「Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

The March 15 of Jogan 11 (869) Section of "Nihon Sandai Jitsuroku" (sixth of the six classical Japanese history texts) reads that OSAKABE no Sukune no Mototsugi, daiki (Commander-in-chief) of the Natori Garrison, together with ABENOMUTSU no Nagamune of Shibata-gun Gon Dairyo (Provisional Chief Administrative Officer of Shibata County), was conferred Ge-jugoinoge. 例文帳に追加

日本三代実録の貞観11年（869年）3月15日条に、名取団の大毅、刑部宿禰本継が柴田郡権大領の阿倍陸奥永宗とともに外従五位下の位を授けられたことが見える。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The March 15 of Jogan 11 (869) Section of "Nihon Sandai Jitsuroku" (sixth of the six classical Japanese history texts) reads that ABENOMUTSU no Nagamune, Shibata-gun Gon Dairyo (Provisional Chief Administrative Officer of Shibata County), together with OSAKABE no Sukune no Mototsugi, daiki (Commander-in-chief) of the Natori Garrison, was conferred Ge-jugoinoge. 例文帳に追加

『日本三代実録』の貞観11年（869年）3月15日条に、陸奥柴田郡権大領の阿倍陸奥臣永宗が、名取団の大毅である刑部本継とともに外従五位下の位を授けられたことが見える。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The silver alloy film 30 contains: at least one of copper (Cu), gold (Au), palladium (Pd), and platinum (Pt); and at least one of germanium (Ge), cerium (Ce), neodymium (Nd), and gadolinium (Gd).例文帳に追加

銀合金膜３０は、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）及び白金（Ｐｔ）のうち少なくとも１種と、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セリウム（Ｃｅ）、ネオジウム（Ｎｄ）及びガドリニウム（Ｇｄ）のうち少なくとも１種と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The concentration of germanium in the silicon germanium film 2 is constant, and that in the Ge graded concentration silicon germanium film 3a is gradually reduced from a boundary with the silicon germanium 2 to a boundary with the silicon film 3b.例文帳に追加

シリコンゲルマニウム膜２のゲルマニウム濃度は一定であり、Ｇｅ濃度傾斜シリコンゲルマニウム膜３ａのゲルマニウム濃度は、シリコンゲルマニウム膜２との界面からシリコン膜３ｂとの界面に向かって徐々に減少している。 - 特許庁

However, probably because this prescription was difficult to understand, mostly other forms such as ge (a form of an official document) were used in issuing an official document which ought to have been made as zi, and thus zi does not remain today. 例文帳に追加

だが、この規定が難解で分かりにくかったためか、現存の辞は残されておらず、辞が適切と思われる内容に関する公文書でも解(公文書)などの他の形式が用いられているのがほとんどである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

He appeared in the "Shinsen Shojiroku" (Newly Compiled Register of Clan Names and Titles of Nobility) and cited Owari clan (stated under the category of Sakyo Shinbetsu (clans branched out of a family of god in the Eastern Capital Offices)), Ifukube clan (stated under the category of Sakyo Shinbetsu ge), Mutobe clan (stated under the category of Yamashiro Shinbetsu) and Tsumori clan (stated under the category of Settsu Shinbetsu). 例文帳に追加

『新撰姓氏録』にも見え、後裔氏族として尾張氏（左京神別等）を始め、伊福部氏（左京神別下）・六人部氏（山城神別）・津守氏（摂津神別）等を挙げている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Elements of electronic components and electrodes are joined using the joining material which comprises an alloy containing Bi as a main component, wherein the alloy comprises 0.2 to 0.8 wt.% of Cu, and 0.02 to 0.2 wt.% of Ge.例文帳に追加

Ｂｉを主成分とする合金を含み、前記合金は、０．２〜０．８重量％のＣｕと、０．０２〜０．２重量％のＧｅとを含む接合材料を用い、電子部品の素子と電極とを接合する。 - 特許庁

In the photodetector 1, an Si semiconductor layer 11 having a polarity, an intrinsic Si semiconductor layer 12 and a Ge semiconductor layer 13 having a polarity reverse to that of the Si semiconductor layer 11 are laminated sequentially.例文帳に追加

具体的には、極性のあるＳｉ半導体層１１と、真性Ｓｉ半導体層１２と、前記Ｓｉ半導体層１１と逆極性のＧｅ半導体層１３と、が順に積層されている光検出器１である。 - 特許庁

In the optical recording medium having an inorganic recording film, the inorganic recording film is provided with a first recording film containing titanium (Ti) and a second recording film containing oxides of germanium (Ge) and tin (Sn).例文帳に追加

光記録媒体は、無機記録膜を有する光記録媒体であって、無機記録膜が、チタン（Ｔｉ）を含む第１の記録膜と、ゲルマニウム（Ｇｅ）およびスズ（Ｓｎ）の酸化物を含む第２の記録膜とを備える。 - 特許庁

The method for hydrogenating the carboxylic acid and/or the carboxylic acid ester comprises using the catalyst obtained by reducing a catalyst precursor composed of Ru and Ge supported on a carrier at 250-900°C.例文帳に追加

ＲｕおよびＧｅを担体に担持した触媒前駆体を、２５０〜９００℃の範囲で還元した触媒を用いることを特徴とするカルボン酸及び／又はカルボン酸エステルの水素化方法により解決される。 - 特許庁

A vapor deposition apparatus for vapor-deposition process by heat is used to connect to electrodes provided on the vapor deposition apparatus the ends of two boats to which the Ge of a 14 group semiconductor and the Mn of a 3d transition metal are respectively given.例文帳に追加

同時熱蒸着処理が可能な蒸着装置を利用して、１４族半導体のＧｅと３ｄ遷移金属のＭｎとをそれぞれ盛ったボートの端部を蒸着装置が備える電極に接続する。 - 特許庁

To provide Bi_12XO_20 particles (wherein X indicates at least one element selected from the group consisting of Si, Ge and Ti) suitable to manufacture a radiation photoconductor capable of raising charge collection.例文帳に追加

収集電荷を向上させることが可能な放射線光導電体を製造するのに好適なＢｉ_12ＸＯ_20粉子（ただし、ＸはＳｉ，Ｇｅ，Ｔｉからなる群より選ばれる少なくとも１種である）を提供する。 - 特許庁

A 1st protective layer 2, a crystallization accelerating layer 3, a 1st recording layer 4 comprising a Ge-Sb-Te alloy, a 2nd recording layer 5, a 2nd protective layer 6 and a reflection layer 7 are successively formed on a substrate 1 by sputtering.例文帳に追加

基板１の上に、第一保護層２、結晶化促進層３、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金からなる第一記録層４、第二記録層５、第二保護層６、および反射層７を順次スパッタリング法で成膜する。 - 特許庁

For the purpose of sharing information, Japan BWR Owners Group was formed by Tohoku Electric Power Co., Inc. Tokyo Electric Power Co., Inc. Chubu Electric Power Co, Inc. Hokuriku Electric Power Co. , the Chugoku Electric Power Co. , Inc. the Japan Atomic Power Company, Electric Power Development Co.　Toshiba, and Hitachi-GE Nuclear Energy in April, 2006, and Japan PWR Owners Group was set up by Hokkaido Electric Power Co., Inc. the Kansai Electric Power Co., Inc. Shikoku Electric Power Co. , Inc. Kyushu Electric Power Co. , Inc. the Japan Atomic Power Company, Mitsubishi Heavy Industries, and Mitsubishi Electric Corporation in October, 2005.例文帳に追加

このほか、情報共有を目的として、東北電力、東京電力、中部電力、北陸電力、中国電力、日本原子力発電、電源開発、東芝、日立GEニュークリア・エナジーによって2006年4月に「BWR事業者協議会」が、北海道電力、関西電力、四国電力、九州電力、日本原子力発電、三菱重工業、三菱電機によって2005年10月に「PWR事業者連絡会」が結成されている。 - 経済産業省

The respective boats produce heat by electric resistance including in themselves, and they evaporate or sublime a given sample (Ge or Mn) by the heat, and the sample is deposited on a substrate that is located at a specified position within the deposition apparatus.例文帳に追加

それぞれのボートは、自身が備える電気抵抗により熱を発生し、この熱により盛られた試料（Ｇｅ又はＭｎ）を蒸発又は昇華させ、蒸着装置内の所定の位置に配置された基板に蒸着させる。 - 特許庁

Thus, the GaN crystal can be effectively doped with Ge.例文帳に追加

以上のように材料を配置してＮａフラックス法により種結晶基板１９にＧａＮ結晶を育成すると、ナトリウムとゲルマニウムの合金が生じる前に、ガリウム融液にゲルマニウムが融解するので、ＧａＮ結晶にＧｅを効率的にドープすることができる。 - 特許庁

The present invention relates to a device comprising: a substrate including a silicon substrate having a porous top layer; a second layer formed of Ge material on the top layer; and the other layer formed of group-III nitride material on the second layer.例文帳に追加

本発明は、ポーラス状の最上層を有するシリコン基板を含む基板と、 上記最上層上の、Ｇｅ材料からなる第２層と、 上記第２層上の、III族窒化物材料からなる別の層とを有する装置に関する。 - 特許庁

To provide an information recording medium having high reliability of recording data and excellent durability to repetitive recording of data in the information recording medium using a Bi-Ge-Te based phase transition material as a recording layer.例文帳に追加

Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化材料を記録層として用いた情報記録媒体において、記録データの信頼性が高く、且つデータの繰返し記録に対する耐久性に優れた情報記録媒体を提供する。 - 特許庁

In a second method, a silicon oxide film and a silicon nitride film are formed on the Si-Ge mixed crystal layer that becomes the base and the silicon epitaxial film that becomes the emitter, and the silicon nitride film is subjected to wet etching by a selective etchant, for forming an emitter opening.例文帳に追加

第２の方法は、ベースとなるＳｉ−Ｇｅ混晶層とエミッタとなるシリコンエピタキシャル膜の上にシリコン酸化膜とシリコン窒化膜を形成し、シリコン窒化膜を選択性エッチャントを用いてウエットエッチングしてエミッタ開口部を形成する。 - 特許庁

To restrain a Ge silicide layer from flocculating and to form a low-resistance SiGe-silicide layer easily in a silicide forming method of forming a SiGe layer that constitutes source/drain regions.例文帳に追加

本発明の目的は、ソース・ドレイン領域を形成するＳｉＧｅ層のシリサイド形成法に係り、Ｇｅによる被シリサイド層の凝集を抑制し、低抵抗のＳｉＧｅ−シリサイドを簡便に形成する技術を提供することにある。 - 特許庁

A single crystalline Si-Ge intrinsic base 18 and a base layer 7 are connected with each other in a self alignment manner, by thickening a low-concentration collector layer 16 in the vicinity of an external base layer.例文帳に追加

外部ベース層周辺の低濃度コレクタ層１６を厚くすることにより、単結晶Ｓｉ−Ｇｅの真性ベース１８とベース引き出し層７を、多結晶Ｓｉ−Ｇｅの外部ベース層１７によって自己整合的に接続する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a surface of its semiconductor layer of Si, Ge, or the like comprising at least two kinds of semiconductor wafer oxidation treated into a desiable shape, and to provide a manufacturing method capable of effective oxidation treatment.例文帳に追加

少なくとも２種類の半導体からなるＳｉＧｅなどの半導体層の表面を所望の形状に酸化処理を施す半導体装置及びこの酸化処理を効率的に行うことができる製造方法を提供する。 - 特許庁

On a substrate 1, a recording layer 2 made of a material containing Si or Ge is formed, an organic resin film 3 is formed on the recording layer 2, and a transparent film 4 is disposed as a light transmissive layer on the organic resin film 3.例文帳に追加

基板１上に記録層２がＳｉ又はＧｅを含む物質で形成され、記録層２上に有機樹脂膜３が形成されており、この有機樹脂膜３上に光透過層として透明フィルム４が設けられる。 - 特許庁

A toner band GE is formed over the entire circumference of the intermediary transfer belt 51 which is located at a position in which toner images GY, Gm, GC, GK, and GR for control are formed, with a width that corresponds to the widths of the toner images GY, Gm, GC, GK, and GR for control.例文帳に追加

トナー帯ＧＥは、制御用トナー像ＧＹ、ＧＭ、ＧＣ、ＧＫ、ＧＲが形成される位置の中間転写ベルト５１の全周に、制御用トナー像ＧＹ、ＧＭ、ＧＣ、ＧＫ、ＧＲに対応する幅で形成される。 - 特許庁

To obtain an optical subscriber device, frame transmission method and control program, wherein both an ATM frame and a GE frame are communication available, without the need for an opposite side, such as, an in-station device for changing frame transmitting/receiving form.例文帳に追加

局内装置等の相手側がフレームの送受信形態を変更する必要なく、ＡＴＭフレームとＧＥフレームのどちらのフレームの通信も可能にした光加入者装置、フレーム送信方法および制御プログラムを得ること。 - 特許庁

An optical subscriber device 20 inhibits transmission of a frame by means of a frame transmission inhibiting means 25, until either a GE-PON frame receiving means 21 or an ATM-PON frame receiving means 22 detects reception of a frame.例文帳に追加

光加入者装置２０は、ＧＥ−ＰＯＮフレーム受信手段２１と、ＡＴＭ−ＰＯＮフレーム受信手段２２のいずれかがフレームの受信を検出するまでフレーム送信禁止手段２５でフレームの送信を禁止する。 - 特許庁

The electromagnetic wave transmissive decorative component, in particular, of clear metallic glossiness is provided at low cost, without shielding an electromagnetic wave, by constitution of forming a Ge layer 2 having 10 nm to 30 nm of film thickness, on a surface of the component 1.例文帳に追加

部品１の表面に、膜厚が１０ｎｍ〜３０ｎｍのＧｅ層２を形成した構成とすることで、電磁波を遮蔽することなく、特にクリアな金属光沢を呈する電磁波透過性加飾部品が低コストで実現可能となる。 - 特許庁

To provide a structure can prevent diffusion of an element such as Ge in a reference layer while keeping exchange coupling between the reference layer and other layer, in a spin valve film of a CPP magnetoresistive effect element.例文帳に追加

ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子のスピンバルブ膜においてリファレンス層と他の層との間の交換結合を維持しつつリファレンス層中のＧｅ等の元素の拡散を防止し得る構成を提供することを目的とする。 - 特許庁

The organic compound contains a hetero five-membered ring having at least one of an element selected from the group consisting of B, Si, P, Ge, As, Se, Sb, Te, Bi and Po in the ring and a hole transporting structure.例文帳に追加

本発明に係る有機化合物は、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｂｉ、及びＰｏよりなる群から選択される元素を環内に少なくとも１つ有するヘテロ五員環と、正孔輸送性構造とを含有する。 - 特許庁

In addition, this impurity can be set to at least any one among O, C, Si, Ge, Be, Mg and Ca and the concentration of this impurity may be set to a range of 1×10^16 cm^-3 or higher or 1×10^20 cm^-3 or lower.例文帳に追加

また、上記不純物を、Ｏ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｂｅ、ＭｇおよびＣａの少なくともいずれかとすること、上記不純物の濃度を、１×１０^16ｃｍ^-3以上１×１０^20ｃｍ^-3以下の範囲とすることができる。 - 特許庁

This photorecording medium has at least one information layer including a recording film, which is formed of a phase changing material containing at least Sb, Ge and Mg as main components.例文帳に追加

記録膜を含む少なくとも一層の情報層を備えた光記録媒体であって、前記記録膜が、少なくともＳｂとＧｅとＭｇとを主成分として含む相変化材料によって、形成されたことを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

This Ta target for film-forming a barrier material is the one in which the powder of one or ≥ two kinds among (C, B, Ir, W, Ge, CeO2 and RuO2) of ≤49 atomic% and Ta powder of ≥51 atomic% are sintered.例文帳に追加

本発明は、４９原子％以下の（Ｃ、Ｂ、Ｉｒ、Ｗ、Ｇｅ、ＣｅＯ__2、ＲｕＯ_2）の１種または２種以上の粉末と、５１原子％以上のＴａ粉末とが焼結してなるバリア材成膜用Ｔａ系ターゲットである。 - 特許庁

A semiconductor layer such as an Si layer or a Ge layer transmits electromagnetic waves of ranges of centimeter wave and ultrahigh frequency wave and, therefore, when an antenna is stored in a housing constituted of the electromagnetic wave transmitting decoration substrate, antenna characteristics are not impaired.例文帳に追加

Ｓｉ層やＧｅ層などの半導体層は、センチ波、極超短波の電磁波を透過させるため、電磁波透過性加飾基板で構成した筐体の内部にアンテナを収納した場合に、アンテナ特性を損なわない。 - 特許庁

The joining material is composed of an Al-based alloy layer containing metals of one or more out of Mg, Sn, Ge, Ga, Bi and In, and a Zn-based alloy layer provided on an outermost surface of the Al-based alloy layer.例文帳に追加

Ｍｇ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｂｉ、Ｉｎのうちの１種以上の金属を含有するＡｌ系合金層と、前記Ａｌ系合金層の最表面に設けられたＺｎ系合金層とからなることを特徴とする接続材料。 - 特許庁

To provide a technique for reducing the generation of splashes, particularly, initial splashes in the case an Al-(Ni, Co)-(La, Nd) based alloy or an Al-(Ni, Co)-(La, Nd)-(Cu, Ge) based alloy is used as a sputtering target.例文帳に追加

スパッタリングターゲットとしてＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｌａ，Ｎｄ）系合金またはＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｌａ，Ｎｄ）−（Ｃｕ，Ｇｅ）系合金を用いた場合にスプラッシュ、特に初期スプラッシュの発生を低減し得る技術を提供する。 - 特許庁

The phosphor consists of a metal oxide solid solution having a structure wherein Li_2TiO_3:Mn^4+ is doped with at least one of Ge and A (A is at least one selected from Na, K and Rb).例文帳に追加

本発明に係る蛍光体は、Ｌｉ_２ＴｉＯ_３：Ｍｎ^４＋に、ＧｅとＡ（ＡはＮａ、Ｋ、及びＲｂから選択される少なくとも一種）とのうち少なくとも一方がドープされている構造を有する金属酸化物固溶体から成る。 - 特許庁

On the negative electrode collector, a thin-film-like negative electrode active material layer containing germanium (Ge) as a main constituent is formed by a spattering method, or a negative electrode active material layer comprising powder containing germanium as a main constituent is formed.例文帳に追加

そして、負極集電体上に、スパッタ法によりゲルマニウム（Ｇｅ）を主成分として含む薄膜状の負極活物質層、またはゲルマニウムを主成分として含む粉体からなる負極活物質層を形成する。 - 特許庁

On the other hand, the NMOS transistor 30n is formed in a distorted semiconductor layer 11 consisting of a plane orientation (100) Si obtained through epitaxial growth on a plane orientation (100) Si-Ge layer constituting the surface layer of the semiconductor substrate.例文帳に追加

一方、ＮＭＯＳトランジスタ３０ｎは、半導体基板の表面層を構成する面方位（１００）Ｓｉ−Ｇｅ層上にエピタキシャル成長させた面方位（１００）Ｓｉからなる歪半導体層１１に形成されている。 - 特許庁

When the temperature of the NO_X catalyst is low, the reducing agent is supplied into the NO_X catalyst (arrow RF) when the selector valve is held in a normal flow position, and the quantity of exhaust gas GE carried into the NO_X catalyst is thus high.例文帳に追加

ＮＯ_Ｘ触媒の温度が低いときには、切替弁が順流位置に保持され従ってＮＯ_Ｘ触媒内に流入する排気ガスの量ＱＥが多いときに、ＮＯ_Ｘ触媒内に還元剤を供給する（矢印ＲＦ）。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a semiconductor substrate SB, an n^- epitaxial layer EP, a p-type back gate region BG, an n^+ source region SR, an n-type drain region DR, a gate electrode GE, and an n-type high-density region HR.例文帳に追加

半導体装置１００は、半導体基板ＳＢと、ｎ^-エピタキシャル層ＥＰと、ｐ型バックゲート領域ＢＧと、ｎ^+ソース領域ＳＲと、ｎ型ドレイン領域ＤＲと、ゲート電極ＧＥと、ｎ型高濃度領域ＨＲとを備えている。 - 特許庁

Further since the HfO_2 film has the crystal structure with alignment in the face direction where the (111) plane and the (-111) plane are main, adhesion between the Ge film and the HfO_2 film increases and the infrared ray filter of high strength can be provided.例文帳に追加

また、ＨｆＯ_２膜は（１１１）面と（−１１１）面を主とする面方向に配向した結晶構造を有するので、Ｇｅ膜とＨｆＯ_２膜の密着力が高まり、高強度の赤外線フィルタを提供することができる。 - 特許庁

There is provided an alloy for a seed layer of a magnetic recording medium as a perpendicular magnetic recording medium which is an Ni-based alloy and contains one kind or two or more kinds among Sn, In, Ga, Ge, and Si by 0.5-20 at.% or more and Ni for the rest.例文帳に追加

Ｎｉ系合金であって、Ｓｎ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｉの１種又は２種以上をａｔ．％で０．５〜２０％含有し、残部がＮｉからなる垂直磁気記録媒体におけることを特徴とする磁気記録媒体のシード層用合金。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a high-quality Si_1-xM_xC alloy compound having few crystal defects and a desired composition, easily taking M (Ge or Sn) into SiC crystal, and controlling the composition of the Si_1-xM_xC alloy compound easily.例文帳に追加

ＳｉＣ結晶中へのＭ（ＧｅまたはＳｎ）を容易に取り込んでＳｉ_1-xＭ_xＣ混晶の組成制御を容易にし、結晶欠陥が少なく良質で所望組成からなるＳｉ_1-xＭ_xＣ混晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

A gate 3 is realized, where with an SiGe mixed crystal or an SiGeC mixed crystal as a material, the mixed crystal is thermally oxidized to segregate Ge, with a composition at a gate end different from that at a gate central part for a threshold to be kept high.例文帳に追加

材料がＳｉＧｅ混晶或いはＳｉＧｅＣ混晶であって、該混晶を熱酸化してＧｅを偏析させ、組成をゲート端部とゲート中央部とで異ならせることに依って、しきい値を高く維持したゲート３を実現する。 - 特許庁

This magnetic resonance imaging system is provided with an application means for applying a phase encoding direction gradient magnetic field GE which is set so that data is arranged in a space (k) in an order from a high frequency region to a low frequency region in the space (k).例文帳に追加

この磁気共鳴イメージング装置は、ｋ空間の高周波領域から低周波領域の順でデータが当該ｋ空間に配置されるように設定した位相エンコード方向傾斜磁場Ｇ_Ｅを印加する印加手段を備える。 - 特許庁