「Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

As the soft magnetic thin band, the one expressed by compositional formula: Fe_100-x-yCu_xX_y (wherein, X denotes one or more kinds of elements selected from B, Si, S, C, P, Al, Ge, Ga and Be and, by atom%, 0≤x≤5 and 10≤y≤24 are satisfied) is preferably used.例文帳に追加

軟磁性薄帯は、組成式：Ｆｅ_100-ｘ-ｙCu_ｘX_ｙ（但し、XはB,Si，S，C，P，Al，Ge，Ga，Beから選ばれた少なくとも一種以上の元素）で表され、原子%で、0≦ｘ≦5、10≦ｙ≦24により表されるものが好ましい。 - 特許庁

Although the Ge is exemplified as an element having a larger lattice constant than that of silicon, the element is not limited to the Ge so long as the element has a larger lattice constant than that of silicon because of its effectiveness to ease a stress.例文帳に追加

ここではシリコンよりも格子定数の大きな元素としてＧｅを一例としてあげるが、シリコンより大きな格子定数のものであれば応力緩和の効果があり、Ｇｅに限るものではない。 - 特許庁

On August 6th, more than 60 members of the Heike clan were expelled from government posts, and on the 11th, Monk-Emperor Go-Shirakawa appointed Yoshinaka as Samanokami and Echigo Kokushu with a rank of Ju Goi-ge, and Yukiie as Bingo Kokushu with a rank of Ju Goi-ge. 例文帳に追加

8月6日には平家一門の60余名が官職から追放され、11日に後白河法皇より義仲は従五位下左馬頭・越後国守、行家は従五位下備後国守に任ぜられる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

As a result, the ratio of Ge atoms to all atoms on the outermost surface, where growth is proceeding, can be reduced and C atoms having low affinity with Ge atoms is rendered more likely to occupy lattice positions in the crystal.例文帳に追加

その結果、結晶が成長している最表面においてＧｅ原子の占める割合を少なくすることができ、Ｇｅ原子と相性の悪いＣ原子が、結晶の格子位置に入りやすくなる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a Ge-Mn magnetic semiconductor thin film by which the Ge-Mn magnetic semiconductor thin film made of ferromagnetic semiconductor substance with high Curie temperature can be manufactured.例文帳に追加

キュリー温度が高い強磁性半導体物質であるＧｅ−Ｍｎ磁性半導体薄膜を製造することを可能としたＧｅ−Ｍｎ磁性半導体薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

Alternatively, the Ge layer is formed in an island shape which does not cause separation because of a stress caused by a difference in thermal expansion coefficient between the Ge layer and the Si substrate when annealed at the annealing temperature.例文帳に追加

あるいはＧｅ層は、アニールした場合に、アニールの温度において基板であるＳｉとの熱膨張係数の相違によるストレスが剥離を発生させない大きさの島状に形成する。 - 特許庁

This method limits the amount of Si available for interdiffusion, thereby allowing the Ge layer to be annealed without causing substantial dilution of the Ge layer by the underlying Si.例文帳に追加

この方法は、相互拡散に利用可能なＳｉの量を制限し、それによって、下のＳｉによるＧｅ層の実質的な希釈を起こすことなく、Ｇｅ層をアニールすることができるようになる。 - 特許庁

This device comprises a SiGe base bipolar transistor having an inclined profile of Ge wherein the Ge density of a SiGe base layer increases from an emitter region side toward a collector region side from 0% to 10%.例文帳に追加

ＳｉＧｅベース層のＧｅ濃度をエミッタ領域側からコレクタ領域側に向かって０％から１０％まで増加するような傾斜Ｇｅプロファイルを備えたＳｉＧｅベースバイポーラトランジスタを有する。 - 特許庁

The anode active material for a lithium ion secondary battery contains a mixture of Mg_2A or LaA_2 (A denotes Si or Ge) and an element A (A denotes Si or Ge).例文帳に追加

本発明のリチウムイオン二次電池用負極活物質は、Ｍｇ_2Ａ又はＬａＡ_2（ＡはＳｉ又はＧｅを表す）と、元素Ａ（ＡはＳｉ又はＧｅを表す）との混合物を含むことを特徴とする。 - 特許庁

Control of a refractive index is performed by electromagnetic irradiation on the germanium containing photosensitive resin having Ge-Ge bond as the main chain and on a composition of such resin and a general purpose resin.例文帳に追加

Ｇｅ−Ｇｅ結合を主鎖とするゲルマニウム含有感光性樹脂、および、そのゲルマニウム含有感光性樹脂と汎用樹脂との組成物への電磁波照射により、屈折率の制御を行う。 - 特許庁

In other words, if a dependency on PHP 4.1.0 exists, and addDependency('php', '4.3.0', 'ge', 'php') is called, the existing dependency on PHP 4.1.0 will be overwritten with the new one on PHP 4.3.0Parameter string 例文帳に追加

言い換えると、すでに PHP 4.1.0 に対する依存性が設定されている場合にaddDependency('php', '4.3.0', 'ge', 'php')がコールされると、既存の PHP 4.1.0 に対する依存性が PHP 4.3.0 による新しい依存性に置き換えられるということです。 パラメータ string - PEAR

When a keyboard KB of the scientific calculator emulation screen GE is operated, key data are successively stored as a key log and are displayed in a log screen GL, and calculation processing according to the key data is executed and the result is displayed on a display DP.例文帳に追加

電卓エミュレーション画面GEのキーボードKBを操作するとキーデータがキーログとして順次記憶されログ画面GLに表示され、そのキーデータに応じた計算処理が実行されてディスプレイDPに表示される。 - 特許庁

In the Cu-Ge target, there is a need of suppressing the mixing amounts of impurity elements other than Cu, Ge to ≤2 atom% for controlling the above intensity ratio to ≤1, therefore, it is produced by a powder sintering process.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｇｅターゲットは上記強度比を１以下にするためにＣｕ、Ｇｅ以外の不純物元素混入量を２ａｔ％以下に抑える必要があり、そのため粉末焼結法で作成される。 - 特許庁

Next, a Ge layer 20 is formed on the periodical structure arranged on the upper side surface of the substrate.例文帳に追加

次に、基板の上側表面上に設けられた周期構造上にＧｅ層２０を形成する。 - 特許庁

In the SiGeC mixed-crystal base layer, a C-composition gradient is formed according to the Ge-composition gradient.例文帳に追加

ＳｉＧｅＣ混晶系ベース層において、Ｇｅの組成勾配に合わせてＣの組成勾配を形成する。 - 特許庁

The materials may be Si and SiGe, Si and Ge, or Si and amorphous Se, for example.例文帳に追加

材料は、例えば、Ｓｉ及びＳｉＧｅ、Ｓｉ及びＧｅ、又は、Ｓｉ及びアモルファスＳｅであり得る。 - 特許庁

To produce a Bi_12MO_20 powder (wherein M is Si or Ge) having small particle diameters by a liquid phase method.例文帳に追加

液相法により、粒子径の小さなＢｉ_12ＭＯ_20粉体（ただし、ＭはＳｉまたはＧｅである。）を製造する。 - 特許庁

The first recording layer 18 includes Ge, Sn, Sb and Te and its thickness is below 9 nm.例文帳に追加

第１の記録層１８は、ＧｅとＳｎとＳｂとＴｅとを含み且つ厚さが９ｎｍ以下である。 - 特許庁

To produce a Bi_12MO_20 powder of high purity (wherein M is Si or Ge) by a liquid phase method.例文帳に追加

液相法により、高純度のＢｉ_12ＭＯ_20粉体（ただし、ＭはＳｉまたはＧｅである。）を製造する。 - 特許庁

Additionally, etching can provide a method of manufacturing the Ge island 2 having excellent manufacturing efficiency.例文帳に追加

さらに、エッチングにより、製造効率の良いＧｅアイランド２の製造方法を提供することができる。 - 特許庁

Pixel rows 21_B, 21_G, and 21_R form one unit pixel row 22_B, 22_G, and 22_R every adjacent two rows pixel GE, respectively.例文帳に追加

画素列２１＿Ｂ，２１＿Ｇ，２１＿Ｒは、それぞれ、隣接する２列の画素ＧＥ毎に１個の単位画素列２２＿Ｂ，２２＿Ｇ，２２＿Ｒを構成している。 - 特許庁

To provide a Ge nanoparticle excellent in emission efficiency and a biosubstance labelling agent using it.例文帳に追加

発光効率に優れるＧｅナノ粒子、更にはそれを用いた生体物質標識剤を提供すること。 - 特許庁

To reduce a substrate leakage current of a field effect transistor having a channel forming region containing Ge.例文帳に追加

Ｇｅを含むチャネル形成領域を有する電界効果トランジスタにおいて、基板リーク電流を低減する。 - 特許庁

To improve the soldering properties of an Au-Ge alloy soldering ball for joining and sealing of an electronic component or the like.例文帳に追加

電子部品などの接合、封止用半田付け用ＡｕＧｅ合金球の半田付け特性向上。 - 特許庁

103-105 are grown on the Si substrate by UHVCVD, and a pure Ge layer of a low transfer density is grown on the Ge_xSi_1-x buffer layer.例文帳に追加

低転移密度の純Ｇｅ層がＧｅ_ｘＳｉ_１−ｘ緩衝層上に成長する。 - 特許庁

GECOS means General Electric Comprehensive Operating System, which has been renamed to GCOS when GE's large systems division was sold to Honeywell. 例文帳に追加

GECOS は General ElectricComprehensive Operating System を意味しており、GE 社の大規模システム部門が Honeywell 社に売却された際に GCOS へと変更された。 - JM

To provide an additional source of germanium with high safety when manufacturing a Ge-doped compound semiconductor.例文帳に追加

Ｇｅドープ化合物半導体を製造する際の、安全性の高いゲルマニウムの添加源を提供する。 - 特許庁

Furthermore, all monjo to be submitted from a person with a lower rank (including ordinary citizens) to a person with a higher rank came to be referred to as 'ge,' which was because all reports had been given orally before the ritsuryo system, and calling all monjo "ge" is said to be a reflection of the fact that the "ge" form put all the oral procedures for monjo in writing. 例文帳に追加

更には民間も含めて下位者から上位者に出す文書は全て「解」と称されるようになるが、これは、律令制以前においては上申は全て口頭で申すことを原則としていたが、解の書式がその手続をそのまま文書化したための名残が反映されたものとも言われている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An element other than the Te, for example, either Al, Zr, Ta, Hf, Si, Ge, Ni, Co, Cu or Au may be added.例文帳に追加

Ｔｅ以外の他の元素、例えばＡｌや、Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，ＣｕおよびＡｕのいずれかを添加してもよい。 - 特許庁

At the end of the book, Motoyoshi added farewell waka (a traditional Japanese poem of thirty-one syllables) and ge (Buddhist poem) that wrap up the book to his father and mother. 例文帳に追加

元能は最後に、父母への別れの和歌と偈を載せ、この著作を締めくくっている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Many fraudulent works were already seen even for "the Chunhua ge Tie" with which mokoku began to be used in earnest. 例文帳に追加

本格的に模刻の始まった『淳化閣帖』からして既に大量の偽物が紛れ込んでいた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Tan-luan: "Muryojukyo ubadaisha ganshoge-chu" (Commentary of a discourse on the Pure Land); "San Amida Butsu Ge" (hymns praising Amida Buddha) 例文帳に追加

曇鸞（どんらんだいし）…『無量寿経優婆提舎願生偈註』（浄土論註）、『讃阿弥陀陀佛偈』 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Each of the electrodes 12 comprises a nickel alloy, containing at least one kind of element selected from among a first group comprising Ca, Sc, Ga, Ge, Ag, Rh and Ta in total, with a content of 0.001 mass% and higher and 3.0 mass% and lower.例文帳に追加

電極12は、Ca,Sc,Ga,Ge,Ag,Rh,及びTaからなる第1のグループから選ばれた少なくとも1種の元素を合計で0.001質量％以上3.0質量％以下含有し、残部がNi及び不純物からNi合金で構成する。 - 特許庁

While a p-channel MISFET is covered with a mask layer RM, ion (including at least a kind of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr) is implanted to the n-type source region and n-type drain region of n-channel MISFET.例文帳に追加

マスク層ＲＭによりＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを覆いつつ、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのＮ型ソース領域およびＮ型ドレイン領域に、イオン（F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む）を注入する。 - 特許庁

A Ge guide 14 made of germanium is interposed between the diffusion layer 15 of the cell transistor Tr and the third conductive layer 11 of a trench capacitor C, where the Ge guide 14 is formed on the side of the diffusion layer 15 of the cell transistor Tr.例文帳に追加

セルトランジスタＴｒの拡散層１５およびトレンチキャパシタＣの第３の導電層１１の間に介在するように、セルトランジスタＴｒの拡散層１５側にＧｅの導入部１４を形成する。 - 特許庁

Thus, Ge included in the film 3 is segregated and aggregated near the interface between the oxide film 4 and the lower oxide film 2, and the dot unit 5 containing the Ge as the main component is formed.例文帳に追加

同時に、上部酸化膜４と下部酸化膜２との間の界面付近には、ＳｉＧｅ半導体薄膜３に含まれていたＧｅが偏析・凝集することにより、Ｇｅを主成分とするドット体５が形成される。 - 特許庁

While a P-channel type MISFET is covered by a mask layer RM, ion (at least one of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr is included) is implanted into an N-type source region and an N-type drain region of N-channel type MISFET.例文帳に追加

マスク層ＲＭによりＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを覆いつつ、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのＮ型ソース領域およびＮ型ドレイン領域に、イオン（F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む）を注入する。 - 特許庁

The energy size of one output pulse of the pulsed laser beam is set to a value necessary to reach the minimum temperature for forming alloy as a result of melting the first and second Si lumps with the Ge material.例文帳に追加

パルスレーザ光の出力パルス一つ分のエネルギーの大きさは、第1のSi塊及び第2のSi塊とGe材が融解して合金が形成されるための最小の温度に到達するために必要な値に設定されている。 - 特許庁

A coefficient string-generating part 60 generates a processing coefficient string (Ge and Gs) which comprises coefficient values (Ge(k) and Gs(k)) of each frequency to emphasize or suppress the normal position component from the sum component M and the difference component S.例文帳に追加

係数列生成部６０は、周波数毎の係数値（Ｇe[k]，Ｇs[k]）で構成されて定位成分を強調または抑圧する処理係数列（Ｇe，Ｇs）を和成分Ｍおよび差成分Ｓから生成する。 - 特許庁

With the use of a silicon substrate 20 having a crystal face orientation of 110 and a thickness of 500 μm, germanium Ge is ion-injected to a surface of the silicon substrate 20, whereby a layer 30a having the Ge implanted is formed.例文帳に追加

結晶面方位１１０の厚さ５００μｍのシリコン基板２０を用いて、このシリコン基板２０の表面にゲルマニウムＧｅをイオン注入することによって、Ｇｅが打ち込まれた層３０ａを形成する。 - 特許庁

The structure comprises a first member 100 containing a compound between an element A except both Si and Ge, and Si_nGe_1-n (wherein 0≤n≤1), and a second member 101 containing one of the element A and Si_nGe_1-n (wherein 0≤n≤1).例文帳に追加

Si及びGeの双方を除く元素ＡとSi_nGe_1-n(ここで0≦n≦1)との間の化合物を含む第一の部材１００と、元素ＡとSi_nGe_1-n(ここで0≦n≦1)のいずれか一方を含む第二の部材１０１とで構成される構造体。 - 特許庁

The insulating caps 22 and 26 use GeO_2 obtained by embedding Ge in steps or gaps provided between the dielectric layer 18 and the conductor layers 14 and 16 by electrolytic plating, and then anodizing the embedded Ge.例文帳に追加

絶縁キャップ２２，２６は、誘電体層１８と導電体層１４，１６の間に設けた段差ないし隙間にＧｅを電解メッキにより埋め込み、次いで陽極酸化を行うことで得られるＧｅＯ_２が利用される。 - 特許庁

In order to solve the problem, the formation of the Ge layer is prevented, and an Si layer is preferentially formed when deviations are generated in the supply of a raw material due to the opening or the shutting of a gas valve or a shutter.例文帳に追加

上記課題を解決するため、本発明によれば、ガスバルブやシャッター開閉に起因して原料供給のずれが生じた場合、Ge層の形成を回避し、Si層が優先的に形成されるようにする。 - 特許庁

By exposing the surface of the substrate to atomic hydrogen, the ratio of Ge atoms attached to H atoms to all Ge atoms present on the outermost surface, where growth is proceeding, is increased compared with that prior to exposure to the atomic hydrogen.例文帳に追加

原子状水素を基板上に暴露することにより、成長が起こっている最表面に存在するＧｅ原子のうちＨ原子が付着しているＧｅ原子の割合は、原子状水素暴露前よりも増加する。 - 特許庁

Then, the center part 35 of the internal base constituted of Si_1-xGe_x for which the Ge composition rate is high and the band gap is small is grown while lowering the Ge composition rate in a direction from the side of a collector 27 to the side of an emitter 44.例文帳に追加

そして、Ｇｅの組成率が高くバンドギャップの小さなＳｉ_1-xＧｅ_xで構成される内部ベースの中央部３５を、コレクタ２７側からエミッタ４４側の方向にＧｅ組成率を低下させながら成長させる。 - 特許庁