「METALIZATION」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ANCHOR COAT AGENT FOR METALIZATION AND LAMINATE例文帳に追加

メタライジング用アンカーコート剤および積層体 - 特許庁

SILVER METALIZATION BY DAMASK METHOD例文帳に追加

ダマスク方法による銀メタリゼ—ション - 特許庁

METALIZATION FILM CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

金属化フィルムコンデンサとその製造方法 - 特許庁

The insulation layer 122 is formed at the same time as the metalization layer 121 and covers an exterior surface of the metalization layer 121.例文帳に追加

絶縁層１２２は、メタライズ層１２１と同時に形成されたもので、メタライズ層１２１の外面を覆っている。 - 特許庁

A substrate 11 has metalization wiring 12 having a predetermined pattern.例文帳に追加

基板１１は、所定のパターンを有するメタライズ配線１２を有している。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING METALIZATION FILM例文帳に追加

金属化フィルムの製造方法および金属化フィルムの製造装置 - 特許庁

This method provides a metalization method of the ceramic substrate 1.例文帳に追加

本発明は、セラミック基板１の金属化方法を提供するものである。 - 特許庁

The faces other that the one-face 4 of the dielectric block 2 are metalized, metalization 9 acting as input/output terminals is applied to the front side 6 of the dielectric substrate 3 and metalization 12 is applied to the rear side 7 of the dielectric substrate 3 at positions opposed to the metalization 9.例文帳に追加

誘電体ブロック２の一面４を除く他の面にはメタライズが施され、誘電体基板３の表面６には入力／出力端子となるメタライズ９が施され、誘電体基板３の裏面７にはメタライズ９と対向する位置にメタライズ１２が施されている。 - 特許庁

The surface of the metal oxide layer 65 is surface-treated for reduction and metalization.例文帳に追加

金属酸化物層６５の表面を還元して金属化させる表面処理を行う。 - 特許庁

The metalization film capacitor comprises a capacitor element where a pair of metalization films are arranged opposite to each other and wound, and metallikon electrodes formed on both end faces of the capacitor element.例文帳に追加

金属化フィルムコンデンサは、一対の金属化フィルムが対向配置されて巻回されたコンデンサ素子と、コンデンサ素子の両端面に形成されたメタリコン電極とを備えている。 - 特許庁

Thus, the metalization 9 applied to the front side 6 of the dielectric substrate 3 and the metalization 12 applied to the rear side 7 of the dielectric substrate 3 form a capacitor.例文帳に追加

これにより、誘電体基板３の表面６に施されたメタライズ９と誘電体基板３の裏面７に施されたメタライズ１２はキャパシタを構成する。 - 特許庁

A metal film is deposited on the film 12 in the vapor deposition chamber 36 and a metalization film 44 on which a metal film is deposited and the support plate 16 are ejected from the vapor deposition chamber 36 through the differential pressure sealing mechanism 30 with the metalization film 44 bonded to the support plate 16.例文帳に追加

蒸着室３６内でフィルム１２に金属膜を蒸着し、金属膜が蒸着された金属化フィルム４４と支持板１６が貼り付けられた状態で、差圧シール機構３０を介し、蒸着室３６から排出する。 - 特許庁

LIGHT-ACTIVATABLE POLYIMIDE COMPOSITION FOR RECEIVING SELECTIVE METALIZATION, AND METHOD AND COMPOSITION RELATED THERETO例文帳に追加

選択的メタライゼーションを受容するための、光活性化可能なポリイミド組成物ならびにそれに関する方法および組成物 - 特許庁

The structure 300 has a plurality of windows 301a on a coating film 303, 306 to selectively expose the metalization 301 of a chip.例文帳に追加

本発明の構造体３００は、被膜３０３、３０６に複数の窓３０１ａを有し、選択的にチップのメタライゼーション３０１を露出する。 - 特許庁

Metalization ratios of electrode fingers 14b, 15b of the 1st and 2nd reflectors 14, 15 are differently formed.例文帳に追加

第一および第二のリフレクタ１４、１５の各電極指１４ｂ、１５ｂのメタライゼーションレシオを互いに異なるように形成する。 - 特許庁

To provide a metalization film capacitor in which positioning of a heavy edge can be facilitated without reducing electrostatic capacitance.例文帳に追加

静電容量を減少させることなく、ヘビーエッジ部の位置調整を容易にできる金属化フィルムコンデンサを提供する。 - 特許庁

The structure includes a ball limited metalization (BLM) layer and a solder ball of control collapse chip connection (C4) formed on the BLM layer.例文帳に追加

構造体は、ボール制限メタライゼーション（ＢＬＭ）層と、ＢＬＭ層の上に形成された制御崩壊チップ接続（Ｃ４）はんだボールとを含む。 - 特許庁

To provide a method of improving uniform flattening in metalization processing when manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスを製造する際のメタライゼーション処理において均一な平坦化を向上させる方法。 - 特許庁

A non-deposition mark pattern extending in the length direction of the metalization film is formed in the ineffective electrode.例文帳に追加

非有効電極部には、金属化フィルムの長さ方向に延在する非蒸着の目印パターンが形成されている。 - 特許庁

A metalization ink is cover printed on an end surface of a columnar metalization ink section 30 charged into a via hole 211 for forming a side surface electrode of a green sheet 201, or its corresponding portion to be contacted by the end surface, of a green sheet 201, so as to form pad layers 38 and 39.例文帳に追加

グリーンシート２０１の側面電極形成用のビアホール２１１に充填した柱状メタライズインク部位３０の端面、又はその端面が接すべきグリーンシート２０１の面の対応部位に、メタライズインクをパッド層を３８，３９なすよう補填印刷しておく。 - 特許庁

In this method for hydorgenating the hydrocarbon heavy oil with a hydrogenation catalyst in a heat-insulated reactor, the hydrocarbon heavy oil is subjected to hydrogenative de-metalization at first, then to hydrogenative desulfurization at a temperature higher than that of the de-metalization, and further to hydrogenative de-asphaltene treatment at another temperature higher than that of the desulfurization.例文帳に追加

断熱型反応器を用いた水素化処理触媒による重質炭化水素油の水素化処理において、重質炭化水素油に対し、最初に水素化脱金属処理を行ない、次いで前記脱金属処理よりも高温度の条件下にて水素化脱硫処理を行ない、更に前記脱硫処理よりも高温度の条件下にて水素化脱アスファルテン処理を行なうことを特徴とする重質炭化水素油の水素化処理方法である。 - 特許庁

A metal vapor deposition electrode has effective electrodes overlapping in the opposite direction of the pair of metalization films, and ineffective electrodes which connect the effective electrodes electrically to the metallikon electrodes.例文帳に追加

金属蒸着電極は、一対の金属化フィルムの対向方向に重なり合う有効電極部と、該有効電極部をメタリコン電極に電気的に接続する非有効電極部とを有している。 - 特許庁

To provide a method for hydrogenating a hydrocarbon heavy oil, capable of reducing formation of sludge to the least possible extent, while highly performing hydrogenation (desulfurization, de-metalization, denitrification, and de-residual carbon) of the oil.例文帳に追加

本発明は、重質炭化水素油の水素化処理において、高度な水素化処理（脱硫、脱金属、脱窒素、脱残留炭素）を達成しつつ、同時にスラッジの発生を極力低減できる水素化処理方法を提供することである。 - 特許庁

The metalization layer 121 includes a high melting metal component and a low melting metal component, and the high melting metal component and the low melting metal component are diffusively joined to each other.例文帳に追加

メタライズ層１２１は、高融点金属成分と低融点金属成分とを含み、高融点金属成分及び低融点金属成分が互いに拡散接合している。 - 特許庁

To provide an electronic apparatus which is excellent in conductivity, electrochemical stability, oxidation resistance, repletion, denseness, and mechanical and physical strength and has a high quality metalization wiring having high bonding and adhesive force to substrates and achieving high reliability.例文帳に追加

導電性、電気化学的安定性、耐酸化性、充填性、緻密性、機械的・物理的強度に優れ、しかも基板に対する接着力・密着力の高い高品質・高信頼度のメタライズ配線を有する電子機器を提供すること。 - 特許庁

The shield plate sandwiches both the side parts of the dielectric filter 20 and can be mounted so as to make the projecting part 14 come into touch with the metalization 30-2 of the dielectric filter, and the entire thickness of the dielectric filter is therefore not increased.例文帳に追加

本発明によるシールド板は、誘電体フィルタ２０の両側面部を挟み込み、突出部１４を誘電体フィルタのメタライズ３０−２と接触するように装着可能であることから、誘電体フィルタの全体の厚みを増大させることがない。 - 特許庁

In order to provide an inter-metal and/or in-metal air isolation for at least some conductive metal elements 11 at metalization level of an integrated circuit, a polycrystalline germanium 12 is deposited in a mutually connecting between the conductive metal elements 11 on a substrate 10.例文帳に追加

集積回路の金属化レベルの少なくともいくつかの導電性金属素子の金属間および/または金属内空気アイソレーションを実現するため、まず基板上の導電性金属素子間の相互接続空隙に多結晶ゲルマニウムを堆積する。 - 特許庁

To provide a method for producing reduced iron which can efficiently produce reduced iron with high strength and high metalization ratio without inhibiting reduction of an iron oxide raw material, by utilizing byproducts generated in nonferrous smelting process, or iron-containing byproduct residue contained in the residue obtained by dezincification of electric furnace dust.例文帳に追加

非鉄製錬のプロセスで発生した副生物や、電気炉ダストを脱亜鉛処理した残渣に含まれる含鉄の副生物・残渣を利用して、酸化鉄原料の還元を阻害することなく、高強度且つ高金属化率の還元鉄を効率良く製造することが可能な還元鉄の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide an anchor coat agent for metalization, capable of providing a laminate capable of forming an inorganic layer scarcely having dispersion of a composition on a base material such as a plastic film, excellent in gas barrier property, moisture-proof property, transparency and heat resistance and excellent in adhesion between the base material and the inorganic layer.例文帳に追加

プラスチックフィルム等の基材上に組成のバラツキが少ない無機層を形成でき、しかもガスバリア性、防湿性、透明性、耐熱性が優れ、かつ基材と無機層との密着性に優れた積層体を与えることのできるメタライジング用アンカーコート剤を提供すること。 - 特許庁

To provide an electric conductor which connects both electric components or both metal sections of the electric components and has excellent conductivity with metalization based on low temperature heating treatment, wherein connected metals are firmly connected to each other, as well as a producing method for an electric conductor.例文帳に追加

簡便な方法で電気部品または電子部品の金属箇所同士を連結することができ、その連結されている金属間が、堅固な接合であって、低温加熱処理による金属化によって優れた導電性を有する電気伝導体および電気伝導体の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a biaxially oriented polyester film which is excellent in gas barrier properties such as an oxygen gas barrier property, mechanical characteristics such as elastic modulus, gloss, printability, metalization, coatability, and winding characteristics, and can be produced at a low cost, and at least whose one side has excellent adhesiveness, when laminated to other polymers, especially polyolefins.例文帳に追加

酸素ガスバリア性などのガスバリア性、弾性率などの機械的特性、グロス、印刷性、メタル化、塗布性、巻取り特性に優れ、低コストで製造でき、他のポリマー、特にポリオレフィンを積層した際に接着性に優れる二軸延伸ポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

The inspection system is specifically intended and designed for a second optical wafer inspection for such defects as metalization defects, such as scratches, voids, corrosion and bridging, as well as diffusion defects, passivation layer defects, scribing defects, glassivation defects, chips and cracks from sawing, solder bump defects, and bond pad area defects.例文帳に追加

この検査システムは、特に、スクラッチ、ボイド、腐食およびブリッジング、などの金属化欠陥、ならびに拡散欠陥、被覆保護層欠陥、書きこみ欠陥、ガラス絶縁欠陥、切込みからのチップおよびクラック、半田隆起欠陥、ボンドパッド領域欠陥、などの欠陥のための第二の光学的ウェハ検査のために意図され、そして設計される。 - 特許庁

To provide a system and method for forming a semiconductor die contact, which can provide a better buffer, which allows more rough handling, transportation, and use, for a low-k dielectric layer, an ELK dielectric layer, and/or a ULK dielectric layer disposed at metalization layers of a semiconductor device, without causing damage, delamination, or cracking by other objects.例文帳に追加

他の物体によって損傷、剥離、または亀裂を生じることなく、より粗野な処理、運送、および使用を可能にするよりよい緩衝を、半導体デバイスの金属化層に配置された低k誘電体層、ELK誘電体層、および／またはULK誘電体層の半導体ダイのコンタクトを形成するシステム、方法を提供する。 - 特許庁

The inspection system is specifically intended and designed for a second optical wafer inspection for such defects as metalization defects, such as scratches, voids, corrosion and bridging, as well as diffusion defects, passivation layer defects, scribing defects, glassivation defects, chips and cracks from sawing, solder bump defects, and bond pad area defects.例文帳に追加

この検査システムは、特に、スクラッチ、ボイド、腐食およびブリッジング、などの金属化欠陥、ならびに拡散欠陥、被覆保護層欠陥、書きこみ欠陥、ガラス絶縁欠陥、切込みからのチップおよびクラック、半田隆起欠陥、ボンドパッド領域欠陥、などの欠陥のための第二の光学的ウェハ検査のために意図され、そして設計される。 - 特許庁