「Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, in the phosphor composition, total 0.0003-0.02 mol of a metallic element including Ti, Ge, or Ta as a metallic element having a valence of more than three, for example, a tetravalent or pentavalent metallic element is added to 1 mol of (Ln_1-xEu_x)MO_3.例文帳に追加

さらに、蛍光体組成物には、（Ｌｎ_1-xＥｕ_x）ＭＯ_3１ｍｏｌに対して、３価より大きな価数を有する金属元素、たとえば、４価または５価である金属元素としてＴｉ、ＧｅまたはＴａを含む金属元素が、合計で０．０００３ｍｏｌ〜０．０２ｍｏｌの範囲で添加されている。 - 特許庁

The second layer 3a is formed by dispersing at least one or more among particles of a metal selected from a group of Si, Ge, Sn, In and Pb, alloy particles, and metal oxide particles in a solution obtained by dissolving the binder in a solvent, applying the coating liquid, and drying it.例文帳に追加

第二の層３ａは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、ＩｎおよびＰｂからなる群から選択される金属粒子、合金粒子、金属酸化物粒子の内、少なくとも一以上を、結着剤を溶媒に溶かした溶液中に分散し、その塗液を塗布、乾燥することによって形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a photoelectric conversion device capable of improving electric power generation characteristics of a solar cell having a hetero junction cell composed of a p-type crystal Ge (substrate), an i-type amorphous silicon semiconductor layer, and an n-type amorphous silicon semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型結晶Ｇｅ（基板）／ｉ型非晶質シリコン半導体層／ｎ型非晶質シリコン半導体層からなるヘテロ接合セルを有する太陽電池の発電特性を向上させることのできる光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A Ge-based substrate or an SiGe-based substrate of the semiconductor film is cleaned by a hydrochloric acid solution or a hydrochloric acid added with hydrofluoric acid, the cleaned substrate is annealed by hydrogen in a CVD deposition apparatus, and finally a deposition gas is introduced into the CVD layer apparatus.例文帳に追加

半導体膜の製造方法は、Ｇｅ系基板あるいはＳｉＧｅ基板を塩酸溶液あるいは弗酸添加塩酸溶液で洗浄し、洗浄後の基板をＣＶＤ成膜装置内で水素アニールし、ＣＶＤ層装置内に成膜ガスを導入し、半導体膜を形成する。 - 特許庁

The state change promoting material layer 14 consists essentially of at least one element of Sn, Ti, Si, Bi, Ge, C and the like and a dielectric material as a base material in the dielectric layers 16A and 16B contains at least one kind of material of ZnS, SiO_2, AlN, Ta_2O_5 and the like.例文帳に追加

状態変化促進材層１６は、Ｓｎ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｂｉ，Ｇｅ，Ｃ等のうちのいずれかの元素を主成分とし、誘電体層１４Ａ、１４Ｂにおける母材としての誘電体材は、ＺｎＳ，ＳｉＯ_２，ＡｌＮ，Ｔａ_２Ｏ_５等のうち少なくとも１種類の材料を含んで構成されている。 - 特許庁

When musical piece data Dm is inputted, the note events to be guided in playing are determined from the musical piece data Dm according to the presence or absence Ge or De of the playing guides and note event sound production and the playing guide information Gp to the playing operation apparatus having the allocation As of the note events is formed (MG).例文帳に追加

楽曲データＤｍが入力されると、演奏ガイドや音符イベント発音の有無Ｇｅ，Ｄｅに応じて、楽曲データＤｍから演奏ガイドすべき音符イベントが決定され、この音符イベントの割当てＡｓがある演奏操作装置への演奏ガイド情報Ｇｐが生成される（ＭＧ）。 - 特許庁

With this playing guide system, the presence or absence Ge of playing guides for the plural playing apparatus 41 to 4n is previously set; the allocation As of note events (pitches or pitch names) is carried out and the presence or absence De of the sound production of the note events (pitches or pitch names) is previously set (ST).例文帳に追加

この発明による演奏ガイドシステムでは、予め、複数の演奏操作装置４１〜４ｎに対して演奏ガイドの有無Ｇｅを設定し音符イベント（音高又は音名）の割当てＡｓを行い、音符イベント（音高又は音名）の発音の有無Ｄｅを設定しておく（ＳＴ）。 - 特許庁

The target can be obtd., e.g. by subjecting the powder of one or ≥ two kinds among (C, B, Ir, W, Ge, CeO2 and RuO2) of ≤49 atomic% and Ta powder of ≥51 atomic% to pressure sintering at ≥700°C under ≥50 MPa.例文帳に追加

本発明のターゲットは、たとえば、４９原子％以下の（Ｃ、Ｂ、Ｉｒ、Ｗ、Ｇｅ、ＣｅＯ_2、ＲｕＯ_2）の１種または２種以上の粉末と、５１原子％以上のＴａ粉末とを７００℃以上、かつ５０ＭＰａ以上で加圧焼結を行うことにより得ることができる。 - 特許庁

This device is made up of an interference light source part 10, a measuring part 20, and a signal processing part 30, and the measuring part 20 is provided with a hemispheric prism 21 made of Ge. an incident angle varying device 22, and a detector 23 for sensing totally reflected light from a surface of a sample, in a closed sample chamber.例文帳に追加

上記装置を干渉光源部１０、測定部２０及び信号処理部３０で構成し、測定部２０では、密閉した試料室内にＧｅからなる半球状プリズム２１と、入射角度可変装置２２と、サンプル表面からの全反射光を感知するディテクタ２３とを設ける。 - 特許庁

Phosphorus and arsenic which are impurities contained in silicon tetrafluoride are removed by bringing the silicon tetrafluoride into contact with at least one of a metal selected from silicon (Si) or germanium (Ge) at ≥300°C and further adding ≥1 vol.% water into the silicon tetrafluoride.例文帳に追加

四フッ化珪素中に含まれる不純物であるリン、ヒ素を除去するために、珪素（Ｓｉ）、またはゲルマニウム（Ｇｅ）から選ばれる少なくとも一つの金属と３００℃以上の温度で接触させ、さらには、四フッ化珪素中に１ｖｏｌ％以上の水素を含有させる。 - 特許庁

As another method, first a polycrystalline silicon film is formed and thereafter at least one kind of tin (Sn), germanium (Ge) and lead (Pb) is added to the obtained polycrystalline silicon film by ion implantation method, ion doping method or diffusion method, and the impurity added polycrystalline silicon film 2 is formed.例文帳に追加

他の方法として、まず多結晶シリコンを成膜し、その後、得られた多結晶シリコン膜に錫（Ｓｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、鉛（Ｐｂ）の少なくとも一種をイオン注入法、イオンドープ法あるいは拡散法により添加して不純物添加多結晶シリコン膜２を形成する。 - 特許庁

The multilayer film filter formed by laminating a plurality of light absorbing films and a plurality of dielectric films on both surfaces of a transparent substrate uses at least one of simple-substance germanium (Ge) and simple-substance silicon (Si) for the light absorbing films.例文帳に追加

透明な基板の両面に複数の光吸収膜と複数の誘電体膜を積層状に成膜させて構成される多層膜ＮＤフィルターにおいて、前記光吸収膜として単体ゲルマニウム（Ｇｅ）及び単体シリコン（Ｓｉ）の少なくともいずれか一方を使用するようにした。 - 特許庁

The active compounds are substituted triaryl methane compounds or analogues thereof where one or more of the aryl groups are replaced with a heteroaryl, cycloalkyl or heterocycloalkyl group and/or the tertiary carbon atom is replaced with a different atom such as Si, Ge, N or P.例文帳に追加

活性化合物は、置換されたトリアリールメタン化合物又はこれらの類似体であって、１以上のアリール基がヘテロアリール、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキル基で置換され、及び／又は四級炭素原子がＳｉ、Ｇｅ、Ｎ又はＰのような異なった原子で置換されるものである。 - 特許庁

The optical system comprises a positive meniscus lens 1 having positive refractive power, a biconcave lens 2 having negative refractive power, and a positive meniscus lens 3 having positive refractive power, and germanium Ge is used as raw materials for the positive meniscus lenses 1 and 3 and the biconcave lens 2.例文帳に追加

正の屈折力を有する正メニスカスレンズ１と、負の屈折力を有する両凹レンズ２と、正の屈折力を有する正メニスカスレンズ３とから光学系を構成して、正メニスカスレンズ１，３及び両凹レンズ２の原料としてゲルマニウムＧｅを用いるように構成した。 - 特許庁

To improve adhesiveness between a optical conductive layer and an electrode by preventing film separation of the optical conductive layer consisting of a sintered body of Bi_12MO_20 (where M is at least one kind selected from among Ge, Si and Ti) forming a radiation imaging panel for recording radiograph information as an electrostatic latent image.例文帳に追加

放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成するＢｉ_12ＭＯ_20（ただし、ＭはＧｅ，Ｓｉ，Ｔｉ中の少なくとも１種である。）焼結体からなる光導電層の膜剥がれを抑制し、電極との密着が良好なものとする。 - 特許庁

Co_2Mn(Ge_1-xSn_x) alloy is employed as the material of a free magnetic layer 16 and a second fixed magnetic layer 14c, and the composition ratio of Ge element and Sn element is adjusted for adjusting the lattice constant of the second fixed magnetic layer 14c and the free magnetic layer 16.例文帳に追加

第２固定磁性層１４ｃやフリー磁性層１６の材料にＣｏ_２Ｍｎ（Ｇｅ_１−ｘＳｎ_ｘ）合金を用い、さらにＧｅ元素とＳｎ元素の組成比率を調節することで、第２固定磁性層１４ｃやフリー磁性層１６の格子定数を調整している。 - 特許庁

Further, when at least one element of 0.001-0.1 wt.% P, 0.001-0.1 wt.% Ga, and 0.001-0.1 wt.% Ge are added to the lead-free solder alloy, the oxidation of the solder alloy is improved and dross caused by flow soldering is greatly suppressed.例文帳に追加

さらに、前記鉛フリー半田合金に、Ｐが０．００１〜０．１重量％、Ｇａが０．００１〜０．１重量％、Ｇｅが０．００１〜０．１重量％の少なくとも一種以上が添加されると、半田合金の酸化が改善され、フローソルダリング時に発生するドロスを大幅に抑制する。 - 特許庁

A fabric with rubber 10 has a tire cord 11 whose cord density is almost uniform over the whole width, and Mooney viscosity Ve of topping rubber Ge arranged in the side edge region Ye of the cord fabric 13 is made 1.05-1.20 times the Mooney viscosity Vc of topping rubber Gc arranged in the central region Yc.例文帳に追加

ゴム付きファブリック１０は、タイヤコード１１のコード密度が全巾に亘って略等しく、簾織物１３の側縁領域Ｙｅに配されるトッピングゴムＧｅのムーニ−粘度Ｖｅは、中央領域Ｙｃに配されるトッピングゴムＧｃのムーニ−粘度Ｖｃの１．０５〜１．２０倍である。 - 特許庁

(1) A barrier layer 19 containing the nitride, oxide, carbide or oxynitride of an element α (α is at least one element selected from Sn, In, Zr, Si, Cr, Al, Ta, V, Nb, Mo, W, Ti, Mg and Ge) is disposed between the fourth dielectric layer and the reflecting layer.例文帳に追加

（１）誘電体層と反射層間に元素α（αはＳｎ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｇｅのうち少なくとも１元素）の窒化物、あるいは酸化物、あるいは炭化物、あるいは窒酸化物を含むバリア層１９を設ける。 - 特許庁

An Al alloy core containing 15 at% to 40 at% Ge is obtained by heat treating a composite multi-core wire in which a plurality of wires having a core diameter of 2-20 μm are arranged in an Nb matrix for 5 hours or more at 1300-1600°C, and additionally heat treating at 650-900°C.例文帳に追加

１５ａｔ％〜４０ａｔ％のＧｅを含むＡｌ合金芯が、Ｎｂマトリクス中に芯径２μｍ〜２０μｍで複数配置された複合多芯線材に、1300℃〜1600℃の温度範囲に５時間以上保持する熱処理を行い、次いで650℃〜900℃の温度範囲で追加熱処理する。 - 特許庁

The write-once optical recording medium comprises an oxide film 3 constituting an inorganic recording film on a base material, wherein the oxide film 3 comprises a recording material derived from an oxide Ge_1O_x(x is an atomic ratio) of germanium (Ge) and a composition of the oxide film 3 is 1.0<x<2.0.例文帳に追加

基体上に、無機記録膜を構成する酸化物膜３を有する追記型光記録媒体であって、上記酸化物膜３が、ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物Ｇｅ_１Ｏ_ｘ（ｘは原子比）による記録材料よりなり、上記酸化物膜３のＧｅ_１Ｏ_ｘの組成が、１．０＜ｘ＜２．０とする。 - 特許庁

Even when the position of an EB bonding part 33 is fluctuated, since the EB bonding part 33 is located in one part of the upper SiGe layer 18b, the fluctuation of the Ge content in the EB bonding part 33 can be suppressed so that the high current amplification factor can be stably provided.例文帳に追加

ＥＢ接合部３３の位置が変動しても、ＥＢ接合部３３がＳｉＧｅ上部層１８ｂ中の一部位にあるので、ＥＢ接合部３３におけるＧｅ含有率の変動を抑制することができ、高い電流増幅率を安定して得ることができる。 - 特許庁

The recording film 18 has 30 to 80% light transmittance to a laser beam and is formed by using a phase change material which consists essentially of Sb and Ge and is rewritable by an optical system of λ/NA≤650 nm when a numerical aperture of an objective lens and the wavelength of the laser beam are defined as NA and λ, respectively.例文帳に追加

又、記録膜１８は、レーザービームに対する光透過率が３０〜８０％とされ、且つ、Ｓｂ、Ｇｅを主成分とし、対物レンズの開口数をＮＡ、レーザービームの波長をλとしたときλ／ＮＡ≦６５０ｎｍの光学系により書換え可能な相変化材料から形成されている。 - 特許庁

This zinc alloy powder for the alkali manganese battery is formed by applying 0.01-10 wt.% of liquid saturated hydrocarbon based oil to zinc alloy powder having accompanied impurities whereof a Ge content is 20 ppb or less, a Sb content is 50 ppb or less, an As content is 5 ppb or less, and a Fe content is 5 ppm or less.例文帳に追加

随伴不純物のＧｅの含有量が２０ｐｐｂ以下、Ｓｂ５０ｐｐｂ以下、Ａｓ５ｐｐｂ以下、Ｆｅの含有量が５ｐｐｍ以下の亜鉛合金粉に対し、液状飽和炭化水素系の油０．０１〜１０重量％を被覆してなるアルカリマンガン電池用亜鉛合金粉。 - 特許庁

A road surface state determination part 106 corrects the presumed acceleration Ge according to the vehicle state for giving influence to a relationship of the presumed acceleration and the actual acceleration to obtain presumed acceleration Ga after correction, and compares the presumed acceleration Ga after correction with the actual acceleration Gx to determine the road surface state.例文帳に追加

路面状態判定部１０６は、推定加速度と実加速度との関係に影響を与える車両状態に応じて推定加速度Ｇｅを補正して補正後推定加速度Ｇａを取得し、補正後推定加速度Ｇａと実加速度Ｇｘとを比較して路面状態を判定する。 - 特許庁

The conductive bonding layer 121 is formed so as to be embedded in the groove 114b of the semiconductor laser element portion 110 and to be embedded in a space from the ridge portion 114a and the support portion 114c of the semiconductor laser element portion 110 to the p-type Ge substrate 100.例文帳に追加

そして、導電性接着層１２１は、半導体レーザ素子部１１０の溝部１１４ｂを埋め込むとともに、半導体レーザ素子部１１０のリッジ部１１４ａおよび支持部１１４ｃと、ｐ型Ｇｅ基板１００との間の空間を埋めるように形成されている。 - 特許庁

The ionic conductive glass ceramics is represented by general formula (I): Na_2S-M_xS_y (M is selected from P, Si, Ge, B and Al, x and y are integers providing stoichiometric ratio corresponding to the kinds of M, and Na_2S is contained at more than 67 mol% and less than 80 mol%).例文帳に追加

一般式（Ｉ）：Ｎａ_2Ｓ−Ｍ_xＳ_y（ＭはＰ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｂ、Ａｌから選択され、ｘ及びｙは、Ｍの種類に応じて、化学量論比を与える整数であり、Ｎａ_2Ｓが６７モル％より大きく、８０モル％未満含まれる）で示されるイオン伝導性ガラスセラミックスにより上記課題を解決する。 - 特許庁

In this lead-acid battery equipped with a negative electrode lattice having a lattice base material provided with the ear porion 1 and lattice portions 2, 3 and a surface layer disposed only on the surface of the ear potion, the surface layer contains lead as a main material and at least one kind of Ag, Bi, Co, Cu, Fe, Ge, Ni, and Zn.例文帳に追加

耳部１と格子部２、３とを備えた格子基材と前記耳部の表面にのみ配された表面層とを有する負極格子を備えた鉛蓄電池において、前記表面層は鉛を主材としてＡｇ，Ｂｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｇｅ，Ｎｉ，およびＺｎの少なくとも一種を含むことを特徴とする。 - 特許庁

According to a style selection table (CT) wherein style names (ST) of music are recorded for every genre that respective pieces of music belong to while giving different individual identification codes, or selection number (CN), pieces of music are presented sequentially on a screen from the music at the head (HC) in a style name (ST) and each genre (GE).例文帳に追加

この発明では、各楽曲が属するジャンル毎に楽曲のスタイル名（ＳＴ）を、異なる個別の識別符号＝選択ナンバ＝（ＣＮ）を付けて、記録したスタイル選択テーブル（ＣＴ）に従って、スタイル名（ＳＴ）、各ジャンル（ＧＥ）内の先頭（ＨＣ）の楽曲から順次画面上に提示される。 - 特許庁

The gold-alloy bonding wire contains Ag of 0.02 to 0.3 wt.% and at least one kind of Ge or Si of 10 to 200 mass ppm in total and/or at least one kind of Al or Cu of 10 to 200 mass ppm in total and is composed of Au as a remainder.例文帳に追加

Ａｇを０．０２〜０．３質量％、ＧｅまたはＳｉの少なくとも1種を合計で１０〜２００質量ｐｐｍおよび／またはＡｌまたはＣｕの少なくとも1種を合計で１０〜２００質量ｐｐｍ含有し、残部がＡｕからなることを特徴とする金合金ボンディングワイヤ。 - 特許庁

The melting point of lead-free solder can be dropped and the soldering strength and the peel strength can also be improved by adding any one of germanium Ge or niobium Nb to Sn-Zn-Bi based lead-free solder with bismuth Bi added thereto.例文帳に追加

ビスマスＢｉを添加したＳｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系無鉛はんだに、ゲルマニウムＧｅまたはニオブＮｂのうちの何れか１つの金属を添加することによっても、無鉛はんだの融点温度を下げられると当時に、上述したような接合強度やピール強度を改善することができる。 - 特許庁

The optical recording medium, wherein recording/reproducing is carried out by a laser radiation, has a recording layer that is constituted of a thin film (the first layer) composed mainly of In in the side of the laser radiation and a thin film (the second layer), positioned next to the first layer, composed mainly of Ge and Te.例文帳に追加

レーザの照射により記録・再生を行う光記録媒体において、記録層はレーザ照射側に主にＩｎからなる薄膜（第１層）があり、その次に主にＧｅとＴｅからなる薄膜（第２層）が位置する構成であって、前記第２層に酸素を導入する。 - 特許庁

The phase-change recording film has a composition consisting of, by atomic percentage, 15-30% of Ge, 15-25% of Sb, a total of 0.1-13% of one or both of Al and Si, and the balance made of Te and unavoidable impurities.例文帳に追加

原子％でＧｅ：１５〜３０％、Ｓｂ：１５〜２５％を含有し、さらにＡｌおよびＳｉの内の１種または２種を合計で０．１〜１３を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する電気抵抗が高い相変化記録膜、およびその膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

An insulation film (a gate oxide film) is formed on the surface of a monosrystal layer of Si, Ge, or the like comprising not less than two kinds of semiconductor on the semiconductor wafer by thermal oxidation in an atmosphere including reducer and oxidizing agent as oxidation species to the monocrystal layer.例文帳に追加

また、半導体基板上の２種類以上の半導体からなるＳｉＧｅなどの単結晶層の表面上に前記単結晶層に対する酸化種として還元剤及び酸化剤を含む雰囲気による熱酸化によって絶縁膜（ゲート酸化膜）を形成する。 - 特許庁

In the write-once optical recording medium having the inorganic recording film, the inorganic recording film comprises: an oxide film 3 the main component of which is germanium (Ge) oxide GeO; and a metallic film 2 which is adjacent to the oxide film 3 and the main component of which is titanium-silicon alloy TiSi.例文帳に追加

本発明は、無機記録膜を有する追記型光記録媒体であって、無機記録膜が、ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物ＧｅＯを主成分とする酸化物膜３と、この酸化物膜３に隣接するチタン・シリコン合金ＴｉＳｉを主成分とする金属膜２とを有する構成とする。 - 特許庁

Originally a cho (one of the styles of official documents in the ritsuryo system) was used for when Ryoge no kan (a post outside the original Ritsuryo code created by Imperial edicts) and temples and shrines submitted an official report to the Daijokan and a ji (an official document submitted to Guji [chief of those who serves shrine, controls festivals and general affairs] by the general public and lower grade officials) for individuals, however, in later years these monjo (written materials) were put together and dealt with as a ge. 例文帳に追加

また、本来は令外官や寺社より太政官に上申する場合には牒が用いられ、個人が役所に出す文書には辞などが用いられていたが、後にはこれらの文書も一括して解として処理されるようになった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

It was stipulated, however, that 寮司 could not send "I" (移) directly to other sho or officials of other sho; instead, 寮司 had to send ge (an official document) in advance to the sho which the receiver belonged to, asking for permission to send "I" (移), and then the sho which 寮司 belonged to sent "I" (移) to the sho which the receiver belonged to. 例文帳に追加

なお、寮司が他省及びその被管の官司に移を送付する場合には、直接相手先に送付できず、予め所管の省に移を送付する旨の解(公文書)を送付して許可を得た後に所管の省から相手先の所管の省に送付する規定となっていた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

According to Izumo YAMAKAMI, a priestess Ge-jugoinoge (Jugoinoge [Junior Fifth Rank, Lower Grade] given to persons outside Kyoto) OGA no Morime and Juhachiinoge (Junior Eighth Rank, Lower Grade) Kantsukasa no Tsukasa (chief priest) OGA no Tamaro visited Heijo-kyo (the capital of the Nara period) from Usa Hachiman-gu Shrine in 749 to dedicate the oracle which says the god would help the completion of the statue of Birushana Buddha in Toda-ji Temple. 例文帳に追加

山上伊豆母によれば、天平感宝元年（749年）に宇佐八幡宮から祢宜の外従五位下・大神社女と主神司従八位下・大神田麻呂が建設中の東大寺盧舎那仏像を支援すると言う神託を奉じて平城京を訪れた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Nichiren also subscribed to this theory and described in "Kanjin Honzon Sho" (Spiritual Contemplation and the Most Venerable One), connecting it with mappo mukai (a concept to deny the validity of precepts in the Final Dharma Age), 'Sakyamuni's Ingyokatoku no niho (the practices done by Sakyamuni over a long period of time and the virtues cultivated for them) are all contained in the five words of myo, ho, ren, ge, and kyo (in Myohorenge-kyo (Hoke-kyo), and if we remember (and honor) the teachings of Buddha with these five words, his kudoku (merits) of cause and effect are naturally transferred to us.' 例文帳に追加

また、日蓮もこの説を継承し、末法無戒と結びつけ、『観心本尊抄』に「釈尊の因行果徳の二法は妙法蓮華経の五字に具足す。我等此の五字を受持すれば自然に彼の因果の功徳を譲り与え給う」と述べている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Zhao Kuang-yin and Song Taizong, emperors of the dynasty, also liked to study and collect calligraphy works themselves, and ordered Wang Zhu, who was a court calligrapher in the Hanlin Academy and on the list of Chinese calligraphers, to compile a 10-volume calligraphy book named "Chunhua ge Tie" featuring new and old calligraphy works, especially those by Wang Xi-zhi, in 992. 例文帳に追加

朝廷でも皇帝の趙匡胤や太宗(宋)自らが書の研究や蒐集を愛好し、淳化3年（992年）には翰林侍書の中国の書家一覧王著に命じて、王羲之を中心とする古今の書蹟を集めた書蹟集『淳化閣帖』全10巻を編纂させた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the photovoltaic device having pin junction using a-SiGe: H where an unbonding hand is terminated by hydrogen for (i) layer, the amount of hydrogen in a film decreases from a P-layer side to an n-layer side in the (i) layer, and at the same time the amount of Ge decreases in linkage.例文帳に追加

この発明は、未結合手を水素により終端したａ−ＳｉＧｅ：Ｈをｉ層に用いたｐｉｎ接合を備えた光起電力装置において、ｉ層でｐ層側からｎ層側へ向かって膜中の水素量が減少するとともにＧｅ量が連動して減少する。 - 特許庁

The Au-Sn alloy solder contains ≥18.5 mass% and ≤23.5 mass% of Sn, and contains at least one of ≥0.001 mass% and ≤0.5 mass% of P or ≥0.03 mass% and ≤1.5 mass% of Ge, and the balance Au.例文帳に追加

Ｓｎを１８．５質量％以上２３．５質量％以下含有し、０．００１質量％以上０．５質量％以下のＰまたは０．０３質量％以上１．５質量％以下のＧｅのうち少なくとも１種を含有し、残部がＡｕからなるＡｕ−Ｓｎ合金はんだとする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method therefor in which a metal salicide layer is suitably formed on the surface of a gate electrode to realize low resistance of the gate electrode, related to the semiconductor device in which Ge is introduced to the gate electrode of a PMOS transistor to improve activation rate of B.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタのゲート電極中にＧｅを導入してＢの活性化率を高めた半導体装置において、ゲート電極の表面に金属サリサイド層を好適に形成してゲート電極の低抵抗化を実現した半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

As described above, the cleansing of Solvent Red 135 in the post-manufact ge does not significantly reduce HCB concentration. It is inferred that post-reaction cleansing only removes HCB on the surface of Solvent Red 135 and that it is difficult by this process to reduce the HCB taken into the crystallization. 例文帳に追加

以上のように、製造後のソルベントレッド１３５を洗浄してもさほど効果的に低減できていないことから、反応後の洗浄では表面のＨＣＢしか除去できず、結晶中に取り込まれたＨＣＢを低減させることは困難であると推察される。 - 経済産業省

To provide a low-cost semiconductor substrate of high throughput and a method for manufacturing it in which a high degree of relaxation is achieved in a strain SiGe film, even when the SiGe film having a thickness thinner than that of a critical film of high Ge concentration is formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に高濃度のＧｅ濃度を有する臨界膜厚以下の歪ＳｉＧｅ膜を有する場合でも、このＳｉＧｅ膜において高い緩和度を達成することができ、さらにスループットが高く、安価な、半導体基板及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁