「Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

It is assumed that although their achievements were worth the title, it was not accepted to give the same title as dominant nobilities to someone from a lower ranking family, and therefore the rank 'ge' was created. 例文帳に追加

地方出身で出自が低い者を中央の貴族と同列にするわけにはいかないが、彼等の功績は高く顕彰したいという考慮から、「外」という位が作られたと推測されている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

At present, it is considered that 'Kuji' was first mentioned in '登渉篇' of "Baopuzi" written by Katsuko (Ge-hong) but, in that book, it ended with 'zen gyo' and not 'zai zen' and only the curse '六甲秘祝' which is sung when entering mountains. 例文帳に追加

現在のところ「九字」の初見は葛洪『抱朴子』「登渉篇」とされるが、同書では末尾が「在前」ではなく「前行」となっており、入山時に唱える「六甲秘祝」として呪のみが載る。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

They were annually rated using the three-point scale of Jo, Chu, Ge, and were conferred on the ranks higher by up to three based on the rating of eight years (according to the law in 706, this rule was operated based on a six years rating in fact). 例文帳に追加

毎年上・中・下の3等で評価され、8年分の評価（ただし706年の格式で実際には6年分の評価で運用）に基づいて最大で3階相当分の叙位が行われた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A loudspeaker use foamed rubber edge Ge is formed by a foamed polynorbornene rubber, resulting from foaming of a polynorbornene rubber, and short fibers are blended into the polynorbornene rubber and oriented in the radial direction of the edge.例文帳に追加

スピーカ用発泡ゴムエッジＧｅが、ポリノルボルネンゴムが発泡した発泡ポリノルボルネンゴムによって成形されており、このポリノルボルネンゴム内に短繊維が混合されてエッジの径方向に沿って配向されている。 - 特許庁

Though Daijokan could add any opinion on the document of Soji, it basically had an opening sentence "Daijokan kashiko mosu" ("The Grand Council has much pleasure in this writing"), being followed by the contents of Ge document, and finally closed by signatures of legislatures. 例文帳に追加

太政官は解の内容に意見を付す場合もあるが、基本的には「太政官謹奏」の後に解の記述がそのまま奏文として記載され、最後に議政官の署名で締められる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

By this visit of Heijo-kyo, Usa Hachiman-gu Shrine was given fuko (salary) and title of 'Hachiman Daibosatsu'; also the two people who actually visited the capital were given the kabane (hereditary title) of Ason (second highest of the eight hereditary titles) and the official rank of Jushiinoge (Junior Fourth Rank, Lower Grade) and Ge-jugoinoge, respectively. 例文帳に追加

これによって宇佐八幡宮は封戸と「八幡大菩薩」の称号を授けられ、これを勧進した両名にもそれぞれ朝臣のカバネと従四位下と外従五位下の官位が授けられた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The clathrate compound exhibits the properties as those of a P type semiconductor or the properties as those of an N type semiconductor by changing the blending ratio between Au and Ge.例文帳に追加

Ｂａ_8Ａｕ_aＧｅ_46-a （０＜a＜１６／３） （１） 本発明のクラスタレート化合物は、ＡＵおよびＧｅの配合比率を変えることによりＰ型半導体としての性質又はＮ型半導体としての性質を示す。 - 特許庁

To allocate resources such as an envelope generator (GE) and a memory used in each block in a rearrangeable state when a microprogram of a DSP, etc., is divided into blocks actualizing different processes.例文帳に追加

ＤＳＰ等のマイクロプログラムを、各々異なる処理を実現するブロック毎に分割する際、各ブロック内で用いられるエンベロープジェネレータ(ＥＧ)、メモリ等のリソースを再配置可能な状態で割り当てる。 - 特許庁

To provide a thermoelectric conversion module of high long-period reliability, wherein bonding of an Si-Ge semiconductor to a carbon electrode as well as to a carbon electrode, soldering material, and metal electrode is satisfactory.例文帳に追加

Ｓｉ−Ｇｅ系半導体とカーボン電極との接合、ならびにカーボン電極、ろう材および金属電極との接合が良好であり、長期信頼性の高い熱電変換モジュールを提供する。 - 特許庁

A suction fan (suction boosting means) 4 is provided on a heat source recycling system furnished with a combustor 6 to use the exhaust gas Ge from a gas turbine-(heat engine) 1 to raise temperature of air for combustion.例文帳に追加

ガスタービン（熱機関）１からの排ガスＧｅを燃焼用空気の昇温に利用する燃焼器６を備えた熱源再利用システムにおいて、吸気ファン（吸引昇圧手段）４を設けている。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device is characterized in that a semiconductor substrate containing Ge is cleaned with a halogenated gas containing at least one among an HCL gas, an HBr gas and an HI gas.例文帳に追加

Ｇｅを含有する半導体基板を、ＨＣｌガス、ＨＢｒガスまたはＨＩガスの少なくとも一種を含むハロゲン化ガスで洗浄処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a bipolar transistor whose breakdown voltage between an emitter and a collector is higher than a conventional case while a mixed crystal of silicon germanium (Si-Ge) is used for improving an interruption frequency.例文帳に追加

遮断周波数を高くするためにシリコンゲルマニウム（Ｓｉ−Ｇｅ）の混晶を使用しつつも、エミッタ−コレクタ間耐圧が従来よりも高いバイポーラ・トランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

A base layer constituted of a GeSi layer having a profile in which the composition rate of Ge changes logarithmically on the depth is formed by paraxial growth on a silicon semiconductor layer functioning as a collector.例文帳に追加

コレクタとして機能するシリコン半導体層上に、Ｇｅの組成比が、深さに対して対数関数的に変化するプロファイルを有するＧｅＳｉ層からなるベース層をエピタキシャル成長により形成する。 - 特許庁

The first substrate is a sapphire substrate including a nitride semiconductor layer or a GaAs substrate, and the second substrate may be any of a silicon substrate, a GaAs substrate, a Ge substrate, and a metal substrate.例文帳に追加

第１の基板は、ナイトライド系半導体層を有するサファイア基板、またはＧａＡｓ基板であり、第２の基板は、シリコン基板、ＧａＡｓ基板、Ｇｅ基板、金属基板のいずれかであってもよい。 - 特許庁

To provide a biaxially oriented film for optical use imparting a good color, containing extremely reduced amount of fine particles in the film without using antimony (Sb) or germanium (Ge) as a catalyst.例文帳に追加

触媒としてアンチモン（Ｓｂ）やゲルマニウム（Ｇｅ）を使用しないにもかかわらず、良好な色相を呈し、フィルム中の微細粒子量が非常に少ない光学用二軸延伸フィルムを提供する。 - 特許庁

Pratyekabuddha' was translated as '縁覚' (which comprises 縁 [en]; pratyaya [indirect causes which assist direct causes] and 覚 ['kaku' or 'gaku' depending on a case]; to be awakened, to attain enlightenment]) in Buddhism because it is the one who perceives the principle of dependent origination through contemplation on juni-innen (十二因縁: the twelve-linked chain of causation [nidana] that lead from rebirth to death, seeing existence as an interrelated flux of transient events that occur in a series, one producing another), or who comes to attain enlightenment thanks to various ge-en (外縁: external and indirect causes which assist internal and direct causes). 例文帳に追加

仏教では、十二因縁を観じて理法をさとり、あるいはさまざまな外縁によってさとるゆえに縁覚という。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the general formula: Mg_2X that has an inverse fluorite structure (wherein: X is one or a plurality of group IV elements selected from Si, Ge, and Sn), Li is contained as acceptor dopants.例文帳に追加

逆ホタル石構造を有する一般式：Ｍｇ_２Ｘ（Ｘは４族元素Ｓｉ及びＧｅ及びＳｎから選択される一種または複数の元素）であって、アクセプタードーパントとして、Ｌｉを含むようにした。 - 特許庁

The first and second heat-resistance reinforcing layers are each formed of a layer using selenium as a main body and containing 10-40 wt.% in total of one or more constituents out of As, Ge and Ga.例文帳に追加

第１、第２の耐熱強化層は、セレンを主体とし、Ａｓ、Ｇｅ、Ｇａのうち少なくとも一以上の成分を総量で１０重量パーセント以上４０重量パーセント以下含有する層とする。 - 特許庁

To provide a method which is capable of manufacturing a device forming substrate that is provided with a very thin distorted Ge thin film layer formed on an insulating film and conducive to the realization of a fully-depleted high-mobility field effect transistor.例文帳に追加

絶縁膜上に極めて膜厚の薄い歪みＧｅ薄膜層を有する素子形成用基板を製造することができ、完全空乏型かつ高移動度の電界効果トランジスタの実現に寄与する。 - 特許庁

A thin film made of an Si_0.9M_0.1C compound crystal doped with Al (M represents at least one of Ge, Sn, and Pb) or a thin line of an SiMC layer 14 doped with Al is formed on an SiC substrate 11.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１１上に、ＡｌドープされたＳｉ_０．９Ｍ_０．１Ｃ混晶（Ｍは、Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂの少なくとも一種）よりなる薄膜または細線のＡｌドープＳｉＭＣ層１４が設けられている。 - 特許庁

To provide a refrigerant flow controller for appropriately adjusting a flow rate ratio η of a refrigerant flow rate Gnoz decompressed and expanded by an ejector to a refrigerant flow rate Ge sucked to a refrigerant suction port of the ejector.例文帳に追加

エジェクタにて減圧膨張される冷媒流量Ｇｎｏｚとエジェクタの冷媒吸引口に吸引される冷媒流量Ｇｅとの流量比ηを適切に調整する冷媒流量制御装置を提供する。 - 特許庁

The layer 4 is formed on the layer 3 and consists of an eutectic alloy layer containing more than at least one kind of the elements selected from a group consisting of Au, Ag, Si, Ge, Sn, Pb and In.例文帳に追加

金属接合層４は、第２の中間接合層３上に形成され、かつ、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、ＰｂおよびＩｎからなる群から選択される少なくとも１種以上を含む共晶合金からなる。 - 特許庁

A metal film 2 is formed on the upper surface of the conductive SiC substrate 1 doped with impurities by vapor deposition or sputtering by selecting one metal from Ni, Ti, Pd, Fe, Ru, Os, Ge, Sn, V, Ta and Nb.例文帳に追加

不純物がドープされた導電性ＳｉＣ基板１の上面に、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂから一つの金属を選んで蒸着、もしくはスパッタで金属膜２を形成する。 - 特許庁

A free magnetic layer 16 is a laminate of Co_2MnZ alloy layer 16a (Z is one kind or more of elements including Al, Sn, In, Sb, Ga, Si, Ge, Pb, Zn) and Co_aFe_100-a alloy layer 16b.例文帳に追加

フリー磁性層１６はＣｏ_２ＭｎＺ合金層１６ａ（ＺはＡｌ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ｚｎのうち１種または２種以上の元素）とＣｏ_ａＦｅ_１００−ａ合金層１６ｂの積層体である。 - 特許庁

By the addition of Ti, the solubility of C is increased, and the growth rate of the SiC single crystal can be enhanced, and at the same time, the SiC single crystal having high flatness can be obtained by the surfactant effect of Sn or Ge.例文帳に追加

Ｔｉ添加によりＣの溶解度が増加してＳｉＣ単結晶の成長速度が向上し、同時に、ＳｎまたはＧｅのサーフアクタント効果により平坦性の高いＳｉＣ単結晶が得られる。 - 特許庁

The solder ball also contains one or more of 0.01-0.1 wt.% Cu, 0.01-0.1 wt.% S, 0.1-1 wt.% Ge, and 0.1-1 wt.% Si in addition to the above-mentioned elements.例文帳に追加

上記に加え、０．０１〜０．１重量％のＣｕ、０．０１〜０．１重量％のＳ、０．１〜１重量％のＧｅ、０．１〜１重量％のＳｉの１種又は２種以上を含有する７６０μｍ以下のはんだボール。 - 特許庁

After forming a high-melting-point metal film 25 in the surface of the obtained structure, near the surface of the crystallized semiconductor film 15 is made amorphous by introducing Si or Ge through the high-melting-point metal film 25.例文帳に追加

得られた構造の表面に高融点金属膜２５を形成した後、前記高融点金属膜２５を介してＳｉ又はＧｅを導入して前記結晶化半導体膜１５の表面近傍を非結晶化する。 - 特許庁

The low-silver based lead-free solder alloy contains, by weight, 0.1 to 1.5% Cu, 0.01 to less than 0.05% Co, 0.05 to 0.25% Ag, and 0.001 to 0.008% Ge with the balance Sn.例文帳に追加

Ｃｕが０．１〜１．５重量％、Ｃｏが０．０１重量％以上でかつ０．０５重量％未満、Ａｇが０．０５〜０．２５重量％と、Ｇｅが０．００１〜０．００８重量％を含有させ、残部をＳｎとする。 - 特許庁

The garnet type oxide may be expressed by a composition formula Li_5+XLa_3(Zr_X,A_2-X)O_12 (wherein A is one or more elements selected from the group of Sc, Ti, V, Y, Nb, Hf, Ta, Al, Si, Ga and Ge, and X is 1.4≤X<2).例文帳に追加

このガーネット型酸化物は、組成式Ｌｉ_5+XＬａ_3（Ｚｒ_X，Ａ_2-X）Ｏ_12（式中、ＡはＳｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｙ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔａ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｇａ及びＧｅからなる群より選ばれた１種類以上の元素、Ｘは１．４≦Ｘ＜２）で表されるものとしてもよい。 - 特許庁

An engine 1 includes a gas intake device 9 for sucking a gas containing an EGR gas (GE) and a fresh charge (GN) into a cylinder 2 via an intake port 6, and a fuel injection device 5 for injecting fuel into a cylinder 2.例文帳に追加

エンジン（１）は、吸気ポート（６）を介してＥＧＲガス（ＧＥ）と新気（ＧＮ）とを含む気体をシリンダ（２）内に吸入する気体吸入装置（９）と、シリンダ（２）内に燃料を噴射する燃料噴射装置（５）と、を備える。 - 特許庁

The phase change recording film having a high electric resistance has a composition of 15-30 atm% of Ge, 15-30 atm% of Sb, 0.1-10 atm% of nitrogen, and the remainder of Te and inevitable impurities.例文帳に追加

原子％でＧｅ：１５〜３０％、Ｓｂ：１５〜３０％を含有し、窒素：０．１〜１０％を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する電気抵抗の高い相変化記録膜。 - 特許庁

A fuse Fa comprising a conductive film more fusible than polysilicon, e.g. a conductive film 27 containing Ge, is formed on a semiconductor substrate 31 through an insulating film 32 thus constituting a trimming element 22.例文帳に追加

半導体基体３１上に絶縁膜３２を介して、多結晶シリコンよりも溶断しやすい導電性膜、例えばＧｅを含む導電性膜２７からなるフューズＦａを形成してトリミング素子２２を構成する。 - 特許庁

In the vehicle traveling road determination device, a presumption acceleration operation part 104 operates presumed acceleration Ge presumed to be generated on the vehicle based on an output of a drive source for traveling the vehicle.例文帳に追加

車両走行路判別装置において、推定加速度演算部１０４は、車両を走行させるための駆動源の出力に基づいて車両に発生していると推定される推定加速度Ｇｅを演算する。 - 特許庁

A metal film 1 is formed on the back of the conductive SiC substrate 2 doped with impurities by vapor deposition or sputtering by selecting one metal from Ni, Ti, Pd, Fe, Ru, Os, Ge, Sn, V, Ta, and Nb.例文帳に追加

不純物がドープされた導電性ＳｉＣ基板２の裏面に、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂから一つの金属を選んで蒸着、もしくはスパッタで金属膜１を形成する。 - 特許庁

The thin film made of an Si_0.9M_0.1C compound crystal doped with Al (M represents at least one of Ge, Sn, and Pb) or the thin line of the SiMC layer 14 doped with Al is formed inside the SiC substrate 11 to allow the SiC substrate 11 to emit light.例文帳に追加

また、ＳｉＣ基板１１の内部に、ＡｌドープされたＳｉ_０．９Ｍ_０．１Ｃ混晶（Ｍは、Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂの少なくとも一種）よりなる薄膜または細線のＡｌドープＳｉＭＣ層１４が設け発光させる。 - 特許庁

The gate voltage V(GE) converted in level, according to the transition of the switching control signal V(SW) input without dedicated power supply required is output to a positive side and a negative side in a self-matching manner.例文帳に追加

専用の電源を必要とすることなく入力されたスイッチング制御信号Ｖ（ＳＷ）の遷移に応じて自己整合的に正側および負側にレベル変換されたゲート電圧Ｖ（ＧＥ）が出力される。 - 特許庁

The gate electrode layer GE is formed of a p-type semiconductor on the charge trap layer CT and is configured so as to inject holes to the charge trap layer CT in order to perform a write operation.例文帳に追加

ゲート電極層ＧＥは、電荷トラップ層ＣＴ上にｐ型半導体により形成され、かつ書込動作を行なうために電荷トラップ層ＣＴに正孔を注入することができるように構成されている。 - 特許庁

The resistor element is formed of a polycystalline SiGe thin film in which the content of Ge atoms is 20-50% and an impurity is doped so that resistivity is 3×10^-2 to 3×10^-1Ωcm.例文帳に追加

抵抗素子をＧｅ原子の含有量が２０〜５０％で、かつ抵抗率が３×１０^−２〜３×１０^−１Ω・ｃｍになるように不純物が導入されている多結晶ＳｉＧｅ薄膜により形成する。 - 特許庁

The glass fiber 11 essentially comprises quartz glass with addition of impurities such as Ge and F elements in a specified distribution and has a core region having a high refractive index and a clad region having a low refractive index.例文帳に追加

ガラスファイバ１１は、石英ガラスを主成分とし、Ｇｅ元素およびＦ元素などの不純物が所定の分布で添加されていて、高屈折率のコア領域および低屈折率のクラッド領域を有する。 - 特許庁

A speaker use rubber edge Ge is foamed by a rubber mixture to which 10 wt.% of polynorbornene rubber is blended and short fibers (f) are blended in the polynorbornene rubber and oriented along a radial direction of the edge.例文帳に追加

スピーカ用ゴムエッジＧｅが、ポリノルボルネンゴムが１０重量パーセント混合されたゴム混合物によって発泡成形されており、このポリノルボルネンゴム内に短繊維ｆが混合されてエッジの径方向に沿って配向されている。 - 特許庁

Optical fibers manufactured according to embodiments of the invention provide faster growth of grating strength, higher thermal stability, and longer photosensitive wavelength compared to conventional Ge doped silica optical fibers.例文帳に追加

本発明の幾つかの実施例に従って製造された光ファイバは、従来のＧｅにてドープされたシリカ光ファイバと比較して、グレーティング強度の成長がより速く、熱安定性がより高く、感光波長がより長い。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor wafer which prevents the generation of Ge smearing in a manufacturing apparatus when an SGOI wafer is produced, and also prevent deterioration of a yield by a laminate fault.例文帳に追加

ＳＧＯＩウエーハを作製する際に、製造装置でのＧｅ汚染の発生を防ぐことができ、さらに貼り合わせ不良による歩留まりの低下を防止することができる半導体ウエーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

After the Ti layer and the Au layer 16 are formed, since these are not subjected to heat treatment, sufficient wire bond strength can be obtained, while a base metal, that is, Ta, As, Ni, Ge or the like is not pile up on the surface of the Au layer.例文帳に追加

Ｔｉ層およびＡｕ層が形成された後，熱処理が施されないため，下地金属，すなわちＧａ，Ａｓ，Ｎｉ，Ｇｅ等がＡｕ層の表面にパイルアップすることなく，十分なワイヤボンド強度を得ることが可能となる。 - 特許庁

As a result, the peeling of the exhaust gas flow Ge is prevented at the downstream side of the exhaust gas flow path 16 on the inner side of the curve, and the flow rate of exhaust gas contacting with the inner peripheral surface 16b can be maintained sufficiently.例文帳に追加

このことにより湾曲内側の排気流路１６の下流側において排気流Ｇｅの剥離が防止され、内周面１６ｂに接触する排気流量を十分に維持することができる。 - 特許庁

The low refractive layers 4, 14, 8 and 18 are formed of a fluoride film, the intermediate refractive layers 5, 15, 7 and 17 are formed of a ZnS film or ZnSe film, and the high refractive layer 6 and 16 is formed of a Ge film.例文帳に追加

前記低屈折層４、１４、８、１８はフッ化物膜からなり、前記中間屈折層５、１５、７、１７はＺｎＳ膜又はＺｎＳｅ膜からなり、且つ前記高屈折層６、１６はＧｅ膜からなる。 - 特許庁