「Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The elements are preferably composed of at least one kind selected from the group consisting of Cu, In, Sn, Pb, Ge, Sb, Cd and Ag.例文帳に追加

前記元素は、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｃｄ、及びＡｇよりなる群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。 - 特許庁

A "ge" was an official document submitted by a lower grade governmental official (hikan) to a higher grade official (shokan) in the ritsuryo sytem (a system of centralized government based on the ritsuryo code). 例文帳に追加

解（げ）とは、律令制において下級の官司（被管）より上級の官司（所管）にあてて提出される公文書のこと。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate having low-density dislocation on which a lattice-relaxed SiGe layer of a high Ge composition is formed.例文帳に追加

転位密度の低い、かつ格子緩和した高Ｇｅ組成のＳｉＧｅ層が形成された半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition, by containing Ge and/or Ga, oxidation-resistant characteristic of the solder and suppression of elution of Co can be enhanced.例文帳に追加

さらに、Ｇｅ及び／又はＧａを含有させることによって、はんだの耐酸化特性とＣｏの溶出抑制を向上させることができる。 - 特許庁

The deletion of gE gene stably attenuates the virus and serves as an immunological marker differentiating vaccinated animals from infected animals.例文帳に追加

ｇＥ遺伝子の欠失は、ウイルスを安定的に弱毒化し、また感染動物からワクチン接種した動物を分別する免疫標識として働く。 - 特許庁

The semiconductor apparatus has a semiconductor substrate 1, an SiGe layer 7, a highly concentrated Ge layer 8, and a metal silicide layer 9.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、半導体基板１、ＳｉＧｅ層７、高濃度Ｇｅ層８および金属シリサイド層９を備えている。 - 特許庁

The coating is, e.g., composed of a dielectric multilayer film made of ZnS and ThF_4 or a dielectric multilayer film made of Ge and ZnS.例文帳に追加

コーティングは、例えば、ＺｎＳとＴｈＦ_４からなる誘電体多層膜またはＧｅとＺｎＳからなる誘電体多層膜で構成される。 - 特許庁

A memory cell gate electrode GE of the memory cell MC is formed on an element region 13 of a semiconductor substrate 11 via a gate insulation film 31.例文帳に追加

半導体基板１１の素子領域１３上に、ゲート絶縁膜３１を介して、メモリセルＭＣのメモリセルゲート電極ＧＥが形成されている。 - 特許庁

A Pt thin film 12 is formed on a germanium (Ge) substrate 11, and an Ni thin film 13 is formed above the Pt thin film 12.例文帳に追加

ゲルマニウム（Ｇｅ）基板１１上に、Ｐｔ薄膜１２が形成され、さらにＰｔ薄膜１２の上方にＮｉ薄膜１３が形成されている。 - 特許庁

Similarly, an optical fiber for an optical amplifier contains Ge-Ga-As-S glass and alkaline metal-halogenide and is doped with Dy.例文帳に追加

同様に、Ｇｅ−Ｇａ−Ａｓ−Ｓ系ガラスとアルカリ金属−ハロゲン化物を含み、Ｄｙがドーピングされている光増幅器用光繊維である。 - 特許庁

In order to achieve higher on-currents, a nanowire-based TFET with a germanium (Ge) tunnel barrier in another silicon (Si) channel is used.例文帳に追加

より高いオン電流を達成するために、他のシリコン（Ｓｉ）チャネル中にゲルマニウム（Ｇｅ）トンネルバリアを備えたナノワイヤベースのＴＦＥＴが用いられる。 - 特許庁

This electron gun 11 comprises an electrode GE with a function of adjusting the divergence angle of electron beams, between cathodes KR, KG, KB and a main electrostatic lens.例文帳に追加

カソードＫ_R ，Ｋ_G ，Ｋ_B と主電界レンズとの間に電子ビームの発散角調整機能をもつ電極Ｇ_E を有して電子銃１１を構成する。 - 特許庁

He spread his unique belief that a difference of jo (high) and ge (low) came from a difference of Mahayana Buddhism (based on altruism) and Hinayana Buddhism (based on egoism) or whether one got involved in evil things or not. 例文帳に追加

また上下の差を大乗・小乗の乗教や悪などとの接触による相違に帰するという独自の解釈を唱えた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The influence of Juyi BAI's "Changhen Ge" (The Song of Everlasting Sorrow) can be recognized in narratives written in kana (the Japanese syllabaries) such as "The Tale of Genji," especially in the chapter of 'Kiritsubo' (The Paulownia Court). 例文帳に追加

『源氏物語』などの仮名の物語文学においても、「桐壺」などで白楽天の『長恨歌』との関係が強く認められる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The strength of the localized oscillating peak of the dopant element observed by the Raman scattering spectrometry of a dopant atom dope Ge is determined by standardizing based on the optical phonon peak strength of Ge observed at 290-301 cm^-1, and the concentration of a dopant element doped in Ge is measured from the comparison data (calibration curve) between the concentration of the dopant element and the localized oscillating peak strength that are previously prepared.例文帳に追加

また、ドーパント元素ドープＧｅのラマン散乱分光測定で観測される前記ドーパント元素の局在振動ピークの強度を、２９０〜３０１ｃｍ^−１に観測されるＧｅの光学フォノンピーク強度を基準として規格化することによって求め、予め作成されている前記ドーパント元素の濃度と局在振動ピーク強度の比較データ（検量線）から、Ｇｅ中にドープされたドーパント元素の濃度を測定する。 - 特許庁

A substrate 1 formed of p-type Ge is cleaned with pure water and 0.1% HF, and then is rinsed with ultrapure water (refer to a process (a)).例文帳に追加

ｐ型Ｇｅからなる基板１は、純水および０．１％ＨＦによって洗浄され、その後、超純水によってリンスされる（工程（ａ）参照）。 - 特許庁

A fifth reflection surface pair 34 used for asymmetrically reflecting the X-rays by Ge {111} plane, and a reflecting surface 38 is non parallel with the {111} face.例文帳に追加

第５の反射面ペア３４はＧｅ｛１１１｝面でＸ線を非対称反射させるものであり、反射面３８は｛１１１｝面に対して非平行である。 - 特許庁

In the core region, a rare earth element (preferably Er element) and a P element of 2 wt.% or more and 5 wt.% or less are added but Ge is not added.例文帳に追加

コア領域は、希土類元素（好適にはＥｒ元素）および２wt％以上５wt％以下のＰ元素が添加されていて、Ｇｅが添加されていない。 - 特許庁

To provide a film, or a dielectric material having R-Ge-Ti-O where R is selected from Zr and Hf, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

フィルム、またはＲがＺｒとＨｆから選択されたＲ−Ｇｅ−Ｔｉ−Ｏを備えた誘電材料とその製造方法を提供する。 - 特許庁

For that purpose, the GaN substrate is made to contain at least one element among Si, Ge, O, and B in a concentration of 5×10^19 cm^-3 or above.例文帳に追加

そのために、ＧａＮ基板にＳｉ、Ｇｅ、Ｏ、Ｂのうち少なくとも一つ以上の元素を５×１０^19ｃｍ^-3以上の濃度で含有させる。 - 特許庁

Cathode material consisting of particles including at least 1 type from a group consisting of Si, Ge, Sn or Pb is contained in the cathode 24.例文帳に追加

負極２４は、Ｓｉ，Ｇｅ，ＳｎあるいはＰｂからなる群のうちの少なくとも１種を含む粒子よりなる負極材料を含有している。 - 特許庁

Ge is selectively grown on the diffusion layer in the contact hole 20 and on a side of the selective growth layer 15 to form a SiGe layer 24 by heat treatment.例文帳に追加

コンタクトホール２０内の拡散層上及び選択成長層１５の側面にＧｅを選択成長し、熱処理よりＳｉＧｅ層２４とする。 - 特許庁

To obtain an optical fiber with a structure having a small optical transmission loss and excellent in strength reliability even if elemental Ge is doped at a high concentration.例文帳に追加

高濃度のＧｅ元素が添加されていても光伝送損失が小さくかつ強度信頼性に優れた構造を備えた光ファイバを提供する。 - 特許庁

Prior to depositing the electrode film, ion implantation may be performed in order to render the surface amorphous by Ar ions, Ge ions or Xe ions.例文帳に追加

また、電極膜を成膜する前に、ＡｒイオンやＧｅイオンやＸｅイオンによって表面を非晶質化するためのイオン注入をおこなってもよい。 - 特許庁

The alloy comprises Sb of 11-15 in mass %, at least one of either Ni or Ge of 0.01-1 in mass % and substantially the remainder of Sn.例文帳に追加

Ｓｂを１１〜１５質量％、並びにＮｉおよびＧｅのうちの少なくとも１種を０．０１〜１質量％含み、残部が実質的にＳｎからなる。 - 特許庁

In this case, the optical waveguide 10 is desirably formed by connecting a Ge added GI type MMF 12 and an F added GI type MMF 11.例文帳に追加

本発明において、光導波路１０は、Ｇｅ添加ＧＩ型ＭＭＦ１２とＦ添加ＧＩ型ＭＭＦ１１とを接続して構成することが好ましい。 - 特許庁

When the control device determines that the level Ge of the slapping sound is a determination value Gc or more, it discontinues the warm-up promotion processing and starts to operate the pump 30.例文帳に追加

この打音レベルＧｅが判定値Ｇｃ以上であると判定したときには、暖機促進処理を中断してポンプ３０の運転を開始する。 - 特許庁

New polymers are provided that have non-carbon tetravalent species (Si, Ti, Ge, Zr, Sn) and photoimageable compositions that contain such polymers.例文帳に追加

非炭素四価化学種（Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｓｎ）を有する新規ポリマー、およびそのようなポリマーを含有するフォトイメージャブル組成物が提供される。 - 特許庁

There is provided the dielectric material having a film of R-Ge-Ti-O where R is selected from Zr and Hf, and the manufacturing method thereof.例文帳に追加

本発明は、ＲがＺｒとＨｆから選択される、Ｒ−Ｇｅ−Ｔｉ−Ｏのフィルムを備えた誘電材料に関し、また、その製造方法に関連する。 - 特許庁

A method for enhancing the luminance of a fluorescent material comprises contacting the fluorescent material containing Si element and/or Ge element with an acid, performing solid-liquid separation and then drying.例文帳に追加

Ｓｉ元素および／またはＧｅ元素を含有する蛍光物質を、酸と接触させ固液分離後、乾燥させる蛍光物質の輝度向上方法。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device is characterized in that a semiconductor substrate containing Ge is cleaned with an HCL solution of 75 to 110°C.例文帳に追加

Ｇｅを含有する半導体基板を、７５℃以上１１０℃以下のＨＣｌ溶液で洗浄処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The infrared-transparent structure is characterized in that a Ge layer is further laminated between the second Y_2O_3 layer and the diamond-like carbon layer.例文帳に追加

前記第２のＹ_２Ｏ_３層とダイヤモンド状炭素層との間に、さらにＧｅ層が積層されていることを特徴とする赤外線透過構造体。 - 特許庁

Then Ge_xSi_1-x buffer layers (Si/Ge_0.8Si_0.2/Ge_0.9Si_0.1/Ge)例文帳に追加

更に数個のＧｅ_ｘＳｉ_１‐ｘ緩衝層（Ｓｉ／Ｇｅ_０．８Ｓｉ_０．２／Ｇｅ_０．９Ｓｉ_０．１／Ｇｅ）１０３〜１０５がＵＨＶＣＶＤによりＳｉ基板上部に成長する。 - 特許庁

An SiGe source/drain layer, a strain Ge channel layer, and an SiGe source/drain layer are formed in layers and a gate electrode is formed on the sidewall through a gate insulation film.例文帳に追加

ＳｉＧｅソース／ドレイン層、ひずみＧｅチャネル層、ＳｉＧｅソース／ドレイン層を積層し、側壁にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する。 - 特許庁

Alternatively, the solder alloy has a composition containing 0.1 to <1.0% Ag, 0.1 to 10% In and ≤0.2% Ge, and the balance Sn with inevitable impurities.例文帳に追加

そして、Ａｇを０．１〜１．０％未満、Ｉｎを０．１〜１０％、Ｇｅを０．２％以下含み、残部Ｓｎおよび不可避的不純物からなるはんだ合金である。 - 特許庁

Further described is the use of [{nBuC(iPrN)_2}_2Ge] or Ge butyl amidinate to form GeTe smooth amorphous films for phase change memory applications.例文帳に追加

さらに、相変化型メモリー用途用のＧｅＴｅ平滑非晶質膜を形成するための、［｛ｎＢｕＣ（ｉＰｒＮ）_2｝_2Ｇｅ］又はＧｅブチルアミジネートの使用が記載されている。 - 特許庁

On March 1, 811, he was awarded Ge-jugoinoge (Jugoinoge (Junior Fifth Rank, Lower Grade) given to persons outside Kyoto), and on March 15 of the same year, assumed Daigaku no suke (assistant director of the Bureau of Education) and Sagaminokuni no jo (provincial governor of Sagami) in addition to Kiden hakase. 例文帳に追加

翌弘仁2年1月29日に外従五位下に叙せられて、2月13日には紀伝博士在任のまま、大学助と相模国掾を兼務した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Further, the junction 3 contains at least one element selected from the group consisting of Si, Ni, Mn, Co, Zn, Ge, Au, Ag and Pd.例文帳に追加

また、接合部３は、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｕ、ＡｇおよびＰｄからなる群より選択される少なくとも１種の元素を含む。 - 特許庁

As a result, a range in which function as an SiGeC layer is enabled in a condition that a C atom is made to enter a lattice position is enlarged as far as a range in which Ge composition ratio is high.例文帳に追加

これにより、Ｃ原子が格子位置に入った状態でＳｉＧｅＣ層として機能しうる範囲がＧｅ組成率の高い範囲まで拡大する。 - 特許庁

Preferably, the R2-based alloy may contain as a sub-element at least one of element selected from among Cu, Al, Ga, Ge, Sn, In, Si, P, and Co.例文帳に追加

上記Ｒ２系合金は、副元素として、Ｃｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｐ、Ｃｏから選択される少なくとも１種の元素を含んでいると良い - 特許庁

Each Al purity in the first and second Al sheets is ≥99.98 wt.%, and the brazing filler metals are of Al-Si series or Al-Ge series.例文帳に追加

第１及び第２Ａｌ板の各Ａｌ純度は９９．９８重量％以上であり、ロウ材はＡｌ−Ｓｉ系又はＡｌ−Ｇｅ系である。 - 特許庁

To provide a method for forming a dot unit containing Ge as a main component capable of simplifying steps and preventing characteristics of the quality of a device from being deteriorated.例文帳に追加

工程の簡略化が可能であり、デバイスの品質の特性の劣化防止が可能である，Ｇｅを主成分とするドット体の形成方法を提供する。 - 特許庁

Besides, the composition ratio of Ge in the thin-film SiGe layer on the insulating film in the part constituting the MOSFETs is made higher than that in the part constituting the HBT.例文帳に追加

さらにＭＯＳＦＥＴを構成する部分の絶縁膜上の薄膜ＳｉＧｅ層のＧｅ組成を、ＨＢＴを構成する部分のそれより高くする。 - 特許庁

Thereby, the additive amount of Ge is stabilized, and a high-quality glass fine particle deposited body 16 having desired refractive index distribution can be manufactured.例文帳に追加

これにより、Ｇｅの添加量を安定化させ、所望の屈折率分布を有する高品質のガラス微粒子堆積体１６を製造することができる。 - 特許庁

To provide a high-breakdown-voltage semiconductor device for preventing a leakage current from easily flowing with the segregation layer of Ge as a path, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

Ｇｅの偏析層を経路として流れる漏れ電流を容易に生じない高耐圧の半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁