「Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

Preferably, the oxide sintered compact contains germanium at an atomic ratio Ge/In of 0.01-0.17.例文帳に追加

酸化物焼結体中のゲルマニウムの含有量は、Ｇｅ／Ｉｎ原子比で０．０１以上０．１７以下であることが好ましい。 - 特許庁

In the first SiGe layer forming process, a concentration of Ge in the first SiGe layer 14 is set to not larger than 5%.例文帳に追加

第１のＳｉＧｅ層形成工程では、第１のＳｉＧｅ層１４中のＧｅ濃度を５％以下にする。 - 特許庁

The gold alloy for connecting a semiconductor device consists of 0.01-2 mass% of Cu, 0.01-0.3 mass% of Ge, and the reminder of Au (a).例文帳に追加

Ｃｕ０．０１〜２質量％、Ｇｅ０．０１〜０．３質量％、および残部Ａｕからなることを特徴とする（ａ）。 - 特許庁

However, GE (U.S.), Siemens (Germany) and Doosan (Republic of Korea) have increased their presence in the water business market, taking the place global water-related companies are trying to fill by entering the water production market aggressively.例文帳に追加

ただし、グローバル水企業に代わって、近年水ビジネス市場で急速に存在感を増している。 - 経済産業省

The solder powder of the Sn-Zn alloy of which the area ≥50% of the surface is coated with a layer of an Sn alloy consisting essentially of Sn and containing at least one element of Ag, In, Ge, Cu or Bi.例文帳に追加

本発明は、Sn−Zn合金のはんだ粉末において、Snを主成分としAg, In, Ge, Cu,又はBiの少なくとも一元素を含有したSn合金の被覆層により、該はんだ粉末の表面積の５０％以上が被覆されているSn−Zn合金のはんだ粉末を提供する。 - 特許庁

As compared to such a case as to form the Ge layer or the Si layer of a single layer as the decoration layer on the glass substrate 1, when the decoration layer is the laminate of the Si layer 2 and the Ge layer 3, electromagnetic waves in the visible region are reflected with higher reflectance.例文帳に追加

ガラス基板１上に、加飾層としてＧｅ層またはＳｉ層を単層で形成した場合と比較すると、加飾層がＳｉ層２とＧｅ層３の積層体である場合は、可視域の電磁波をより高い反射率で反射させる。 - 特許庁

A safe live recombinant virus as well as a vaccine are produced by the deletion of a portion of the native glycoprotein E (gE) encoding region of the BHV-1 followed by the insertion of a plasmid including a foreign functional β-gal at the gE locus.例文帳に追加

ＢＨＶ−１の固有糖タンパクＥ（ｇＥ）をコードする領域の一部を欠失し、続いて該ｇＥ座に外来の機能性β−ｇａｌを含むプラスミドを挿入することにより、安全な生菌組換えウイルスとともにワクチンが製造される。 - 特許庁

The method grows a GeSi1-X/Ge epitaxial layer on a Si substrate by the ultra-high vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) method to finally form a ZnSe thin film on a Ge buffer layer.例文帳に追加

本発明の方法においては、超高真空化学気相成長法（ＵＨＶＣＶＤ）を用いることによりＳｉ基板上にＧｅＳｉ１−Ｘ／Ｇｅエピタキシャル層を成長させ、最終的にＧｅバッファ層上にＺｎＳｅ薄膜が形成される。 - 特許庁

The brazing filler metal for atmospheric joining is composed of Ag as the main component; Ge, Cr or their oxides, and inevitable impurities as the balance, and is made into a composite oxide mainly composed of Ge and Cr in the joining stage in the atmosphere.例文帳に追加

主成分であるＡｇと、Ｇｅ，Ｃｒ又はこれらの酸化物と、残部としての不可避不純物からなり、さらに大気中の接合過程でＧｅとＣｒを主とする複合酸化物になることを特徴とする大気接合用ろう材。 - 特許庁

The acquisition of Nippon Lease ($6.56 billion) by General Electric Capital Corporation (GE Capital, US) and Nissan Automobiles ($4.91 billion) by Renault S.A. (Renault, France) in 1999, and Nippon Telecom ($5.48 billion) by Vodafone Group Plc (Vodafone, UK) in 2001 are examples of such large-scale M&As.例文帳に追加

こうした大型M&A案件の例としては、1999年のGeneral Electric Capital Corporation（GEキャピタル：米国）による(株)日本リースの買収（65.6億ドル）、Renault S.A.（ルノー：フランス）による日産自動車(株)への出資（49.1億ドル）、2001年のVodafone Group Plc（ボーダフォン：英国）による日本テレコム(株)の買収（54.8億ドル）などがある。 - 経済産業省

The temperature gradients along the axial direction at the center and the outer periphery of a silicon single crystal 11 in the temperature range of 1,370-1,310°C are taken as Gc_1 and Ge, and the outer periphery of the growing single crystal is cooled to make the ratio Gc_1/Ge become 1.2-1.3.例文帳に追加

シリコン単結晶１１の中心部及び外周部における１３７０〜１３１０℃の軸方向温度勾配をＧc_1及びＧeとし、この比Ｇc_1／Ｇeが１．２〜１．３となるように上記育成中の単結晶の外周部を冷却する。 - 特許庁

This optical amplifying fiber comprises a clad, a first core containing Ge and provided inside the clad, a second core containing Er and Al and provided inside the first core, and a third core containing Ge and provided inside the second core.例文帳に追加

光増幅用ファイバであって、クラッドと、クラッドの内側に設けられ、Ｇｅを含んだ第１コアと、第１コアの内側に設けられ、ＥｒとＡｌを含んだ第２コアと、第２コアの内側に設けられ、Ｇｅを含んだ第３コアとを含んでいる。 - 特許庁

To provide a method of growing an SiCGe crystal containing the Ge of a high concentration without the need of complicated processing.例文帳に追加

複雑な処理を必要とせずに高濃度のＧｅを含有するＳｉＣＧｅ結晶を成長する方法を提供する。 - 特許庁

The aluminum based alloy comprises, by atom, 0.2 to 1.0% Mg and 0.1 to 0.5% Ge, and has excellent age hardening speed properties and high temperature strength.例文帳に追加

Ｍｇ：０．２〜１．０ａｔ％，Ｇｅ：０．１〜０．５ａｔ％含有し、時効硬化速度性及び高温強度に優れていることを特徴とする。 - 特許庁

Next, after a support substrate is adhered and the Ge substrate is removed, a back surface electrode 15 is formed and the support substrate is detached.例文帳に追加

次に、支持基板を接着してＧｅ基板が除去された後に裏面電極１５が形成されて支持基板が取外される。 - 特許庁

To provide a HEMT device and a CMOS device that are excellent in mobility and transconductance owing to a high-performance Ge channel structure.例文帳に追加

高性能Ｇｅチヤネル構造により、移動度および相互コンダクタンスに優れたＨＥＭＴ、ＣＭＯＳデバイスを提供する。 - 特許庁

Every groups GA to GE, the unit cells are arranged so that the cross-sections defined as the estimating object includes more than three unit cells.例文帳に追加

上記グループＧＡ〜ＧＥ毎に、評価対象となる断面が３個以上のユニットセルを含むようにユニットセルを配列させる。 - 特許庁

The outer peripheral part 32 of an internal base constituted of Si_1-xGe_x for which a Ge composition rate is low and a band gap is large is grown.例文帳に追加

Ｇｅ組成率が低くバンドギャップの大きなＳｉ_1-xＧｅ_xで構成される内部ベースの外周部３２を成長させる。 - 特許庁

It preferably contains further one or two of Mg, Si, Ge and Ga added by a total of 5-30 mass ppm.例文帳に追加

更にＭｇ、Ｓｉ、ＧｅおよびＧａの１種または２種以上を合計で５〜３０質量ｐｐｍ添加することが好ましい。 - 特許庁

Data wires on the LCD panel 10 are grouped in each six wires and the signals Ro, Re, Go, Ge, Bo, Be are supplied to each group.例文帳に追加

液晶表示パネル１０のデータ配線は６本を１組とし、各組毎にそれぞれ信号Ｒｏ，Ｒｅ，Ｇｏ，Ｇｅ，Ｂｏ，Ｂｅが供給される。 - 特許庁

MURAKUNI no Komushi accompanied the Emperor, and separately from the promotions given out to the Emperor's attendants on the occasion of the Emperor's departure on the eighteenth day of the twelfth month, Komushi was promoted to Ge-jugoinoge. 例文帳に追加

村国連子虫はこれに従い、11月21日に発せられた陪従者の昇叙に連なって外従五位下に昇った。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In 731, he became Ge-jugoinoge (Jugoinoge [Junior Fifth Rank, Lower Grade] given to persons outside Kyoto), assuming the post of Tonomo no kami (the Director of the Imperial Palace Keeper's Bureau), and in 738, he became Saigu Chokan (Director of the residence of an unmarried princess serving at Ise-jingu Shrine). 例文帳に追加

天平3年に外従五位下になり、主殿頭に就き、天平10年には斎宮長官になった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Tomoyuki was appointed to the Jugomi-ge (Junior Lower Fifth Rank) in October, 1423, then to the Jusanmi (Junior Third Rank) in 1454, and finally to Seisanmi (Senior Third Rank) in 1463. 例文帳に追加

友幸は応永30年（1423年）10月に従五位下に叙任され、享徳2年（1454年）に従三位、寛正4年（1463年）には正三位となる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An optical fiber for an optical amplifier contains Ge-Ga-S glass and alkaline metal-halogenide and is doped with Dy.例文帳に追加

Ｇｅ−Ｇａ−Ｓ系ガラスとアルカリ金属−ハロゲン化物を含み、Ｄｙがドーピングされている光増幅器用光繊維である。 - 特許庁

A thin porous oxide layer between the polycrystalline Ge and Si layers enhances the isotropy of the SiGe junction.例文帳に追加

多結晶Ｇｅ層と多結晶Ｓｉ層との間の薄い多孔性酸化物層により、ＳｉＧｅ接合の等方性が強化される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device to which a cleaning method effective on a semiconductor substrate containing Ge is applied.例文帳に追加

Ｇｅを含有する半導体基板に効果的な洗浄方法が適用された半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

It is based on a writing in "San Amidabutsu Ge" (Gatha in Praise of Amida Buddha), by Donran, that he saw Amida Nyorai and bowed from the bottom of his heart, showing his belief. 例文帳に追加

曇鸞が『讃阿弥陀佛偈』に、不可思議光一心帰命稽首礼と著し、自己の信念を表したことに基づく。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

As a result, Gensho is regarded as the reciting of Myo, Ho, Ren, Ge, and Kyo with one's body, mouth, and will, which is the Naisho (inner realization) sunk under Hokekyo. 例文帳に追加

したがって身・口・意で法華経の底に沈められた内証・妙法蓮華経の五字を読んでいくことであるとする。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The lead-free solder alloy is produced to have the alloy composition including 62.0 to 98.0 wt.% of Sn, 0.1 to 4.0 wt.% of Zn, and 0.1 to 2.0 wt.% of Ge.例文帳に追加

Ｓｎ−０．１〜４．０ｗｔ％Ｚｎ−０．１〜２．０ｗｔ％Ｇｅの合金組成で無鉛ハンダ合金を作製する。 - 特許庁

The photodetector has a PIN structure where a light absorption layer is composed of Ge and an intrinsic semiconductor layer is composed of Si.例文帳に追加

本願発明は、光吸収層をＧｅとし、真性半導体層をＳｉで構成するＰＩＮ構造の光検出器とした。 - 特許庁

The SiGe film 18 is composed of an SiGe buffer layer 18x, an SiGe gradient composition layer 18a and an upper SiGe layer 18b, with which a Ge content is almost fixed or change in the Ge content is smaller than that of the SiGe gradient composition layer 18a.例文帳に追加

ＳｉＧｅ膜１８は、ＳｉＧｅバッファ層１８ｘと、ＳｉＧｅ傾斜組成層１８ａと、Ｇｅ含有率がほぼ一定又はＧｅ含有率の変化がＳｉＧｅ傾斜組成層１８ａよりも小さいＳｉＧｅ上部層１８ｂとによって構成されている。 - 特許庁

A poylcrystal semiconductor layer 3 containing at least Si and Ge which contacts a gate insulating film 2 as well as a polycrystal Si layer 4 provided on the polycrystal semiconductor layer 3 containing at least Si and Ge constitute a gate electrode, especially a T-type gate electrode.例文帳に追加

ゲート絶縁膜２と接する少なくともＳｉとＧｅを含む多結晶半導体層３と、この少なくともＳｉとＧｅを含む多結晶半導体層３上に設けた多結晶Ｓｉ層４によって、ゲート電極、特に、Ｔ型ゲート電極を形成する。 - 特許庁

The SiO_2-base amorphous material having the sufficient life and the second order light nonlinearity is obtained by adding Zn or Cd to the SiO_2-base amorphous material which contains Ge and is expressed by xGeO_2.(1- x)SiO_2 (0.05≤x≤0.65) and further applying electric field impression and UV ray irradiation thereto simultaneously.例文帳に追加

Geを含むSiO_2系非晶質材料であってxGeO_2・(1-x)SiO_2 (0.05≦x≦0.65)であらわされるものに、Zn、または、Cdを添加し、電場印加と紫外光照射を同時に加えることによって、十分な寿命を持つ、２次光非線形性を有するSiO_2系非晶質材料を得る。 - 特許庁

A gate electrode GE and a source electrode are formed on a second surface opposite to the first surface of the semiconductor chip 3, and metal plate terminals 6G, 6S are joined to the gate electrode GE and the source electrode SE via connection materials 5b, 5c.例文帳に追加

この半導体チップ３の第１面の反対面である第２面にはゲート電極ＧＥおよびソース電極が形成されており、そのゲート電極ＧＥおよびソース電極ＳＥには接続材５ｂ，５ｃを介して金属板端子６Ｇ，６Ｓが接合されている。 - 特許庁

A burner 6 for burning unburned composition such as aldehyde and HC, CO which are bad smelling composition contained in exhaust gas Ge is provided in a line 7 supplying the exhaust gas Ge discharged from the gas engine 1 to a gas turbine 4 of a supercharger 3.例文帳に追加

ガスエンジン１から排出された排ガスＧｅを過給機３のガスタービン４へ送給する管路７に、排ガスＧｅ中に含有されている臭気成分であるアルデヒド類及びＨＣ、ＣＯ等の未燃焼成分を燃焼させるための燃焼器６を設ける。 - 特許庁

An optical semiconductor device includes: a Ge layer 2; a first GaAs layer 3 which is formed on the Ge layer 2 and in which an As site of GaAs is partially substituted with Ga; and an active layer 4, containing GaAs, formed above the first GaAs layer 3.例文帳に追加

光半導体素子を、Ｇｅ層２と、Ｇｅ層２上に形成され、ＧａＡｓのＡｓサイトの一部がＧａで置換されている第１ＧａＡｓ層３と、第１ＧａＡｓ層３の上方に形成されたＧａＡｓを含む活性層４とを備えるものとする。 - 特許庁

The method comprises a process for forming a gradient concentration type SiGe film having concentration inclination of Ge on a substrate whose surface is formed of silicon, a process for forming a cap semiconductor film on the gradient concentration type SiGe film, a process for performing ion implantation for the substrate and a process for annealing the substrate.例文帳に追加

表面がシリコンからなる基板上にGeの濃度勾配をもつ傾斜濃度型SiGe膜を形成する工程と、傾斜濃度型SiGe膜上にキャップ半導体膜を形成する工程と、基板にイオン注入する工程と、基板をアニールする工程を備える。 - 特許庁

In this alloy brazing filler metal, an alloy brazing filler metal essentially consisting of Sn and containing Ag of 0.05 to 3.5% by weight concentration is used as a base, Ge is contained by 0.1 to 5.0%, and also, Ge precipitated grains in which the maximum grain size lies in the range of 5 to 80 μm are present.例文帳に追加

Ｓｎを主体とし、Ａｇを重量濃度で０．０５〜３．５％を含有した合金ろう材をベースとし、Ｇｅを０．１％〜５．０％含有し、かつ最大粒径が５〜８０μｍの範囲内のＧｅ析出粒子が存在する合金ろう材。 - 特許庁

To generate an SiGe layer where Ge of sufficient concentration exists in a channel area even if the ion implanting quantity of Ge is less when ion- implanting Ge to an Si layer in an SOI wafer, to improve carrier moving degree in a field effect semiconductor device, and to improve current driving force on the manufacture method of the field effect semiconductor device.例文帳に追加

電界効果型半導体装置の製造方法に関し、ＳＯＩウエハに於けるＳｉ層にＧｅをイオン注入してＳｉＧｅ層を生成させるに際し、Ｇｅのイオン注入量が少なくても、チャネル領域には充分な濃度のＧｅが存在するＳｉＧｅ層を生成できるようにし、電界効果型半導体装置に於けるキャリヤ移動度を高めて電流駆動力を向上しようとする。 - 特許庁

To make it possible to acquire the improvement in high degree of mobility and parasitic resistance reduction effect even in low Ge composition, and to suppress the self-heating effect.例文帳に追加

低いＧｅ組成においても高い移動度向上及び寄生抵抗低減効果が得られ、且つセルフヒーティング効果を抑制する。 - 特許庁

Alternatively, the content of the Mo is 2 to 12 at.%, and the content of the Ge as an α phase stabilizing element is ≤8 at.%.例文帳に追加

さらに、前記Ｍｏの含有量が２〜１２ａｔ％であり、前記α相安定化元素のＧｅを８ａｔ％以下含有する。 - 特許庁

For example, Ge having a lattice constant larger than that of Si is mixed with SiC, thus reducing the absolute value of the lattice mismatching, and increasing crystallinity.例文帳に追加

Ｓｉの格子定数より大きいＧｅをＳｉＣに混ぜるなどによって、格子不整の絶対値を小さくし、結晶性を高くする。 - 特許庁

To provide a Ge-doped n-type group III nitride semiconductor layer which produces fewer pits, is excellent in evenness, and is of a low resistance.例文帳に追加

ピットの発生が少ない平坦性に優れた低抵抗のＧｅドープｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体層を提供すること。 - 特許庁

A Ge crystal is unidirectionally grown from the remainder 12A of the crystal piece by cooling and freezing the melt 14.例文帳に追加

次いで、融液１４を冷却及び凝固させることにより、結晶片の残部１２ＡからＧｅ系結晶を一方向成長させる。 - 特許庁

A combining part 68 generates an emphasizing processing coefficient string Ge of the normal position component by combining the coefficient string CA and the coefficient string CB.例文帳に追加

合成部６８は、係数列ＣAと係数列ＣBとの合成で定位成分の強調用の処理係数列Ｇeを生成する。 - 特許庁