「Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

The inorganic recording film is provided with a first recording film containing titanium (Ti) and a second recording film containing an oxide of germanium (Ge) and the transparent conductive film is provided on the side of the second recording film.例文帳に追加

無機記録膜は、チタン（Ｔｉ）を含む第１の記録膜と、ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物を含む第２の記録膜とを備え、透明導電膜は、第２の記録膜の側に設けられている。 - 特許庁

Thus, the Ge density of the oxide film interface of the polycrystal silicon-germanium film becomes uniform to reduce lattice distortion and film stress and the reliability of the gate electrode is improved.例文帳に追加

このようにすると、多結晶シリコンゲルマニウム膜の酸化膜界面のＧｅ濃度が均一になり結晶粒内の格子ひずみと膜ストレスが減少し、ゲート電極の信頼性が向上する。 - 特許庁

The memory cell gate electrode GE is formed of a floating gate electrode 32 and control gate electrodes 21 laminated on the upper surface of the electrode 32, and between them via an inter-gate insulation film 33.例文帳に追加

メモリセルゲート電極ＧＥは、浮遊ゲート電極３２と、その上面および相互間にゲート間絶縁膜３３を介して積層された、制御ゲート電極２１とから形成されている。 - 特許庁

To provide a duplex apparatus for switching a path in a gigabit Ethernet (R) passive optical network (GE-PON) system, and a frame format for controlling the same.例文帳に追加

ギガビットイーサネット（登録商標）受動型光ネットワーク（ＧＥ−ＰＯＮ）システムでパスの切り替え可能な二重化装置及びその方法、及びその制御のためのフレームフォーマットを提供する。 - 特許庁

After the n-channel MISFET region is masked by a silicon nitride film 6, the polycrystalline SiGe film 7 in the p-channel region is thermally oxidized selectively to increase its Ge concentration.例文帳に追加

ｎチャネルＭＩＳＦＥＴ領域をシリコン窒化膜６によりマスクして、ｐチャネル領域の多結晶ＳｉＧｅ膜７を選択的に熱酸化することにより、そのＧｅ濃度を高くする。 - 特許庁

In a semiconductor device in which a p-type MIS transistor is formed on a semiconductor substrate, the gate electrode of the MIS transistor contains any of Ta, V, and Nb and Ge.例文帳に追加

半導体基板上にｐ型ＭＩＳトランジスタが形成された半導体装置であって、ＭＩＳトランジスタのゲート電極は、Ｔａ，Ｖ，Ｎｂの何れかとＧｅを含有している。 - 特許庁

'Engaku' and 'dokkaku' are differentiated particularly in the Tendai sect - the former being one enlightened through contemplation on the twelve-linked chain of causation in the world of Buddha and the latter, one who attains enlightenment observing such ge-en as scattering of blossoms and falling leaves (natural phenomena) in the world of no Buddha. 例文帳に追加

特に天台宗では、仏の世で十二因縁を観じて覚ったものを「縁覚」、無仏の世で飛花落葉などの外縁を観じて覚ったものを「独覚」と区分している。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The oldest existing fusuma are those placed on the dividing nai-jin (the inner sanctuary of a shrine or temple) and ge-jin (the outer part of a shrine or temple where ordinary people worship) at the Fudo hall of the Kongobu-ji Temple on Mt. Koya, which was said to be built in 1197. 例文帳に追加

現存最古の襖は、建久8年（1197年）に建立されたと伝えられる、高野山金剛峯寺不動堂の内陣と外陣の境にたてられている襖である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Additionally, in the Buddhist religious services of Nichiren Shoshu sect there is a manner called 'Hiki-daimoku' other than Shodai, in which way each sound is recited longer as 'Na-mu-myo-ho-ren-ge-kyo.' 例文帳に追加

また、日蓮正宗の勤行には、唱題とは別に「引き題目」と呼ばれる作法もあり、この時は「なーむーみょーほーれんーげーきょー」と一音一音が長く引き伸ばされて唱えられる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The alloy moreover contains 25 to 80% Sn and one or more kinds among Ge, Ag, Cu and In by 0.1 to 6% in total, and the balance Zn with inevitable impurities.例文帳に追加

また、更には、２５〜８０重量％のＳｎと、Ｇｅ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｉｎの１種以上を合計で０．１〜６重量％含み、残部がＺｎ及び不可避不純物からなる。 - 特許庁

When the spent sputtering target contains at least one kind selected from Au, Ag, Ir, Ru, Tb, Ge and Gd, this cutting method is effective.例文帳に追加

前記使用済みスパッタリングターゲットは、Ａｕ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｔｂ、ＧｅおよびＧｄからなる群より選ばれた１種以上を含む場合に、本発明の切削加工方法が好適である。 - 特許庁

A lead-out opening 16 leading the exhaust gas GE out from the lead-in chamber 15 is formed at a position deviated from an opposing position opposing the exhaust outlet 12 in the heat receiving part 13a.例文帳に追加

また、受熱部１３ａにおける排気出口１２と対向する対向位置から偏位した位置には、排気ガスＥＧを導入室１５から導出する導出口１６が形成されている。 - 特許庁

Preferably, the gold alloy bonding wire further contains one or more kinds selected from the group consisting of Be, rare earth elements, Sn and Ge by 0.0001 to <0.015% in total.例文帳に追加

Ｂｅ、希土類元素、ＳｎおよびＧｅからなる群より選ばれた１種以上を、合計で０．０００１質量％以上０．０１５質量％未満、さらに含有させることが好ましい。 - 特許庁

In a first process, a GeH_4 gas is supplied from a second supply pipe 11 into the treatment chamber 1 to generate a Ge-metal bond with a metal deposited in the treatment chamber 1.例文帳に追加

第１工程では、第２供給管１１からＧｅＨ_4ガスを処理室１内に供給して、処理室１内部に付着した金属との間でＧｅ−金属結合を作る。 - 特許庁

The side chain combined with the main chain is a group each independently selected from a group comprising hydrogen, halogen, aliphatic hydrocarbon group, alicyclic hydrocarbon group, and aromatic hydrocarbon group, or is a group each independently selected from a group comprising a polymer chain forming Ge-Ge bond, hydrogen, halogen, aliphatic hydrocarbon group, alicyclic hydrocarbon group, and aromatic hydrocarbon group.例文帳に追加

主鎖に結合する側鎖は、水素、ハロゲン、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基および芳香族炭化水素基からなる群からそれぞれ独立して選択される基、あるいは、Ｇｅ−Ｇｅ結合を形成する高分子鎖、水素、ハロゲン、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基および芳香族炭化水素基からなる群からそれぞれ独立して選択される基である。 - 特許庁

This oxide phosphor for an electroluminescence device is obtained by adding an activator of at least one transition metal element to a base material of an oxide of yttrium (Y) or adding, as a luminescence center, at least one of any transition metal elements or rare earth metal elements to a base material of an oxide of Y-Ge-O or Y-Ge-Si-O.例文帳に追加

イットリウム（Ｙ）の酸化物を母体材料とし、付活剤として少なくとも１種以上の遷移金属元素を添加し、又はＹ−Ｇｅ−Ｏ系、Ｙ−Ｇｅ−Ｓｉ−Ｏ系酸化物を母体材料とし、発光中心材料として少なくとも１種以上の任意の遷移金属元素あるいは希土類金属元素を添加してエレクトロルミネッセンス素子用酸化物蛍光体とする。 - 特許庁

To put it concretely, the hardened layer mainly composed of an amorphous alloy including Au and at least either element of Si and Ge is formed, or the hardened layer mainly composed of an amorphous alloy including Au, at least either element of Si and Ge, and at least one or more kinds of elements among Ag, Cu, Ni, Pd and Pt is formed.例文帳に追加

具体的にはＡｕにＳｉまたはＧｅのうちから少なくとも一方の元素を含有したアモルファス合金を主体とする硬化層あるいは、ＡｕにＳｉまたはＧｅのうちから少なくとも一方の元素とＡｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＰｄまたはＰｔのうちから少なくとも１種類以上の元素を含有したアモルファス合金を主体とする硬化層を形成させること。 - 特許庁

When the Ge-doped compound semiconductor such as a Ge-doped GAN layer 4 is formed on an AIN high-temperature buffer layer 2 and an undoped GAN base layer 3 which are stacked on a sapphire substrate 1, an organic germanium compound is used as an impurity source which contains at least one selected from a group composed of tetramethylgermanium and tetraethylgermanium as the additional source of germanium.例文帳に追加

サファイア基板１上にＡＩＮ高温緩衝層２，アンドープＧＡＮ下地層３とを積層した上にたとえばＧｅドープＧＡＮ層４のようなＧｅドープ化合物半導体を形成する際に、ゲルマニウム添加源としてテトラメチルゲルマニウムおよびテトラエチルゲルマニウムからなる群から選ばれた少なくとも一種を含む有機ゲルマニウム化合物を不純物源として用いる。 - 特許庁

The semiconductor device including SOI-MISFET comprises an insulating layer 14, a semiconductor layer 13 including Ge formed on the insulating layer 14, a plurality of semiconductor dots 15 formed in the area near the interface with the semiconductor layer 13 in the insulating layer 14 to include higher Ge composition than the semiconductor layer 13, and a MIS transistor formed on the semiconductor layer.例文帳に追加

ＳＯＩ−ＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置において、絶縁層１４と、絶縁層１４上に形成されたＧｅを含む半導体層１３と、絶縁層１４中の半導体層１３との界面付近に形成された、半導体層１３よりも高いＧｅ組成を有する複数の半導体ドット１５と、半導体層に形成されたＭＩＳトランジスタとを備えた。 - 特許庁

When a polycrystalline silicon film is formed on a glass substrate 1, a polycrystalline silicon film is formed by a catalytic CVD method by using compound comprising at least one kind of tin (Sn), germanium (Ge) and lead (Pb) as impurity source as raw materials and an impurity added polycrystalline silicon film 2 formed by adding at least one kind of tin (Sn), germanium (Ge) and lead (Pb) is formed.例文帳に追加

ガラス基板１上に多結晶シリコンを成膜するにあたり、不純物源として錫（Ｓｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、鉛（Ｐｂ）の少なくとも一種を含む化合物を原料に用いて触媒ＣＶＤ法により多結晶シリコンを成膜し、錫（Ｓｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、鉛（Ｐｂ）の少なくとも一種が添加されてなる不純物添加多結晶シリコン膜２を形成する。 - 特許庁

The second recording layer (3) consists of Ge and contains 0.5 to 10 atomic percent at.% of at least one element selected from Al, Ag, In, Mn, Ni, Zn and Zr.例文帳に追加

第二記録層（３）はＧｅから成り、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｚｒの中から選ばれた少なくとも一つの元素を０．５原子％以上１０原子％以下の範囲内で含有する。 - 特許庁

The brazing filler metal is composed of a ternary alloy containing Au/Ge/Sn, and, provided that the temperature at which a liquid phase starts to be generated is defined as Ts and the temperature that the liquid phase is perfected is defined as Tl, Tl-Ti satisfies <50 degrees.例文帳に追加

Ａｕ／Ｇｅ／Ｓｎを含む３元合金のロウ材であり、液相が発生しだす温度をＴｓ、完全に液相になる温度をＴｌとした場合に、Ｔｌ−Ｔｉ＜５０度であるロウ材。 - 特許庁

When the heat treatment in the temperature of 700-900°C is applied successively to this, the amorphous region 13 is turned into single crystal state by having single crystal part in the vicinity of the surface of the Ge epitaxial film 11 as seeds.例文帳に追加

これに続いて、７００乃至９００℃の温度範囲で熱処理を施すと、Ｇｅエピタキシャル膜１１の表面付近の単結晶部分が種となり、アモルファス領域１３が単結晶化する。 - 特許庁

Furthermore, when the total amount of Al and the additional elements is 100%, it is desirable that the Al alloy film contains 0.1-1.0 atm% of Ge and 3.0 atm% or lower of Ni as additional elements.例文帳に追加

また、前記Ａｌ合金膜は、Ａｌと添加元素の総量を１００％とした時、添加元素としてＧｅを０．１〜１．０原子％、Ｎｉを３．０原子％以下含有することが望ましい。 - 特許庁

At least one layer from among the first constituent layer to the X-th constituent layer which is the m-th constituent layer (m is an integer meeting a condition 1≤m≤X), conatins Ge-Sb or Te.例文帳に追加

前記第１構成層〜前記第Ｘ構成層のうち少なくとも何れか１つの構成層である第ｍ構成層（ｍは１≦ｍ≦Ｘを満たす整数）が、Ｇｅ−ＳｂまたはＴｅを含む。 - 特許庁

A plurality of sets of alternate multilayered films combined with ZnSe or Zns as low-refractive index layers and Ge as high-refractive index layers on a silicon or oxygen-free silicon substrate are formed by ion assisted vapor deposition.例文帳に追加

シリコンまたは無酸素同基材の上に、低屈折率層としてＺｎＳｅまたはＺｎＳを、高屈折率層としてＧｅを組み合わせた交互多層膜を複数組、イオンアシスト蒸着する。 - 特許庁

Double-cored base material 1a is formed from a first core region 10 to which a first dopant Ge raising the refractive index is added, and a second core region 20 consisting of pure SiO2.例文帳に追加

屈折率を上げる第１ドーパントＧｅが添加された第１コア領域１０、及び純粋ＳｉＯ_2からなる第２コア領域２０からなる２重コアを有するコア母材１ａを作成する。 - 特許庁

A compound containing at least a functional group represented by the formula: -A-X (A is Si, Ti, Sn, Ge or Zr; X is a halogen) is bonded and fixed to a resin after heat treatment.例文帳に追加

加熱処理後の樹脂に対して、少なくとも−Ａ−Ｘ（但し、ＡはＳｉ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｇｅ若しくはＺｒ、Ｘはハロゲン基）で示される官能基を有する化合物を結合固定した。 - 特許庁

Then, a GaAs well 106 and a Ge well 110 are formed on the semi-insulation GaAs layer 102b for electrical isolation by thermal oxide and/or flowing oxide (HSQ) 112.例文帳に追加

次いで、半絶縁性ＧａＡｓ層１０２ｂの上にＧａＡｓウエル１０６及びＧｅウエル１１０を形成し、熱酸化物及び／又は流動可能酸化物（ＨＳＱ）１１２によって電気的に分離させる。 - 特許庁

The alloy for hydrogen generation is obtained by adding ≥0.1wt% Al to Ga alloy containing, in Ga, 0.05-1wt% at least one element selected from a group consisting of Ge, Fe, Cu and Sb.例文帳に追加

ＧａにＧｅ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｓｂからなる群から選ばれる少なくとも１種以上を０．０５〜１ｗｔ％含有するＧａ合金にＡｌを０．１ｗｔ％以上添加してなる水素発生用合金。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method by which sufficient stress can be applied to a channel region within allowable ranges of concentrations of Ge and C in a mixed crystal layer, and a semiconductor device.例文帳に追加

混晶層中のＧｅ濃度およびＣ濃度の許容範囲内で、チャネル領域に十分に応力を印加することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

In one embodiment, a second S/D region is separated from the channel by an offset region, and the photo absorption threshold bias region is the offset region in the Ge layer, after light P-doping.例文帳に追加

一実施形態において、第２のＳ／Ｄ領域は、オフセット領域によりチャネルから引き離され、光吸収しきい値バイアス領域は、濃度の薄いＰ型ドーピング後のＧｅ層中のオフセット領域である。 - 特許庁

The first region 4g is formed of SiGe having a group IV element, i.e., Si, and a different group IV element, i.e., Ge.例文帳に追加

nチャネルMISFETＱｎのゲート電極４Ｎが、少なくとも２種類の第１及び第２四族元素で形成された第１領域４ｇと第１四族元素で形成された第２領域４ｎとで構成される。 - 特許庁

Conductive elements (a wiring layer M1(FD) and a conductive layer BC1) perform electric connection between a drain region SD of a transfer transistor Tx and a gate electrode layer GE of an amplifier transistor Ami.例文帳に追加

導電性要素（配線層Ｍ１（ＦＤ）および導電層ＢＣ１）は、転送トランジスタＴｘのドレイン領域ＳＤと増幅トランジスタＡｍｉのゲート電極層ＧＥとを電気的に接続している。 - 特許庁

The present invention provides the method for depositing or growing the group Ill-nitride layer, e.g. GaN layer 5, on a substrate 1, the substrate 1 comprising at least a Ge surface 3, preferably with hexagonal symmetry.例文帳に追加

基板１の上に、例えばＧａＮ層５のような、ＩＩＩ族−窒化物層の堆積または成長を行う方法であり、基板１は、少なくともＧｅ表面３、好適には六方対称を有する。 - 特許庁

This exhaust Ge device 10 of an engine 1 in which an NOx storage catalyst 18 is disposed in an exhaust passage 15 has a heat exchanger 30 with a heat storage material which recovers exhaust heat as an energy.例文帳に追加

排気通路１５にＮＯｘ吸蔵触媒１８が配設されたエンジン１の排気Ｇｅ装置１０であって、排熱をエネルギーとして回収する蓄熱材搭載熱交換器３０を備える。 - 特許庁

The method for manufacturing a phase-change memory element including a step that supplies a bivalent first precursor, containing germanium (Ge) onto a lower film, where the phase-change layer is formed is provided.例文帳に追加

相変化層が形成される下部膜上に、ゲルマニウム（Ｇｅ）を含む二価の第１前駆体を供給する段階を含むことを特徴とする相変化メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The piezoelectric porcelain 3, 7 of which the main appearance of crystals is the perovskite composite oxide which contains at least Na and Nb, and contain 0.05-2 wt.% Ge as GeO2 in total weight.例文帳に追加

少なくとも、ＮａおよびＮｂを含むペロブスカイト型複合酸化物を主結晶相とする圧電磁器３、７であって、ＧｅをＧｅＯ_2換算で全量中０．０５〜２重量％含有する。 - 特許庁

The semiconductor device a semiconductor region (10) containing Ge as a major component, an insulating film (11) formed on the semiconductor region, and a metallic film (12) formed on the insulating film.例文帳に追加

Ｇｅを主成分とする半導体領域（１０）と、前記半導体領域上に形成された絶縁膜（１１）と、前記絶縁膜上に形成された金属膜（１２）とを具備する半導体装置である。 - 特許庁

The Al alloy film for the wiring film comprises 0.2-1.5 atom% Ge and further 0.2-2.5 atom% Ni as additive elements, while controlling the total of the additive elements to 3.0 atom% or less, and the balance substantially Al.例文帳に追加

添加元素としてＧｅを０．２〜１．５原子％、さらにＮｉを０．２〜２．５原子％含み、添加元素の総和が３．０原子％以下、残部実質的にＡｌからなる配線膜用Ａｌ合金膜である。 - 特許庁

When a built-in acceleration field by the inclination of a Ge composition rate is present to a certain degree, electrons injected from the emitter are sufficiently accelerated and the excellent high frequency characteristics are maintained as well.例文帳に追加

Ｇｅ組成率を傾斜させていることによる作り付けの加速電界がある程度存在していれば、エミッタから注入された電子を十分に加速でき、高周波特性も良好に維持される。 - 特許庁

And in (4), the compound semiconductor used for the light emitting element described in (1), (2), or (3) in which each concentration of Si, Ge, Mg, Zn, and Cd elements contained in the light emitting layer is below 1×10^19/cm^-3 is provided.例文帳に追加

〔４〕発光層に含まれるＳｉ、Ｇｅ、Ｍｇ、Ｚｎ及びＣｄの各元素の濃度がいずれも１×１０^19ｃｍ^-3以下である〔１〕、〔２〕又は〔３〕記載の発光素子用化合物半導体。 - 特許庁

The phase change recording film having a high electric resistance has a composition of 15-30 atm% of Ge, 15-30 atm% of Sb, 1-15 atm% of oxygen, and the remainder of Te and inevitable impurities.例文帳に追加

原子％でＧｅ：１５〜３０％、Ｓｂ：１５〜３０％を含有し、酸素：１〜１５％を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する電気抵抗の高い相変化記録膜。 - 特許庁

The ratio of Ge in the composition of SiGe fine particles 1124 increases continuously from a position contiguous to a p-type silicon substrate 1121 toward a position contiguous to an SiO_2 film 1126.例文帳に追加

ＳｉＧｅ微粒子１１２４の組成におけるＧｅの占める割合は、ｐ型シリコン基板１１２１に隣接する箇所からＳｉＯ_2 膜１１２６に隣接する箇所に向かって、連続して増加している。 - 特許庁

That means, the quantity of electrons to be outputted from the drain D changes due to the input of both application potential to a gate electrode GE and reverse spin quantity to be implanted from the reverse spin implanting section R.例文帳に追加

すなわち、ゲート電極ＧＥへの印加電位と、逆スピン注入部Ｒから注入される逆向きスピン量の双方の入力によって、ドレインＤから出力される電子量が変化する。 - 特許庁