「Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

In the end, the Miyoshi clan itself gained the status of Shugo, was picked for Shobanshu, which is chosen from among the powerful or famous Shugo, and ended up with the rank of Jushii-ge and permission to use the nurigoshi which was a symbol of the Shugo's status. 例文帳に追加

やがて、三好氏自体が守護の格式を得て、守護の中でも有力か或いは名門である家から選ばれる相伴衆に列せられ、従四位下の位と守護の格式である塗輿を使用を免許されるまでに至る。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a method of reducing (avoiding) Fermi level pinning (FLP) in a high mobility semiconductor compound channel such as Ge and III-V compounds (e.g. GaAs or InGaAs) in a metal oxide semiconductor (MOS) device.例文帳に追加

金属酸化物半導体（ＭＯＳ）デバイス中の、ＧｅやＩＩＩ−Ｖ化合物（例えばＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓ）のような高移動度半導体化合物チャネル中の、フェルミレベルピンニング（ＦＬＰ）を低減（回避）する方法の提供。 - 特許庁

The aluminum foil for the electrolytic capacitor comprises Si, Fe, Cu, Pb, 0.1 to 100 ppm Ge and 99.9 mass% or more Al.例文帳に追加

Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｐｂが含有されるとともに、０．１ｐｐｍないし１００ｐｐｍの範囲のＧｅと、９９．９質量％以上のＡｌとが含有されてなることを特徴とする本発明の電解コンデンサ用アルミニウム箔を採用する。 - 特許庁

The solid memory has recording layers including a laminate structure of which the electric characteristics varies according to phase separation, wherein the laminate structure constitutes a superlattice structure composed of a film containing Sb atoms and a film containing Ge atoms.例文帳に追加

本発明の固体メモリは、相分離により電気特性が変化する積層構造を含む記録層を備えており、上記積層構造は、Ｓｂ原子を含む膜とＧｅ原子を含む膜とから成る、超格子構造を構成している。 - 特許庁

Cu alloy wiring for semiconductor device comprises Cu alloy containing Ge in 0.2 to 1.0 at%, and a spattering gate comprising Cu alloy used to manufacture the wiring.例文帳に追加

半導体装置に使用される配線であって、Ｇｅを０．２〜１．０ａｔ％含有するＣｕ合金からなる半導体装置用Ｃｕ系合金配線と、当該配線の製造に用いるＣｕ系合金からなるスパッタリングターゲットを開示する。 - 特許庁

The electrophotographic cyan toner contains a tetradentate coordination type phthalocyanine compound having Si or Ge as a central metal and a bidentate coordination type phthalocyanine compound having Mg, Ca, Mn, Fe, Co, Ni, Cu or Zn as a central metal.例文帳に追加

Ｓｉ又はＧｅの中心金属を有する四座配位型のフタロシアニン化合物及びＭｇ，Ｃａ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，又はＺｎの中心金属を有する二座配位型のフタロシアニン化合物を含有することを特徴とする電子写真用シアントナー。 - 特許庁

By a peel inhibiting portion 24 constituted of a plurality of recesses 24a formed on an inner peripheral surface 16b, in the exhaust gas flow Ge, the flow inside of the recesses 24a collides with the flow outside of the recesses 24a and turbulence is generated in the flow.例文帳に追加

内周面１６ｂに形成された複数の凹部２４ａからなる剥離抑制部２４により、排気流Ｇｅは、凹部２４ａ内の流れと凹部２４ａ外の流れとが衝突することにより、流れに乱れが生じる。 - 特許庁

In a joint formed by joining a base material comprising aluminum nitride and a member comprising an Al-base metal to be joined to the base material, a Ge thickened phase and an Mg thickened phase having ≤100 μm thickness are present along the joining interface.例文帳に追加

窒化アルミニウムからなる母材と、この母材に接合されるＡｌ系金属からなる接合相手部材との接合部に、接合界面に沿って、厚さが１００μｍ以下のＧｅの濃化相とＭｇの濃化相が存在している。 - 特許庁

To provide an idle pattern output control circuit used in a point-to- multipoint communication based Gigabit Ethernet(R)-passive optical network (GE-PON) in which a data loss caused by an idle pattern is prevented while using an ordinary Gigabit-Ethernet(R) controller.例文帳に追加

ポイント・ツー・マルチポイント通信を基本構造にするＧＥ−ＰＯＮにおいて、常用のギガビットイーサネット(登録商標)コントローラを使用しながらアイドルパターンによるデータ損失を防止することのできるアイドルパターン出力制御回路を提供する。 - 特許庁

To provide a method for rendering harmless a waste consisting of an article requiring electromagnetic wave absorption protection to which what is called carbon family elements (C, Si, Ge, Sn, Pb), which are electromagnetic wave absorbing elements in group XIV of the periodic table, are added.例文帳に追加

電磁波吸収性元素である元素周期表１４族の所謂炭素族元素（Ｃ・Ｓｉ・Ｇｅ・Ｓｎ・Ｐｂ）を、電磁波吸収防御を必要とする製品に添加して使用するに際し、その廃棄物を無害とする方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of easily controlling the film thickness of a sintered body of Bi_12MO_20 (where M is at least one kind selected from among Ge, Si and Ti) forming a radiation imaging panel for recording radiograph information as an electrostatic latent image.例文帳に追加

放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成するＢｉ_12ＭＯ_20（ただし、ＭはＧｅ，Ｓｉ，Ｔｉ中の少なくとも１種である。）焼結体の膜厚を簡易に制御可能な製造方法を提供すること。 - 特許庁

The road surface state determination part determines that the vehicle travels on a pre-sandy road when an off-road switch is turned ON and when presumed acceleration Ge and actual acceleration Gx become a value between a linear line L1 and a linear line L2.例文帳に追加

路面状態判定部は、オフロードスイッチがオンにされている場合であって、推定加速度Ｇｅおよび実加速度Ｇｘが直線Ｌ１および直線Ｌ２の間の値となる場合、車両がプレ砂地路を走行していると判定する。 - 特許庁

In the optical recording medium, a transparent substrate 1, a photoabsorption layer 2, a first dielectric layer 3, a recording layer 4, a second dielectric layer 5 and a reflecting layer 6 are laminated to one another by the order named, the recording layer includes Ag, In, Sb, Te and Ge as constituent elements.例文帳に追加

透明基板１、光吸収層２、第１誘電体層３、記録層４、第２誘電体層５、及び、反射層６を順次有する光記録媒体において、前記記録層がＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ及びＧｅを構成元素に含んでいる。 - 特許庁

To provide an information recording medium having a high reliability of recording data, high durability to repeated data recording and excellent oxidation resistance, in the information recording medium using a Bi-Ge-Te-based phase change material as a recording layer.例文帳に追加

Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化材料を記録層として用いた情報記録媒体において、記録データの信頼性が高く、データの繰返し記録に対する耐久性の高く、且つ、耐酸化性に優れた情報記録媒体を提供する。 - 特許庁

The magnesium compound is essentially composed of a compound Mg_2X of an element(s) X selected from the group consisting of Si, Ge, Sn and Pb, and magnesium (Mg), and in which the compositional molar ratio between the element(s) X and Mg lies in the range of 1:1 to 1:1.9.例文帳に追加

マグネシウム化合物は、Ｓｉ、Ｇｅ，ＳｎおよびＰｂから成る群から選ばれる元素Ｘと、マグネシウム（Ｍｇ）との化合物Ｍｇ_２Ｘを主体とし、元素ＸとＭｇとの組成モル比が、１：１〜１：１．９の範囲内にあることを特徴とする。 - 特許庁

In a blue-violet semiconductor laser device 100, a pair of side faces of a semiconductor device structure 10U comprising a nitride-based semiconductor layer 10 are positioned respectively on the inner side of a pair of side faces of a substrate part 42U comprising a Ge substrate 42.例文帳に追加

青紫色半導体レーザ素子１００においては、窒化物系半導体層１０からなる半導体素子構造１０Ｕの一対の側面が、Ｇｅ基板４２からなる基板部分４２Ｕの一対の側面のそれぞれ内側に位置する。 - 特許庁

To provide a compact and low power consumable bidirectional optical communication module, capable of transmitting and receiving high-speed optical signals on GE-PON and 10GE-PON by a simple temperature control without using an EA/LD (Electro-Absorption/Laser Diode) that requires severe temperature control.例文帳に追加

厳しい温度制御が必要なＥＡ／ＬＤを使うことなく、簡便な温度制御でＧＥ−ＰＯＮと１０ＧＥ−ＰＯＮとにおいて高速光信号を送受信可能な、小型で低消費電力の双方向光通信モジュールを提供する。 - 特許庁

This MRI apparatus captures 3D image using GE (Gradient Echo)-EPI (Echo Planar Imaging) sequence and controls a disposition sequence of receiving echoes in a k-space by using differences in TEs in the respective echoes of an echo train to emphasize the magnetic susceptibility effect on a target region.例文帳に追加

ＧＥ系ＥＰＩシーケンスを用いて３Ｄ撮像を行い、エコートレインの各エコーにおけるＴＥがそれぞれ異なることを利用して、受信エコーのk空間の配置順序を制御することによって目的領域の磁化率効果を強調する。 - 特許庁

A soot body containing Ge with silica glass as the principal component is sintered and made transparent to form a core preform, with a core part 2 formed by fusing and line-drawing a ground body for which the outer periphery of the core preform is removed for 2% or more in the diameter ratio by grinding.例文帳に追加

シリカガラスを主成分としてＧｅを含有するスス体を焼結、透明化したコアプリフォームとし、該コアプリフォームの外周を直径比で２％以上研削により除去した研削体を溶融および線引してコア部２とする。 - 特許庁

To improve network utilization efficiency by applying a hierarchized multi-cast function to a GE-PON system and performing hierarchized multi-cast communication adaptive to a network traffic status.例文帳に追加

階層化マルチキャスト通信システム、局側終端装置及び加入者側終端装置に関し、ＧＥ−ＰＯＮシステムに階層化マルチキャスト機能を適用し、ネットワークのトラフック状況に適応した階層化マルチキャスト通信を行い、ネットワークの利用効率を向上させる。 - 特許庁

The phosphor having a magnetoplumbite-type crystal structure comprises at least one sort of atom selected from B, Si, P, Ge, Ti, V, Ni, Ta, Nb, Mo, W, Yb, Tm, and Bi.例文帳に追加

マグネトプランバイト型結晶構造を有する蛍光体において、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｂｉのうち少なくとも１種類の元素を有することを特徴とする蛍光体により上記課題を解決する。 - 特許庁

A prescribed voltage is applied to the Ge detector damaged by the radiation, and a strong gamma ray source is placed near the detector, and sufficiently many electron/vacancy pairs are generated and taken into lattice defects.例文帳に追加

また、いったん回復した分解能も、放射線損傷により再び分解能が低下するため、放射線損傷を受けやすい環境でＧｅ検出器を用いる場合、短時問でなおかつ容易に分解能を回復させることが重要である。 - 特許庁

The grating 201 is manufactured by adding hydrogen to a Ge- added optical fiber in a hydrogen addition process S11, irradiating it with intensity-modulated ultraviolet rays in a grating formation process S12 to induce refractive index modulation, and heating it in a heating process S13.例文帳に追加

Ｇｅ添加光ファイバに対し、水素添加工程Ｓ11で水素を添加し、グレーティング形成工程Ｓ12で強度変調された紫外光を照射して屈折率変調を誘起せしめ、加熱工程Ｓ13で加熱処理して、グレーティング２０_1を作製する。 - 特許庁

A conductor pattern 3 in an insulated substrate 10 joined with a semiconductor chip 4 and a heat radiation plate 8 are joined by a solder alloy 9 containing, by weight, 3 to 5% antimony (Sb) and ≤0.2% germanium (Ge), and the balance tin (Sn).例文帳に追加

半導体チップ４が接合された絶縁基板１０の導体パターン３と放熱板８を、３〜５重量％のアンチモン（Ｓｂ）と０．２重量％以下のゲルマニウム（Ｇｅ）を含有し、残りがスズ（Ｓｎ）であるはんだ合金９により接合する。 - 特許庁

This method is characterized by controlling a refraction index of a formed GeN thin film through controlling a nitro-pressure, a substrate temperature, and a high frequency output, with reactive high-frequency ion plating using Ge for an evaporation source in an atmosphere of introduced nitrogen gas.例文帳に追加

窒素ガスを導入した雰囲気で蒸発源としてＧｅを用いる反応性高周波イオンプレーティングであって、窒素ガス圧、基板温度および高周波出力を制御することで、屈折率を制御してＧｅＮ薄膜を形成する。 - 特許庁

(1) The phase transition type optical recording medium has, on a substrate, at least a phase transition recording layer consisting essentially of Sb and containing Ge and Sn and/or In and an interface layer coming in contact with the recording layer and consisting essentially of a nitride or a carbide.例文帳に追加

（１）基板上に少なくとも、Ｓｂを主成分としＧｅとＳｎ及び／又はＩｎを含有する相変化記録層、並びに該記録層と接し、窒化物又は炭化物を主成分とする界面層を有する相変化型光記録媒体。 - 特許庁

The aluminosilicate-based material is treated with an aqueous composition having chemical formula H_xAF_6 (wherein, A is selected from the group consisting of Si, Ge, Ti, Zr, Al and Ga; and x is 1 to 6) and containing at least one acid.例文帳に追加

アルミノケイ酸塩系物質は、化学式Ｈ_XＡＦ_6（式中、ＡはＳＩ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、及びＧａからなる群から選択され、ｘは１−６である）を有する少なくとも１つの酸を含有する水性組成物を用いて処理される。 - 特許庁

A control device 41, according to a power generation state of the fuel cell 10, controls supply pressure by a regulator 32 and a nozzle opening of an ejector pump 50, and varies the circulation flow amount Ge of the offgas circulating in an offgas circulation passage 34.例文帳に追加

制御装置４１は、燃料電池１０の発電状態に応じて、レギュレータ３２による供給圧力とエジェクタポンプ５０のノズル開度とを制御してオフガス循環経路３４を流通するオフガスの循環流量Ｇｅを可変している。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a glass fine particle deposited body, in which a complicated refractive index distribution or a refractive index distribution in a radial direction with high accuracy are obtained while an additive amount of Ge is stabilized by stably controlling the pressure in a reaction chamber.例文帳に追加

反応容器内の圧力を安定して制御することにより、Ｇｅの添加量を安定させて複雑な屈折率分布や高精度の径方向屈折率分布が求められるガラス微粒子堆積体の製造方法を提供する。 - 特許庁

By constructing the signal processing LSI with a CMOS and the drive circuit of a light-transmitting and receiving element with a Si-Ge transistor circuit, a band of a modulated signal can be expanded, thus enabling improvement in light signal inputting and outputting performance.例文帳に追加

信号処理ＬＳＩをＣＭＯＳで構成し、光送受信素子の駆動回路をＳｉ−Ｇｅトランジスタ回路にて構成することにより、変調信号帯域を拡大でき装置からの光信号入出力性能を拡大することができる。 - 特許庁

A signal generator 11 outputs an odd red signal Ro, an even red signal Re, an odd green signal Go, an even green signal Ge, an odd blue signal Bo, an even blue signal Be, an odd gate signal O, and an even gate signal E.例文帳に追加

信号発生器１１は、奇数赤色信号Ｒｏ、偶数赤色信号Ｒｅ，奇数緑色信号Ｇｏ、偶数緑色信号Ｇｅ、奇数青色信号Ｂｏ、偶数青色信号Ｂｅ、奇数ゲート信号Ｏ及び偶数ゲート信号Ｅを出力する。 - 特許庁

To obtain polyester film that contains a reduced amount of foreign substances caused by the polymerization catalyst and shows excellent heat stability by effecting the polymerization with a specific catalyst instead of Sb compound and Ge compound.例文帳に追加

アンチモン化合物ならびにゲルマニウム化合物以外の重合触媒からなり、ポリマー中の重合触媒に起因する異物が少なく、さらに熱安定性にも優れた包装材料用、磁気テープ用など各種フィルム用途に最適なポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

In case the warehouse was required to be opened, each province had to submit a dajokanpu called Fudoso kaiken shinsei-ge to Daijokan for permission; then receiving a document called Fudo kaiyofu or Fudo-jufu issued from Daijokan along with the key, it was able to be opened. 例文帳に追加

開封が必要な場合には不動倉開検申請解と呼ばれる解_(公文書)を太政官に提出して許可を求め、不動開用符または不動充符と呼ばれる太政官符の交付とともに鑰の返送を得て初めて開封が行われた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

This temple has not been called Todai-ji since the foundation, and it is in "Todai-ji shakyosho no ge" (Details of the Sutra Copying Office of Todai-ji Temple), one of the Shoso-in archives dated February 2, 748, that the word 'Todai-ji Temple' was referred to for the first time. 例文帳に追加

この寺は、創建当初から東大寺と呼ばれてきたわけではなく、「東大寺」の名がはじめて見えるのは、天平19年（747年）12月25日日付の正倉院文書のひとつ、『東大寺写経所解』（とうだいじしゃきょうしょのげ）である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The ferroelectric film made of perovskite structure ferroelectric expressed by ABO_3 contains at least one type from Si^2+, Ge^2+, and Sn^2+ as an A-site addition ion, and contains at least Nb^5+ as a B site addition ion.例文帳に追加

ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト構造強誘電体からなる強誘電体膜であって、Ａサイト添加イオンとしてＳｉ^２＋、Ｇｅ^２＋、およびＳｎ^２＋のうち少なくとも１種以上を含み、Ｂサイト添加イオンとして少なくともＮｂ^５＋を含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor substrate which enables even a strain SiGe film having high Ge density to have a high strain relief degree, in manufacturing a semiconductor substrate having an SiGe/Si heterostructure.例文帳に追加

ＳｉＧｅ／Ｓｉへテロ構造を有する半導体基板の製造について、高濃度のＧｅ濃度を有する歪ＳｉＧｅ膜においても高い歪み緩和度を達成することができる半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A white-color LED 1 each is apportioned to a plurality of groups against chromaticity coordinates of emission light, for instance, a total of five groups Ga, Gb, Gc, Gd, Ge whose chromaticity coordinates exist in areas near five chromaticity coordinates a to e.例文帳に追加

使用する白色ＬＥＤ１について放射光の色度座標を調べて複数のグループ、例えば、５つの色度座標ａ〜ｅにそれぞれ近い領域に色度座標が存在する合計５つのグループＧａ，Ｇｂ，Ｇｃ，Ｇｄ，Ｇｅに各白色ＬＥＤ１を振り分けておく。 - 特許庁

The light emitting device is characterized in that gallium nitride crystal is formed on a gallium oxide single-crystal substrate surface by nitriding a gallium oxide single-crystal substrate containing at least one element selected from Si, Ge, Sn and Al.例文帳に追加

Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｎおよびＡｌから選択された少なくとも一種の元素を含有する酸化ガリウム単結晶基板を窒化処理し、該酸化ガリウム単結晶基板表面に窒化ガリウム結晶を形成してなることを特徴とする発光素子。 - 特許庁

One or more metal elements selected out from titanium Ti, silver Ag, copper Cu, germanium Ge and vanadium V are baked on a molding sintered material containing an iron oxide and a barium carbonate or a strontium carbonate as a main raw material, and further it is magnetized.例文帳に追加

酸化鉄と炭酸バリウムまたは炭酸ストロンチウムを主原料とする成形焼結物にチタンＴｉ、銀Ａｇ、銅Ｃｕ、ゲルマニウムＧｅ、バナジウムＶから選ばれる一もしくはそれ以上の金属元素を焼付け、さらに着磁することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an Si/SiGe gate electrode structure having appropriately controlled Ge concentration distribution and shape each in a pMOS and an nMOS suited for a fined CMOS semiconductor device.例文帳に追加

微細化されたＣＭＯＳ半導体装置に適したｐＭＯＳとｎＭＯＳにおいてそれぞれ適切に制御されたＧｅ濃度分布及び形状を有するＳｉ／ＳｉＧｅゲート電極構造を備えた半導体装置を提供することである。 - 特許庁

This method relates to the phase change recording film with high electric resistance having a composition wherein Ge:15 to 30%, Sb:15 to 30% and B:0.2 to 12% at atomic % are incorporated and the remainder consists of Te and inevitable impurities, and a sputtering target for forming the film.例文帳に追加

原子％でＧｅ：１５〜３０％、Ｓｂ：１５〜３０％、Ｂ：０．２〜１２を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する電気抵抗が高い相変化記録膜、およびその膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

This write-once type optical recording medium 10 is equipped with an inorganic recording film 2 under the condition that the inorganic recording film 2 is equipped with an oxidic film 2a including the oxide of germanium (Ge) and an adjoining film 2b, which includes titanium (Ti) and manganese (Mn) and is adjacent to the oxidic film 2a.例文帳に追加

追記型光記録媒体１０は無機記録膜２を備え、無機記録膜２が、ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物を含む酸化物膜２ａと、チタン（Ｔｉ）およびマンガン（Ｍｎ）を含み、酸化物膜２ａに隣接する隣接膜２ｂとを備える。 - 特許庁

A process for implanting Ge ions in an Si layer 3 in an SOI wafer, thermally oxidizing the Si layer 3, forming a SiO2 layer 4 on a surface and converting it into a thinned SiGe layer 3G is included.例文帳に追加

ＳＯＩウエハに於けるＳｉ層３にＧｅイオンを注入してからＳｉ層３を熱酸化して表面にＳｉＯ_2 層４を形成すると共に薄層化されたＳｉＧｅ層３Ｇに変換する工程が含まれてなることを特徴とする。 - 特許庁

This manufacturing method includes subjecting a composite wire rod consisting of an Al alloy containing more Si and Ge than the solid solubility limit in the equilibrium state and Nb, to rapid heating and quenching treatment in the state of the composite wire rod, to change an Al alloy core into a supersaturated solid solution.例文帳に追加

ＡｌにＳｉ、Ｇｅ等を平衡状態の固溶限を越えて添加した合金とＮｂとの複合線材において、複合線材のままの状態で急熱急冷処理することにより、Ａｌ合金芯を過飽和の固溶体に変える。 - 特許庁

In a resistivity range lower than 3×10^-1Ωcm, since the temperature coefficient of resistivity (TCR) is smaller in the polycrystalline SiGe (Ge:20%) than that in polycrystalline Si, a variation in resistivity with a temperature is reduced.例文帳に追加

抵抗率が３×１０^−１Ω・ｃｍ以下の領域では、多結晶ＳｉＧｅ（Ｇｅ：２０％）の方が多結晶Ｓｉよりも抵抗率温度依存係数（ＴＣＲ）が小さいので、抵抗素子の抵抗率の温度特性を小さくできる。 - 特許庁