「Memory hole」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The size in the line direction of a memory region which does not have a through hole is shortened by the size in the line direction of the memory cell region having a through hole.例文帳に追加

スルーホールを有さないメモリセル領域の行方向のサイズを、スルーホールを有するメモリセル領域の行方向のサイズより短くする。 - 特許庁

A memory runner 7 is retained at a same position when a memory lock 9 is engaged with a hole 8 of a memory rail 3 even if a first spring separates from the memory runner 7.例文帳に追加

第１スプリング（３３）がメモリーランナー（７）と離反してもメモリーロック（９）がメモリーレール（３）の孔（８）に係合しているときは、同位置にメモリーランナー（７）は保持される。 - 特許庁

The memory runner 7 is held in the position when the memory lock 9 is fitted in a hole 8 of a memory rail 3 even in the state that the first spring 33 is separated from the memory runner 7.例文帳に追加

第１スプリング（３３）がメモリーランナー（７）と離反してもメモリーロック（９）がメモリーレール（３）の孔（８）に係合しているときは、同位置にメモリーランナー（７）は保持される。 - 特許庁

DATA PROCESSING SYSTEM AND COMPUTER PROGRAM WHICH SUPPORT SYSTEM MEMORY ADDRESS WITH HOLE例文帳に追加

ホールをもつシステムメモリアドレスをサポートするデータ処理システム及びコンピュータプログラム - 特許庁

Consequently, the arrangement of a detection hole for detecting the format or a memory is unrequired on a cassette.例文帳に追加

カセットにフォーマット検出用の検出孔やメモリを設ける必要がない。 - 特許庁

To ensure the contact area of a contact hole between word lines and a through hole formed in the upper portion of the contact hole in a DRAM whose memory cell size is miniaturized.例文帳に追加

メモリセルサイズが微細化されたＤＲＡＭにおいて、ワード線間のコンタクトホールとその上部に形成されるスルーホールとの接触面積を確保する。 - 特許庁

call to write to memory and creating a security hole. 例文帳に追加

呼び出し時にメモリへの書き込みが起こり、セキュリティーホールを作ることになるかもしれない。 - JM

A dummy cell region, which does not electrically perform memory cell operation, is installed, adjoining the memory cell region having the connection hole, or the connection hole is arranged in the dummy cell region.例文帳に追加

接続孔を有するメモリセル領域に隣接して電気的にメモリセル動作しないダミーセル領域を設ける、もしくはダミーセル領域に接続孔を配置する。 - 特許庁

Furthermore, the source-side sacrificing layer 81 and the memory sacrificing layer 82 are removed, and pillar-shaped semiconductor layers (29, 37 and 48) are formed so as to fill insides of the source-side hole 27, the memory hole 35 and the drain side hole 46.例文帳に追加

続いて、ソース側犠牲層８１及びメモリ犠牲層８２を除去し、ソース側ホール２７、メモリホール３５及びドレイン側ホール４６内を埋めるように柱状半導体層（２９、３７、４８）を形成する。 - 特許庁

A latest version of target data stored in a main memory 5 of the hole cell CH is stored in a cache memory 7 of the owner cell CO.例文帳に追加

ホームセルＣＨのメインメモリ５に記憶された対象データの最新版は、オーナーセルＣＯのキャッシュメモリ７に格納されている。 - 特許庁

Thus, hole injection stress is equally applied to all the memory cells.例文帳に追加

これにより、全てのメモリセルに対してホール注入ストレスが均等に加わることになる。 - 特許庁

PROCESS FOR FORMING CONTACT HOLE, SEMICONDUCTOR DEVICE, PROCESS FOR FABRICATING CAPACITOR, MEMORY, AND ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加

コンタクトホール形成方法、半導体装置、キャパシタ製造方法、メモリ装置、及び電子機器 - 特許庁

After that, '1' is added to the winning number memory region 214c whenever a game ball enters the winning hole.例文帳に追加

その後、入賞のあるごとに入賞数記憶領域２１４ｃに「１」が加算される。 - 特許庁

A memory film 40 is formed on an inner surface of the penetration hole 36, and a silicon pillar 42 is buried in the penetration hole 38.例文帳に追加

貫通ホール３６の内面上にはメモリ膜４０が形成されおり、貫通ホール３８の内部にはシリコンピラー４２が埋設されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device of which the layout pattern of a sub-hole region can be simplified.例文帳に追加

サブホール領域のレイアウトパターンを単純化することのできる半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a computer system enabling a cache operation without having to expand a memory by effectively utilizing a memory present in a memory hole area as a disk cache with a large capacity.例文帳に追加

メモリホール領域に存在するメモリを大容量のディスクキャッシュとして有効利用することにより、メモリを増設することなくキャッシュ動作が可能なコンピュータシステムを提供する。 - 特許庁

A reference position of a punched hole to be formed corresponding to each size of recording paper is memorized in a second memory part 9.例文帳に追加

記録用紙の各サイズに対応するパンチ穴の基準位置を第二記憶部９に記憶しておく。 - 特許庁

FUNCTIONAL COPOLYMER AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT, PHOTO-MEMORY AND POSITIVE HOLE TRANSPORTING ELEMENT BY USING THE SAME POLYMER例文帳に追加

機能性共重合高分子及びそれを使用した有機電界発光素子、光メモリ、正孔移動素子 - 特許庁

The connector 14 of the card insertion hole 43 can exactly connect even the small memory card 21 as is the case with the standard memory card and the ejection pawl 15a of the card insertion hole 43 can insert even the small memory card 21 into the groove 10 for ejection as is the case with the standard size memory.例文帳に追加

カード挿入穴４３のコネクター１４は、小型メモリカード２１であっても標準サイズのメモリカードと同様に正しく接続することが可能であり、カード挿入穴４３のイジェクト爪１５ａは、小型メモリカード２１であっても標準サイズのメモリカードと同様にイジェクト用溝１０に挿入することが可能である。 - 特許庁

To obtain a reliable semiconductor memory device that can prevent the penetration of a contact hole and the instability in contact resistance in a so-called cylinder-type memory cell, and provide a method for manufacturing the semiconductor memory device.例文帳に追加

所謂シリンダ型のメモリセルにおけるコンタクトホールの突き抜け及び接触抵抗の不安定を防止することができ、信頼性が高い半導体メモリ装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the Disk Controller 6 asserts a special cycle instruction signal 30 indicating to be the access to the memory present in the memory hole, the access to the memory space is distributed to the access to a DRAM 3b not available usually.例文帳に追加

またＤｉｓｋ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ６がメモリホール領域に存在するメモリへのアクセスであることを示す特殊サイクル指示信号３０をアサートした場合、通常使用できないＤＲＡＭ３ｂへのアクセスに振り分けられる。 - 特許庁

To provide an on-vehicle electronic appliance which can operate a unit with a memory stick fitted thereto from a front side, and need not form an operation hole in a movable panel or a hole for inserting the memory stick.例文帳に追加

車載用電子機器において、メモリスティックなどを装着するユニットを前方から操作できるようにし、且つ可動パネルに操作用の穴や、メモリスティックを挿入する穴などを形成する必要が無いようにする。 - 特許庁

The cover body 6 is provided with a shape memory spring 11 changing its shape according to stored temperature, and the lower part of the shape memory spring 11 is provided with a steam hole abutment plate 13 abutting on the steam hole 9.例文帳に追加

蓋体６に記憶した温度により形状が変化する形状記憶ばね１１を設け、この形状記憶ばね１１の下部に蓋加熱板蒸気孔９と当接する蒸気孔当接板１３を設ける。 - 特許庁

A notch or hole is provided at each end of the shape memory material part 9, while an engagement part to be engaged with the notch or hole is formed at the end of the non-memory material part 10 so that the two members are coupled into one piece.例文帳に追加

形状記憶素材部９の端部に切り欠きまたは孔を設け、非形状記憶素材部１０の端部に前記切り欠きまたは孔に係合する係合部を設けて、両者を１本に結合する。 - 特許庁

The transparent plate 22 has a hole 23 to which the shape memory alloy 21 is attached in a relaxed state.例文帳に追加

透明板２２は、穴部２３を有し、形状記憶合金２１が弛緩した状態で穴部２３に取付けられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device and its manufacturing method reducing an aspect ratio of a contact hole.例文帳に追加

本発明は、コンタクトホールのアスペクト比の低減可能な半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When hot-hole injection is conducted in the semiconductor nonvolatile memory device of a split gate structure, the hot-hole injection is verified using a crossing point that does not change with time.例文帳に追加

スプリットゲート構造の不揮発性半導体記憶装置において、ホットホール注入を行う場合、時間変化しない交点を用いて、ホットホール注入動作のベリファイを行う。 - 特許庁

At the large winning hole opening time, a CPU 11 determines the possibility of transferring to a probability variable mode on the basis of the winning timing to a starting winning hole on and after memory invalid time.例文帳に追加

大入賞口開放時にＣＰＵ１１はメモリ無効時点以降の始動入賞口への入賞タイミングにもとづいて、確変モードへの移行の可否を決定する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device for easily forming a contact hole when forming a deep contact hole and improving resistance against hydrogen.例文帳に追加

深いコンタクトホールを形成する場合にこのコンタクトホールの形成を容易にし、また水素に対する耐性を良好にした強誘電体メモリ装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

When hot-hole injection is conducted in the nonvolatile semiconductor memory device of a split gate structure, the hot-hole injection is verified by using a crossing point that does not change with time.例文帳に追加

スプリットゲート構造の不揮発性半導体記憶装置において、ホットホール注入を行う場合、時間変化しない交点を用いて、ホットホール注入動作のベリファイを行う。 - 特許庁

When a position of a punched hole of recording paper in which the punched hole is formed is read by an image reading part 3, a control part 10 compares the reference position of the punched hole with the position where the punched hole is formed, and the first memory part 4 memorizes the position difference as an adjustment value.例文帳に追加

パンチ穴が形成された記録用紙のパンチ穴の位置を画像読取部３によって読み取ると、制御部１０は、先のパンチ穴の基準位置とこのパンチ穴の形成位置とを比較して、その位置差分を調整値として第一記憶部４に記憶する。 - 特許庁

When a game ball enters a first start hole at the time t15 during ready-to-win effect, the Pachinko game machine stores reserve memory information of the game ball which has entered the first start hole, and performs a prior determination based on the reserve memory information.例文帳に追加

リーチ演出中の時期ｔ１５で、第１始動口に遊技球が入賞すると、ぱちんこ遊技機は第１始動口に入賞した遊技球の保留記憶情報を記憶し、この保留記憶情報に基づき事前判定をおこなう。 - 特許庁

An opening hole 21 is formed in bottom plate 10a of the housing, as an opening and closing member 22 for opening and closing the hole 21, a leaf spring which consists of a two-way shape memory alloy, and has the elastic force in the direction to close the opening hole is provided.例文帳に追加

ハウジングの底板１０ａに開口穴２１を形成し、これを開閉するための開閉部材２２として、二方向性の形状記憶合金からなり、開口穴を閉鎖する向きの弾性力を有する板バネを設ける。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device which is small in aspect ratio of a contact hole without causing an increase in number of man-hour nor characteristic deterioration of the ferroelectric memory device.例文帳に追加

工数の増加及び強誘電体メモリ装置の特性劣化を生じさせることなく、コンタクトホールのアスペクト比が小さい強誘電体メモリ装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device, the storage density of which is increased by optimizing a contact hole formation region in a backing region, and to provide a method of manufacturing the nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加

裏打ち領域におけるコンタクトホール形成領域を最適化することにより、記憶密度が向上された不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor memory including a static type memory cell is provided with an inter-layer insulation layer 16 having a hole 30b on a surface and a capacitor 31.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置は、スタティック型のメモリセルを含む半導体記憶装置であって、表面に孔３０ｂを有する層間絶縁層１６と、キャパシタ３１とを備えている。 - 特許庁

The NAND flash memory has a structure that a silicon nitride film 21 is formed as a spacer in the side wall of an interlayer insulating film 20 in a contact hole 8 between the gate electrodes 5, 5 of a memory cell region 2 and the contact hole 9 of a high voltage resistance transistor 6 in the peripheral circuit region 3.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリで、メモリセル領域２のゲート電極５、５間のコンタクトホール８と周辺回路領域３の高耐圧トランジスタ６のコンタクトホール９とに、層間絶縁膜２０の側壁にスペーサとしてのシリコン窒化膜２１を形成する構成である。 - 特許庁

Thereafter, first to fifth word interline insulating layers 31a to 31e, and first to fourth word line conductive layers 32a to 32d are laminated, a memory hole 35 is formed so as to penetrate them, and a memory gate insulating layer 36 and a memory sacrificing layer 82 are formed on the sidewall thereof.例文帳に追加

次に、第１〜第５ワード線間絶縁層３１ａ〜３１ｅと第１〜第４ワード線導電層３２ａ〜３２ｄとを積層し、それらを貫通させてメモリホール３５を形成し、その側壁にメモリゲート絶縁層３６、メモリ犠牲層８２を形成する。 - 特許庁

To provide an NMOS transistor non-volatile semiconductor memory improving the injection efficiency of a hot hole to a charge storage layer.例文帳に追加

電荷蓄積層に対するホットホールの注入効率を向上させるＮＭＯＳトランジスタ型の不揮発性半導体メモリを提供する。 - 特許庁

A control gate electrode 22 of a non-volatile memory is formed in a hole formed in an inter-layer insulating film, and a hole 22a formed in the inter-layer insulating film on source/drain areas is made shallow.例文帳に追加

不揮発性メモリの制御ゲート電極２２を、層間絶縁膜に形成される孔に形成する構造をとり、ソース及びドレイン領域上の層間絶縁膜に形成される孔２２ａを浅くする。 - 特許庁

To provide a flash memory element capable of forming to fine a dielectric film contact hole for formation by utilizing existing exposure facilities without requiring any expensive exposure facilities, and to provide a method of manufacturing the flash memory element.例文帳に追加

高額な露光装備を要せずとも、既存の露光設備を利用することによって誘電体膜コンタクトホールを微細化して形成することができるフラッシュメモリ素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device without lowering a reliability caused by the uneven application of hole injection stress to a tunnel oxide film by a drain high voltage on a specific memory cell, and its driving method.例文帳に追加

ドレイン高電圧によるトンネル酸化膜へのホール注入ストレスが特定のメモリセルに偏って信頼性を低下させることのない不揮発性半導体記憶装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

The turn buckle is provided with female screw hole 5, 6 at both ends, and a turn bulk body 4 is made of a shape memory alloy and has a shape memory effect in the longitudinal direction of a member.例文帳に追加

両端部に雌ねじ孔５，６を備えたターンバックルにおいて、ターンバクル本体４は、形状記憶合金製で部材長手方向に形状記憶効果が付与されたターンバックル本体４とされている。 - 特許庁

To prevent an initial threshold voltage of a memory cell arranged nearby a bit line contact part from rising by suppressing an influence of ultraviolet rays generated during contact hole formation with respect to an MONOS type memory.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型メモリにおいて、コンタクトホール形成時に発生する紫外線の影響を抑制し、ビット線コンタクト部近傍に配置されるメモリセルの初期しきい値電圧の上昇を防止する。 - 特許庁

To resolve the problem of memory cell region size increase and large increase of memory cell array region, in the case that the size of the memory cell region increases in the row direction, caused by the influence of the connection hole for connecting a first layer bit line and a second layer bit line in a semiconductor memory device constituted by the bit lines of two layers.例文帳に追加

２層のビット線で構成される半導体記憶装置において、第１層のビット線と第２層のビット線を接続する接続孔の影響により、メモリセル領域の行方向のサイズ大きくなる場合に、メモリセル領域のサイズが拡大し、さらにはメモリセルアレイ面積が大幅に拡大する。 - 特許庁