「Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD OF FORMING RELAXATION Si1-XGeX (0<X<1) LAYER WITH HIGH Ge CONTENT BY IMPLANTING BORON OR HELIUM, AND SILICON WITH HYDROGEN例文帳に追加

ホウ素またはヘリウムと、水素とともにシリコンを注入することによって、Ｇｅ含有量が高い緩和Ｓｉ１−ＸＧｅＸ（０＜ｘ＜１）層を形成する方法 - 特許庁

To increase efficiency in a multijunction solar cell by adjusting the Al composition ratio of an (Al)InGaP cell in three multijunction solar cells of InGaP/InGaAs/Ge.例文帳に追加

ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓ／Ｇｅの３接合太陽電池において、（Ａｌ）ＩｎＧａＰセルのＡｌ組成比を調整して多接合太陽電池の効率の向上を図ること。 - 特許庁

The Ge detector detects γ-rays of radionuclide (N-13, N-16, Mn-54, Co-60) in gas sampled through the respective sampling ports.例文帳に追加

Ｇｅ検出器は、各サンプリング口からサンプリングされたガス中の放射性核種（Ｎ−１３，Ｎ−１６，Ｍｎ−５４，Ｃｏ−６０）のγ線を検出する。 - 特許庁

On the opposite sides of the gate electrode 13, an NiGe layer 15 which is a Germanide layer composed of NiGe is formed on the surface layer of a Ge substrate 2.例文帳に追加

ゲート電極１３の両側におけるＧｅ基板２の表層には、ＮｉＧｅで構成されたGermanide層であるＮｉＧｅ層１５が形成されている。 - 特許庁

To provide a novel field effect transistor, regarding a field effect transistor of a multigate structure having a channel region containing Ge atoms.例文帳に追加

Ｇｅ原子を含有するチャネル領域を具備するようなマルチゲート構造の電界効果トランジスタに関して、新規な電界効果トランジスタを提案すること。 - 特許庁

When at least one or more selected from P, Ga and Ge are added, the oxidation of the solder alloy is suppressed, and dross generated upon flow soldering is remarkably suppressed.例文帳に追加

Ｐ、Ｇａ、Ｇｅの少なくとも一種以上が添加されると、はんだ合金の酸化が抑制され、フローソルダリング時に発生するドロスを大幅に抑制する。 - 特許庁

This memory device comprises a plurality of dielectric films SIN, SIO laminated on a semiconductor SUB and a control electrode GE on a plurality of dielectric films.例文帳に追加

半導体ＳＵＢ上に積層された複数の誘電体膜ＳＩＮ，ＳＩＯと、複数の誘電体膜上の制御電極ＧＥとを有している。 - 特許庁

The Ge layer is formed in an island shape which does not exceed twice the distance which crystal defects move when annealed at the annealing temperature and in the annealing time.例文帳に追加

Ｇｅ層は、アニールした場合に、アニールの温度および時間において結晶欠陥が移動する距離の２倍を越えない大きさの島状に形成する。 - 特許庁

To provide a polycrystalline film which acts as an SiGeC layer wherein a C atom is made to enter a lattice position in composition in which Ge composition ratio is high.例文帳に追加

Ｇｅ組成率が高い組成においてＣ原子を格子位置に入らせたＳｉＧｅＣ層として機能する多結晶膜，その製造方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a back electrode type photoelectric conversion element which obtains an electric power from long wavelength light which can not be absorbed by Ge (germanium).例文帳に追加

Ｇｅでは吸収することができない長波長光からも電力を得ることを可能とした裏面電極型光電変換素子を提供する。 - 特許庁

The infrared filter is provided with: a substrate 2 transmitting infrared light; and Ge films and YF_3 films which are alternately laminated on the surface of the substrate 2 in multilayer.例文帳に追加

赤外線フィルタ１は、赤外線を透過する基板２と、基板２表面上に交互に多層積層されたＧｅ膜及びＹＦ_３膜とを備える。 - 特許庁

The Au-Ge alloy ball with this structure, has remarkably improved flowability and reduces a defect in soldering upon joining and sealing of an electronic component.例文帳に追加

この組織を有するＡｕＧｅ合金球は、流れ性が著しく向上し、電子部品の接合、封止の半田付けにおける半田付け不良を改善する。 - 特許庁

The semiconductor device has a layer arranged on a semiconductor substrate, having an aperture, and containing Si and Ge, and a gate arranged corresponding to the aperture.例文帳に追加

半導体装置が，半導体基板上に配置され，開口を有し，かつＳｉおよびＧｅを含む層と，この開口に対応して配置されるゲートとを有する。 - 特許庁

A non-volatile semiconductor storage device has a plurality of dielectric films GD laminated on a semiconductor SUB and a gate electrode GE on the dielectric films GD.例文帳に追加

半導体ＳＵＢ上に積層された複数の誘電体膜ＧＤと、複数の誘電体膜ＧＤ上のゲート電極ＧＥとを有している。 - 特許庁

According to "Shoku Nihongi" (Chronicle of Japan Continued), the author Oishi no Suguri no Mahito was appointed to Mino Shosakan (officer of Mino Province) in 738 and Ge-jugoinoge (Jugoinoge (Junior Fifth Rank, Lower Grade) given to persons outside Kyoto) in 750. 例文帳に追加

作者の生石村主真人は続日本紀によれば天平10年に美濃少目となり、天平勝宝2年に外従五位下に叙されたとされる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

"Kenjodoshinjitsukyogyoshomonrui (Kyogyoshinsho)": 'Shoshin Nenbutsu-ge (Shoshinge)' is Gemon of seven words and 120 phrases at the bottom of 'the volume of Gyo (行)' in Kyogyoshinsho. 例文帳に追加

『顕浄土真実教行証文類（教行信証）』…「正信念佛偈（正信偈）」は、『教行信証』の「行巻」の末尾にある、七言百二十句からなる偈文。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Both an nMOSFET10 and pMOSFET20 comprise a Ge channel, with a source-drain region of them formed of NiGe layers 15 and 25.例文帳に追加

ｎＭＯＳＦＥＴ１０とｐＭＯＳＦＥＴ２０が共にＧｅチャネルを有しており、それらのソース・ドレイン領域がＮｉＧｅ層１５，２５によって形成されている。 - 特許庁

An NMOSFET is equipped with an Si-Ge layer 12 sandwiched in between N+ drain/source diffusion layers 11 formed inside an Si substrate 10.例文帳に追加

ＮＭＯＳＦＥＴは、Ｓｉ基板１０の内部にトランジスタのソース又はドレインであるｎ^+ 拡散層１１に挟まれてＳｉ−Ｇｅ層１２が形成されている。 - 特許庁

Element X represents one or two and more out of Ge, Ga, In, Si, Pb and Zn, and element Z represents one or two and more out of Al, Sn and Cr.例文帳に追加

元素ＸはＧｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｚｎのうち１種または２種以上、元素ＺはＡｌ、Ｓｎ、Ｃｒのうち１種または２種以上である。 - 特許庁

The molar ratio of the Pb and Ge to the CaWO_4 is preferably within a range of 0<x≤0.0505 and 0<y≤0.03 provided that CaWO_4:Pb:Ge=1:x:y.例文帳に追加

ＣａＷＯ_４ に対するＰｂおよびＧｅのモル比は、ＣａＷＯ_４ ：Ｐｂ：Ｇｅ＝１：ｘ：ｙとすると、０＜ｘ≦０．０５０５、０＜ｙ≦０．０３の範囲内であることが好ましい。 - 特許庁

A base region 4 has a first region 4a and a second region 4b each having a Ge composition ratio continuously reducing from an emitter region 9 to a collector region 3, and a reduction rate of the Ge composition ratio in the first region 4a is smaller than that in the second region 4b.例文帳に追加

ベース領域４は、エミッタ領域９からコレクタ領域３に向かい、Ｇｅ組成比が連続的に減少する第１の領域４ａと第２の領域４ｂを有し、第１の領域４ａにおけるＧｅ組成比の減少率が、第２の領域４ｂにおけるＧｅ組成比の減少率よりも小さくなっている。 - 特許庁

The method includes the steps of: providing a substrate in an atmosphere including an Si precursor and a Ge precursor that has a decomposition temperature higher than germane; and depositing an Si_1-xGe_x layer having a final Ge content of greater than about 0.15 and a particle density of less than about 0.3 particles/cm^2 on the substrate.例文帳に追加

Ｓｉ前駆体と、分解温度がゲルマンより高いＧｅ前駆体とを含む雰囲気中に基板を設けるステップ、および最終Ｇｅ含有量が約０．１５より大きくかつパーティクル密度が約０．３パーティクル／ｃｍ^２より小さいＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層を前記基板上に堆積するステップを含む。 - 特許庁

In a method for manufacturing an Si substrate for forming a MOS transistor, an SiGe film is formed as lattice-matching it to an Si substrate surface, an Si film is formed as lattice-matching it on the SiGe film, Ge ions and hydrogen ions are injected to an area where an NMOS transistor is formed, and heat treatment is performed to reduce distortion of only the SiGe film in the area.例文帳に追加

MOSトランジスタを形成するためのSi基板の製造方法において、SiGe膜をSi基板表面に格子整合させながら形成し、Si膜をSiGe膜上に格子整合させながら形成し、nMOSトランジスタを形成する領域にGeイオンと水素イオンを注入し、熱処理を施して、前記領域のSiGe膜のみの歪みを緩和する。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming a strained Ge-containing layer on the front surface of an Si-containing substrate, implanting ions into the interface of the Ge-containing layer/the Si-containing substrate or under the interface, and forming the substantially-relaxed SiGe alloy layer, in which the flat surface defect density is decreased.例文帳に追加

本発明の方法は、Ｓｉ含有基板の表面上に歪みＧｅ含有層を形成するステップと、Ｇｅ含有層／Ｓｉ含有基板の界面にまたは界面の下にイオンを注入するステップと、加熱を行って、平面欠陥密度が低下した、実質的に緩和したＳｉＧｅ合金層を形成するステップと、を含む。 - 特許庁

The fluorescent substance to be excited by the vacuum ultraviolet rays contains Eu as an activator, at least one kind of an alkaline earth metal element selected from the group consisting of Ba, Sr and Ca, at least one kind of an element selected from the group consisting of Ti, Zr and Hf, and at least one kind of an element selected from Si and Ge.例文帳に追加

Euを付活剤として含有し、Ba、Sr及びCaの群から選択される少なくとも１種類のアルカリ土類金属元素と、Ti、Zr、及びHfの群から選択される少なくとも１種類の元素と、Si及びGeから選択される少なくとも１種類の元素をそれぞれ含有する真空紫外線励起用蛍光体である。 - 特許庁

The white light-emitting diode uses a blue light-emitting inorganic phosphor containing both Ba and Mg, both Ca and S, or both Ca and Sr; a green light-emitting inorganic phosphor containing both Ba and Si or both Zn and Ge; and a red light-emitting inorganic phosphor containing both Ca and S, both Mg and Ge, or both K and W.例文帳に追加

ＢａとＭｇ，ＣａとＳあるいはＣａとＳｒを含む青色発光無機蛍光体、ＢａとＳｉあるいはＺｎとＧｅを含む緑色発光無機蛍光体、並びにＣａとＳ、ＭｇとＧｅあるいはＫとＷを含む赤色発光無機蛍光体を用いることを特徴とする白色発光素子。 - 特許庁

The first thin film contains at least one element selected from Al, Cr, Mn, Sc, In, Ru, Rh, Co, Fe, Cu, Ni, Zn, Li, Si, Ge, Zr, Ti, Hf, Sn, Pb, Mo, V, Nb, C, Si, Ge, Sn and Pb as an additive M.例文帳に追加

また、前記第一の薄膜は、添加物Ｍとして、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂから選ばれる少なくとも一種の元素を含むことを特徴とする追記型光記録媒体である。 - 特許庁

The projector comprises a power source device Ge for supplying the DC lamp 1 with driving power; a control microcomputer Mc for controlling the power source device; a reverse connection detecting circuit 7 for detecting a voltage between the DC lamp 1 and the power source Ge; and a reverse connection warning lamp WL connected to the control microcomputer Mc.例文帳に追加

直流ランプ１に駆動用電力を供給している電源装置Ｇｅと、電源装置を制御する制御用マイコンＭｃと、直流ランプ１と電源装置Ｇｅの間の電圧を検知する逆接続検出回路７と、制御用マイコンＭｃと接続された逆接続警告ランプＷＬとを有している。 - 特許庁

The antireflection film for an IR region having the antireflection characteristics in two zones of 3 to 5 μm and 8 to 12 μm wavelengths in the IR region is obtained by forming a multilayered film from materials selected from Si, Ge, ZnS, ZnSe, metal oxides and metal fluorides on a Ge or ZnS substrate.例文帳に追加

Ｇｅ、ＺｎＳ基板上に、Ｓｉ、Ｇｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、金属酸化物、金属フッ化物から選ばれる材料で多層膜を構成することにより、赤外域の波長３〜５μｍと８〜１２μｍの２つの帯域に対して反射防止特性を有する赤外域用反射防止膜が提供できる。 - 特許庁

Otherwise, a nanowire having periodically arranged nanodisks or nanodots made of a mixture crystal of Si and Ge is produced by preparing a superlattice nanowire made of an Si crystal and a mixture crystal of Si and Ge by a vapor-liquid-solid phase growth method and controlling the size in a nanometer (nm) scale by using an oxidation concentration method.例文帳に追加

また、気相- 液相- 固相成長法により、Ｓｉ結晶およびＳｉとＧｅの混晶からなる超格子ナノ細線を作製し、酸化濃縮法を利用してナノメートル（ｎｍ）スケールでサイズ制御された、ＳｉとＧｅの混晶から成るナノディスク又はナノドットを周期的に配列したナノ細線を作製する。 - 特許庁

The optical recording medium that is configured so that laser beams are applied and data are recorded and reproduced includes a laminate in which a recording layer 7 and a light absorption layer 5 sandwich a second dielectric layer 6, and the light absorption layer 5 contains Ge, or Sb and Ge as main constituents.例文帳に追加

レーザビームが照射されて、データが記録され、再生されるように構成された光記録媒体であって、記録層７と、光吸収層５とが、第二の誘電体層６を挟んで形成された積層体を含み、光吸収層５が、Ｇｅ、またはＳｂとＧｅを主成分として含むことを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

Moreover, in January 2007, the U.S. Climate Action Plan, signed by 10 major companies including GE and DuPont and environmental organizations in the U.S., advocated an early enactment of the climate change legislation, including the introduction of a cap and trade scheme, by the Congress. There are companies in the U.S. that are positive in introducing cap and trade systems.例文帳に追加

また、GEやデュポンなど米国における大手企業10社と環境団体からなるUS Climate Action Planで、2007年1月に、連邦議会にキャップ・アンド・トレードの導入等を盛り込んだ気候変動対策法案の早期制定を提言しているなど、米国企業の中にはキャップ・アンド・トレード導入に積極的な企業も存在している。 - 経済産業省

The gas intake device 9 introduces the fresh charge (GN) to a position in the vicinity of the ignition plug 4 and introduces the EGR gas (GE) in a state that it is substantially separated from the fresh charge (GN).例文帳に追加

気体吸入装置（９）は、新気（ＧＮ）を点火プラグ（４）近傍位置に導入するとともにＥＧＲガス（ＧＥ）を新気（ＧＮ）とほぼ分離した状態で導入する。 - 特許庁

An Si_x(Ge_yC_1-y)_1-x layer (where 0<x<1, 0<y≤1) 12 is formed to reduce the composition ratio of Ge from a lower layer side to a surface on a substrate 11.例文帳に追加

基板１１上に、下層側から表面にかけてＧｅの組成比が減少するようにＳｉ_x（Ｇｅ_yＣ_1-y）_1-x層（ただし、０＜ｘ＜１，０＜ｙ≦１）１２を形成する。 - 特許庁

To provide a method for co-integrating a photonic device, a Ge waveguide built-in photodetector, and a hybrid III-V/Si laser on a Si-base photonic platform.例文帳に追加

Ｓｉベースのフォトニクスプラットフォーム上で、フォトニックデバイス、Ｇｅ導波路一体型光検出器、およびハイブリッドＩＩＩ−Ｖ／Ｓｉレーザの共集積化のための方法を提供する。 - 特許庁

The surface layer part 12 may be a metal capable of being solid-soluted for the solder part 11, for example, a metal containing one or more elements selectable from among Au, Ag, Cu, Sn, Pb, Sb, Ge, In, and Bi.例文帳に追加

表層部１２は、ハンダ部１１に対して固溶可能な金属、例えば、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｂｉから選択される１種あるいは２種以上の元素を含んだものであればよい。 - 特許庁

(2) The sputtering target contains Bi, B and at least one element X selected from Ge, Li, Sn, Cu, Fe, Pd, Zn, Mg, Nd, Mn and Ni.例文帳に追加

（２）Ｂｉ、Ｂを含有し、更にＧｅ、Ｌｉ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｄ、Ｍｎ、Ｎｉから選択される少なくとも一種の元素Ｘを含有するスパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a Ge-Sb-Te sputtering target material for a thin film medium which records information by using the phase transformation of a recording layer material.例文帳に追加

本発明は、記録層材料の相変態を利用して情報を記録する薄膜媒体のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法を提供する。 - 特許庁

The high-strength sputtering target has a composition containing, by atomic %, 10 to 30% Ge, 10 to 25% Sb, and 0.5 to 5% Ti, and consists of the balance Te and inevitable impurities.例文帳に追加

原子％でＧｅ：１０〜３０％、Ｓｂ：１０〜２５％、Ｔｉ：０．５〜５を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する高強度スパッタリングターゲット。 - 特許庁

This target has a composition, by atomic%, 20-30% Ge, 20-30% Sb, 0.3-1.5% oxygen and the balance Te with unavoidable impurities.例文帳に追加

原子％でＧｅ：２０〜３０％、Ｓｂ：２０〜３０％を含有し、酸素：０．３〜１．５％を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する。 - 特許庁

To provide a method of producing a Ge-Sb-Te sputtering target of a thin film medium for recording information by utilizing the phase transformation of a recording layer material.例文帳に追加

本発明は、記録層材料の相変態を利用して情報を記録する薄膜媒体のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲット材の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Next, a GaAs layer 30 is formed on the Ge layer in such a way that the spontaneous polarization direction of the second region is the reverse of that of the first region.例文帳に追加

次に、Ｇｅ層上に、第２領域の自発分極の方向が、第１領域の自発分極の方向に対して反転するように、ＧａＡｓ層３０を形成する。 - 特許庁

The copper powder for conductive paste comprises P (phosphorus) by 0.01 to 0.3 atm% and Ge by 0.1 to 10 atm% at the inside of the particles.例文帳に追加

粒子内部にＰ（りん）を０．０１ａｔｍ％〜０．３ａｔｍ％、かつＧｅを０．１ａｔｍ％〜１０ａｔｍ％含有する導電性ペースト用銅粉。 - 特許庁

This is a fuse element composed of a binary alloy with liquids temperature of 300°C to 550°C, that is Sn blended with either Cu, Pt, Pd, Ti, Ni, Mn, Mg, Ge or Al.例文帳に追加

ＳｎにＣｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｇｅ、Ａｌの何れかを配合した液相線温度３００℃〜５５０℃の２元合金からなるヒュ−ズ素子である。 - 特許庁

The phase change material 24 is formed at least in a part of the through-hole, and is In, Ge, Sb, Te or mixture of them, GeSbTe or InGeSbTe.例文帳に追加

相変化物質２４は、貫通孔の少なくとも一部に形成され、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ、あるいは、その混合物、ＧｅＳｂＴｅ、あるいは、ＩｎＧｅＳｂＴｅである。 - 特許庁