simultaneously contains Ge particles of nano-scale, and an anatase-type Ti oxide crystalline phase mainly as a matrix as a means for generating hydrogen at high efficiency.例文帳に追加

本発明は、太陽光の可視光および紫外光を吸収し、高効率に水素を生成させる手段として、ナノスケールのＧｅ粒子と主にマトリクスであるアナタース型Ｔｉ酸化物結晶相を同時に含む複合構造薄膜材料の製造方法を新規に提供することにある。 - 特許庁

When a desired style name (ST) is designated, the genre (GE) corresponding to the selection number (CN) of the designated style name (ST) is displayed and the style number (SN) is retrieved from a conversion table (TT) by using the selection number (CN) to select music style data corresponding to the designated style name (ST).例文帳に追加

所望のスタイル名（ＳＴ）を指示すると、指示されたスタイル名（ＳＴ）の選択ナンバ（ＣＮ）に対応するジャンル（ＧＥ）が表示されると共に、この選択ナンバ（ＣＮ）で変換テーブル（ＴＴ）からスタイルナンバ（ＳＮ）を検索することによって、指示されたスタイル名（ＳＴ）に対応する楽曲スタイルデータ（ＳＤ）が選択される。 - 特許庁

The semiconductor particulates containing indium (In) of a P type impurity, is formed as a current passage, and also houses a bulk body 20 of germanium (Ge) with a high resistor portion 23 that electric resistance is increased by constricting the current passage at a predetermined part, in a chamber 10 where the inside is maintained an inactive gas atmosphere.例文帳に追加

Ｐ型不純物であるインジウム（Ｉｎ）を含んで電流路として形成されるとともに、その所定部位に電流路を狭窄することによって電気抵抗を高くした高抵抗部２３を設けたゲルマニウム（Ｇｅ）のバルク体２０を、内部が不活性ガス雰囲気に保たれたチャンバ１０内に収容する。 - 特許庁

A first layer 16 is formed by segregating specific atoms with high concentration on the junction interface of the NiGe layer 15 and the Ge substrate 2, and a second layer 17 is formed by segregating the same atoms as those of the first layer 16 with high concentration on the interface of the gate electrode 13 and a gate insulating film 12.例文帳に追加

ＮｉＧｅ層１５とＧｅ基板２との接合界面には、所定の原子が高濃度に偏析して形成されてなる第１の層１６が形成され、ゲート電極１３とゲート絶縁膜１２との界面には、第１の層１６と同じ原子が高濃度に偏析して形成されてなる第２の層１７が形成されている。 - 特許庁

The thin film transistor includes a gate electrode 15, a gate insulation layer 12, a channel layer 11, a source electrode 13, and a drain electrode 14 formed on a substrate 10, in which: the channel layer 11 contains indium, germanium, and oxygen; and the channel layer 11 has a compositional ratio expressed by In/(In+Ge) of 0.5 or more and 0.97 or less.例文帳に追加

基板上１０に、ゲート電極１５、ゲート絶縁層１２、チャネル層１１、ソース電極１３及びドレイン電極１４が形成される薄膜トランジスタにおいて、チャネル層１１はインジウム、ゲルマニウム及び酸素を含んでいて、チャネル層１１におけるＩｎ／（Ｉｎ＋Ｇｅ）で表される組成比が０．５以上０．９７以下である。 - 特許庁

To improve electron and hole mobilities in a channel party by employing a distorted Si/SiGe structure (or distorted Si/SiGeC structure), to keep the crystallinity of such a heterostructure in a proper condition, to prevent shortening of an effective channel length and diffusion of a Ge, and to reduce the resistance of the source layer and chain layer.例文帳に追加

歪Ｓｉ／ＳｉＧｅ構造（または歪Ｓｉ／ＳｉＧｅＣ構造）を採用してチャネル部分の電子移動度または正孔移動度の向上を行うと共に、かかるヘテロ構造の結晶性を良好な状態に保ち、実効チャネル長の短縮を防ぎ、Ｇｅの拡散を防ぐと共に、ソース層およびドレイン層の抵抗を低くする。 - 特許庁

In this electroless copper plating method, the object to be plated is dipped into an electroless copper plating solution containing copper ions, a complexing agent for copper ions, a reducing agent and at least one compound selected from the groups consisting of Ge compounds and Si compounds, by which copper plating layers 4 having projections are formed on copper conductor patterns 3.例文帳に追加

銅イオン、銅イオンの錯化剤、還元剤並びにＧｅの化合物及びＳｉの化合物からなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物を含有する無電解銅めっき液に被めっき物を浸漬することにより、銅導体パターン３に突起を有する銅めっき層４を形成するようにした無電解銅めっき方法。 - 特許庁

At least one or more among Fe oxide, Mo oxide, Mn oxide, Sn oxide, W oxide, Ga oxide, Ge oxide, Cu oxide, Cr oxide and Sb oxide are applied to a steel sheet into linear and/or dotted-line shape after primary recrystallization annealing and before secondary recrystallization annealing, or after secondary recrystallization annealing and before purification annealing.例文帳に追加

一次再結晶焼鈍後二次再結晶焼鈍前に、もしくは二次再結晶焼鈍後純化焼鈍前に、Ｆｅ酸化物、Ｍｏ酸化物、Ｍｎ酸化物、Ｓｎ酸化物、Ｗ酸化物、Ｇａ酸化物、Ｇｅ酸化物、Ｃｕ酸化物、Ｃｒ酸化物、Ｓｂ酸化物のうちの少なくとも１種以上を、鋼板に線状および／または点列状に塗布する。 - 特許庁

The lead-free solder has improved solder joining characteristics of joining strength, fluidity of solder, anti-oxidizing effect or the like by totally containing 0.001-1 wt.% of at least one or more elements selected from Ni, Ge, Ga, Al and Si, so that the solder joining excellent in the solder characteristics and having the high reliability is provided.例文帳に追加

更に、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｇａ、Ａｌ、及びＳｉから選ばれる少なくとも一種類以上を合計で０．００１〜１重量％含有することにより、接合強度向上、はんだの流動性向上、酸化防止効果向上等のはんだ接合特性の向上を有して、はんだ特性に優れ、高い信頼性を有するはんだ接合の提供を可能とする。 - 特許庁

To provide a polyester resin composition which has excellent color tone and thermal stability, is excellent in transparency of a molding, contains little foreign matter, and has thermal oxidization stability, and which hardly causes foaming during polymerization, has a Tcc equivalent to that obtained when a Ge-catalyst is used and is excellent in solid phase polymerization activity, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

色調や熱安定性に優れ、成形品の透明性に優れ、異物が少なく熱酸化安定性に優れ、重合時の発泡が少なく、Ｇｅ触媒を使用した時と同等のＴｃｃを有し、固相重合活性に優れるポリエステル樹脂組成物並びにポリエステル樹脂組成物の製造方法を提供すること。 - 特許庁

This method for modifying the viscosity of the liquid is characterized by taking note to magnetic energy said to be useful for improving the solubility of oils and fats, effecting the magnetic energy of a solid magnet of which magnetic flux density is increased by baking ≥1 metal element selected from titanium Ti, silver Ag, copper Cu, germanium Ge and vanadium V with the magnet, on the solid magnet.例文帳に追加

油脂類の溶解性の向上に有効であるとされている磁気エネルギーに着目し、チタンＴｉ、銀Ａｇ、銅Ｃｕ、ゲルマニウムＧｅ、バナジウムＶから選ばれる一もしくはそれ以上の金属元素を焼付けることによりその磁束密度を増大させた固体磁石の磁気エネルギーを粘稠性液体に作用させることを特徴とする。 - 特許庁

The aromatic hydrocarbon, having at least one hydrogen directly bound to a benzene ring, and a methylenation agent such as formalin are made to react in a specified range of temperature, thus obtaining a reaction mixture in the presence of the heteropoly acid, which is produced through condensation between at least one oxide selected from among Mo, W, Nb and V and an oxygen acid of P, Si, As or Ge.例文帳に追加

ベンゼン環に直接結合した水素を少なくとも１個有する芳香族炭化水素とホルマリン等のメチレン化剤を、Ｍｏ、Ｗ、ＮｂおよびＶから選ばれた少なくとも１種の酸化物と、Ｐ、Ｓｉ、ＡｓまたはＧｅの酸素酸の縮合した酸であるヘテロポリ酸の存在下に特定の温度範囲で反応させ、反応混合物を得る。 - 特許庁

This production method of a semiconductor base material comprises: forming crystal nucleus of SiGe or Ge on a base material, such as an amorphous, a polycrystal and a metal using a heat CVD method which is performed at a temperature of 550°C or lower using a germanium halide and silanes as raw materials; and forming a Si polycrystal film on the crystal nuclei by a vapor phase deposition method.例文帳に追加

５５０℃以下の温度でハロゲン化ゲルマニウムとシラン類を原料とする熱ＣＶＤ法を用いて、非晶質、多結晶あるいは金属などの基材上にＳｉＧｅあるいはＧｅの結晶核を形成し、該結晶核上に気相堆積法でＳｉ多結晶膜を形成する半導体基材の製造方法により、上記課題を解決する。 - 特許庁

The amorphous material composition comprises one or more amorphous materials selected from a heavy metal oxide glass containing at least Ho and Pr, a halogen compound glass, a chalcogen compound glass, a halogen oxide glass, amorphous Si and amorphous Ge and particularly has 0.01-20 wt.% Ho concentration and 0.01-20 wt.% Pr concentration.例文帳に追加

ＨｏおよびＰｒを少なくとも含有する重金属酸化物ガラス、ハロゲン化合物ガラス、カルコゲン化合物ガラス、ハロゲン酸化物ガラス、非晶質Ｓｉ、非晶質Ｇｅから選ばれる少なくとも一種類以上の非晶質材料で、特にＨｏ濃度が０．０１〜２０ｗｔ％で、かつＰｒ濃度が０．０１〜２０ｗｔ％の範囲とする。 - 特許庁

The Cu alloy film for a display device comprising films 25, 26, 34 is directly connected to transparent conductive films 5, 41 on the substrate, and contains 0.1 to 0.5 atom% of Ge and 0.1 to 0.5 atom% in total of one kind or more selected from a group comprising Ni, Zn, Fe and Co.例文帳に追加

基板上にて、透明導電膜５，４１に直接接続する表示装置用Ｃｕ合金膜２５，２６，３４であって、該Ｃｕ合金膜は、Ｇｅを０．１〜０．５原子％含有し、かつＮｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、及びＣｏよりなる群から選択される１種以上を合計で０．１〜０．５原子％含有することを特徴とする表示装置用Ｃｕ合金膜。 - 特許庁

The bonding wire contains 0.0001 to 0.01 mass% Sn, 0.8 to 2 mass% Pt, and 0.0001 to 0.1 mass% one or more selected from a group including Ca, Be, Ge, rare earth elements, Sr, Ba, In and Ti, and contains the remaining of Au and unavoidable impurities.例文帳に追加

Ｓｎを０．０００１質量％以上０．０１質量％以下、Ｐｔを０．８質量％を越え２質量％以下、Ｃａ、Ｂｅ、Ｇｅ、希土類元素、Ｓｒ、Ｂａ、ＩｎおよびＴｉからなる群より選ばれた１種以上を合計で０．０００１質量％以上０．１質量％以下含有し、残部がＡｕおよび不可避不純物からなるボンディングワイヤ。 - 特許庁

A semiconductor device 1 includes an NMISFET region 3 including a GOI layer 6 or a Ge layer 8 wherein a triangular cross section thereof along a direction perpendicular to a direction in which a channel current flows, two of surfaces thereof are (111) planes and the other surface is a (100) plane, and an Si layer 7 formed on the (100) plane.例文帳に追加

チャネル電流が流れる方向に対して垂直方向の断面が三角形状をしており、その２面が（１１１）面で、残りの１面が（１００）面であるＧＯＩ層６またはＧｅ層８と、前記（１００）面上に形成されたＳｉ層７と、を備えたＮＭＩＳＦＥＴ領域３を備えたこと、を特徴とする半導体装置１。 - 特許庁

In the optical recording medium capable of performing recording/reproduction by irradiation of a laser, a thin film (a first layer) consisting essentially of In is formed on a laser irradiation side, then a thin film (a second layer) consisting essentially of Ge and Te is formed and a gas consisting of Ar and CxHy is introduced into the second layer.例文帳に追加

レーザによる照射により記録・再生できる光記録媒体において、レーザ照射側に主にＩｎからなる薄膜（第１層）があり、その次に主にＧｅとＴｅからなる薄膜（第２層）が位置する構成であり、該第２層にＡｒとＣｘＨｙからなるガスが導入されていることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

In the process for producing a semiconductor substrate by epitaxially growing an SiGe epitaxial layer containing Ge at a set concentration and a silicon thin film sequentially on an SOI substrate and then performing heat treatment a plurality of times at a specified temperature in an oxidizing atmosphere, a silicon thin film is formed after the oxide film is removed.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に設定した濃度のＧｅを含むＳｉＧｅエピタキシャル層とシリコン薄膜とを順次エピタキシャル成長を形成し、次に酸化雰囲気下で所定の温度と時間で熱処理を複数回行なった基板において、酸化膜を除去した後にシリコン薄膜を形成したことを特徴とする半導体基板の製造方法である。 - 特許庁

The Zn based solder alloy comprises at least one selected from the group consisting of, by mass, 0.1 to 1% Al, 0.05 to 1% Ge, 0.01 to 1.0% V and 0.01 to 0.5% P, and the balance Zn with inevitable impurities.例文帳に追加

０．１質量％〜１質量％のＡｌ、０．０５質量％〜１質量％のＧｅ、０．０１質量％〜１．０質量％のＶ、および、０．０１質量％〜０．５質量％のＰからなる群から選ばれる少なくとも一種を含み、残部がＺｎおよび不可避不純物からなるＺｎ系はんだ合金からなる高温ろう材とする。 - 特許庁

This polyester mainly comprises ethylene terephthalate-derived repeating units and has a Ge atom content of 30 ppm or lower and a cyclic trimer content of 0.35 wt.% or lower, and when the polyester is kept melted at 290°C for 60 min, the cyclic trimer content increases by 0.30 wt.% or lower.例文帳に追加

主たる繰り返し単位がエチレンテレフタレ−トであるポリエステルであって、該ポリエステル中のＧｅ原子の含有量が３０ｐｐｍ以下、環状３量体含有量が０．３５重量％以下であり、且つ２９０℃の温度で６０分間溶融した時の環状３量体の増加量が０．３０重量％以下あることを特徴とするポリエステル。 - 特許庁