INSULARを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 112件
A group III nitride layer group 15 is formed on a specified substrate 1 and an insular or meshed intermediary layer 9 composed of a group III nitride containing at least B is formed in the group III nitride layer group thus fabricating a semiconductor multilayer structure 10.例文帳に追加
所定の基材１上においてＩＩＩ族窒化物層群１５を形成し、このＩＩＩ族窒化物層群中に、少なくともＢを含むＩＩＩ族窒化物から構成される島状又は網目状の介在層９を形成して、半導体積層構造１０を作製する。 - 特許庁
A Ti/Si alkoxide dispersion formed by dispersing fine powder of titanium oxide in a Si alkoxide solution is sprayed onto a substrate composed of a glass material by spray coating under a specified gas pressure so as to form a film in which fine powder of titanium oxide constitutes a specific insular structure on the surface of the substrate.例文帳に追加
ガラス材料からなる基材に対し、Ｓｉアルコキシド溶液に酸化チタン微粉末を分散してなるＴｉ／Ｓｉアルコキシド分散溶液をスプレーコーティングにより所定のガス圧をもって吹付けることによって、酸化チタン微粉末が基材表面に特異な島状構造をもって膜を形成する。 - 特許庁
In order to manufacture the semiconductor device, titanium or a titanium oxide is formed into an insular shape on an insulator substrate or a substrate formed with an insulation film, in an equivalent thickness of at least 3 nm and at most 8 nm, and then lead titanate or a solid solution containing lead titanate is formed on the titanium or titanium oxide film.例文帳に追加
これを製造するには、絶縁体基板または絶縁膜形成基板上に、チタン又は酸化チタンを換算膜厚３ｎｍ以上８ｎｍ以下に島状になるように形成し、この上にチタン酸鉛又はチタン酸鉛を含有する固溶体を成膜する。 - 特許庁
As a concrete means for forming the capacity, insular passive elements 5A and 5B are projected in the Y-axis direction from these two points, respectively, such that the forward end parts of both elements face each other while being spaced apart from each other.例文帳に追加
上記静電容量を形成するための具体的な手段として、例えば該２点のそれぞれから半島形無給電素子・甲５Ａおよび半島形無給電素子・乙５ＢをＹ軸方向に突出させ、上記双方の半島形無給電素子の先端部を対向，離間させる。 - 特許庁
From about the Heian period onwards, there was an insular, monopolistic system of commerce centered around the za (guilds), under which each za had exclusive rights to sell their products tax-free to specific noblemen and/or temples and shrines, but with the free market, open guild system introduced thanks to the rise of the sengoku daimyo, who started to allow independent (i.e., non-guild) businesses to be created, progress was made towards ending the oppressive guild system. 例文帳に追加
平安時代あたりから公家や寺社を本所として販売の独占権や関税の免除などの特権を得る座と呼ばれる閉鎖的な商業独占体制は、成長する戦国大名によって自営営業を許す楽市楽座によって廃止の方向へ向かう。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
On the major face 1A of the silicon substrate 1, a mask layer 2 is formed having apertures 3 formed so that this major face 1A is exposed, and in the aperture 3, an insular structural part of a hexagon head gimlet profile composed of primary nitride series semiconductor is formed, and the semiconductor element structure is manufactured.例文帳に追加
シリコン基板１の主面１Ａ上に、この主面１Ａが露出するようにして形成された開口部３を有するマスク層２を形成し、開口部３内において、第１の窒化物系半導体からなる六角錐形状の島状構造部を形成して、半導体素子構造を製造する。 - 特許庁
Furthermore, the electro-optical device is provided with a spacer insulating film which is formed on the upper-layer side of a foundation face of the lower electrode and on the lower-layer side of the upper electrode, in a peripheral area surrounding an insular area where the upper electrode and the lower electrode face each other via the dielectric film, when viewed in a plane of the substrate.例文帳に追加
更に、基板上で平面的に見て上側電極及び下側電極が誘電体膜を介して相対向している島状領域を囲む周囲領域において、下側電極の下地面の上層側であって且つ上側電極の下層側に形成されたスペーサ絶縁膜を備える。 - 特許庁
As a result, it becomes possible to press and fix the protrusion 8d to the insular shape 1b of a plate indirectly via a circuit board 15 and the gear support 7 by screwing up a circuit board retainer 20, and prevent the held state of each gear train from changing due to the warpage of the center bracket 8 etc., accompanying press working.例文帳に追加
これにより、回路押さえ２０のねじ締めにより、回路基板１５及び輪列受７を介して間接的に凸部８ｄを地板の島形状１ｂに押圧固定する事が可能となり、プレス加工に伴う中受８の反りなどによって、各輪列の保持状態が変動してしまう事を防ぐ事が可能となった。 - 特許庁
In an IC 15 for switching power supply, a high potential insular region 40 is formed between a region where an overcurrent detection circuit 1 is formed and a region where an output power transistor Tr1 is formed along with a cross under 16 having a minus voltage when the output power transistor Tr1 is turned off.例文帳に追加
スイッチング電源用ＩＣ１５において、出力パワートランジスタＴｒ１及び出力パワートランジスタＴｒ１のスイッチングＯＦＦ時にマイナス電圧となるクロスアンダー１６が形成されている領域と過電流検出回路１が形成されている領域との間に高電位の島状領域４０が形成されている。 - 特許庁
To provide a production method of a light absorption layer for a compound thin film solar cell in which formation of a discontinuous layer (insular In film) can be prevented when a pure In film is deposited by sputtering, and oxidation of Ga can preferably be minimized when a CIGS based light absorption layer, or the like, containing Ga is produced.例文帳に追加
スパッタリング法によって純Ｉｎ膜を成膜したときにおける不連続層生成（島状Ｉｎ膜の形成）を防止でき、好ましくはＧａを含むＣＩＧＳ系光吸収層などを製造する場合には、Ｇａの酸化を抑制することが可能な化合物薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法を提供する。 - 特許庁
In the plan view arrangement, the source electrode is formed in isolated insular pattern, the drain electrode is formed between the source electrode and the gate electrode in C-shape substantially surrounding the source electrode, the drain electrode is formed in C-shape substantially surrounding the gate electrode, and the capacitor lower electrode is provided in the source electrode.例文帳に追加
ゲート電極およびキャパシタ下部電極とを有し、その上に形成されたゲート絶縁膜を介してゲート絶縁膜に接してソース電極及びドレイン電極が配置されており、ソース電極及びドレイン電極の間隙を埋めるように半導体層が配置されており、その上に形成された層間絶縁膜を介して画素電極が配置されてなり、平面配置的に見てソース電極が孤立島パターンであり、ゲート電極がソース電極及びドレイン電極の間にあってソース電極をほぼ囲むＣ字状であり、ドレイン電極がゲート電極をほぼ囲むＣ字状であって、ソース電極の内部にキャパシタ下部電極を有する薄膜トランジスタ装置。 - 特許庁
An escape groove is formed in the outer circumference of the reference hole by providing insular correction mask portions at positions opposite to the (111) plane in the opening of the mask in the step of forming the mask, and then removing the correction mask portions 142a and 142c by etching the object substrate anisotropically in the step of forming the escape groove.例文帳に追加
基板に、基準孔よりも広い開口部１４１を有するマスク１４０を、前記開口部が前記基準孔３２に対向するように設けるマスク形成工程と、前記開口部を介して前記基板を異方性エッチングすることにより、前記基準孔の外周に接着剤の逃げ溝３３を形成する逃げ溝形成工程を備え、前記マスク形成工程では、前記マスクの前記開口部内の前記（１１１）面に対向する位置に、島状の補正マスク部を設け、前記逃げ溝形成工程で、当該補正マスク部１４２ａ、１４２ｃは、前記対象基板の異方性エッチングによりエッチングされ除去されることにより、前記基準孔の外周に逃げ溝が形成される。 - 特許庁
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