「Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

A high-mobility Ge channel field effect transistor with a layered heterostructure incorporates multiple semiconductor layers on a semiconductor substrate, and a channel structure of a compressively strained epitaxial Ge layer having a higher barrier or a deeper confining quantum well and having an extremely high hole mobility for complementary MODFETs and MOSFETs.例文帳に追加

半導体基板上に複数の半導体層と、より高いバリアまたはより深い閉じ込め量子井戸を有し、相補型ＭＯＤＦＥＴおよびＭＯＳＦＥＴのための非常に高い正孔移動度を有する圧縮ひずみエピタキシャルＧｅ層のチャネル構造を取り込み、層状ヘテロ構造をもつ高移動度Ｇｅチャネル電界効果トランジスタを形成する。 - 特許庁

The information recording medium has a substrate and a recording layer provided on the substrate and formed of a phase change material containing Bi, Ge, Te and an element M other than these elements, wherein Ge is partially substituted by the element M, and the content of the element M in the recording layer is 10 atom% or less.例文帳に追加

基板と、基板上に設けられ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｔｅ及びこれらの元素以外の元素Ｍを含む相変化材料で形成された記録層とを備え、Ｇｅの一部が元素Ｍで置換されており、記録層中の元素Ｍの含有量が１０原子％以下であることを特徴とする情報記録媒体を提供することにより上記課題を解決する。 - 特許庁

Since the semiconductor device has a Ge-containing layer 72 under the gate electrode 7P and a polysilicon film 73 having small particle diameters (a mean particle diameter of ≤100 nm) on the Ge-containing layer 72, the B doped into the gate electrode 7P is roughly uniformly distributed in the gate electrode 7P in the thickness direction when source and drain electrodes are subjected to an activating heat treatment.例文帳に追加

ゲート電極７Ｐの下層にＧｅを含む膜７２を有し、Ｇｅを含む膜７２の上に粒径の小さい（平均粒径１００ｎｍ以下の）ポリシリコン膜７３を有しているので、ゲート電極７Ｐ中にドープされるボロンが、ソース／ドレイン電極の活性化熱処理によりゲート電極中に厚さ方向にほぼ均一に分布する。 - 特許庁

The Al alloy film directly connected to a transparent conductive film on a substrate of the display device has 0.05 to 0.5 atom% Ni, 0.4 to 1.5 atom% Ge, 0.05 to 0.3 atom% at least one element selected from a rare earth element group in total and ≤1.7 atom% sum total of Ni and Ge.例文帳に追加

表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｎｉを０．０５〜０．５原子％、Ｇｅを０．４〜１．５原子％、および希土類元素群から選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．０５〜０．３原子％含有すると共に、ＮｉおよびＧｅの合計量が１．７原子％以下である。 - 特許庁

A flash memory (500) has three layer structure (512) consisting of quick thermal oxide, germanium (Ge) nanocrystal (510) in silicon dioxide (SiO_2), and sputtered SiO_2 cap (516) and measurements of capacity vs voltage (C-V) shows memory hysteresis due to a Ge nanocrystal (510) in the central layer of the three layer structure (512).例文帳に追加

フラッシュメモリ（５００）は、急速熱酸化物と、二酸化シリコン（ＳｉＯ_2）におけるゲルマニウム（Ｇｅ）ナノ結晶（５１０）と、スパッタリングされたＳｉＯ_2キャップ（５１６）とからなる３層構造（５１２）を有し、容量対電圧（Ｃ−Ｖ）測定値により３層構造（５１２）の中央層のＧｅナノ結晶（５１０）によるメモリヒステリシスを有することで示される。 - 特許庁

In one embodiment, the metal oxide film is a titanium dioxide film with an anatase structure, wherein one or more dopants selected from the group consisting of Sn, Hf, Si, Zr, Pb and Ge and one or more dopants selected from the group consisting of Nb, Ta, Mo, As, Sb and W, are added to a titanium dioxide film.例文帳に追加

本発明のひとつの側面は、アナターゼ構造を有する二酸化チタン膜である金属酸化物膜であって、二酸化チタン膜に、Sn、Hf、Si、Zr、Pb及びGeからなる群から選ばれる1又は2以上のドーパント、並びに、Nb、Ta、Mo、As、Sb及びWからなる群から選ばれる1又は2以上のドーパントが添加されていることを特徴とする金属酸化物膜にある。 - 特許庁

The high-temperature brazing filler metal is composed of 2-9 wt.% of Ge, 2-9 wt.% of Al, 0.001-0.5 wt.% of P, and the balance Zn and inevitable impurities.例文帳に追加

本発明による高温ろう材は、Ｇｅを２〜９重量％、Ａｌを２〜９重量％、Ｐを０．００１〜０．５重量％、残部がＺｎおよび不可避不純物からなる。 - 特許庁

On either or both faces of a ceramic substrate 11, metal layers 13 are stacked adhesively via a brazing material 12 for an Al-Si system or Al-Ge system metal layer.例文帳に追加

セラミック基板１１の両面のいずれか一方又は双方にＡｌ−Ｓｉ系又はＡｌ−Ｇｅ系の金属層用ろう材１２を介して金属層１３が積層接着される。 - 特許庁

Since the strain Ge layer becoming a channel layer is employed, a crystal layer having a lattice extending in the vertical direction (traveling direction of carriers) can be utilized as a channel and a higher mobility can be expected.例文帳に追加

チャネル層となるひずみＧｅ層を用いることにより、縦方向（キャリアの走行方向）に格子の伸びた結晶層をチャネルに利用でき、より高速の移動度が期待できる。 - 特許庁

To manufacture a BiMO particle (M is either one of Si, Ge, Ti, and Sn) which is stable in shape and composition by using a stable water-soluble bismuth compound solution without using a strong acid.例文帳に追加

強酸を使用することなく、安定な水溶性ビスマス化合物溶液を用いて形状や組成が安定なＢｉＭＯ微粒子（ただし、ＭはＳｉ、Ｇｅ、ＴｉまたはＳｎ）を製造する。 - 特許庁

To provide a Ge addition Nb3Al base superconducting wire for a practical high magnetic field with high critical current density and high transportation current in a magnetic field of 21 T or more.例文帳に追加

２１Ｔ以上の磁界領域において、臨界電流密度、輸送電流がともに高く、実用的な強磁場用のＧｅ添加Ｎｂ_3Ａｌ基超伝導線材を実現する。 - 特許庁

According to the present invention, a thin film containing Ge and a thin film containing Sb are formed into a superlattice structure to solve the problem, and the number of times of repetitive recording and erasure are set to 10^15.例文帳に追加

本願発明は、Ｇｅを含む薄膜とＳｂを含む薄膜を超格子構造で作成し、上記課題を解決し、繰り返し記録消去回数を１０^１５回とした。 - 特許庁

To provide an optical fiber having a conventional Ge doped core-pure quartz glass clad structure easy to produce and ensuring low polarization mode dispersion and to provide a glass preform for manufacturing the optical fiber.例文帳に追加

製造の容易な従来のＧｅドープコア・純石英ガラスクラッドの構造で、偏波モード分散が小さい光ファイバ及びこれを作製するための光ファイバ用ガラス母材を提供する。 - 特許庁

The charge generating layer comprises one or two or more compositions selected from a group of S, Se, Te, Si, SiC, and Ge, and is constituted of an amorphous film.例文帳に追加

電荷発生層がＳ・Ｓｅ・Ｔｅ・Ｓｉ・ＳｉＣ・Ｇｅの群から選択される１種もしくは２種以上の組成物からなり、かつ非晶質膜で構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

Further, when at least one or more elements of P, Ga, and Ge are added, the oxidation of the solder alloy can be suppressed, and the dross produced in flow-soldering can be greatly suppressed.例文帳に追加

さらに、Ｐ、Ｇａ、Ｇｅの少なくとも一種以上が添加されると、はんだ合金の酸化が改善され、フローソルダリング時に発生するドロスを大幅に抑制することが可能となる。 - 特許庁

The copper powder for conductive paste contains, at the inside of each particle, Al, Si, Ge and Ga by 0.1 to 10 atm% and also comprises 0.1 to 10 atm% Sn.例文帳に追加

粒子内部にＡｌ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＧａを０．１ａｔｍ％〜１０ａｔｍ％、かつＳｎを０．１ａｔｍ％〜１０ａｔｍ％含有する導電性ペースト用銅粉。 - 特許庁

The copper powder for conductive paste contains, at the inside of each particle, Al, Mg, Ge and Ga by 0.1 to 10 atm%, and also comprises 0.1 to 10 atm% In.例文帳に追加

粒子内部にＡｌ、Ｍｇ、Ｇｅ及びＧａを０．１ａｔｍ％〜１０ａｔｍ％、かつＩｎを０．１ａｔｍ％〜１０ａｔｍ％含有する導電性ペースト用銅粉。 - 特許庁

From a surface of an insulating film (High-k film) 32 of a Ge substrate 31 for which the insulating film 32 is laminated on an upper surface, plasma of process gas containing oxygen-atom-containing gas is radiated.例文帳に追加

上面に絶縁膜（Ｈｉｇｈ−ｋ膜）３２が積層されたＧｅ基板３１の絶縁膜３２の表面から、酸素原子含有ガスを含む処理ガスのプラズマを照射する。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor which can restrain a leakage current in a SiGe alloy base layer, while increasing the Ge concentration of the SiGe alloy base layer, and which is superior in high-frequency characteristics.例文帳に追加

ＳｉＧｅ合金ベース層のＧｅ濃度を上げつつ、リーク電流を抑制可能とし、高周波特性に優れたＳｉＧｅ合金ベース層のヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

By forming an N-channel MOS device 114 and a P-channel MOS device 116 in the GaAs well 106 and the Ge well 110, respectively, an integrated circuit is formed by interconnection.例文帳に追加

ＮチャンネルＭＯＳ装置１１４及びＰチャンネルＭＯＳ装置１１６を夫々ＧａＡｓウエル１０６及びＧｅウエル１１０内に形成し、相互接続して集積回路を形成する。 - 特許庁

The content of Ge is 5-25 atomic%, and the content of the third constituent element is 0.5-10 atomic%.例文帳に追加

Ｇｅの含有量はＳｉに対して５原子数％以上２５原子数％以下であり、第３の構成元素の含有量は、０．５原子数％以上１０原子数％以下である。 - 特許庁

(2) The sputtering target according to (1) further includes (M) and O, (wherein (M) represents at least one element selected from among Mg, Al, Si, Cr, Co, Ti, Ge, Y, Zr, Ta, W and rare earth elements).例文帳に追加

（２）更にＭとＯを含む（１）記載のスパッタリングターゲット（但し、ＭはＭｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｗ、希土類元素から選ばれる少なくとも１つの元素）。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a low-power consumption and high-speed MOSFET, by using the combination of Si and an element belonging to the same group as Si, like Ge or C.例文帳に追加

Ｓｉおよびこれと同族元素であるＧｅ，Ｃなどの組合せを用いて、低消費電力で高速なＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A material of Ge single crystal or Si single crystal is used and grating grooves 2a, 2b to 2n are formed on the (111) plane of the crystal orientation by a fly cut method by using a diamond cutting tool.例文帳に追加

単結晶Ｇｅまたは単結晶Ｓｉの材料を用い、結晶方位の（１１１）面にダイヤモンドバイトによるフライカット方式により格子溝２ａ、２ｂ〜２ｎを形成する。 - 特許庁

The Li-β-alumina ceramic material contains in the crystal structure one or two or more elements selected from the group consisting of Mg, Zn, Ga, Ge, Zr, Sn and Hf.例文帳に追加

Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｓｎ及びＨｆからなる群から選択される１種又は２種以上の元素を結晶構造内に有するＬｉ−β−アルミナ系セラミックス材料。 - 特許庁

One of the at least two metals is Si and the other metal is preferably selected from the group consisting of Ti, Zr, Ge, Sn, Al and Zn.例文帳に追加

前記少なくとも２種の金属のうちの１種はＳｉであり、Ｓｉ以外の他の金属は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｌ及びＺｎからなる群から選ばれることが好ましい。 - 特許庁

Preferably, the lithium ion conductive inorganic material contains crystals represented by Li_1+x+y(Al, Ga)_x(Ti, Ge)_2-xSi_yP_3-yO_12, 0≤x≤1, 0≤y≤1.例文帳に追加

好ましくは、リチウムイオン伝導性の無機物はＬｉ_１＋ｘ＋ｙ（Ａｌ，Ｇａ）_ｘ（Ｔｉ，Ｇｅ）_２−ｘＳｉ_ｙＰ_３−ｙＯ_１２ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１である結晶を含むことを特徴とする。 - 特許庁

This negative electrode active material contains Si as a constituent element, contains Ge as a second constituent element, and contains, as a third constituent element, at least one kind within Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn and Nb.例文帳に追加

Ｓｉを構成元素として含んでおり、更に、第２の構成元素としてＧｅを含むと共に、第３の構成元素としてＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｎｂのうちの少なくとも１種を含んでいる。 - 特許庁

A suction air flow rate Ge corresponding to an engine operation state is estimated and arithmetically operated on the basis of the moving averages Ne_AVE and Nt_AVE of the engine speed Ne and the turbo rotating speed Nt (S5).例文帳に追加

そして、エンジン回転速度Ｎe及びターボ回転速度Ｎtの移動平均Ｎe_AVE及びＮt_AVEに基づいて、エンジン運転状態に応じた吸入空気流量Ｇeを推定演算する（Ｓ５）。 - 特許庁

The method for fabricating the photodetector uses direct growth of Ge on thin SOI or an epitaxial oxide, and subsequent thermal annealing to achieve a high-quality absorbing layer.例文帳に追加

本光検出器を製作する方法は、薄いＳＯＩまたはエピタキシャル酸化物へのＧｅの直接成長および高品質吸収層を達成するための後の熱アニールを使用する。 - 特許庁

By use of a Solid Phase Epitaxial Regrowth (SPER) process for Si nMOS, the thermal budget for the Si nMOS can be lowered to be compatible with Ge pMOS.例文帳に追加

ＳｉのｎＭＯＳに対して固相再成長（ＳＰＥＲ）プロセスを用いることで、ＳｉのｎＭＯＳのための熱量は、ＧｅのｐＭＯＳと両立するまで低くすることができる。 - 特許庁

A PMOSFET is equipped with a compressive strain Si-Ge channel layer 19 which is sandwiched in between P+ drain/source diffusion layers 18 is formed on the surface of the Si substrate 10.例文帳に追加

ＰＭＯＳＦＥＴはＳｉ基板１０の表面にトランジスタのソース又はドレインであるｐ^+ 拡散層１８に挟まれて圧縮歪みＳｉ−Ｇｅチャネル層１９が形成されている。 - 特許庁

To reduce variations in light-emission output for improved light- emission output, related to an AlGaAs infrared light-emitting element of DH structure, where Ge is used as a dopant for a p-type active layer.例文帳に追加

ｐ型活性層のドーパントとしてＧｅを用いた、ＤＨ構造のＡｌＧａＡｓ赤外発光素子において、発光出力のバラツキを低減し、発光出力を向上させる。 - 特許庁

A conductor layer 60 of Ge is formed on a second wiring layer 25 of Al, and heated while sandwiched between the second wiring layer 25 and a wiring layer 14 of the sensor portion 10.例文帳に追加

Ａｌの第２配線層２５の上にＧｅの導体層６０を形成し、該導体層６０を第２配線層２５とセンサ部１０の配線層１４とで挟んだ状態で加熱する。 - 特許庁

The internal core area is formed substantially of pure-quartz glass since to Ge is added, and A refractive index decreasing agent such as F elements is added to the external core area and clad area.例文帳に追加

内コア領域はＧｅが添加されておらず実質的に純石英ガラスであり、外コア領域およびクラッド領域それぞれはＦ元素等の屈折率低下剤が添加されている。 - 特許庁

The orientational properties of the Ru intermediate film can be improved by film-forming the Ru intermediate layer on the Cu-Ge seed film, thus the noise of a recording medium can be reduced.例文帳に追加

該Ｃｕ−Ｇｅシード膜の上にＲｕ中間層を製膜することでＲｕ中間膜の配向性を向上させることが可能であり、ひいては記録媒体のノイズを減少できる。 - 特許庁

These periodical refractive index distributions n1, n0 are formed by projecting ultraviolet ray interference patterns on a glass substrate containing additive elements of Ge or the like by utilizing for example light-induced refractive index changes.例文帳に追加

この周期的な屈折率分布ｎ１，ｎ０は、例えば光誘起屈折率変化を利用して、Ｇｅ等の添加元素を含むガラス基板に紫外線干渉パターンを投影して形成する。 - 特許庁

The first and the second protective layers consists of a mixture of ZnS and SiO_2, the recording layer has Ge, Sb and Te as main constituent elements and the reflective heat dissipation layer 5 consists of Al alloy.例文帳に追加

第１、第２の保護層はＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物よりなり、記録層はＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを主たる構成元素とし、反射放熱層５はＡｌ合金よりなる。 - 特許庁

Further, the material contains additive elements of at least one kind among Ni, Co, Sb, Fe, Ge, Bi, and In at a ratio of ≤2.0 mass% in total (excluding zero of a lower limit value).例文帳に追加

さらに、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｂ、Ｆｅ、Ｇｅ、ＢｉおよびＩｎのうち、少なくとも１種類の添加元素を合計で２．０質量％以下（但し、下限値の零を含まず）の割合で含む。 - 特許庁

It is desirable that the material, constituting the impact cushioning layer having the elastic modulus of ≥100GPa, be Ge, Si, GaP, BP, Y_2O_3, Al_2O_3, TiO_2, YF_3, LaF_3 or CeF_3.例文帳に追加

衝撃緩和層を構成する弾性率１００ＧＰａ以上の材料は、Ｇｅ、Ｓｉ、ＧａＰ、ＢＰ、Ｙ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＹＦ_３、ＬａＦ_３、又はＣｅＦ_３であることが好ましい。 - 特許庁

To provide the bandwidth allocation method for GE-PON by which an allocated bandwidth can be efficiently used, while providing a voice service in a predetermined delay time.例文帳に追加

設定された遅延時間内に音声サービスを提供しつつ割り当てられた帯域幅を効率的に使用することができるＧＥ-ＰＯＮの帯域幅割当方法を提供する。 - 特許庁

As a metal 25 for forming an alloy interface, an Au-Ge 12% alloy, with a melting point of 350°C or less, an Au-Sn 20% alloy or an alloy consisting mainly of Sn is used.例文帳に追加

合金界面形成用金属２５として、融点が３５０℃以下の金属であるＡｕ−Ｇｅ１２％合金やＡｕ−Ｓｎ２０％合金やＳｎを主成分とする合金を用いる。 - 特許庁

MISFETs containing a gate electrode GE and a source/drain region in which a metal silicide layer 11b is formed on an upper part are formed by a plurality of numbers on a main surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ゲート電極ＧＥと上部に金属シリサイド層１１ｂが形成されたソース・ドレイン領域とを有するＭＩＳＦＥＴが半導体基板１の主面に複数形成されている。 - 特許庁

The first recording layer (2) is an alloy layer comprising In or Sb, and one element selected from among Ti, Pd, Zr and V, and the second recording layer is composed of Si or Ge.例文帳に追加

第一記録層（２）は、Ｉｎ又はＳｂと、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｖの中から選ばれる一つの元素と、から成る合金層であり、第二記録層は、Ｓｉ又はＧｅから成る層である。 - 特許庁

During the reign of Emperor Konin, in January, 779, he was promoted from Jurokuinoge (Junior Sixth Rank, Lower Grade) to Ge-jugoinoge (Jugoinoge [Junior Fifth Rank, Lower Grade] given to persons outside Kyoto), and in September, 779, was appointed to Hangan (judge) of Konoefu (the Headquarters of the Inner Palace Guards) (Kone no shogen [Lieutenant of the Inner Palace Guards]). 例文帳に追加

光仁天皇の宝亀10年（779年）正月、従六位下から外従五位下に叙せられて同じ年の9月、近衛府の判官（近衛将監）に任じられた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス