「Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A Ge film is epitaxially grown on the main surface of an Si substrate 10 by a CVD method.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０の主面上にＧｅの膜をＣＶＤ法でエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To effectively suppress the generation of a micro arc even if power supply to a target is increased in order to shorten a tact time necessary for sputtering when film-forming a Ge simple film, a Ge compound film, a Ge alloy film, and the like, by sputtering method.例文帳に追加

Ｇｅ単体膜、Ｇｅ化合物膜、Ｇｅ合金膜などをスパッタ法により成膜する際に、スパッタリングに要するタクトタイムを短縮するために、ターゲットへの投入電力を増大させた場合においても、マイクロアークの発生を有効に抑制することを可能にする。 - 特許庁

Concretely, a hardened layer mainly made up of an Au-Pd-Si alloy, an Au-Pt-Si alloy, an Au-Pd-Pt-Si alloy, an Au-Pd-Ge alloy, an Au-Pt-Ge alloy or an Au-Pd-Pt-Ge alloy is formed.例文帳に追加

具体的にはＡｕ−Ｐｄ−Ｓｉ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｓｉ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｐｔ−Ｓｉ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｇｅ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｇｅ合金またはＡｕ−Ｐｄ−Ｐｔ−Ｇｅ合金を主体とする硬化層を形成させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device wherein upon manufacturing Ge dots in multistage a Ge dot is formed at a position of an inverse pyramid recess on an Si substrate which is artificially position-controlled without causing the Ge dot to be split.例文帳に追加

本発明では、多段にＧｅドットを製造する場合に、Ｇｅドットが分裂せずに人為的に位置制御されたＳｉ基板上の逆ピラミッド凹部の位置に多段にＧｅドットが形成される半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

In a third process, remote plasma oxygen generated by a remote plasma unit 27 is supplied from a third gas supply pipe 12 to oxidize the Ge-metal; a metal-Ge-oxygen bond and a metal-oxygen-Ge bond are generated, and those are sublimated and exhausted outside the treatment chamber.例文帳に追加

第３工程では、リモートプラズマユニット２７で生成したリモートプラズマ酸素を第３ガス供給管１２から供給してＧｅ−金属を酸化し、金属−Ｇｅ−酸素、金属−酸素−Ｇｅ結合を作り、これを昇華して処理室外へ排気する。 - 特許庁

A soft magnetic backing layer is film-formed on a nonmagnetic substrate, and, a seed film with a composition composed of Cu and Ge is film-formed thereon using a sputtering target whose composition is composed of Cu-Ge.例文帳に追加

非磁性基板上に軟磁性裏打ち層を製膜し、その上に組成がＣｕ−Ｇｅからなるスパッタリングターゲットを用いてＣｕとＧｅからなる組成のシード膜を製膜する。 - 特許庁

To efficiently separate one or more of Ga, Ge and In from a material containing one or more of Ga, Ge and In as solid material by a simple process.例文帳に追加

Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を固形物として含有するものからＧａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を単純な工程で効率よく分離することを可能にする。 - 特許庁

The optical fiber (10, 20) is composed of a core region of Ge added silica glass and a clad region of silica glass, wherein its refractive index profile is such that a portion equivalent to the core region is substantially a unimodal shape.例文帳に追加

当該光ファイバ(10,20)は、Ge添加シリカガラスのコア領域とシリカガラスのクラッド領域を備え、その屈折率プロファイルは、該コア領域に相当する部分が実質的に単峰形状である。 - 特許庁

The whole other than a surface layer is composed of an alloy having an Au-Ge eutectic composition or an alloy having a composition near the eutectic composition, and the surface layer is composed of an Au solid solution in which Au and Ge are solid-soluted.例文帳に追加

表面層を除く全体が、ＡｕとＧｅの共晶もしくは共晶近傍の合金からなり、表面層は、ＡｕがＧｅを固溶しているＡｕ固溶体からなる。 - 特許庁

The solder may further comprise at least one oxidation-inhibiting element selected from the group consisting of P, Ge, and Ga in a total amount of 0.001 to 0.5 mass%, and/or Ag in an amount of 0.005 to 2 mass% as a wettability improving element.例文帳に追加

はんだ合金は、さらに、P 、Ge、Gaのような酸化抑制元素を 0.001〜0.5 質量％、および／またはAgのような濡れ性改善元素を 0.005〜２質量％の量で含有してもよい。 - 特許庁

For example, the SiGe has Ge of 20% concentration on the substrate interface of Si, Ge of 30 % concentration on the upper end surface of the SiGe film, and a thickness of 400 nm.例文帳に追加

例えば、ＳｉＧｅは、Ｓｉの基板界面において２０％の濃度のＧｅ、ＳｉＧｅ膜の上端面において３０％の濃度のＧｅ、および、４００ｎｍの厚さを有する。 - 特許庁

To provide a method for obtaining a Ge crystal thin film of sufficient crystal quality, by applying thermal annealing to Ge crystals, even when a portion of low thermal resistance such as a silicon device is provided in a Si substrate.例文帳に追加

シリコンデバイス等耐熱性の低い部位がＳｉ基板に設けられた場合でも、Ｇｅ結晶に熱アニールを施し、十分な結晶品質のＧｅ結晶薄膜を得る。 - 特許庁

The gold alloy for casting includes: 5-50 mass% of at least one of Pt and Pd; 0.8-5 mass% Ge; and the balance Au, wherein the surface thereof is covered with a white oxide layer.例文帳に追加

Pt及びPdの少なくとも１種を5〜50mass％、Geを0.8〜5mass％含み、残部がAuからなり、合金表面が白色酸化物層で覆われていることを特徴とする鋳造用金合金。 - 特許庁

In the method, two Si lumps of a first solid Si lump 10 and a second solid Si lump 12 are brought into contact via a Ge material 14 which is brazing filler metal and are joined by brazing and soldering using pulsed laser.例文帳に追加

固体状態の第1のSi塊10及び第2のSi塊12の2つのSi塊を、鑞材であるGe材14を介して接触させて、パルスレーザによる鑞接によって接着する方法である。 - 特許庁

A frame reception time transmission control means 27 cancels only the transmission inhibition of GE-PON frame due to the frame transmission inhibiting means 25, when the received frame is a GE-PON frame.例文帳に追加

フレーム受信時送信制御手段２７は、受信したフレームがＧＥ−ＰＯＮのフレームのときフレーム送信禁止手段２５によるＧＥ−ＰＯＮのフレームの送信禁止のみを解除する。 - 特許庁

Each of unit processing sections U[n] creates a processing coefficient sequence Ge_n comprised of coefficient values Ge[1]_n to Ge[K] for each frequency from stereo acoustic signals SIN_L and SIN_R.例文帳に追加

各単位処理部Ｕ[n]は、周波数毎の係数値Ｇe[1]_n〜Ｇe[K]で構成される処理係数列Ｇe_nをステレオ形式の音響信号ＳIN_Lおよび音響信号ＳIN_Rから生成する。 - 特許庁

A semiconductor substrate is provided, where the substrate includes an Si substrate, a Ge layer crystal-grown on the substrate and having an isolated island shape, and a functional layer crystal-grown on the Ge layer.例文帳に追加

Ｓｉの基板と、基板上に結晶成長され、孤立した島状に形成されたＧｅ層と、Ｇｅ層上に結晶成長された機能層と、を備える半導体基板を提供する。 - 特許庁

The Mg-based ferrite material includes Li, Na, K, Pb, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, or their combinations, wherein the saturation magnetization is 30 to 80 emu/g and the dielectric breakdown voltage is 1.5 to 5.0 kV.例文帳に追加

本発明のMg系フェライト材料は、Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, またはそれらの組み合わせを含み、飽和磁化が30〜80emu/gであり、絶縁破壊電圧が1.5〜5.0 kVである。 - 特許庁

The semiconductor device has a Ge semiconductor region and an insulating film region which directly contacts with the Ge semiconductor region and contains a metal, germanium, and oxygen.例文帳に追加

Ｇｅ半導体領域と、前記Ｇｅ半導体領域に直接接して形成され、金属、ゲルマニウムおよび酸素を含有する絶縁膜領域とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

The Pb-free soldering alloy may further contain at least one kind among Mg and Ge, which is 0.3-4.0 mass% in case of Mg or 0.3-3.0 mass% in case of Ge.例文帳に追加

このＰｂフリーはんだ合金には、更にＭｇ及びＧｅの少なくとも１種が、Ｍｇの場合は０.３〜４.０質量％、Ｇｅの場合は０.３〜３.０質量％含まれていてもよい。 - 特許庁

A Ge nanowire is produced by growing a mixture crystal nanowire of Si and Ge by a vapor-liquid-solid phase (VLS) growth method and coating the filament with an SiO_2 film by oxidation concentration method.例文帳に追加

気相−液相−固相（Vapor-Liquid-Solid: VLS ）成長法により、Ｓｉと Ｇｅの混晶ナノ細線を成長し、酸化濃縮法によりＳｉＯ_2 膜で被覆されたＧｅナノ細線 を作製する。 - 特許庁

When H atoms are attached to Ge atoms on the outermost surface, the phenomenon occurs, in which the Ge atoms are interchanged with Si atoms present in the underlying layer, so that a higher proportion of Ge atoms are interchanged with Si atoms than in the conventional production methods, which does not involve the exposure to the atomic hydrogen.例文帳に追加

最表面のＧｅ原子にＨ原子が付着すると、そのＧｅ原子と、その下層に存在するＳｉ原子とが入れ替わる現象がおこるので、原子状水素を暴露しない従来の製造方法よりも、より多くの割合のＧｅ原子がＳｉ原子と入れ替わることになる。 - 特許庁

In Mizuki's paintings of ghosts, Ittan-momen is portrayed as a creature having two eyes and two arms, as well as other characteristics in "Ge Ge Ge no Kitaro," but this is only Mizuki's imagination, so in real folklore and from descriptions by witnesses below, Ittan-momen is said to be just a cloth-like flying object, having neither eyes nor arms. 例文帳に追加

なお水木の妖怪画では『鬼太郎』に登場するキャラクターのように、2つの目と2本の腕を持つ布の姿で描かれているが、これはあくまで創作であり、実際の伝承や後述の目撃談では目も腕もなく、単に布に似た飛行物体とされる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Each of GE 11-14 is provided with a plotting operation processor 34 for performing coordinate calculating processing to the distributed plotting command, a GE into FIFO 32 for holding the plotting command and a FIFO capacity check circuit 33 for checking the empty capacity of the GE input FIFO.例文帳に追加

各ＧＥ１１〜１４は、分配されてくる描画コマンドに対して座標計算処理を行う描画演算プロセッサ３４と、描画コマンドを保持するＧＥ入力ＦＩＦＯ３２と、ＧＥ入力ＦＩＦＯの空き容量をチェックするＦＩＦＯ容量チェック回路３３とを備える。 - 特許庁

To provide a Ge crystal growth method using a cast process, wherein the crystal orientation of the Ge crystal can be freely controlled, and a textured structure uniform in shape and orientation is easily formed within the Ge crystal so that a wafer cut from the Ge crystal may have a textured structure uniform in shape and orientation after it is subjected to a specified etching operation.例文帳に追加

キャスト法を用いたＧｅ系結晶の成長方法において、前記Ｇｅ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｇｅ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｇｅ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。 - 特許庁

In a process where a leach liquor is added to the the material containing one or more of Ga, Ge and In, and one or more of Ga, Ge and In are leached and separated, a sulfurizing agent is added to the leach liquor, thus one or more of Ga, Ge and In are efficiently leached and separated from the material containing one or more of Ga, Ge and In.例文帳に追加

Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を含有するものに浸出液を加えてＧａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を浸出して分離する過程において、この浸出液に硫化剤を添加することによって、前記Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を含有するものからＧａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を効率よく浸出して分離する。 - 特許庁

The method for manufacturing the gallium oxide nanostructure comprises the steps of: using a sintered compact comprising gallium oxide powder and the powder of at least one element selected from Si, Ge and Sn or the oxide powder of the selected element as a base stock; and heating the sintered compact in a substantially oxygenless atmosphere to mix at least one element selected from Si, Ge and Sn in the gallium oxide crystal.例文帳に追加

酸化ガリウム粉末とSi、Ge、Snから選ばれた少なくとも１種類の元素の粉末又はその酸化物粉末とからなる焼結体を素材とし、この焼結体を、実質的に酸素を含まない雰囲気下で加熱することにより、酸化ガリウム結晶中に、Si、Ge、Snから選ばれた少なくとも１種類の元素を混入させた酸化ガリウムナノ構造体を得る。 - 特許庁

To produce a thick, smooth, and relaxed Si_xGe_1-x film with high Ge content.例文帳に追加

高いＧｅ含有率を有する厚く平滑な緩和Ｓｉ_ＸＧｅ_１−Ｘ膜を製造すること。 - 特許庁

A crystal piece containing at least Ge is set on the bottom of a crucible 11 for cast growth.例文帳に追加

キャスト成長用坩堝１１の底部に、少なくともＧｅを含む結晶片を配置する。 - 特許庁

To provide a phosphor comprising an Si element and/or a Ge element and exhibiting high luminance.例文帳に追加

Ｓｉ元素および／またはＧｅ元素を含有する高い輝度を示す蛍光体を提供する。 - 特許庁

Here, when selecting 'YES', the navigation device relates the facility EN to the genre GE.例文帳に追加

ここでも「はい」が選択されたならば、ナビゲーション装置は施設ＥＮをジャンルＧＥに関連付ける。 - 特許庁

The dielectric composition is composed of a crystal phase of CaWO_4 as a principal component and contains Pb and Ge as secondary components.例文帳に追加

ＣａＷＯ_４ の結晶相を主成分とし、副成分としてＰｂおよびＧｅを含む。 - 特許庁

As a result, dislocation density around the center of the top surface of the Ge island 2 can be reduced.例文帳に追加

そのため、Ｇｅアイランド２の上面中心付近の転位密度を低減させることができる。 - 特許庁

(3) The medium is the optical recording medium described in (1) or (2) which recording layer includes at least Ge, Sb, Te.例文帳に追加

３）記録層が、少なくともＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを含む１）又は２）記載の光記録媒体。 - 特許庁

As the semiconductor material, one of Ge, InGaAs, and InGaAsP is preferably used.例文帳に追加

半導体材料としては、Ｇｅ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰのいずれかを用いるのが好ましい。 - 特許庁

To provide a Ge negative electrode for a lithium-ion secondary battery which has little deterioration due to charging and discharging.例文帳に追加

充放電に伴う劣化の少ない、リチウムイオン二次電池のＧｅ負極を提供すること。 - 特許庁

In 740, he followed the Emperor Shomu's visit to Togoku (eastern provinces) and became Ge-jugoinojo (Jugoinojo, Junior Fifth Rank, Upper Grade given to persons outside Kyoto). 例文帳に追加

天平12年に聖武天皇の東国行幸に従って外従五位上になった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

For this contribution, he was promoted from Shorokuinojo (Senior Sixth Rank, Upper Grade) to Ge-jugoinoge (Jugoinoge [Junior Fifth Rank, Lower Grade) given to persons outside Kyoto] in August of the same year. 例文帳に追加

この功により、同年8月に正六位上から外従五位下に昇進した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Shoshii was divided into upper and lower, and ranked below Jusanmi no ge and above Jushiinojo under the Ritsuryo system. 例文帳に追加

正四位は律令制下においては上下に分けられ、従三位の下、従四位の上に位する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The deletion mutant of the bovine herpesvirus type 1 has a deletion in the glycoprotein gE-gene.例文帳に追加

糖蛋白質ｇＥ−遺伝子中に欠失を有する１型ウシヘルペスウイルスの欠失突然変異株。 - 特許庁

A tensile strain Si channel layer 13 is formed on the surface of the Si-Ge layer 12.例文帳に追加

Ｓｉ−Ｇｅ層１２の表面には引っ張り歪みＳｉチャネル層１３が形成されている。 - 特許庁

M is preferably at least one element selected from the group comprising, for example, Sn, Ge, Si and Pb and more preferably at least one element selected from the group comprising Sn and Ge.例文帳に追加

Ｍは、例えばＳｎ、Ｇｅ、Ｓｉ及びＰｂからなる群から選択される少なくとも何れか１種が好ましく、Ｓｎ及びＧｅからなる群から選択される少なくとも何れか１種がより好ましい。 - 特許庁

A signal processing part 38 makes the respective coefficient values (Ge(k) and Gs(k)) of the processing coefficient string (Ge and Gs) act on respective frequency components (LAk(e^jω) and RAk(e^jω)) of the sound signal SIN_L and the sound signal SIN_R.例文帳に追加

信号処理部３８は、音響信号ＳIN_Lおよび音響信号ＳIN_Rの各々の各周波数成分（ＬAk(e^jω)，ＲAk(e^jω)）に処理係数列（Ｇe，Ｇs）の各係数値（Ｇe[k]，Ｇs[k]）を作用させる。 - 特許庁

To prevent the unstable factor of a device characteristic by solving the problem that a Ge layer is formed in the growth interface of an SiGe layer in a conventional technique.例文帳に追加

本発明は、従来技術においてSiGe層成長界面にGe層が形成される可能性があるという課題を解決することにより、デバイス特性の不安定要因を回避しようとするものである。 - 特許庁

Chemical precursors of the formula (F3C)4-m-nMXmRn are preferred, wherein M is Si or Ge, X is halogen, R is H or D, m is 0, 1, 2 or 3, and n is 0, 1, 2 or 3, with the provision that (m+n)≤3.例文帳に追加

化学式(F_3C)_4-m-nMX_mR_nの化学前駆体が好適であり、ここでMはSi若しくはGeであり、Xはハロゲンであり、RはH若しくはDであり、mは0、1、2若しくは3であり、nは0、1、2若しくは3であり、条件(m+n)≦3を有する。 - 特許庁