「Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

The method includes a step (1202) for forming a single crystal Si substrate having surfaces, a step (1204) for forming Si feature such as via, trench, or pillar in the substrate, a step (1206) for forming dots from materials of Ge superimposed on the Si feature or silicon germanium, and a step(1208) for forming the path including the dots.例文帳に追加

本発明の方法は、表面を有する単結晶Ｓｉ基板を形成するステップ（１２０２）と、基板内に、ビア、トレンチ、またはピラーのようなＳｉフィーチャを形成するステップ（１２０４）と、Ｓｉフィーチャの上に重なるＧｅまたはシリコンゲルマニウムの材料からドットを形成するステップ（１２０６）と、ドットを含む光路を形成するステップ（１２０８）とを含有する。 - 特許庁

The glass preform made of quartz comprises a core part obtained by forming a part of a clad around a Ge doped core and a clad part, has a chlorine concentration distribution in the radial direction formed by doping with chlorine and has a part with a low chlorine concentration near the interface between the core and clad parts.例文帳に追加

本発明の光ファイバ用ガラス母材は、中央にＧｅがドープされたコアとこの周辺にクラッドの一部が形成されたコア部とクラッド部からなる石英製光ファイバ用ガラス母材において、半径方向に塩素ドープによって形成された塩素濃度分布を有し、該コア部とクラッド部との界面の近くに塩素濃度の低い部分を有している。 - 特許庁

In the semiconductor device, the GaAs group vertical cavity surface-emitting laser (VCSEL) structure formed on the surface of a GaAs monocrystal substrate by epitaxial growth is directly joined with the surface of a 1st base body constituted of forming a compound semiconductor layer on the surface of Si group monocrystal substrate consisting of Si, SiGe or Ge by epitaxial growth.例文帳に追加

Ｓｉ、又は、ＳｉＧｅ、又は、ＧｅからなるＳｉ系単結晶基板の上にエピタキシャル成長による化合物半導体層が設けられている第１の基体上に、ＧａＡｓ単結晶基板上にエピタキシャル成長により形成されたＧａＡｓ系面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）構造体が直接接合されていることを特徴としている。 - 特許庁

To provide glass which has excellent water resistance, is less liable to crystalize even in sealing or subsequent heat treatment, achieves a low sealing temperature and a desired expansion coefficient, and is suitable for sealing or the like with a Tg of 450°C or lower, without containing oxides of Pb, Ge, Ga, etc., or a halogen component such as fluorine, or without containing oxides of Sn and Cu in large quantities.例文帳に追加

Ｐｂ、Ｇｅ、Ｇａ等の酸化物、もしくはフッ素などのハロゲン成分を含まずとも、または、Ｓｎ、Ｃｕの酸化物を多量に含まずとも、耐水性に優れ、封着時またはその後の熱処理においても結晶化しにくく、低い封着温度および所望の膨張係数を実現でき、Ｔｇが４５０℃以下の封着等に適したガラスを提供する。 - 特許庁

Ions of an element selected from group IV of the periodic table and having a thermal diffusivity no larger than 0.5 cm^2/s, such as Ge, are injected into the dielectric film to form a charge storing region in the dielectric film with a tunnel dielectric film 135 formed under the charge storing region and a capping dielectric film 140 formed on the charge storing region.例文帳に追加

絶縁膜内に周期律表のＩＶ族から選択され、０．５ｃｍ^２／ｓ以下の熱拡散度を有するＧｅ等の元素のイオンを注入して絶縁膜内に電荷保存領域を形成するが、電荷保存領域の下部にトンネル絶縁膜１３５を、電荷保存領域の上部にキャッピング絶縁膜１４０を有するように形成する。 - 特許庁

The gold alloy for forming the optical recording disk reflection film has a composition containing at least one kind of element selected from the groups consisting of Mg, Al, Ti, Co, Ge, Zr, Sb, Zn, La, Ce, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy and Ca in 0.05 to 0.2 wt.%, and the balance Au.例文帳に追加

光記録ディスク反射膜形成用の金合金であって、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、及びＣａからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を０．０５〜０．２重量％含有し、残部がＡｕからなることを特徴とする光記録ディスク反射膜形成用金合金。 - 特許庁

This method for purifying crude bis-β-hydroxyethyl terephthalate comprises distilling or evaporating under reduced pressures the crude bis-β- hydroxyethyl terephthalate ≤50 ppm in the total content of (i) cations including Na, Mg, Ca, Fe, Co, Zn, Ti Sn, Sb, Ge and P and (ii) anions including halogens, NO2, NO3, PO4 and SO4.例文帳に追加

（ｉ）Ｎａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｓｂ、ＧｅおよびＰよりなるカチオンおよび（ｉｉ）ハロゲン、ＮＯ_2、ＮＯ_3、ＰＯ__4およびＳＯ_4よりなるアニオンの合計含有量が５０ｐｐｍ以下である粗ビス−β−ヒドロキシエチルテレフタレートを減圧下蒸発または蒸留することを特徴とする、ビス−β−ヒドロキシエチルテレフタレート精製方法。 - 特許庁

The infrared transmitting glass for molding comprises 2-22 mol% Ge, 6-34 mol% at least one chosen from the group consisting of Sb and Bi, 1-20 mol% at least one chosen from the group consisting of Sn and Zn and 58-70 mol% at least one chosen from the group consisting of S, Se and Te.例文帳に追加

モル濃度で、Ｇｅ：２〜２２％、Ｓｂ及びＢｉからなる群から選択される少なくとも１種：６〜３４％、Ｓｎ及びＺｎからなる群から選択される少なくとも１種：１〜２０％、Ｓ、Ｓｅ及びＴｅからなる群から選択される少なくとも１種：５８〜７０％を含有する、モールド成型用赤外線透過ガラス。 - 特許庁

Since the hierarchical relationship among government officials was clearly defined in the ritsuryo system, the upper grade officials to whom lower grade officials had to submit ge were fixed accordingly, therefore, it was necessary to write the name of the reporter, lower grade official, while that of a receiver, higher grade official, was not written (Shoku [ritsuryo system]/Ryo [ritsuryo system]/Tsukasa/Gun->Hassho/Kokushi->Dajokan). 例文帳に追加

律令制においては官司の上下関係は明確であるため、解の提出先である上級官司は自ずから定まっており、差出所である下級官司の名称は記載されていても、宛所である上級官司は記載しないことになっていた（職(律令制)・寮(律令制)・司・郡→八省・国司→太政官）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The oxynitride includes Zn and at least one element selected from In, Ga, Sn, Mg, Si, Ge, Y, Ti, Mo, W and Al, wherein an atomic composition ratio of N in the oxynitride, which is expressed by N/(N+O), is 7 atom% to 80 atom%.例文帳に追加

金属酸窒化物から構成され、前記酸窒化物がＩｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌから選択される少なくとも１つの元素と、Ｚｎと、を含み、且つ、前記酸窒化物中のＮ／（Ｎ＋Ｏ）で表されるＮの原子組成比率が、７原子％以上８０原子％以下であることを特徴とする酸窒化物半導体。 - 特許庁

The gallium oxide single-crystal substrate containing at least the one element selected from Si, Ge, Sn, Al is nitrided at 850-1000°C, with an ammonia (NH_3) flow rate of 80-120 sccm, and for 50-100 minutes to form the gallium nitride crystal on the gallium oxide single-crystal substrate surface.例文帳に追加

Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｎおよびＡｌから選択された少なくとも一種の元素を含有する酸化ガリウム単結晶基板を、温度８５０〜１０００℃、アンモニア（ＮＨ_3）流量８０〜１２０ｓｃｃｍ、時間５０分〜１００分の条件で窒化処理し、該酸化ガリウム単結晶基板表面に窒化ガリウム結晶を形成することを特徴とする発光素子の製造方法。 - 特許庁

The photoconduction layer which constitutes a radiographic imaging panel which records radiological image information as an electrostatic latent image is formed of a Bi_xMO_y polycrystalline material, wherein M is at least one selected from Ge, Si, and Ti, 12.05≤x≤13.1, and y is a stoichiometrical atomic number of oxygen determined by M and x.例文帳に追加

放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する光導電層を、Ｂｉ_xＭＯ_y（ただし、ＭはＧｅ，Ｓｉ，Ｔｉ中の少なくとも１種である。）からなる多結晶体であって、Ｂｉ_xＭＯ_yのｘを１２．０５≦ｘ≦１３．１、ｙをＭおよびｘにより決まる化学量論的な酸素原子数とする。 - 特許庁

In the phase change type optical information recording medium having a recording layer made of a phase change type recording material, the phase of which reversibly changes between an amorphous phase and a crystalline phase through the irradiation with electromagnetic waves, the phase change type recording material consists of Ge, Ga, Sb, Te and Mg and/or Ca.例文帳に追加

電磁波の照射により非晶相及び結晶相間を可逆的に相転移する相変化型記録材料からなる記録層を有する相変化型光情報記録媒体において、該相変化型記録材料が、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｅ並びにＭｇ及び／又はＣａから構成されていることを特徴とする相変化型光情報記録媒体。 - 特許庁

[The curable composition] contains (A) particles containing an oxide of at least one element selected from the group consisting of Si, Al, Zr, Ti, Zn, Ge, In, Sn, Sb and Ce as a main component and a polymerizable unsaturated group, (B) a compound having a methacryloyl group and an acryloyl group in a molecule, (E) a photo-polymerization initiator and (F) a solvent.例文帳に追加

［硬化性組成物］ （Ａ）ケイ素、アルミニウム、ジルコニウム、チタニウム、亜鉛、ゲルマニウム、インジウム、スズ、アンチモン及びセリウムよりなる群から選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物を主成分とし、重合性不飽和基を有する粒子、 （Ｂ）１分子中にメタクリロイル基及びアクリロイル基を有する化合物、 （Ｅ）光重合開始剤、及び （Ｆ）溶剤 - 特許庁

To provide a polyester polymerization catalyst that has excellent catalyst activity, excellent color tone or heat stability, excellent transparency of a molding, few foreign substances, excellent thermal oxidation stability, and little foaming upon polymerization and that provides polyester having Tcc equivalent to the one when using a Ge catalyst and has excellent solid phase polymerization activity; polyester produced using the same; and a method for producing the polyester.例文帳に追加

触媒活性に優れ、色調や熱安定性に優れ、成形品の透明性に優れ、異物が少なく熱酸化安定性に優れ、重合時の発泡が少なく、Ｇｅ触媒を使用した時と同等のＴｃｃを有するポリエステルを与え、固相重合活性に優れるポリエステル重合触媒およびこれを用いて製造されたポリエステル並びにポリエステルの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The device achieves high bandwidth by utilizing a buried insulating layer to isolate carriers generated in the underlying substrate, high quantum efficiency over a broad spectrum by utilizing the Ge absorbing layer, low voltage operation by utilizing a thin absorbing layer and narrow electrode spacings, and compatibility with CMOS devices by virtue of its planar structure and use of the group IV absorbing material.例文帳に追加

本デバイスは、下の基板で生成されたキャリアを分離するために埋込み絶縁物を利用して高帯域幅を、Ｇｅ吸収層を利用して広いスペクトルにわたった高量子効率を、薄い吸収層および狭い電極間隔を利用して低電圧動作を、さらに平面構造およびIV族吸収材料の使用によってＣＭＯＳデバイスとの共存性を、達成する。 - 特許庁

In the lithium ion battery, a negative active material is selected from Si, Ge, and Sn, the discharge capacity of a positive electrode per unit area is 0.1-0.32 to the discharge capacity of a negative electrode, and only the negative electrode before use of the battery is previously made in a partially charged state exceeding the initial irreversible capacity.例文帳に追加

負極活物質がＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれるものであり、正極と負極の電気容量において、単位面積あたりの正極の放電容量が負極の放電容量に対して、０．１以上０．３２以下であり、尚且つ電池使用前に負極のみが予め初期の不可逆容量分を超えて部分的充電状態にされていることを特徴とするリチウムイオン電池。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a MOS-type field effect transistor for greatly improving the mobility of the electrons and positive holes of an nMOS and a pMOS and increasing speed and reducing power consumption by giving a larger tensile strain than that of a conventional structure laterally to a strain Si channel without increasing the Ge composition of a relaxation SiGe layer.例文帳に追加

緩和ＳｉＧｅ層のＧｅ組成を増大させることなく、歪みＳｉチャネルに、横方向に、従来構造よりも大きな引張り歪みを与えることにより、ｎＭＯＳ、ｐＭＯＳの電子、正孔の移動度を大きく向上させることができ、高速化及び低消費電力化を実現するＭＯＳ型電界効果トランジスタの製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

In order to remove a germanium (Ge) contaminant stuck in a manufacturing process of a semiconductor device, a treatment is performed using a solution containing hafnium (HF) after a treatment using an oxidative solution such as an ammonia-hydrogen peroxide solution (APM), hydrochloric acid-hydrogen peroxide solution (HPM), sulfuric acid-hydrogen peroxide solution (SPM), and aqua regia or oxidation treatment such as oxidative plasma treatment.例文帳に追加

半導体デバイス製造過程において付着したゲルマニウム（Ｇｅ）汚染物を除去するために、酸化力を有する溶液、例えば、アンモニア−過酸化水素水（ＡＰＭ），塩酸−過酸化水素水（ＨＰＭ）、硫酸−過酸化水素水（ＳＰＭ）、王水等による処理、もしくは、酸素プラズマ処理等の酸化処理に連続して、弗酸（ＨＦ）含有水溶液による処理を行なう。 - 特許庁

The proton conductive inorganic material contains an oxide particle containing at least one element X selected from the group consisting of W, Mo, Cr, B and V; and an oxide carrier containing at least one element Y selected from the group consisting of Sn, Hf, Ge, Ga, In, Ce and Nb, and carrying the oxide particle.例文帳に追加

プロトン伝導性無機材料は、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｂ及びＶよりなる群から選択される少なくとも一種類からなる元素Ｘを含有する酸化物粒子と、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｅ及びＮｂよりなる群から選択される少なくとも一種類からなる元素Ｙを含有し、前記酸化物粒子が担持される酸化物担体とを含有することを特徴とする。 - 特許庁

(1), wherein M includes at least one selected from the group consisting of Mg, Sr, Ba, Zn, Na, Al, Ga, Ge, P, As and Fe, and N includes at least one selected from the group consisting of Eu^2+, Mn^2+, Tb^3+, Yb^2+ and Tm^3+.例文帳に追加

（化１） Ｃａ_２−ｘ−ｙ−ｚＭｘＳｉＯ_４：ｙＣｅ^３＋，ｚＮ（０≦ｘ＜０.５、０＜ｙ≦０.１、０≦ｚ＜０.１５）…（１）化学式（１）で、Ｍは、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｎａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐ、Ａｓ及びＦｅからなるグループから選択された少なくとも１つを含み、ＮはＥｕ^２＋、Ｍｎ^２＋、Ｔｂ^３＋、Ｙｂ^２＋及びＴｍ^３＋からなるグループから選択された少なくとも１つを含む。 - 特許庁

To provide a method for directly obtaining an alcohol compound from a carboxylic acid and/or a carboxylic acid ester in a high yield, in which, in the production of the alcohol compound by reducing the carboxylic acid and/or the carboxylic acid ester, an excellent catalytic system comprising Ru and Ge having high inhibitory effect on hydrogenolysis and high reaction activity is produced and is used.例文帳に追加

カルボン酸及び／又はカルボン酸エステルを還元してアルコール化合物を製造するに際し、高い水素化分解の抑制効果と、高い反応活性を持つ優れたＲｕとＧｅからなる触媒系を製造し、該触媒系を用いることで、カルボン酸及び／又はカルボン酸エステルから直接アルコール化合物を高収率で得る方法を提供することである。 - 特許庁

The sputtering target material of the Ag alloy comprises 0.1 to 0.7 atom% Si and 0.1 to 1.0 atom% Cu and/or Ge in total, as additional elements, and the balance Ag with unavoidable impurities; has a recrystallized structure dispersing a second phase containing the additional elements in the matrix mainly made of Ag; and has the Vickers hardness of 60 HV or lower.例文帳に追加

添加元素として、Ｓｉを０．１〜０．７原子％、Ｃｕおよび／またはＧｅを合計で０．１〜１．０原子％含有し、残部不可避的不純物およびＡｇからなるスパッタリングターゲット材であって、Ａｇを主体とする基地中に、添加元素を含む第二相が分散した再結晶組織を有し、ビッカース硬さが６０ＨＶ以下であるＡｇ合金スパッタリングターゲット材である。 - 特許庁

The sputtering target contains in atomic%, Ge of 27-45%, Sb of 5-20%, and further contains one or two or more of B, Al, C, Si and rare earth elements of 0.5-8% in total, and further contains Ga of 0.5-8%, and the remainder has the composition composed of Te and unavoidable impurities.例文帳に追加

原子％でＧｅ：２７〜４５％、Ｓｂ：５〜２０％を含有し、さらにＢ、Ａｌ、Ｃ、Ｓｉおよび希土類元素の内の１種または２種以上を合計で０．５〜８％を含有し、さらにＧａ：０．５〜８％を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする相変化記録膜およびその相変化膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor device, and the semiconductor device in which high strain relaxation rate is attained even in a strained SiGe film having thickness equal to or thinner than critical film thickness and high Ge concentration formed on a semiconductor substrate, through dislocation density is reduced, undulation of a second SiGe film surface formed on it is inhibited and smoothness can be enhanced.例文帳に追加

半導体基板上に形成された高濃度のＧｅ濃度を有する臨界膜厚以下の歪ＳｉＧｅ膜においても高い歪緩和度を達成し、貫通転位密度を低減し、その上に形成される第２のＳｉＧｅ膜表面のうねりを抑制し、平滑性を向上させることができる半導体装置の製造方法及び半導体装置の提供。 - 特許庁

The recording layer for an optical information recording medium, on which a recording mark can be formed by irradiation with laser beam comprises an In alloy containing 20 to 65 at.% of at least one element selected from Ni and Co and an In alloy containing 19 at.% or less of at least one element selected from Sn, Bi, Ge and Si.例文帳に追加

レーザー光の照射によって記録マークが形成される記録層であって、該記録層は、Ｎｉ、Ｃｏから選ばれる１種類以上の元素を２０〜６５原子％含有するＩn合金、さらにこれにＳｎ、Ｂｉ、Ｇｅ 、Ｓｉから選ばれる１種類以上の元素を１９原子％以下含有するＩn合金からなることを特徴とする光情報記録媒体用記録層。 - 特許庁

A preferable matrix or cage component(s) is one or more elements selected from Si, Ge, Sn, Pb, Al, Ga, In and transition elements, and a preferable clathrating component(s) is one or more elements selected from alkali metals, alkaline-earth metals and transition metals including lanthanoids and actinoids, and, more preferably, one or more elements selected from alkaline-earth elements, lanthanoids, and ocationally, actinoids.例文帳に追加

好ましいマトリクスまたはケージ成分は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎおよび遷移元素から選択された１以上の元素であり、好ましい包接成分は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ランタノイド元素およびアクチノイド元素を含む遷移元素から、より好ましくは、アルカリ土類金属、ランタノイド元素および時おりまたアクチノイド元素から、選択された１以上の元素である。 - 特許庁

To provide a sealing glass which excels in water resistance, is hard to crystallize in sealing time or also in heat treatment after that, can realize a low sealing temperature and a desired thermal expansion coefficient, and has a high transmittance of visible light, even not including the oxides of Pb, Ge, Ga or the like, or halogen components such as fluorine, or even not including the oxides of Sn and Cu so much.例文帳に追加

Ｐｂ、Ｇｅ、Ｇａ等の酸化物、もしくはフッ素などのハロゲン成分を含まずとも、または、Ｓｎ、Ｃｕの酸化物を多量に含まずとも、耐水性に優れ、封着時またはその後の熱処理においても結晶化しにくく、低い封着温度および所望の熱膨張係数を実現でき、可視光の透過率が高い封止用ガラスを提供すること。 - 特許庁

The administrative office was established in the former Taipei municipal office (today's Executive Yuan of the Republic of China) and with Yi CHEN, Jing-en GE, Yuan-fen KE, Chao-qin HUANG, Mi-jian YOU, Fei-ju SUNG and Wan-ju LI representing the National government, Xiantang LIN, Xin CHEN and Mao-sheng LIN on behalf of the residents of Taiwan and Rikichi ANDO and Haruki ISAYAMA representing Japan, the ruling of Taiwan by Japan ended. 例文帳に追加

公署は旧台北市役所（現在の中華民国行政院）に設置され、国民政府代表の陳儀、葛敬恩、柯遠芬、黄朝琴、游弥堅、宋斐如、李万居の他、台湾住民代表として林献堂、陳炘、林茂生、日本側代表として安藤利吉及び諫山春樹が参加し、ここに日本による台湾統治は終焉を迎えた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The bipolar transistor has a collector layer 5 made of Si, a base layer 6 made of SiGe, and an emitter layer 10 made of Si, and the Ge concentration of the base layer 6 comprising the SiGe layer is so formed as to increase from the side of an emitter to the side of a collector.例文帳に追加

この発明は、Ｓｉからなるコレクタ層５と、ＳｉＧｅからなるベース層６と、Ｓｉからなるエミッタ層１０とを備え、ＳｉＧｅ層からなるベース層６のＧｅの濃度がエミッタ側からコレクタ側に向かって増加するように形成されているバイポーラトランジスタにおいて、エミッタ層１０を構成するＳｉ層中に多結晶ＳｉＧｅからなるＳｉＧｅ層８を設けるようにした。 - 特許庁

Fuel rod breakage determination information 31 acquired from an off-gas nuclide analysis result by a multichannel pulse height analyzer 13 based on a detection result from a Ge semiconductor detector 11, off-gas flow rate history information 32 acquired by an off-gas flowmeter 12, and a control rod operation history information 33 acquired from a control rod control device 15 are inputted into the data processing computer 14.例文帳に追加

データ処理計算機１４には、Ｇｅ半導体検出器１１からの検出結果に基づく多重波高分析器１３のオフガス核種分析結果により得られた燃料棒破損判定情報３１と、オフガス流量計１２より得られたオフガス流量履歴情報３２と、制御棒制御装置１５より得られた制御棒操作履歴情報３３とが入力される。 - 特許庁

The MOS field effect transistor type quantum dot light-emitting element comprises a semiconductor substrate, a tunnel SiO_2 layer formed on the semiconductor substrate, a quantum dot which includes Ge nucleus within Si shell formed on the tunnel SiO_2 layer, a control SiO_2 layer formed on the quantum dot and tunnel SiO_2 layer, and a gate electrode layer formed on the control SiO_2 layer.例文帳に追加

ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたトンネルＳｉＯ_２層と、該トンネルＳｉＯ_２層上に形成されたＳｉ殻内にＧｅ核を内包した量子ドットと、該量子ドット上及び前記トンネルＳｉＯ_２層上に形成されたコントロールＳｉＯ_２層と、該コントロールＳｉＯ_２層上に形成されたゲート電極層と、を有する。 - 特許庁

When arranging a heat receiving part of a Stirling engine SE in a downstream position of an exhaust emission control device 13 of an exhaust passage 12 of a gasoline engine GE, since the temperature of the downstream exhaust gas is dropped by absorbing the heat energy by the Stirling engine SE, the particulates in the exhaust gas are reduced by recirculating its temperature-dropped exhaust gas to an intake passage 11 via an EGR passage 14.例文帳に追加

ガソリンエンジンＧＥの排気通路１２の排ガス浄化装置１３の下流位置にスターリングエンジンＳＥの受熱部を配置すると、スターリングエンジンＳＥで熱エネルギーが吸収されて下流の排ガスの温度が低下するため、その温度低下した排ガスをＥＧＲ通路１４を介して吸気通路１１に還流させることで、排ガス中のパティキュレートを減少させることができる。 - 特許庁

Next, ions are implanted into the structure, the ions forming defects by which mechanical decoupling is achieved at the interface or vicinity of the interface; then a heating step is performed to the structure including the implanted ions, by which mutual diffusion of Ge through the first single crystal Si layer and SiGe layer is achieved; thereby a SiGe layer that is substantially relaxed single crystal and homogenous is formed on the barrier layer.例文帳に追加

次に、界面での、または界面付近での機械的な分断を可能にする欠陥を形成することができるイオンが構造内に注入され、その後、注入されたイオンを含む構造に、第１の単結晶Ｓｉ層およびＳｉＧｅ層を通るＧｅの相互拡散を可能にする加熱ステップを施して、障壁層の上に、実質的に緩和された単結晶であり均質のＳｉＧｅ層を形成する。 - 特許庁

To provide a laminated polyester (PEs) film which has high transparency, has less cyclic trimer content, can suppress obstruction of adhesive properties and decrease in transparency caused by the cyclic trimer, and has less defects caused by foreign substances caused by a catalyst by using a PEs polymerized by using a PEs polymerization catalyst which does not use Ge and Sb compounds as catalyst main components as a raw material.例文帳に追加

Ｇｅ、Ｓｂ化合物を触媒主成分として用いないＰＥｓ重合触媒を用いて重合されたＰＥｓを原料として用いた積層ＰＥｓフィルムにおいて、透明性が高く、かつ環状三量体含有量が少なく該環状三量体による接着性の阻害や透明性の低下を抑制することができ、さらに触媒に起因する異物による欠点が少ない積層ＰＥｓフィルムを提供する。 - 特許庁

The phosphor comprises the Si element and/or the Ge element and contains Eu as an activator.例文帳に追加

Ｓｉ元素および／またはＧｅ元素を含有し、付活剤としてＥｕを含有してなる蛍光体であって、該蛍光体のＥｕのＬ３吸収端のＸ線吸収端近傍構造スペクトルを測定して得られるスペクトルパターンを１階微分して得られるパターンにおいて、Ｅｕ^２＋に由来するピークの振幅ａとＥｕ^３＋に由来するピークの振幅ｂとから式（１）により算出される比率Ｒが４０％以上であることを特徴とする蛍光体。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device excellent in element characteristics and reliability with high yield by carrying out dry etching of a multilayer film having an SiGe film containing Si and Ge and an oxide film to form a gate electrode pattern and a gate oxide film pattern, and then sufficiently removing dry etched products or particles adhering to a semiconductor substrate without damaging the SiGe layer or the gate oxide film configuring the gate electrode.例文帳に追加

Ｓｉ及びＧｅを含有するＳｉＧｅ膜と酸化膜とを有する積層膜をドライエッチングしてゲート電極パターン及びゲート酸化膜パターンを形成した後、ゲート電極を構成するＳｉＧｅ層とゲート酸化膜とを損傷させることなく、半導体基板上に付着したドライエッチ生成物やパーティクルを十分に除去し、素子特性および信頼性に優れた半導体装置を歩留りよく製造する。 - 特許庁

The molecule element is formed by forming an organic monomolecular layer 2 by chemical bonding on a surface of a semiconductor substrate 1 which is made of at least one kind of element selected from a group of Si, Ge, and C and has a diamond type structure, and fixing at least one kind of at least one photochromic molecule 3 which reversibly vary in electric conductivity by light irradiation to the organic monomolecular layer 2 by chemical bonding.例文帳に追加

Ｓｉ、ＧｅおよびＣからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素からなり、ダイアモンド型構造を有する半導体基板１の表面に有機単分子層２を化学結合により形成し、この有機単分子層２に、光照射によって電気伝導度が可逆的に変化する少なくとも一種の少なくとも一つのフォトクロミック分子３を化学結合により固定することで分子素子を形成する。 - 特許庁

There is some doubt about when he attaining governmental position, but it is obvious that he got it at least before February 1568; according to 'Tokitsugu kyoki' written by Tokitsugu YAMASHINA, Tokitsugu was confused when a messenger from Yoshiaki asked him to mediate recommendation of promotion to Juyon'i-ge on the same day Yoshihide ASHIKAGA, who was Yoshiaki's rival, was ordered to become Shogun. 例文帳に追加

なお、叙任時期については疑問視する意見があるが、山科言継の『言継卿記』によれば永禄11年（1568年）2月に行われた義昭の対抗馬である足利義栄への将軍宣下当日に宣下の使者であった言継の屋敷に義昭の使者が現れて従四位下への昇進推薦の仲介を依頼しに来たために困惑した事が書かれており、この以前に叙任を受けていた事は明らかである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

This organic EL element has a hole implantation electrode, an electron implantation electrode and one or more kinds of organic layers arranged between these electrodes, a hole implantation layer being provided between the hole implantation electrode and the organic layers, and containing carbide of Si and/or nitride of Si as a main component, as well as one or more kinds of either of Cu, Fe, Ni, Ru, Ge and Sn.例文帳に追加

本発明の有機ＥＬ素子は、ホール注入電極と、電子注入電極と、これらの電極間に設けられた１種以上の有機層とを有し、前記ホール注入電極と前記有機層との間にホール注入層を有し、前記ホール注入層は、Ｓｉの炭化物および／またはＳｉの窒化物を主成分として含有し、前記ホール注入層は、さらに、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｒｕ、ＧｅおよびＳｎのいずれか１種以上を含有する。 - 特許庁

In the optical recording medium, on a transparent substrate, a lower protection layer, a recording layer consisting of phase change material containing at least four elements, Ga, Sb, Sn, Ge, which transition linear velocity is 20-30 m/s, an upper protection layer and a reflective layer are laminated in this sequence.例文帳に追加

透明基板上に下部保護層、少なくともＧａ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅの４元素を含有する転移線速が２０〜３０ｍ／ｓの相変化材料からなる記録層、上部保護層、反射層がこの順に積層され、記録再生光の波長が６５０〜６６５ｎｍの範囲で且つ記録線速が２０〜２８ｍ／ｓであるときの、記録層の結晶質状態の屈折率Ｎｃと消衰係数Ｋｃ、非晶質状態の屈折率Ｎａと消衰係数Ｋａが下記の範囲にあり、２０〜２８ｍ／ｓの記録線速範囲で記録が可能であることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁