「Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

The electroluminescent element 10 has a configuration in which a light-emitting layer 13 of a thin film made from a polymer or an oligomer, which is formed of the directly coupled same or different elements that are selected from Si, Ge, Sn and Pb, such as polysilane or oligosilane, is placed in between a transparent electrode 12 and an upper electrode 14.例文帳に追加

ポリシラン又はオリゴシラン等、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂから選ばれた同種又は異種の元素が直接連結したポリマー又はオリゴマーからなる薄膜を発光層１３として透明電極１２と上部電極１４の間に配置してＥＬ素子１０を構成する。 - 特許庁

This metal-containing compound is a specific compound having in the molecule thereof, two or more epithio groups and containing in the molecule thereof, one type of metal atom selected from Sn, Ge and Pb, and there are also provided a composition comprising the compound and an optical material obtained by polymerizing and curing the composition.例文帳に追加

分子内にエピチオ基を２個以上有し、かつＳｎ，ＧｅまたはＰｂの金属原子の中から選ばれる一種を分子内に含有する特定の化合物、該化合物を含有してなる組成物、および該組成物を重合硬化して得られる光学材料。 - 特許庁

The trace element-added Ag alloy is characterized in that Ag with ≥99.99 wt.% purity in which the content of oxygen is controlled to <10 ppm is blended with one or more kinds selected from among Al, Mg, Si, Zn, Bi, Ge and Pd in an amount of 0.005 to 0.1 wt.% as an additional element.例文帳に追加

酸素含有量が１０ｐｐｍ未満とした純度９９．９９ｗｔ％以上のＡｇに、添加元素としてＡｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｐｄの内の１種類以上を０．００５ｗｔ％〜０．１ｗｔ％配合したことを特徴とする。 - 特許庁

An intermediate layer 6, which includes at least either of germanium (Ge) and platinum (Pt), is provided between the thermal resistor layer 3 and an electrode layer 4; and the thermal resistor layer 3 and the electrode layer 4 are brought into ohmic contact with each other by using the intermediate layer 6.例文帳に追加

ゲルマニウム（Ｇｅ）および白金（Ｐｔ）のうちの少なくとも一方を含む中間層６を発熱抵抗体層３と電極層４との間に設け、この中間層６を利用して発熱抵抗体層３と電極層４との間をオーミック接触させる。 - 特許庁

The Cu alloy film is used for a source electrode and/or drain electrode as well as a signal line and/or a gate electrode and a scan line of a thin film transistor of a display apparatus, and contains Ge by 0.1-0.5 atom%.例文帳に追加

表示装置における薄膜トランジスタの、ソース電極および／またはドレイン電極並びに信号線、および／または、ゲート電極および走査線に用いられるＣｕ合金膜であって、該Ｃｕ合金膜は、Ｇｅを０．１〜０．５原子％含有することを特徴とする。 - 特許庁

The spin torque oscillating element includes first and second magnetic body layers containing an Fe-Co-(Al, Si, Ge, Mn, Cr, B) alloy and an intermediate layer provided between the first and second magnetic body layers.例文帳に追加

Ｆｅ−Ｃｏ−（Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｂ）合金を含む第１の磁性体層と、第２の磁性体層と、前記第１の磁性体層と前記第２の磁性体層との間に設けられた中間層と、を備えたことを特徴とするスピントルク発振子が提供される。 - 特許庁

By the Ge contained in the SiGe film 72, the activation rate of p-type impurities implanted to the gate electrode of the PMOS transistor is improved, and a depletion layer in an interface with a gate electrode 6 is suppressed, and deterioration in characteristics of the PMOS transistor is prevented.例文帳に追加

ＳｉＧｅ膜７２中に含まれるＧｅによってＰＭＯＳトランジスタのゲート電極に注入されたＰ型不純物の活性化率が改善され、ゲート絶縁膜６との界面での空乏層が抑制され、ＰＭＯＳトランジスタの特性劣化が防止される。 - 特許庁

In the method for forming an SiGe layer of a solar energy cell, in order to promote the growth of the Ge of high quality on an Si substrate, Si^+ is poured on the Si substrate to reinforce the softening of distortion at the junction between the transformed Ge_xSi_1-x buffer layer 103 and the Si substrate 101.例文帳に追加

Ｓｉ基板上での高品質Ｇｅ成長を促進するため、変成Ｇｅ_ｘＳｉ_１−ｘ緩衝層１０３とＳｉ基板１０１との間の接合部における歪緩和を強化するため、Ｓｉ^＋をＳｉ基板上へ注入する。 - 特許庁

The auxiliary material layer 14 consists essentially of at least one element of Sn, Ti, Si, Bi, Ge, C and the like and a dielectric material as a base material in the dielectric layers 16A and 16B contains any one kind of material of ZnS, SiO_2, AlN, Ta_2O_5 and the like.例文帳に追加

補助材層１６は、Ｓｎ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｂｉ，Ｇｅ，Ｃ等のうちのいずれかの元素を主成分とし、誘電体層１４Ａ、１４Ｂにおける母材としての誘電体材は、ＺｎＳ，ＳｉＯ_２，ＡｌＮ，Ｔａ_２Ｏ_５等のうちいずれか１種類の材料を含んで構成されている。 - 特許庁

The growth temperature of the SiGeC layer 2 at this time is set to 490°C or less, and Si2H5, GeH4, and SiH3CH3 are used as the raw materials of Si, Ge, and C, respectively, thus forming the SiGeC layer 2 having the excellent crystallinity.例文帳に追加

このときのＳｉＧｅＣ層２の成長温度を４９０℃以下とし、Ｓｉの原料としてＳｉ_2 Ｈ_6 、Ｇｅの原料としてＧｅＨ_4 、Ｃの原料としてＳｉＨ_3 ＣＨ_3 を用いることにより、良好な結晶性を持つＳｉＧｅＣ層２を形成することができる。 - 特許庁

The biological superelastic titanium alloy has a composition containing Mo as a β phase stabilizing element of titanium and one kind of metal selected from Al, Ga and Ge which are α phase stabilizing elements and have the biocompatibility and the balance Ti with inevitable impurities.例文帳に追加

チタンのβ相安定化元素であるＭｏと、α相安定化元素であり生体適合性の良いＡｌ、Ｇａ，Ｇｅのうち１種を含有し、残部がＴｉおよび不可避不純物からなることを特徴とする生体用超弾性チタン合金である。 - 特許庁

The methods of manufacturing a phase change layer and a memory device include supplying a first precursor on a lower film on which the phase change layer is formed, wherein the first precursor is a bivalent precursor, containing Ge and having a cyclic structure.例文帳に追加

相変化層が形成される下部膜上に第１前駆体を供給する段階を含むが、第１前駆体はＧｅを含み且つ環を有する２価の前駆体であることを特徴とする相変化層の形成方法とその方法を用いたメモリ素子の製造方法。 - 特許庁

Vibrations from the gas engine GE is damped by reaction force of liquid generated when the liquid relatively moves between an upper portion chamber and a lower portion chamber of the liquid sealing type mount 50 through an orifice, and also damped by a damping property of slid rubber.例文帳に追加

ガスエンジンＧＥからの振動は、液体封入式マウント５０との上部室と下部室との間でオリフィスを介して液体が相互に移動し合う際の液体の反力によって減衰されるとともに、ソリッドゴムのダンピング特性によっても減衰される。 - 特許庁

The dopant of a p-type clad layer and a p-type active layer is Ge, with its carrier concentration in the range of 8×1017 to 12×1017 cm-3, the thickness of the p-type active layer is set to 0.5 to 1.2 μm, and the oxygen concentration is set less than 3×1016 cm-3.例文帳に追加

ｐ型クラッド層およびｐ型活性層のドーパントをＧｅとし、そのキャリヤ濃度を８×１０^17ｃｍ^-3以上１２×１０^17ｃｍ^-3未満、ｐ型活性層の層厚を０．５μｍ以上１．２μｍ以下で酸素濃度を３×１０^16ｃｍ^-3未満とする。 - 特許庁

The recording layer contains one or two or more elements selected from the group consisting of Ge, Sb and Si and the reflective layer contains one or two or more elements selected from the group consisting of Al, Cu, Ag and Au for reflecting reproducing light.例文帳に追加

記録層としては、Ｇｅ、Ｓｂ及びＳｉからなるグループから選ばれた１種又は２種以上の元素よりなり、反射層としては、再生光を反射させるための、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕからなるグループから選ばれた１種又は２種以上の元素よりなる。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor which displays light emission properties, Vf properties, etc equal to or above those possessed by a nitride compound semiconductor where Si is used as an n-type dopant even when the compound semiconductor is a nitride compound semiconductor where Ge is used in place of Si as an n-type dopant.例文帳に追加

ｎ型ドーパントとして、Ｓｉの代わりにＧｅを用いた窒化物系化合物半導体であっても、Ｓｉを用いた窒化物系化合物半導体と同等もしくはそれ以上の発光特性、Ｖｆ特性等を示す化合物半導体を提供する。 - 特許庁

To provide an optical fiber transmission line having a high Ge adding concentration in the core area of each optical fiber even when a difference between the mode field diameters of respective optical fibers is small and having an excellent connection loss characteristic even when the mode field diameter of each optical fiber is small.例文帳に追加

各光ファイバのモードフィールド径の差が小さい場合であって、各光ファイバのコア領域におけるＧｅ添加濃度が大きく、且つ、各光ファイバのモードフィールド径が小さいときであっても、接続損失特性が優れた光ファイバ伝送路を提供する。 - 特許庁

The sputtering target material for forming the wiring film comprises 0.2-1.5 atom% Ge and further 0.2-2.5 atom% Ni as additive elements, while controlling the total of the additive elements to 3.0 atom% or less, and the balance substantially Al.例文帳に追加

また、上記組成の配線膜用Ａｌ合金膜を得るための、Ｇｅを０．２〜１．５原子％、さらにＮｉを０．２〜２．５原子％含み、添加元素の総和が３．０原子％以下、残部実質的にＡｌからなる配線膜形成用スパッタリングタ−ゲット材である。 - 特許庁

In the read-only optical information recording medium comprising the reflective film, the reflective film comprises Al-based alloy containing Si and/or Ge in an amount of 5 to 40 at.%.例文帳に追加

反射膜を有する読み出し専用の光情報記録媒体であって、前記反射膜が、Ｓｉおよび／またはＧｅを５〜４０％（％は、原子％を意味する）含有するＡｌ基合金からなることを特徴とする読み出し専用の光情報記録媒体。 - 特許庁

The content of a background image BG is changed in synchronization with the movement of a 3D model MB, the switching to the 3D vision is made smooth by forming an azimuth difference in a merkmal MM, and thereafter to switch from the 3D model MB to one based on an image showing body GE.例文帳に追加

立体模型ＭＢの動作に同期させて背景画像ＢＧの内容を変化させ、また、メルクマールＭＭに視差をつけることにより立体視への切り替えを円滑化させた後に、立体模型ＭＢから画像表示体ＧＥによるものに切り替える。 - 特許庁

The optical film for a beam splitter and a beam splitter element to separate light into two zones of 3 to 5 μm and 8 to 12 μm wavelengths are obtained by combining alternately deposited layers of Ge and ZnS, a metal oxide layer and a metal fluoride layer on a ZnS substrate.例文帳に追加

また、ＺｎＳ基板上に、ＧｅとＺｎＳの交互層と、金属酸化物層、金属フッ化物層を組み合わせることにより、波長３〜５μｍと８〜１２μｍの２つの帯域に分離するためのビームスプリッタ用の光学膜と、ビームスプリッタ素子が提供できる。 - 特許庁

The purification filter comprises a whisker formed on a raw material substrate made of an alloy or a ceramic containing Mn, Al, Cr, In, Ag, Ga, Sn, Cu, Sc, Ge, Ti, Si, and the like.例文帳に追加

原料基体上にウィスカーを形成して成る浄化フィルターであって、 上記原料基体が、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｓｃ、Ｇｅ、Ｔｉ及びＳｉなどを含む合金やセラミックスより成る原料基体上にウィスカーを形成して成る浄化フィルターである。 - 特許庁

Therefore, the deterioration of the characteristics of the PMOS transistor is prevented, because not only the activating rate of the p-type impurity injected into the gate electrode 7P of the PMOS transistor is improved by the Ge, but also the formation of a depletion layer in the interface of a gate insulating film is suppressed.例文帳に追加

従って、Ｇｅの存在によりＰＭＯＳトランジスタのゲート電極に注入されたＰ型不純物の活性化率が改善されるのみならず、ゲート絶縁膜の界面での空乏層が抑制され、ＰＭＯＳトランジスタの特性劣化が防止される。 - 特許庁

The insulative target material is used for producing the electroconductive complex-oxide film having a composition expressed by general formula ABO_3, and includes the oxide of an element (A), the oxide of an element (B), and at least one of an Si compound and a Ge compound.例文帳に追加

絶縁性ターゲット材料は、一般式ＡＢＯ_3で表される導電性複合酸化物膜を得るための絶縁性ターゲット材料であって、Ａ元素の酸化物と、Ｂ元素の酸化物と、Ｓｉ化合物およびＧｅ化合物の少なくとも一方と、を含む。 - 特許庁

The insulative target material is used for producing the electroconductive complex-oxide film having a composition expressed by the general formula ABO_3; and includes the oxide of an element (A), the oxide of an element (B), and at least one of a Si compound and a Ge compound.例文帳に追加

絶縁性ターゲット材料は、一般式ＡＢＯ_３で表される導電性複合酸化物膜を得るための絶縁性ターゲット材料であって、Ａ元素の酸化物と、Ｂ元素の酸化物と、Ｓｉ化合物およびＧｅ化合物の少なくとも一方と、を含む。 - 特許庁

Since the impurity concentration in an SiGe layer can be reduced to about 1/5, when the percentage composition of Ge in the layer is reduced to 10% from 20%, the concentration of a carrier producing impurity in the spacer layer 5 can be reduced.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層中のＧｅ組成率を２０％から１０％に低減することにより、ＳｉＧｅ層中の不純物濃度を１／５程度に低減することができることから、スペーサー層５におけるキャリア生成用不純物の濃度を低減することができる。 - 特許庁

To perform switch processing with a simple means by connecting a master station device and a slave station device with two communication lines and allowing communication by one line when the other line deteriorates in communication with respect to a line duplex GE-PON (Gigabit Ethernet (R)-Passive Optical Network) system.例文帳に追加

回線二重化ＧＥ−ＰＯＮシステムに関し、親局装置と子局装置との間を２つの通信回線で接続し、一方の回線が通信劣化したとき、他方の回線による通信を可能にし、それらの切り替え処理を簡易な手段で実現する。 - 特許庁

The nitride single crystal of high quality is grown on the silicon substrate 31 using the buffer layer containing Si and Ge, thereby manufacturing the nitride semiconductor light emitting element having silicon substrate in place of an expensive sapphire substrate or an SiC substrate.例文帳に追加

シリコン基板３１上にＳｉとＧｅを含んだバッファ層を利用して高品質窒化物単結晶を成長させることにより、高価なサファイア基板またはＳｉＣ基板を代替してシリコン基板を含んだ窒化物半導体発光素子を製造することができる。 - 特許庁

This SOI substrate with a Ge film for a semiconductor includes an SOI substrate including a silicon thin film on a quartz substrate or glass substrate being an insulating substrate, and a germanium film having been subjected to epitaxial growth on a silicon thin film of an SOQ substrate.例文帳に追加

また、絶縁性基板である石英基板又はガラス基板上のシリコン薄膜を備えるＳＯＩ基板と、上記ＳＯＱ基板のシリコン薄膜の上にエピタキシャル成長させたゲルマニウム膜を備える半導体用Ｇｅ膜付きＳＯＩ基板を提供する。 - 特許庁

Shan-tao: "Kammuryoju-kyosho" (a commentary on the Kanmuryojukyo) (Kangyosho); "Ojo Raisan Ge" (hymns on the verse in the Pure Land) (Ojo Raisan); "Tengyo gyodogan ojojodo hojisan" (service book for the Pure Land school) (Hojisan); "Ekangyotomyo hanjuzanmai gyodo ojosan" (hymns on the presence of the Buddha) (Hanjusan); "Kannen Amida Butsu sokai sanmai kudoku homon" (directions for meditation and invocation) (Kannen homon) 例文帳に追加

善導…『観無量寿経疏』（観経疏）、『往生礼讃偈』（往生礼讃）、『転経行道願往生浄土法事讃』（法事讃）、『依観経等明般舟三昧行道往生讃』（般舟讃）、『観念阿弥陀仏相海三昧功徳法門』（観念法門） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Further, the barrier film 74 prevents Ge from diffusing to the surface of the cap silicon film 75, and aggregating of the metal silicide layer 12 formed on the surface of the cap silicon film 75 is prevented, thereby forming a uniform and low-resistance metal silicide layer.例文帳に追加

また、バリア膜７４によってＧｅがキャップシリコン膜７５の表面にまで拡散することが防止でき、キャップシリコン膜７５の表面に形成する金属シリサイド層１２の凝集を防止し、均一でかつ低抵抗な金属シリサイド層が形成可能となる。 - 特許庁

A cap rubber part G1 of tread rubber G is formed of hard rubber of rubber hardness of 70-75°, and a distance LA in the tire axial direction between an outer end Ge in the tire axial direction of the cap rubber part G1 and an outer end 7e in the tire axial direction of a belt layer 7 is set to be 5-15 mm.例文帳に追加

トレッドゴムＧのキャップゴム部Ｇ１は、ゴム硬度が７０〜７５°の硬質のゴムからなるとともに、キャップゴム部Ｇ１のタイヤ軸方向外端Ｇｅと、ベルト層７のタイヤ軸方向外端７ｅとの間のタイヤ軸方向距離ＬＡを５〜１５ｍｍとした。 - 特許庁

To achieve high speed operation by using Ge or SiGe as a semiconductor material composing a channel, and to achieve a CMOSFET which can attain desired threshold control and high effective mobility characteristics by a simple low temperature fabrication process.例文帳に追加

チャネルを構成する半導体材料にＧｅ又はＳｉＧｅを用いて高速動作を実現するとともに、低温且つ簡易な製造プロセスにより、所望の閾値制御及び高い実効移動度特性を達成することを可能とするＣＭＯＳＦＥＴを実現する。 - 特許庁

A channel layer 14 of a vertical SiCMOSFET is made into a p-type semiconductor by doping Al, and includes Si_0.9Ge_0.1C mixed crystal doped with Ge having a large ion radius and a narrow forbidden band, thereby making a lattice constant of a channel region large.例文帳に追加

縦型のＳｉＣＭＯＳＦＥＴにおけるチャネル層１４が、Ａｌのドープによりｐ型半導体に構成されると共に、イオン半径が大きく禁制帯幅が狭いＧｅがドープされたＳｉ_0.9Ｇｅ_0.1Ｃ混晶とすることでチャネル領域の格子定数を大きくする。 - 特許庁

By a molecular beam epitaxial method, a IV group semiconductor 5 (Si, Ge) and a metal 6 are evaporated on a very thin oxide film 2 formed on a silicon substrate 1 by the molecular beam epitaxial method to form nanometer-size fine crystals (nano-dots) of a silicon compound semiconductor at an ultrahigh density, thus obtaining a semiconductor device.例文帳に追加

シリコン基板１に形成した極薄酸化膜２上に分子線エピタキシャル法を用いてＩＶ族半導体５（Ｓｉ、Ｇｅ）と金属６を蒸着することで、シリコン系化合物半導体のナノメーターサイズの微結晶（ナノドット）３を超高密度に形成して、半導体デバイスを得る。 - 特許庁

Capacity wiring MM (Cs) is arranged to constitute a capacity Cs with at least one of the drain region SD of the transfer transistor Tx, a source region SD of a reset transistor Res, the gate electrode layer GE of the amplifier transistor Ami, and the conductive elements.例文帳に追加

容量配線ＭＭ（Ｃｓ）は、転送トランジスタＴｘのドレイン領域ＳＤ、リセットトランジスタＲｅｓのソース領域ＳＤ、増幅トランジスタＡｍｉのゲート電極層ＧＥ、および導電性要素のうち少なくとも１つと容量Ｃｓを構成するように配置されている。 - 特許庁

The MOS field effect transistor type quantum dot light-emitting element comprises a semiconductor substrate, a gate SiO_2 layer formed on the semiconductor substrate, and a laminated gate electrode layer formed on the gate SiO_2 layer, in which a dope Si layer, Ge layer, and dope Si layer are laminated sequentially.例文帳に追加

ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたゲートＳｉＯ_２層と、該ゲートＳｉＯ_２層上に形成されたドープＳｉ層、Ｇｅ層及びドープＳｉ層を順次積層してなる積層ゲート電極層と、を有する。 - 特許庁

A hydrogen ion or a helium ion is implanted in a boundary or in the vicinity of the boundary between an insulating layer and the Si layer, and then the substrate is heated at 950°C or higher in an oxidizing atmosphere or an inert gas atmosphere to melt the SiGe mixed crystal layer 14 and diffuse Ge in a part of the Si layer 13.例文帳に追加

絶縁層とＳｉ層の界面又は界面近傍に水素又はヘリウムをイオン注入した後、基板を酸化性雰囲気下又は不活性ガス雰囲気下、９５０℃以上で熱処理してＳｉＧｅ混晶層１４を溶融するとともにＳｉ層１３の一部にＧｅを拡散する。 - 特許庁

The thermoelectric transducer 1 has a super-lattice structure 20 formed by alternately laminating first layers 11 containing Si and second layers 12 containing Ge and Au, and both the first and second layers 11, 12 are amorphous.例文帳に追加

超格子構造２０を有する熱電変換素子１であって、超格子構造２０は、Ｓｉを含む第１の層１１と、ＧｅおよびＡｕを含む第２の層１２とを交互に積層することにより形成され、第１の層１１および第２の層１２はいずれもアモルファスである熱電変換素子。 - 特許庁

It is possible to rapidly increase the absorption coefficient at the photon energy of about 4 eV and to form high absorption band at the high photon energy range of >4 eV, in the absorption characteristic prescribed by the relation of the photon energy and the absorption coefficient, by co-doping Sn in addition to Ge.例文帳に追加

Ｇｅに加えＳｎを共ドープすることにより、光子エネルギーと光の吸収係数との関係により定められる吸光特性において約４ｅＶの光子エネルギー値を境にして吸収係数の値が急増して高光子エネルギー側領域の全体に広がる吸収帯を生じさせる。 - 特許庁

A gate insulation film GI between a semiconductor substrate SUB and a gate electrode layer GE includes a first silicon oxide film OX1, a first silicon nitride film NI1, a second silicon oxide film OX2, a second silicon nitride film NI2, and a third silicon oxide film OX3.例文帳に追加

半導体基板ＳＵＢとゲート電極層ＧＥとの間のゲート絶縁膜ＧＩは、第１のシリコン酸化膜ＯＸ１と、第１のシリコン窒化膜ＮＩ１と、第２のシリコン酸化膜ＯＸ２と、第２のシリコン窒化膜ＮＩ２と、第３のシリコン酸化膜ＯＸ３とからなっている。 - 特許庁

The rod optical fiber preform which is constituted of a quartz glass layer added with Ge (germanium), a quartz glass layer added with F (fluorine) and a pure quartz glass layer in order from the center and which is opened after cutting is cut after heating at 950-1,100°C and holding for a fixed period of time.例文帳に追加

中心部から順に、Ｇｅ（ゲルマニウム）が添加された石英ガラス層と、Ｆ（フッ素）が添加された石英ガラス層と、純粋石英ガラス層とを備えて構成され、切断後に孔開するロッド状の光ファイバ母材を、９５０℃から１１００℃に加熱して一定時間保持した後に割断する。 - 特許庁

To improve the strength and wet heat characteristic of a coating material for an optical fiber core on which fiber grating is formed by ultraviolet irradiation from the surface of a coat, to highly accurately form the fiber grating without increasing the quantity of Ge to be doped on the core and to improve the efficiency of transmission.例文帳に追加

被覆上からの紫外線照射によりファイバグレーティングが形成される光ファイバ心線について、その被覆材料の強度及び湿熱特性を高め、またコアにドープするＧｅの量を増大させることなくファイバグレーティングを高精度に形成し、さらに伝送効率の向上を図る。 - 特許庁

The sputtering target material is composed of the Ag alloy which is prepared by adding specific small amounts of metal component (A) selected from Ge, Ga and Sb, specific small amounts of metal component (B) selected from Au, Pd and Pt, and, if necessary, a small amounts of Cu to Ag and carrying out alloying.例文帳に追加

Ａｇに、特定少量のＧｅ、ＧａおよびＳｂから選ばれる金属成分（Ａ）、特定少量のＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる金属成分（Ｂ）、及び場合により、少量のＣｕを添加して合金化してなるＡｇ合金から構成されたスパッタリングターゲット材。 - 特許庁

The antireflection film comprises a laminate of an Y2O3 film and a layer composed of a material having refractive index of √(ns) where ns is the refractive index of GaAs and a layer having refractive index of ns/n above where is the refractive index of that layer, or a laminate of a Ge film and a ZnS film.例文帳に追加

反射防止膜としては、Ｙ_2Ｏ_3膜、ＧａＡｓの屈折率をｎ_sとして屈折率が√（ｎ_s）より小さい材料よりなる層と、この層の屈折率をｎとして屈折率がｎ_s／ｎよりも大きい層との積層膜、又は、Ｇｅ膜とＺｎＳ膜との積層膜を適用する。 - 特許庁