「Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To promote the drift of a carrier by relieving lattice mismatching caused by the Ge-composition gradient in an SiGeC mixed-crystal base layer in a hetero bipolar transistor containing the base layer.例文帳に追加

ＳｉＧｅＣ混晶よりなるベース層を含むヘテロバイポーラトランジスタにおいて、ベース層中のＧｅの組成勾配に起因する格子不整合を緩和し、キャリアのドリフトを促進する。 - 特許庁

To provide a production method for a semiconductor crystal film, composed of an Si_1-x-yGe_xC_y containing lattice positions C at a high ratio, while having a high Ge content.例文帳に追加

高いＧｅ含有率を有しながら格子位置Ｃを高い割合で含有するＳｉ_1-_x-yＧｅ_xＣ_y 層からなる半導体結晶膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The antioxidizing material is a carbide or a nitride of a simple substance selected from the group consisting of B, Si, Ge, Sb, Ti, Sn, Al and Zr or a simple substance of B or Si.例文帳に追加

耐酸化剤はＢ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｚｒの群から選ばれる単体の炭化物もしくは窒化物またはＢもしくはＳｉの単体である。 - 特許庁

The M^2 may be also at least one selected from rare-earth elements In, Pd, Sb, Ti, As, Al and Ga, and the M^3 may be also at least one selected from Si, Ge, Ti, Mo, W, Pt and Zr.例文帳に追加

Ｍ^２は希土類元素、Ｉｎ，Ｐｄ，Ｓｂ，Ｔｉ，Ａｓ，Ａｌ，Ｇａの中から選ばれる少なくとも一種、Ｍ^３はＳｉ，Ｇｅ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｚｒの中から選ばれる少なくとも一種からなるものであってもよい。 - 特許庁

The center 40A, whose embedded amount D1 is large among the joints 40, functions as the effective gate region Ge of an FET (field effect transistor) whereby an effective gate length Le is shortened.例文帳に追加

接合部４０のうち埋め込み量Ｄ１の大きい中央部分４０Ａが、ＦＥＴの実効ゲート領域Ｇｅとして機能し、実効ゲート長Ｌｅが短縮される。 - 特許庁

Hypercomplex alloy of liquidus temperature of 300°C to 550°C, in which two kinds or more of other metallic elements such as Ag, Cu, Ni, Ge, Al are combined with Sn, is worked into a small diameter wire.例文帳に追加

Ｓｎに、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ａｌ等の他の金属元素の二種以上を配合した液相線温度３００℃〜５５０℃の多元合金を細線に加工した。 - 特許庁

To improve short-channel characteristics of a P-type FET having a channel region composed of a semiconductor including Ge while preventing the occurrence of reverse short-channel characteristics.例文帳に追加

Ｇｅを含む半導体で構成されるチャネル領域を有するＰ型ＦＥＴにおいて、逆短チャネル特性の発生を抑制しつつ、短チャネル特性を改善する。 - 特許庁

To provide an epitaxial silicon wafer that has a polysilicon layer formed on a backside of a silicon crystal substrate doped with phosphor (P) and germanium (Ge), and has superior gettering capability.例文帳に追加

リン（Ｐ）およびゲルマニウム（Ｇｅ）がドープされたシリコン結晶基板の裏面側にポリシリコン層が形成されたゲッタリング能力に優れるエピタキシャルシリコンウェーハの提供を目的とする。 - 特許庁

While taking account of moving video quantity thus detected, a control section 4 controls the degree (enhance gain Ge and sharpness gain Gs) of luminance correction at a luminance correcting section 6.例文帳に追加

制御部４が検出されたこれらの動画度の大きさを考慮して、輝度補正部６における輝度補正の程度（エンハンスゲインＧｅおよびシャープネスゲインＧｓ）の制御を行う。 - 特許庁

In 758, he rejected the awarding of a court rank Ge-jugoinoge (Jugoinoge [Junior Fifth Rank, Lower Grade] given to persons outside Kyoto) because of his being a priest, but ikuro (stipends paid to people who were in the fourth rank and the fifth rank) and iden (fields given according to the court rank) were not confiscated due to the Imperial command. 例文帳に追加

758年（天平宝字2年）僧であることを理由に外従五位下の爵位を辞したが、勅命により位禄・位田は没収されなかった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the reign of Emperor Shomu, he was appointed to Ge-jugoinoge (Jugoinoge [Junior Fifth Rank, Lower Grade] given to persons outside Kyoto) (December 18, 740 or November 21 on the old calendar), and then successively served as Mikawa no kuni no kami (Governor of Mikawa Province) and as Shimotsuke no kuni no kami (the governor of Shimotsuke Province). 例文帳に追加

聖武天皇の御世に外従五位下へと叙せられ（天平12年11月21日(旧暦)）、その後三河国守と下野国守を歴任する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In 896, he was appointed to the Kurodo-no-to (the head chamberlain) of Emperor Uda with the rank of Jushii-no-ge (Junior Fourth Rank, Lower Grade) as well as the Udaiben (the Major Controller of the Right) and the governor of Yamashiro Province, and he remained in these positions after Emperor Daigo ascended to the throne in the following year. 例文帳に追加

寛平8年（896年）に宇多天皇の従四位下蔵人頭（弁官・山城国兼務）に任じられ、翌年の醍醐天皇即位後も留任した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The clad part contains at least elements selected from a group of boron(B), germanium(Ge), phosphorus(P), nitrogen(N) and fluorine (F) as an additive dopant of a quartz-based material.例文帳に追加

クラッド部は、石英系素材の付加ドーパントとして、少なくとも、硼素（Ｂ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、燐（Ｐ）、窒素（Ｎ）、およびフッ素（Ｆ）からなる群から選択される元素を含む。 - 特許庁

Bismuth and an alkoxide of each metal are hydrolyzed under an alkali condition, to thereby acquire Bi_12MO_20 precursor liquid (M is at least one from Ge, Si and Ti).例文帳に追加

ビスマス及び金属それぞれのアルコキシドをアルカリ性条件下で加水分解してＢｉ_12ＭＯ_20前駆体液（ただし、ＭはＧｅ，Ｓｉ，Ｔｉ中の少なくとも１種である。）を得る。 - 特許庁

The magnesium compound film 2 consists mainly of Mg_2X formed by the reaction of an element X selected from the group consisting of Si, Ge, Sn and Pb, with magnesium.例文帳に追加

マグネシウム化合物被膜２は、Ｓｉ，Ｇｅ，ＳｎおよびＰｂからなる群から選ばれる元素Ｘとマグネシウムとの反応によって生成するＭｇ_２Ｘを主成分とする。 - 特許庁

The display device comprises the electron gun 11 with the electrode GE with the function of adjusting the divergence angle of electron beams, between the cathodes KR, KG, KB and the main electrostatic lens.例文帳に追加

カソードとＫ_R，Ｋ_G ，Ｋ_B 主電界レンズとの間に電子ビームの発散角調整機能をもつ電極Ｇ_Eを有した電子銃１１を備えて表示装置を構成する。 - 特許庁

Furthermore, the optical element comprises quartz glass having 6.0 to 9.0mol% Ge concentration and substantially does not contain alkali metal oxide.例文帳に追加

さらに、Ｇｅ濃度がモル百分率表示で６．０〜９．０ｍｏｌ％であり、かつアルカリ金属酸化物を実質的に含有しない石英ガラスからなることを特徴とする光学素子。 - 特許庁

Shokage/Seikage was a request form for leave in style of ''ge'' (official document), which the government officials under the ritsuryo system of ancient Japan submitted to the chief priests of Shinto shrines (Guji) they belonged to. 例文帳に追加

請假解（しょうかげ/せいかげ）とは、古代日本において律令制の官人が、所属する官司（本司）に提出した解(公文書)形式の休暇届。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Soji meant for Daijokan (the Grand Council of State) to submit its report to the Emperor on the affairs which had been decided by any official or any province and reported to Daijokan in the form of Ge (a style of official documents made by any government official or province and addressed to Daijokan). 例文帳に追加

奏事（そうじ）とは、各官司や諸国で決定されて解(公文書)として太政官に挙げられた事項を奏上することである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Silla adopted the Tang Luli, and did not enact Lilu that they created from scratch, but by enacting various Ge which had characteristics strong of Silla, it established its own form of government. 例文帳に追加

新羅は自前の律令は制定せず、唐律令を採用していたが、独自色の強い格を多数制定することにより、新羅独特の国家体制を築いた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Digallium monoxide is brought into reaction with ammonia (NH_3)-containing gas in the presence of the germanium monoxide gas, so as to produce germanium (Ge)-doped gallium nitride (GaN) crystals.例文帳に追加

一酸化ゲルマニウムガスの存在下に、一酸化二ガリウムをアンモニア（ＮＨ_3 ）含有ガスと反応させることで、ゲルマニウム（Ｇｅ）がドープされた窒化ガリウム（ＧａＮ）結晶を生成する。 - 特許庁

This zinc oxide-based transparent conductive film has zinc oxide as a main component, and contains both elements of silicon (Si) and germanium (Ge) or both elements of titanium (Ti) and zirconium (Zr).例文帳に追加

酸化亜鉛を主成分とし、シリコン（Ｓｉ）及びゲルマニウム（Ｇｅ）の両元素又はチタン（Ｔｉ）及びジルコニウム（Ｚｒ）の両元素を含有するすることを特徴とする。 - 特許庁

To obtain polybutylene terephthalate of high heat stability by effecting the polymerization with a specific catalyst instead of Sb compound and Ge compound.例文帳に追加

アンチモン化合物ならびにゲルマニウム化合物以外の重合触媒を用いて重合した熱安定性に優れたポリブチレンテレフタレートおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain polypropylene terephthalate of high heat stability by effecting the polymerization with a specific catalyst instead of Sb compound and Ge compound.例文帳に追加

アンチモン化合物ならびにゲルマニウム化合物以外の重合触媒を用いて重合した熱安定性に優れたポリプロピレンテレフタレートおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The Pb-free solder material powders contain a substance containing at least one element selected from a group consisting of Ag, In, Cu, Zn, Bi, Sb and Ge.例文帳に追加

鉛フリーはんだ材料粉末に銀、インジウム、銅、亜鉛、ビスマス、アンチモン、ゲルマニウムからなる群より選ばれた少なくとも一種類の元素である含有物質が含有される。 - 特許庁

To provide an alloy composition analysis method and a composition analyzer for rapidly and accurately analyzing the composition of an alloy containing at least Sn and Ge.例文帳に追加

少なくともＳｎとＧｅとを含有する合金の組成を、迅速かつ精度よく分析することができる、合金の組成分析方法及び組成分析装置を提供する。 - 特許庁

Silicon film is grown in high single crystal or polycrystalline state with higher concentration of percentage content of C or Ge than prescribed concentration.例文帳に追加

ＣやＧｅの含有率を所定濃度以上とすることによりシリコン膜成長時に、転位密度の高い単結晶もしくは多結晶状態での成長するようになる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a high speed field effect transistor with low power consumption by using the combination of Si and Ge having the same family element as Si.例文帳に追加

Ｓｉおよびこれと同族元素であるＧｅ等の組合せを用いて、低消費電力で高速な電界効果トランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The structure consists of a Ge absorbing layer on a thin SOI substrate, and utilizes isolation regions, alternating n- and p-type contacts, and low-resistance surface electrodes.例文帳に追加

本構造は、薄いＳＯＩ基板の上のＧｅ吸収層から成り、分離領域、交互になるｎ型およびｐ型コンタクト、および低抵抗表面電極を利用する。 - 特許庁

The first concept employs a strained interface to stop the dislocation arising from the GeSi1-X/Ge epitaxial layer, thus terminating the dislocation from propagating upwards.例文帳に追加

第１のコンセプトは、歪み界面を用いることによってＧｅＳｉ１−Ｘ／Ｇｅエピタキシャル層から発生した転位を停止し、転位の上方への伝搬を終端することである。 - 特許庁

The resin contains at least one kind selected from resins, organic compounds and organic-inorganic compounds containing the atoms of one or more kinds of elements selected from Si, B, Ti, F, Ge and Se.例文帳に追加

樹脂中には、Ｓｉ、Ｂ、Ｔｉ、Ｆ、Ｇｅ、Ｓｅの１種又は２種以上の原子を含有する樹脂、有機化合物、有機・無機複合物を少なくとも１種類含む。 - 特許庁

The optical fiber includes a large graded index core of Ge doped silica for an increased bandwidth-length-product of over 100 MHz-km.例文帳に追加

光ファイバは１００ＭＨｚ−ｋｍ以上のさらなる帯域−長さ積とするためにＧｅをドープしたシリカからなる大きなグレーデッド型屈折率のコアを含む。 - 特許庁

The amorphous optical semiconductor contains further one or more element selected from C, Si, Ge and Sn or one or more elements selected from Be, Mg, Ca, Zn and Sr.例文帳に追加

この非晶質光半導体は、更にＣ，Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれた一つ以上の元素、又はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｓｒから選ばれた一つ以上の元素を含む。 - 特許庁

The inorganic recording film 6 is formed by consecutively performing a step of film-depositing a metallic film 2 made of Ti and a step for film-depositing an oxide film 3 made of a Ge oxide.例文帳に追加

Ｔｉからなる金属膜２を成膜する工程と、Ｇｅ酸化物からなる酸化物膜３を成膜する工程とを連続して行って無機記録膜６を作製する。 - 特許庁

In the laminate structure, by the phase separation depending on the film containing Sb atoms and the film containing Ge atoms, the recording and the deleting of the data can be performed efficiently.例文帳に追加

上記積層構造では、Ｓｂ原子を含む膜とＧｅ原子を含む膜とによる相分離によって、データの記録及び消去を効率よく行うことができる。 - 特許庁

A dynamic allocation method of bandwidths of OLT (Optical Line Terminal) 50 and ONU (Optical Network Unit) 60 is provided in a Gigabit Ethernet passive optical subscriber network (GE-PON).例文帳に追加

本発明は、ギガビットイーサネット受動光加入者網(ＧＥ−ＰＯＮ)において、ＯＬＴ(Optical Line Terminal)５０とＯＮＵ(Optical Network Unit)６０での帯域幅の動的割当方法に関する。 - 特許庁

The semiconductor element includes an epitaxial layer EP, a back gate region BG, a source region SR, a drain region DR, a gate electrode GE, an impurity region IM1.例文帳に追加

半導体素子は、エピタキシャル層ＥＰとバックゲート領域ＢＧとソース領域ＳＲとドレイン領域ＤＲとゲート電極ＧＥと不純物領域ＩＭ１とを含む。 - 特許庁

To provide an attenuated gE-deleted bovine herpesvirus type 1 (BHV-1) containing phenotypic/histochemical/genotype β-gal marker to be used as a vaccine.例文帳に追加

ワクチンとして使用するための表現型／組織化学的／遺伝子型β−ｇａｌ標識を含む弱毒化ｇＥ欠失ウシヘルペスウイルス１型ウイルス（ＢＨＶ−１）の提供。 - 特許庁

It regards Myoho goji (the five characters of Myo, Ho, Ren, Ge, Kyo) which represents Ichinen sanzen (religious principle meaning that there are each and every phenomena of the universe included in one's mind), which is said to have appeared in Nyoraijuryo-hon of "Hokekyo" (Lotus Sutra), as the ultimate religious principle in Mappo (Age of the Final Dharma). 例文帳に追加

『法華経』如来寿量品に顕されたとする、事（じ）の一念三千である妙法五字が末法の究極の教法であるとする。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

This is a simple one held only on January 7, but there are shoya and goya events, and on shoya they confess their sins to Nyoirin Kannon (the Bodhisattva of Compassion) and on goya many Buddhist memorial services such as reibutsu ge and so on are held. 例文帳に追加

1月7日のみの簡単なものであるが、初夜と後夜に別れ、初夜では如意輪観音に悔過し、後夜では礼仏偈ほか多くの法要が行われる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A material for the recording layer 3 is a Ge-Sb-In-Sn alloy.例文帳に追加

記録層３の材料はＧｅ−Ｓｂ−Ｉｎ−Ｓｎ合金であり、合金を構成する元素のそれぞれの原子比をａ、ｂ、ｃ、ｄとすると、次の（１）〜（４）式の関係を満たす。 - 特許庁

In a fourth step, a second layer 22 made of SiGe layer with Ge richness lower than the first layer 21 or made of Si layer is formed on the first layer 21.例文帳に追加

続いて、第４工程では、第１の層２１上に、第１の層２１よりもＧｅ濃度の低いＳｉＧｅ層またはＳｉ層からなる第２の層２２を形成する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device which can epitaxially grow an Si-based crystal or a Ge-based crystal having good crystallinity on an Si-based substrate.例文帳に追加

Ｓｉ系基板上に結晶性の良いＳｉ系結晶またはＧｅ系結晶をエピタキシャル成長させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A current is passed in the current passage of the Ge(In) bulk body 20, by a current supply source 30 composed of a power source 31, wiring 32, and conductive support members 33, 34.例文帳に追加

また、電源３１、配線３２、導電性の支持部材３３、３４から構成される電流供給部３０により、Ｇｅ（Ｉｎ）バルク体２０の電流路に電流を流す。 - 特許庁

Because they have rapidly increased their strength, Japanese companies cannot secure their future so easily.例文帳に追加

GE（米国）やシーメンス（ドイツ）、ドゥーサン（韓国）等が造水分野に積極的に事業進出を試みており、急速に勢力を拡大しているため、我が国企業も安泰ではない。 - 経済産業省