「MONTE CARLO」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Alternatively, the tops (S) are regulated by coordinates (x_s", y_s") obtained from the coordinates (x_p, y_p) of all points (P) restricted by an array of facets each of which has the edge contour like the equilateral hexagon by random variation using the Monte Carlo method.例文帳に追加

あるいは、頂部（Ｓ）は、正六角形形状の縁輪郭をもつ小面のモンテカルロ法を用いたランダムな変分による配列によって限定されるすべての点（Ｐ）の座標（ｘ_ｐ，ｙ_ｐ）から得られる座標（ｘ_ｓ”，ｙ_ｓ”）によって規定される。 - 特許庁

The coordinates of a nodal point extracted by the Monte Carlo method are tentatively moved, and when the total of non-regular triangle levels DTR of all the triangles using the extracted nodal point as apexes is lowered, the nodal coordinates after the movement are employed and divided by the Deloney triangle division method (Fig. 4(f)).例文帳に追加

モンテカルロ法により抽出した節点の座標を仮に移動させ、抽出した節点を頂点とするすべての三角形についての非正三角形度ＤＴＲの総和が低下したら移動後の節点座標を採用し、デローニー三角分割法で分割する（図４(f)）。 - 特許庁

The stress wave propagation speed (v) of measuring target wood W is measured and a combination of "Young's modulus and density", wherein a numerical formula I is formed with respect to the stress wave propagation speed (v), is estimated on the basis of "actual measuring data base of Young's modulus-density relation" having study accumulation by a Monte Carlo simulation method.例文帳に追加

測定対象木材Ｗの応力波伝播速度ｖを測定し、この応力波伝播速度ｖとの間で数式１が成り立つ「ヤング率と密度」の組み合わせを、研究蓄積のある「ヤング率ー密度関係の実測データベース」を基にモンテカルロシュミレーション法によって推定する。 - 特許庁

The method for simulating the semiconductor device using a Monte Carlo method comprises the step of calculating scattering probability of a carrier in the device, by using a correlation function of a potential generated by an impurity doped in the device.例文帳に追加

モンテカルロ法を用いた半導体デバイスに対するシミュレーション方法であって、半導体デバイス中にドーピングされた不純物により生成されるポテンシャルの相関関数を用いて、半導体デバイスにおけるキャリアの散乱確率を計算することを特徴とする半導体デバイスに対するシミュレーション方法を提供する。 - 特許庁

Error main factor currents from which long term attenuating components are removed are extracted based on excessive currents obtained by three-dimensional device simulation, and a collection model to reproduce charge collection calculation is constructed based on critical charge quantity and a charge collection rate obtained based on the error main factor currents, and the model is integrated into the charge collection calculating part of Monte Carlo simulation.例文帳に追加

三次元のデバイスシミュレーションから得られた過渡電流を元に、長期減衰成分を除いたエラー主因電流を抽出し、このエラー主因電流に基づいて得られた臨界電荷量と電荷収集率を元に、電荷収集計算が再現できる収集モデルを構築し、そのモデルをモンテカルロシミュレーションの電荷収集計算部に組込む。 - 特許庁

A random number seed selecting device, random number seed selecting method, and random number seed selecting program causing a computer to select a seed when generating a pseudo random number includes a selecting section for selecting a pseudo random number sequence with a favorable convergence property of the Monte Carlo calculation, from multiple random number sequences, and identifies the pseudo random number sequence with the favorable convergence property by the seed.例文帳に追加

コンピュータにより、擬似乱数を生成する際のシード（種）を選別する乱数シード選別装置、乱数シード選別方法、乱数シード選別プログラムにおいて、モンテカルロ計算の収束性が良い擬似乱数列を、多くの乱数列の中から選別する選別部を有し、当該収束性の良い擬似乱数列をシード（種）により識別する。 - 特許庁

In the discharge electron detection value estimation method, an electromagnetic field distribution EM of the electronic optical system 4 in an electron microscope body 1 is calculated, while detection values of first emitted electrons 50 from a sample 5 in the electromagnetic field distribution EM and second emitted electrons 52 emitted from the electronic optical system by collision with the first emitted electrons are calculated by a Monte Carlo method.例文帳に追加

電子顕微鏡本体１内の電子光学系４の電磁場分布ＥＭを算出し、当該電磁場分布ＥＭにおける試料５からの第１放出電子５０及び第１放出電子の衝突によって電子光学系から放出される第２放出電子５２の検出値をモンテカルロ法によって算出する。 - 特許庁

This program includes steps of: a computing device calculating the mean and the dispersal of estimation distribution by the Gaussian Process developed by an arithmetic unit by means of MAP estimation or Hybrid Monte Carlo method, based on pre-distribution stored in a storage device; and outputting the mean and the dispersal of the calculated estimation distribution.例文帳に追加

記憶装置に記憶された事前分布に基づいて、ＭＡＰ推定またはハイブリッドモンテカルロ法により演算装置が構築したガウシアンプロセスにより、演算装置が予測分布の平均と分散を算出するステップと、算出した予測分布の平均と分散とを出力装置を介して出力するステップとを有する。 - 特許庁

When a locus of implantation ions is calculated by the Monte Carlo method to generate an ion implantation distribution, an electron stopping power S_e with respect to implantation ions is expressed by a combination of an electron stopping power S_eL of the Lindhard model, and an electron stopping power S_e-mB, corresponding to a modification of the electron stopping power S_eB of the Bethe model.例文帳に追加

注入イオンの軌跡をモンテカルロ法によって計算してイオン注入分布を発生させる際に、前記注入イオンに対する電子阻止能Ｓ_ｅを、リントハルトモデルの電子阻止能Ｓ_ｅＬと、ベーテモデルの電子阻止能Ｓ_ｅＢを修正した修正電子阻止能Ｓ_ｅ-ｍＢとの組合せにより表す。 - 特許庁