「In-Au」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The barrier-metal layer is formed of a Au layer 13 and a Ni layer 14, while the seed layer 11, 12 is formed of metals in which Au does not diffuse.例文帳に追加

バリアメタル層は、Au層１３とNi層１４とで形成され、シード層１１，１２は、Auが拡散しない金属で形成した。 - 特許庁

In other words, Ni on the surface is substituted by Au contained in the Au plating liquid to deposit an Au film on the Ni film.例文帳に追加

すなわち、表面のＮｉと、Ａｕめっき液に含まれるＡｕとが置換されて、Ｎｉ膜上に、Ａｕ膜が形成される。 - 特許庁

The gold brazing filler metal for jewelry has a composition composed of, by mass, 75-77% Au, 1-7% In, 1-5% Zn, and the balance Cu with inevitable impurities.例文帳に追加

Auを75〜77mass%、Inを1〜7mass%、Znを1〜5mass%、残部 Cuと不可避不純物からなる宝飾用金ろう。 - 特許庁

In step S103, an Au bump is formed on the Au film using the Au film as an electrode for plating.例文帳に追加

ステップＳ１０３で、Ａｕ膜をメッキ用電極として用いて、Ａｕ膜上にＡｕバンプを形成する。 - 特許庁

On May 21, KDDI held an event in Tokyo to promote the new service, "au WALLET."例文帳に追加

５月21日，KDDIはこの新サービス｢au WALLET(ウォレット)｣を宣伝するイベントを東京で開催した。 - 浜島書店 Catch a Wave

To provide a decorative part superior in corrosion resistance and adhesion, and having an Au-Cu-based alloy hardened layer.例文帳に追加

耐食性、密着性に優れた表面にAu-Cu系合金硬化層を有する装飾部品を提供する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING AU BUMP FLIP-CHIP AND AU BUMP, AND CAPILLARY USED IN THE SAME例文帳に追加

Ａｕバンプフリップチップ及びＡｕバンプの形成方法とこれに用いるキャピラリ - 特許庁

work au pair in England 例文帳に追加

イングランドでオペアとして働く[を勤める]. - 研究社 新英和中辞典

Bacalhau is reprocessed to be used in various dishes including baked bacalhau au gratin. 例文帳に追加

グラタン風など、各種料理に再加工される。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The metal is selected from Cu, Ag, Au, In, Pd and the like.例文帳に追加

金属がＣｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｐｄ等から選択される。 - 特許庁

By using Au(CO)Cl as a precursor for charged particle induced deposition, a gold (Au) layer can be deposited with a very high purity as compared with those attained in methods known in the art.例文帳に追加

AU(CO)Clを荷電粒子誘起堆積用の前駆体として用いることによって、当技術分野において知られた方法と比較して、非常に高純度の金(Au)層を堆積することが可能となる。 - 特許庁

In the separator material for the fuel cell, the Au layer or the Au alloy layer is formed on the surface of a Ti base material, and center line average roughness on the surface of the Au layer or the Au alloy layer is 0.2 μm or less.例文帳に追加

Ｔｉ基材の表面にＡｕ層又はＡｕ合金層が形成され、Ａｕ層又はＡｕ合金層の表面の中心線平均粗さが０．２μｍ以下である燃料電池用セパレータ材料である。 - 特許庁

To provide a structure of a semiconductor device in which a gold ball such as an Au bump is bonded to an Au electrode by solid phase diffusion, and the quality of the bonded part is easily determined.例文帳に追加

Au電極に、Auバンプ等の金ボールを固相拡散接合する半導体装置であって、接合部の良否判定を容易に行うことができる構造を提供する。 - 特許庁

In forming an ohmic electrode on a gallium oxide single crystal, a surface is irradiated with plasma, Ti is vapor deposited, and then Au is vapor deposited to form an electrode of Au/Ti structure.例文帳に追加

酸化ガリウム単結晶にオーミック電極を形成する際、表面にプラズマ照射してからTiを蒸着後、Au蒸着したAu/Ti構造の電極を形成する。 - 特許庁

In a thermoelectric material, a Ge 31 to which Au 32 is added and an Si 33 to which Au 34 is added are brought into contact with each other, and Au 35 and Au 36 which are made into one-dimensional are each brought into contact with the Ge 31 and the Si 33 respectively.例文帳に追加

Ａｕ３２を添加したＧｅ３１と、Ａｕ３４を添加したＳｉ３３とを互いに接触させ、該Ｇｅ３１及びＳｉ３３に一次元化したＡｕ３５，３６を夫々接触させたことを特徴とする熱電材料。 - 特許庁

The Au/Sn composite foil is the laminated foil which is laminated with at least ≥2 layers consisting of either Au or Sn alone or their alloy, in which oxide or different metal particles do not substantially exist at the boundaries between the laminated layers.例文帳に追加

Au、Sn何れか単体若しくはそれらの合金からなる層が、少なくとも二層以上積層された積層箔において、積層された層と層との界面には、実質的に酸化物または異種金属粒子が存在しないAu/Sn複合箔。 - 特許庁

In a semiconductor light emitting element having electrodes including a Pt layer adjacent an Au layer 14, a Ti layer 12 of 50 nm, a Pt-Mo layer 13 of 50 nm, an Au layer 14 of 300 nm are laminated on a P-GaAs cap layer 9.例文帳に追加

Au層に隣接したPt層を含む電極を備えた半導体発光素子において、P-GaAsキャップ層９上にTi層12を50nm、Pt-Mo層13を50nm、Au層14を300nmの厚さで順次積層して形成した。 - 特許庁

In an junction structure, an electrode Au bump of a chip and an Au film at the outermost surface of a connecting terminal of a substrate are joined in direct with a flip-chip junction through a Au/Au metal junction, and the junction area of an Au bump is expanded by 2 μm or more.例文帳に追加

チップの電極Ａｕバンプと、基板の接続端子の最表面のＡｕ膜とをＡｕ／Ａｕの金属接合で直接フリップチップ接合する構造とし、Ａｕバンプの接合部の伸びが２μｍ以上となる接合構造とした。 - 特許庁

In this Au-based clad composite material obtained by cladding Au or an Au alloy on the surface of a contact base material having an Ag-Cu-Si alloy layer, an intermetallic compound Cu-Si is dispersedly precipitated into the Au or Au alloy.例文帳に追加

Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｉ合金層を有する接点基材表面に、Ａｕ又はＡｕ合金を張り合わせたＡｕ系クラッド複合材であって、Ａｕ又はＡｕ合金中に金属間化合物Ｃｕ−Ｓｉを分散析出させたものとした。 - 特許庁

Instead of an expensive Au-Sn eutectic alloy substantially containing 80 mass% of Au, an Au-Sn alloy containing Au less than that of the Au-Sn eutectic alloy by 40 to 60% can be applied for high temperature soldering by introducing a quenching process in a mounting process.例文帳に追加

本発明は、実質的な質量比でＡｕを８０％含有する高価なＡｕＳｎ共晶合金を代替する接合方法として、実装工程内に急冷プロセスを導入することにより、ＡｕＳｎ共晶合金からＡｕ量を４０〜６０％削減したＡｕＳｎ合金を高温はんだに適用可能とした。 - 特許庁

To provide an Au-plated or Au-alloy plated stainless steel-made member in which stainless steel is plated with an Au or Au-alloy plating layer without needing any base plating layer such as Ni or Cu, and which is excellent in the adhesiveness of the Au or Au-alloy plating layer to the stainless steel, and is high in corrosion resistance, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ステンレス鋼上に、ＮｉまたはＣｕなどの下地めっき層を介さずに、ＡｕまたはＡｕ合金めっき層で被覆した部材であり、ステンレス鋼とＡｕまたはＡｕ合金めっき層の密着性に優れ、耐食性の高いＡｕまたはＡｕ合金めっきステンレス部材とその製造方法を提供する。 - 特許庁

AU no Shima (date of birth and death unknown) lived in the Asuka period in Japan. 例文帳に追加

逢志摩（あうのしま、生没年不詳）は、日本の飛鳥時代の人物である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The rate of content of Au in the mixture layer is in the range of 1-50 wt.%.例文帳に追加

また、混在層中におけるＡｕの含有率は、１〜５０ｗｔ％である。 - 特許庁

To provide a method of recovering Au in an aqueous solution containing Au and an oxidizing agent inexpensively and highly efficiently in high recovery rate.例文帳に追加

Ａｕと酸化剤を含有する水溶液中のＡｕを、低コストで効率良く、しかも高い回収率で回収する方法を提供する。 - 特許庁

In an InGa/GaAs HBT, Pt/Mo/Pt/Au/Pt/Mo electrodes containing no Ti are used as base electrodes 1.例文帳に追加

ベース電極１にＴｉを含まないＰｔ／Ｍｏ／Ｐｔ／Ａｕ／Ｐｔ／Ｍｏ電極を用いる。 - 特許庁

On the SiN film 11, in addition, an Au/Ti layer 13 is formed.例文帳に追加

ＳｉＮ膜の上にはさらに、Ａｕ／Ｔｉ層１３が形成されている。 - 特許庁

To provide high oxidation resistant Au-Sn alloy powder for use in the manufacture of Au-Sn alloy solder paste.例文帳に追加

Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを製造するために使用する耐酸化性に優れたＡｕ−Ｓｎ合金粉末を提供する。 - 特許庁

The material Sn in its single substance state has a melting point lower than an Au-Sn alloy, but has a diffusion coefficient higher than Au.例文帳に追加

Ｓｎは、単体の状態の融点がＡｕ−Ｓｎ合金の融点よりも低いが、Ａｕに対する拡散係数が高い。 - 特許庁

To provide a lead-free solder alloy in which the erosion of Au generated upon the soldering of Au wire is prevented.例文帳に追加

Ａｕワイヤーのはんだ付時に生じるＡｕ食われを防止する鉛フリーのはんだ合金を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving wet resistance and of restraining an Au plated part from being deteriorated owing to ion migration in the Au plated part.例文帳に追加

耐湿性を向上させることができ、Ａｕメッキ部のイオンマイグレーションによる劣化を抑制することができる半導体装置を得る。 - 特許庁

To secure a melting point and a brazing property while reducing a weight ratio of Au in a brazing filler of an Au-Ag-Sn alloy.例文帳に追加

Ａｕ−Ａｇ−Ｓｎ合金のろう材を構成するＡｕの重量比を少なくしながら融点及びろう付け性を確保する。 - 特許庁

An Au film is formed on one main surface of the n-type semiconductor substrate 51, and Au is diffused in the n-type semiconductor substrate 51 by a heat treatment.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板５１の一方の主面にＡｕ膜を形成し、熱処理によってＮ型半導体基板５１内にＡｕを拡散させる。 - 特許庁

An n-type InN layer 104 is formed in a part on the n-type AlGaN layer 103, and an Ni/Pt/Au electrode 106 is formed on the n-type InN layer 104.例文帳に追加

n型AlGaN層103上の一部にはn型InN層104が形成されており、n型InN層104上にはNi/Pt/Au電極106が形成されている。 - 特許庁

(2) In the reflective film laminate, the Ag alloy contains totally 0.1 to 5 atom% of at least one of Au, Pt, Pd and Rh.例文帳に追加

７×［Ａ］＋１３×［Ｂ］≦８ ------（１）式(2) 前記反射膜積層体においてAg合金がAu、Pt、Pd、Rhの１種以上を合計で0.1 〜５原子％含有するもの等。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element 10, an Au bump 46, an Sn layer 47 and an Au layer 48 are laminated on a bump 14 from the semiconductor side.例文帳に追加

半導体発光素子１０のバンプ１４において半導体層側からＡｕバンプ４６、Ｓｎ層４７、Ａｕ層４８を積層させた。 - 特許庁

In the method of etching the Au film, an insulating film 2 is formed on a semiconductor substrate 1 and the Au film 3 is formed on the film 2 by means of a sputtering method or plating method.例文帳に追加

半導体基板１上に絶縁膜２を形成し、絶縁膜２上にスパッタリング又はメッキ法によりＡｕ膜３を形成する。 - 特許庁

In the wiring board 1, a metal terminal pad 17 has its top surface part made of an Au-plating layer 54 and also has an Ni-plating layer 53 right below the Au-plating layer 54 in contact with the Au-plating layer 54, and the thickness of the Au-plating layer 54 is set to ≥0.2 μm and ≤0.7 μm.例文帳に追加

配線基板１において、金属端子パッド１７は、最表面部がＡｕメッキ層５４からなり、該Ａｕメッキ層５４の直下に当該Ａｕメッキ層５４と接する形で配置されたＮｉメッキ層５３とを有し、Ａｕメッキ層５４の厚さを０．２μｍ以上０．７μｍ以下の範囲に設定する。 - 特許庁

In a bonding section on the secondary bonding side where the Al pad 21 and the Au wire 40 are bonded, an interface between Au and an Au-Al alloy layer 60 extended in the thickness direction of the wire 40 stays inside the wire 40.例文帳に追加

２次ボンディング側におけるＡｌパッド２１とＡｕワイヤ４０との接合部にて、ワイヤ４０の厚さ方向に延びるＡｕ−Ａｌの合金層６０とＡｕとの界面６５が、ワイヤ４０の内部にとどまっている。 - 特許庁

In the electrical contact member which is composed of a conductive base metal having the electrically contacting surface plated with Au or an Au alloy, a PdCo alloy plating layer is interposed between the base metal and the Au or Au alloy plating layer.例文帳に追加

導電用基体金属の電気的接触表面にＡｕまたはＡｕ合金めっきを施してなる電気的接触用部材において，該基体金属とＡｕまたはＡｕ合金めっき層の間にＰｄＣｏ合金めっき層を介在させたことを特徴とする電気的接触用部材である。 - 特許庁

A joint part 22 between the conductor pad 24 and the connector pin 20 comprises an Au-Ge brazing material layer 28 and an Au layer 26 which is in contact with a base material of the Au-Ge brazing material 28 and the connector pin 20 and contains less amount of Ge than the Au-Ge brazing material layer 28.例文帳に追加

導体パッド２４と接続ピン２０とに介在する接合部２２は、Ａｕ−Ｇｅロウ材層２８と、該Ａｕ−Ｇｅロウ材層２８と接続ピン２０の母材とに接し、かつＡｕ−Ｇｅロウ材層２８よりもＧｅ含有率が低いＡｕ層２６とからなる。 - 特許庁

To provide high strength decorative parts, particularly, Au-containing Au-alloy decorative parts having metallic luster and color tone inherent in Au and free from occurrence of flaws during use.例文帳に追加

Ａｕ固有の金属光沢、色調を有し、使用中に傷が発生しない高強度の装飾部品、特にＡｕを含むＡｕ合金装飾部品を提供すること。 - 特許庁

In a preferred embodiment, the Ag-Au alloy is obtained as a melted fine particle of Ag and Au, while heating an Ag powder and an Au powder at a temperature higher than their melting point by a gas atomizing method.例文帳に追加

Ａｇ−Ａｕ合金が、Ａｇ粉末とＡｕ粉末とをガスアトマイズ法により融点以上に加熱することによりＡｇとＡｕとの溶融微粒子として得られた態様が好ましい。 - 特許庁

The conductive paste in which the Ag powder and the Au powder are contained as the conductive component, and the Ag-Au alloy is formed by heating and melting the Ag powder and the Au powder.例文帳に追加

Ａｇ粉末とＡｕ粉末とを導電性成分として含有してなり、加熱されてＡｇ粉末とＡｕ粉末とが溶融してＡｇ−Ａｕ合金が形成される導電性ペースト。 - 特許庁

The whole other than a surface layer is composed of an alloy having an Au-Ge eutectic composition or an alloy having a composition near the eutectic composition, and the surface layer is composed of an Au solid solution in which Au and Ge are solid-soluted.例文帳に追加

表面層を除く全体が、ＡｕとＧｅの共晶もしくは共晶近傍の合金からなり、表面層は、ＡｕがＧｅを固溶しているＡｕ固溶体からなる。 - 特許庁

Therefore, by bringing both Ir and Au to composite colloid in a nano- level, NO_x is adsorbed on Ir to be dissociated into N and O, and O remaining after the dissociation of N_2 is considered to be discharged using hardly oxidizable Au as an outlet.例文帳に追加

そのため両者をナノレベルで複合化した複合コロイドとすることで、Ir上にNO_x が吸着してＮとＯに解離され、N_2の脱離後に残留するＯは難酸化性のAuを出口として放出されると考えられる。 - 特許庁