「Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

Even when such a multi- valley semiconductor as the Ge, SiGe mixed crystal, etc., is used, the characteristics of the semiconductor device can be improved significantly, by suppressing the scattering between conduction bands.例文帳に追加

ＧeまたはＳiＧe混晶などの多谷間半導体でも、伝導帯間散乱を抑制して、大幅な特性向上が実現できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor structure which has a high-quality Ge epitaxial layer using a thin buffer layer, and to provide its growing method.例文帳に追加

薄いバッファ層を採用した高品質のＧｅエピタキシャル層を有する半導体構造およびその成長方法を提供する。 - 特許庁

"Koyagire (Fragment from Kokin Waka Shu Poetry Anthology)", "Honnoji-Gire (Fragment from Kokin Waka Shu Poetry Anthology, A section of Honnoji-Gire)", "Sanshikishi sunshouan shikisi (Segments from the Poetry-Anthology Kokin Wakashu)", "Ishiyamagire (Fragment of Tsurayukishu no ge (Ki no Tsurayuki 's Anthology) or Ise shu (The Diary of Lady Ise)", "Kameyamagire (Segments from the Poetry-Anthology Kokin Wakashu)", "Okaderagire (Fragment of the Okadera Edition)", etc. 例文帳に追加

『高野切』、『本能寺切』、『三色紙寸松庵色紙』、『石山切』、『亀山切』、『岡寺切』など - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

On the first day of the third month of 763, Oi was promoted from Shorokuinojo (Senior Sixth Rank, Upper Grade) to Ge-jugoinoge (Jugoinoge (Junior Fifth Rank, Lower Grade) given to persons outside Kyoto), and was appointed Shusen no kami (Director of the Ministry of Ships). 例文帳に追加

天平宝字7年（763年）1月9日、子老は正六位上から外従五位下に進み、主船正に任じられた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

On the fifteenth day of the second month of 761, MURAKUNI no Mushimaro, Shorokuinojo (Senior Sixth Rank, Upper Grade), was promoted to Ge-jugoinoge; this marks the first mention of Mushimaro in the "Shoku Nihongi." 例文帳に追加

天平宝字5年（761年）1月2日、正六位上の村国連虫麻呂は、外従五位下に昇り、初めて『続日本紀』に記される。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

On April 24, 774, Nemaro who had been Ge-jugoinoge (Jugoinoge [Junior Fifth Rank, Lower Grade] given to persons outside Kyoto) at that time was appointed to an assistant governor of Dewa Province by the Empress Shotoku. 例文帳に追加

774年（宝亀5年）3月5日(旧暦)、当時外従五位下であった根麻呂は称徳天皇より出羽国介に任ぜられる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A woman who is higher than goi (fifth rank) in the rank is called uchi no myobu (a senior court lady), and a wife of an official who is higher than goi (fifth rank) in the rank is called ge no myobu. 例文帳に追加

五位以上の女性を内命婦（うちのみょうぶ）、五位以上の官人の妻のことを外命婦（げのみょうぶ）という。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The semiconductor light emitting element has a P-type electrode 900 made of an Au-Ge alloy or Au-Si alloy.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体発光素子であって、Ｐ型電極９００としてＡｕ−Ｇｅ合金またはＡｕ−Ｓｉ合金を用いる。 - 特許庁

The solar light converter cell includes a triply-bonded semiconductor solar light converter cell formed on a germanium (Ge) substrate.例文帳に追加

太陽光変換器セルがゲルマニウム（Ｇｅ）基板上に作成された３重接合型半導体太陽光変換器セルを含むことができる。 - 特許庁

Further, in a base region 5 contacting the emitter region 9, a Ge composition ratio increases from the emitter region 9 to the collector region 3.例文帳に追加

また、エミッタ領域９に接するベース領域５は、エミッタ領域９からコレクタ領域３に向かいＧｅ組成比が増加している。 - 特許庁

A gate electrode GE 1 is provided with a polysilicon layer 4C, a silicon oxide film (smile oxide film) 14, a metal layer 50 and a silicide film 15.例文帳に追加

ゲート電極ＧＥ１は、ポリシリコン層４Ｃと、シリコン酸化膜（スマイル酸化膜）１４と、金属層５０Ｃと、シリサイド膜１５とを備える。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor storage device, impurities consisting of Ge, Sn, C, or N are introduced onto a surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体記憶装置の製造方法では、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｃ、及びＮのいずれかの不純物を半導体基板の表面に導入する。 - 特許庁

The recording layer includes a composition comprising Ge and Sb to be an indispensable component and Te to be an optional component as a main component.例文帳に追加

前記記録層は、必須成分であるＧｅおよびＳｂと任意成分であるＴｅとからなる組成物を主成分として含む。 - 特許庁

A method of forming a semiconductor device is provided that includes forming a Ge-containing layer atop p-type device regions of the substrate.例文帳に追加

基板のｐ型デバイス領域の上にＧｅ含有層を形成することを含む、半導体デバイスを形成する方法が提供される。 - 特許庁

As an emission layer 5, a layer is used, where the concentration of each element Si, Ge, Mg, Cd and Zn is 10^19 cm^-3 or less (4).例文帳に追加

［４］発光層５として、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｍｇ、Ｃｄ及びＺｎの各元素の濃度が１０^19ｃｍ^-3以下である層を用いる。 - 特許庁

Here, when selecting 'YES', the finally selected facility name EN, the selected genre GE, a menu MN3 for asking whether or not to relate the facility EN to these genres GE, and a menu MN4 for selecting the possibility are displayed on a display image screen DSP2.例文帳に追加

ここで、「はい」が選択された場合は、ディスプレイ画面ＤＳＰ２に最終的に選択された施設名ＥＮと選択してきたジャンルＧＥ、該施設ＥＮをそれらのジャンルＧＥに関連付けるか否かを問うメニューＭＮ３、その可否を選択するためのメニューＭＮ４を表示する。 - 特許庁

Highly dense defects (threading dislocation) 12 are introduced into the Ge epitaxial film 11 from the interface with the Si substrate 10, and the threading dislocation 12 is converted into Rupe rearrangement defects 12' in the vicinity of the Si substrate interface by applying a heat treatment to the Ge epitaxial film 11 at a temperature of 700-900°C.例文帳に追加

Ｇｅエピタキシャル膜１１中にはＳｉ基板１０との界面から高密度の欠陥（貫通転位）１２が導入されるが、Ｇｅエピタキシャル膜１１に７００乃至９００℃の熱処理を施して貫通転位１２をＳｉ基板界面近傍のループ転位状欠陥１２´に変化させる。 - 特許庁

Further, excellent electrical conductivity and sealing property can be maintained even under an oxidizing service environment by providing this Ag-Si-Ge alloy with a structure where Ag is contained as a matrix phase from a standpoint of electrical conductivity and an Si-Ge solid solution phase having oxidation resistance is dispersed in the Ag matrix phase.例文帳に追加

更に、Ａｇ−Ｓｉ−Ｇｅ系合金は、導電性の観点からＡｇを母相とし、耐酸化性を有するＳｉ−Ｇｅ固溶相がAg母相に分散されている組織とすることで酸化性使用環境下においても良好な導電性とシール性を維持することができる。 - 特許庁

In the vicinity of the eutectic composition of Ge, by suppressing the content of the impurities to the above range, the sphericity of the alloy ball is improved, and the development of Au primary crystals and dendrite is suppressed, thus the Au-Ge alloy ball composed of a uniform and even fine eutectic structure can be obtained.例文帳に追加

これらＧｅの共晶組成付近において、不純物含有量を上記範囲に抑制することによって、合金球の真球度が向上し、Ａｕ初晶及びデンドライトの発達が抑制され、均一一様で微細な共晶組織からなるＡｕＧｅ合金球が得られる。 - 特許庁

The atomic concentration of Sb is between 3% and 16% and/or the Sb/Ge ratio is between 0.07 and 0.68 and/or the Ge/Te ratio is between 0.6 and 1.1 and/or the concentration of dielectric component (expressed as the sum of atomic concentrations of constituent elements) is between 95% and 50%.例文帳に追加

Ｓｂの原子濃度は３％から１６％であり、及び／又はＳｂ／Ｇｅ比は０．０７から０．６８であり、及び／又はＧｅ／Ｔｅ比は０．６から１．１であり、及び／又は誘電成分の濃度（その構成元素の原子濃度の合計）は９５％から５０％である。 - 特許庁

A first Pb-free solder alloy is a ternary system solder alloy composed principally of Zn and also containing Ge and Bi, and contains, by mass, 0.05-16.0% of Ge as a second element and 0.1-8.0% of Bi as a third element.例文帳に追加

第１のＰｂフリーはんだ合金は、Ｚｎを主成分とし、ＧｅとＢｉを含む３元系のはんだ合金であって、第２元素であるＧｅを０.０５質量％以上１６.０質量％以下、第３元素であるＢｉを０.１質量％以上８.０質量％以下含有する。 - 特許庁

The method of manufacturing the Ge-Sb-Te sputtering target material comprises steps of: preparing a powder fabricated by rapidly cooling a raw material containing Ge, Sb and Te by an atomization method using gaseous nitrogen atomization; subjecting the powder to cold or warm compaction; and sintering the resultant green compact.例文帳に追加

Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅを含む原料について窒素ガスを噴霧するアトマイズ方法により急冷した粉末を作製し、該粉末を冷間もしくは温間にて加圧成形した成形体を焼結することを特徴とするＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅスパッタリングターゲット材の製造方法。 - 特許庁

The low propagation loss optical waveguide is characterized in that a substrate with a monocrystal layer of Si, SiGe, or Ge, is used to form the optical waveguide on the monocrystal layer, and minute surface roughness present on the side face of the optical waveguide is improved by heat-treating the optical waveguide in a atmosphere of argon at a temperature of 500 to 1350°C.例文帳に追加

Si、SiGe又はGeの単結晶層を有する基板を用いて、該単結晶層に光導波路を形成し、温度500〜1350℃のアルゴン雰囲気中で熱処理することにより、該光導波路の側面に存在する微小な面荒れを改善することを特徴としている。 - 特許庁

The Ge ion-eluting Ag alloy having satisfactory corrosion resistance and plastic workability comprises, by mass, ≤97% Ag and 2 to 6% Ge, and the balance one or more selected from Au, Pd, Cu and In.例文帳に追加

９７ｍａｓｓ％以下のＡｇと，２〜６ｍａｓｓ％のＧｅを含み，残部がＡｕ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｉｎの１種類もしくは２種類以上からなることを特徴とするＧｅイオン溶出Ａｇ合金．これにより，耐食性および塑性加工性の良い，Ｇｅイオン溶出Ａｇ合金を提供することが出来る． - 特許庁

The bank end/nozzle distance L between the upstream end ge of a rubber bank G and the downstream end 2e of a nozzle 2 is regulated from -15 to +10 mm when the overlap side of the upstream end ge of the rubber bank G with the nozzle 2 is made positive.例文帳に追加

ゴム材の組成に応じて前記相対距離Ｋを変え、ゴムバンクＧの上流端ｇｅと、前記口金２の下流端２ｅとの間のバンク端・口金間距離Ｌを、前記ゴムバンクＧの上流端ｇｅが口金２にオーバラップする側を正として−１５〜＋１０ｍｍの範囲内で規制する。 - 特許庁

By utilizing high electron mobility for GeAs in an N-channel device and a high hole mobility for Ge in a P-channel device, a CMOS integrated circuit with GaAs/Ge is formed on an Si for improving the switching (propagation) delay of a transistor.例文帳に追加

Ｎチャンネル装置におけるＧａＡｓ用の高い電子移動度及びＰチャンネル装置におけるＧｅ用の高いホール移動度を利用することによってトランジスタのスイッチング（伝搬）遅延を改善するためにＳｉ上にＧａＡｓ／Ｇｅを有するＣＭＯＳ集積回路を形成する。 - 特許庁

A semiconductor substrate includes an Si substrate, a Ge layer crystal-grown on the substrate and having an isolated island shape, a buffer layer crystal-grown on the Ge layer and composed of a group 3-5 compound semiconductor layer including P, and a functional layer crystal-grown on the buffer layer.例文帳に追加

Ｓｉの基板と、基板上に結晶成長され、孤立した島状に形成されたＧｅ層と、Ｇｅ層の上に結晶成長され、Ｐを含む３−５族化合物半導体層からなるバッファ層と、バッファ層の上に結晶成長された機能層と、を備える半導体基板を提供する。 - 特許庁

By using SiO2 targets 8-1 to 8-4 containing Ge of a same compsn. for the formation of the core region 3 and clad region 2, 4, the Ge contents of the core region 3 and of the clad region 2, 4 can be controlled to match with each other with high accuracy.例文帳に追加

コア領域３及びクラッド領域２、４の形成に用いるＧｅを含有するＳｉＯ_2 ターゲット８−１〜８−４として同一組成のものを用いれば容易にコア領域３とクラッド領域２、４におけるＧｅの含有量を高精度で一致させることができる。 - 特許庁

The fuel injection device 5 injects fuel near the boundary (GB) between the fresh charge (GN) and the EGR gas (GE) so as to accelerate a swirl T1 of a first direction in the fresh charge (GN), as well as to accelerate a swirl T2 of an opposite direction in the EGR gas (GE).例文帳に追加

燃料噴射装置（５）は、新気（ＧＮ）における第一の方向の渦流（Ｔ１）を促進させるとともに、ＥＧＲガス（ＧＥ）における反対方向の渦流（Ｔ２）を促進させるように、新気（ＧＮ）とＥＧＲガス（ＧＥ）との境界（ＧＢ）付近に燃料を噴射する。 - 特許庁

The electromagnetic wave transmitting decoration substrate comprises: an electromagnetic wave transmitting glass substrate 1; an Si layer 2 formed on the glass substrate 1 to have a thickness of 5 to 30 nm; a Ge layer 3 formed on the surface of the Si layer 2 to have a thickness of 1 to 35 nm; and the decoration layer is formed as a laminate of the Si layer 2 and the Ge layer 3.例文帳に追加

電磁波透過性のガラス基板１上に、Ｓｉ層２を５ｎｍ〜３０ｎｍの膜厚となるように形成し、Ｓｉ層２の表面に、Ｇｅ層３を１ｎｍ〜３５ｎｍの膜厚となるように形成して、加飾層をＳｉ層２とＧｅ層３の積層体とする。 - 特許庁

Or, the self oscillation type blue/blue violet semiconductor laser or the high power blue/blue violet semiconductor laser containing the n-type clad layer, the active layer, and the p-type clad layer on the GaN substrate in which Si, O, Se, or Ge is doped comprises AlGaInN based compound, wherein a dopant concentration is not higher than 2×10^18 cm^-3.例文帳に追加

あるいは、Si、またはＯ、またはSe、またはGeをドーピングしたGaN基板上にn型クラッド層と活性層とp型クラッド層を含む自励発振型青／青紫色半導体レーザ又は高出力青／青紫色半導体レーザであって、ドーパント濃度が2×10^18cm^-3以下であり、AlGaInN系化合物から成る。 - 特許庁

The active substance for a nonaqueous electrolyte battery is a dioxide metal oxide M1 selected from among Ti, Mo, and W, added by M2 selected from among Cr, Fe, Ni, Cu, Zr, Ge, Sn, and Zn, and half-value width at the peak of maximum strength in an X-ray diffraction pattern is 1 degree or larger and 4 degrees or smaller.例文帳に追加

本発明の非水電解質電池用活物質は、Cr, Fe, Ni, Cu, Zr, Ge, Sn, Znから選ばれるM2が添加された、Ti, Mo, Wから選ばれるM1の二酸化金属酸化物であり、Ｘ線回折パターンにおいて最も強度の大きいピークの半値幅が１°以上４°未満であることを特徴とする。 - 特許庁

Disclosed is an n-type Mg intermetallic compound(Mg_2X) having an inverse fluorite structure and expressed by general formula: Mg_2X (X denotes one kind or a plurality of elements selected from the group 4 elements, Si, Ge and Sn, and includes at least either Si or Ge), and P is added as a donor additive.例文帳に追加

逆ホタル石構造を有する一般式：Ｍｇ_２Ｘ（Ｘは４族元素Ｓｉ及びＧｅ及びＳｎから選択される一種または複数の元素であって、少なくともＳｉとＧｅの一方を含む）であって、ドナー添加物として、Ｐを添加するようにした。 - 特許庁

In a ferroelectric Pb(Zr, Ti)O_3 where the A site ion of a ferroelectric perovskite material contains at least 4 coordination Si^4+ or Ge^4+ by 1% or more, reliability is enhanced significantly by adding at least one kind of Nb, V and W to B site by total 5-40 mol%.例文帳に追加

強誘電体ペロブスカイト材料のAサイトイオンに少なくとも4配位のSi^4+又はGe^4+を1%以上含んだ強誘電体Pb(Zr,Ti)O_3において、BサイトにNb、V、Wのうち、少なくとも1種類以上を合計で5モル%以上40モル%以下含むことにより信頼性を著しく向上させる。 - 特許庁

A sputtering target is composed of a high-purity Ge a Ge alloy containing, in the range of 0.1-50 atom.%, at least one element selected from Al, Si, Fe, Cr, Ta, Nb, Cu, Mn, Mo, W, Ni, Ti, Zr, Hf, Co, Ir, Pt, Ru, B and C.例文帳に追加

高純度Ｇｅ、もしくはＡｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｕ、ＢおよびＣから選ばれる少なくとも1種の元素を0.1〜50原子％の範囲で含むＧｅ合金からなるスパッタリングターゲットである。 - 特許庁

A matching means 12 retrieves a ghost that coincides with the generated predicted ghost Ge from an image that is actually obtained from the image pickup element 4.例文帳に追加

生成された予測ゴーストＧｅと一致するゴーストを、実際に撮像素子４から得られる画像からマッチング手段１２により検索する。 - 特許庁

To provide an optical waveguide having no excess loss in which Ge contents of the core and of the clad matches with each other with good accuracy, and to provide its producing method.例文帳に追加

過剰損失がなく、コア及びクラッドのＧｅの含有量が精度よく一致する光導波路及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

On a back surface of an n-type GaAs substrate 1, an n-type electrode Au-Ge layer and an n-type electrode Ni layer are sequentially deposited by a sputtering method.例文帳に追加

Ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に、Ｎ型電極Ａｕ−Ｇｅ層とＮ型電極Ｎｉ層とをスパッタにより順次蒸着する。 - 特許庁

In the antimony precursor that forms a Ge-Sb-Te phase change film, the antimony precursor contains antimony, nitrogen and silicon.例文帳に追加

Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ相変化膜形成用のアンチモン前駆体において、アンチモン前駆体は、アンチモン、窒素およびシリコンを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a GeOI substrate with a Ge layer having very flat junction interface with an oxidized layer, and having good quality characteristics.例文帳に追加

Ｇｅ層と酸化膜との接合界面の平坦性が良く、良好な品質特性を有するＧｅ層を備えたＧｅＯＩ基板の提供。 - 特許庁

A signal processing part 38 makes the processing coefficient string Ge act on each frequency component of the respective sound signal SIN_L and sound signal SIN_R.例文帳に追加

信号処理部３８は、音響信号ＳIN_Lおよび音響信号ＳIN_Rの各々の各周波数成分に処理係数列Ｇeを作用させる。 - 特許庁

To provide a film, or a dielectric material having R-Ge-TI-O where R is selected from Zr and Hf, and its manufacturing method.例文帳に追加

フィルム、またはＲがＺｒとＨｆから選択されたＲ−Ｇｅ−Ｔｉ−Ｏを備えた誘電材料とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The process for producing the fluorescent substance comprises contacting a fluorescent material containing Si element and/or Ge element with an acid, performing solid-liquid separation and then drying.例文帳に追加

Ｓｉ元素および／またはＧｅ元素を含有する蛍光物質を、酸と接触させ固液分離後、乾燥させる蛍光体の製造方法。 - 特許庁

To provide a method which can manufacture a distortion SOI substrate wherein an SiGe layer having Ge composition of high enough is contained and dislocation density is low.例文帳に追加

十分に高いＧｅ組成を有するＳｉＧｅ層を含み、転位密度の低いひずみＳＯＩ基板を製造できる方法を提供する。 - 特許庁

A gate electrode GE is formed on a region in between a source region and a drift region DR via an insulation layer FO.例文帳に追加

ゲート電極ＧＥは、ソース領域およびドリフト領域ＤＲに挟まれる領域上に絶縁層ＦＯを介在して形成されている。 - 特許庁