「Memory refresh」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A control circuit 16 in the tag 1 reads out data from the memory 11 in accordance with the refresh command to refresh the memory 11.例文帳に追加

ＲＦタグ１の制御回路１６は、このリフレッシュコマンドに応じてメモリ１１に対する読出しを行うことでメモリ１１をリフレッシュする。 - 特許庁

A refresh address generation circuit (20b, 86 and 88) generates a refresh address so as to refresh a memory cell in the region specified by the refresh region specification address, when the operation mode specification signal specifies the refresh mode.例文帳に追加

リフレッシュアドレス発生回路（２０ｂ、８６，８８）は、動作モード指示信号がリフレッシュモードを指定するとき、リフレッシュ領域指定アドレスが指定する領域内のメモリセルのリフレッシュを行なうようにリフレッシュアドレスを発生する。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes a refresh timer 38 deciding a refresh period at the time of self-refresh, and the refresh timer 38 comprises a voltage adjusting circuit 51, a ring oscillator 52, and a counter 53.例文帳に追加

半導体記憶装置はセルフリフレッシュ時のリフレッシュ周期を決定するリフレッシュタイマ３８を含み、リフレッシュタイマ３８は、電圧調整回路５１と、リングオシレータ５２と、カウンタ５３とからなる。 - 特許庁

A phase memory table 7, for example, stores refresh information made of number of skips of the refresh at each group 1 and outputs a refresh information signal according to the refresh information.例文帳に追加

位相記憶テーブル７は、メモリセル群１毎に例えばリフレッシュのスキップ数からなるリフレッシュ情報を記憶していると共に、リフレッシュ情報に応じたリフレッシュ情報信号を出力する。 - 特許庁

The refresh control part is provided with a target memory cell group setting part for setting a portion of the target memory cell group in the memory cell array, a refresh address generating part for sequentially generating a plurality of refresh addresses that can designate all memory cells in the memory cell array, and a refresh address determining part for determining whether an attention refresh address designates the target memory cell group.例文帳に追加

リフレッシュ制御部は、メモリセルアレイ内の一部の対象メモリセル群を設定するための対象メモリセル群設定部と、メモリセルアレイ内のすべてのメモリセルを指定可能な複数のリフレッシュアドレスを順次発生させるリフレッシュアドレス発生部と、注目リフレッシュアドレスが対象メモリセル群を指定しているか否かを判定するためのリフレッシュアドレス判定部と、を備える。 - 特許庁

A refresh request signal is output periodically in accordance with a memory block in which refresh operation is permitted.例文帳に追加

リフレッシュ要求信号は、リフレッシュ動作が許可されているメモリブロックに対応して周期的に出力される。 - 特許庁

REFRESH CIRCUIT HAVING RESTORATION TIME VARIABLE BY OPERATION MODE OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ITS REFRESH METHOD例文帳に追加

半導体メモリ装置の動作モードにより可変なリストア時間を有するリフレッシュ回路及びそのリフレッシュ方法 - 特許庁

When it is determined that the attention refresh address designates the target memory cell group, a refresh operation is carried out on the basis of the attention refresh address.例文帳に追加

注目リフレッシュアドレスが対象メモリセル群を指定していると判定された場合には、注目リフレッシュアドレスに基づいてリフレッシュ動作が実行される。 - 特許庁

In a refresh control circuit, the refresh requests are consecutively generated for a specified number of times and a generating cycle of the refresh request signal is lengthened after refreshing all the memory cells.例文帳に追加

リフレッシュ制御回路は、リフレッシュ要求が所定数連続して発生し、全メモリセルのリフレッシュ後にリフレッシュ要求信号の発生周期を長くする。 - 特許庁

In a refresh function management table 3B, a refresh method and refresh timing for data stored in the flash memory device 5A are respectively managed per each logical device.例文帳に追加

リフレッシュ機能管理テーブル３Ｂは、フラッシュメモリデバイス５Ａに記憶されているデータのリフレッシュ方法及びリフレッシュ時期を各論理デバイス毎にそれぞれ管理する。 - 特許庁

To provide a refresh controller for flexible embedded DRAM which controls refresh operations of various refresh modes and eliminates or prevents conflict of a memory bank.例文帳に追加

様々なリフレッシュ・モードのリフレッシュ動作を制御し、メモリ・バンクの競合を解消又は回避する、柔軟な組み込みＤＲＡＭ用リフレッシュ・コントローラを提供する。 - 特許庁

To provide a memory device in which the decrease of an effective bandwidth caused by a refresh operation of the memory device has been solved, a memory controller of the memory device, and a memory system.例文帳に追加

メモリ装置のリフレッシュ動作による実効的な帯域幅の低下を解決したメモリ装置，メモリ装置のメモリコントローラ，及びメモリシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a memory device in which decrease of effective bandwidth caused by a refresh operation of the memory device is solved, and to provide a memory controller of the memory device, and a memory system.例文帳に追加

メモリ装置のリフレッシュ動作による実効的な帯域幅の低下を解決したメモリ装置，メモリ装置のメモリコントローラ，及びメモリシステムを提供する。 - 特許庁

To comparatively simply realize refresh operation for a nonvolatile memory.例文帳に追加

不揮発性メモリに対するリフレッシュ動作を比較的簡単に実現する。 - 特許庁

REFRESH OPERATION START METHOD AND SYSTEM FOR SEMICONDUCTOR NONVOLATILE MEMORY DEVICE例文帳に追加

半導体不揮発性メモリ装置のリフレッシュ操作開始方法およびシステム - 特許庁

To properly manage the refresh operation of a semiconductor nonvolatile memory device.例文帳に追加

半導体不揮発性メモリ装置のリフレッシュ操作を適切に管理する。 - 特許庁

To prevent malfunction of a semiconductor memory by surely executing refresh operation.例文帳に追加

リフレッシュ動作を確実に実行し、半導体メモリの誤動作を防止する。 - 特許庁

To prevent a data storage characteristic from being deteriorated in a refresh operation of a memory requiring the refresh operation by being affected by heat emitted by a memory requiring no refresh operation in a memory system provided with a plurality of memories.例文帳に追加

複数のメモリを備えるメモリシステムにおいて、リフレッシュ動作が不要なメモリが放出する熱の影響を受けてリフレッシュ動作が必要なメモリのリフレッシュ動作におけるデータ保持特性の悪化を防止する。 - 特許庁

REFRESH-MODE DRIVING METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY, AND CELL DATA PROTECTING CIRCUIT例文帳に追加

半導体メモリ装置のリフレッシュモード駆動方法及びセルデータ保護回路 - 特許庁

REFRESH CONTROL OVER SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND GENERATION OF INTERNAL VOLTAGE例文帳に追加

半導体メモリ装置におけるリフレッシュ制御および内部電圧の生成 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING AUTOMATIC REFRESH FUNCTION TO SPECIFIC BANK例文帳に追加

特定バンクに対する自動リフレッシュ機能を有する半導体メモリ装置 - 特許庁

In this refresh control method of a graphics memory provided with a memory cell array 50 which is separated into a frame buffer area 40 performing a screen refresh operation and a DRAM refresh data storage area 42 performing a DRAM refresh operation, the memory array of the DRAM refresh data storage area 42 other than the frame buffer area 40 is refreshed in accordance with a DRAM refresh control signal REF.例文帳に追加

スクリーンリフレッシュ動作を行うフレームバッファ領域４０とDRAMリフレッシュ動作を行うDRAMリフレッシュデータ貯蔵領域４２に分離されたメモリセルアレイ５０を具備したグラフィックメモリ装置のリフレッシュ制御方法であって、DRAMリフレッシュ制御信号ＲＥＦに応じてフレームバッファ領域４０を除いたDRAMリフレッシュデータ貯蔵領域４２のメモリセルアレイをリフレッシュする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which a refresh flag is generated and to provide a semiconductor memory system.例文帳に追加

リフレッシュフラグを発生させる半導体メモリ装置及び半導体メモリシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a memory controller for controlling the refresh cycle of a memory and a method thereof.例文帳に追加

メモリのリフレッシュ周期を制御するメモリコントローラおよびリフレッシュ周期制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory system in which a deterioration in a volatile memory performance due to a refresh operation is prevented.例文帳に追加

揮発性メモリの性能がリフレッシュにより低下することを防止できるメモリシステムを提供する。 - 特許庁

The memory controller 3 for controlling data access with respect to the memory 4 is provided with a refresh control section 33.例文帳に追加

メモリ４に対するデータアクセスをコントロールするメモリコントローラ３は、リフレッシュ制御部３３を備える。 - 特許庁

To realize a semiconductor memory device having an excellent refresh characteristic matching the leak characteristic of memory cells.例文帳に追加

メモリセルのリーク特性に合致したリフレッシュ特性の優れた半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁

REFRESH CONTROL METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY, SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING THE CONTROL METHOD例文帳に追加

半導体記憶装置のリフレッシュ制御方法、及び該制御方法を有する半導体記憶装置 - 特許庁

When the semiconductor memory is entered to a refresh-mode, a retention time of a memory cell is measured for each word line, a plurality of refresh-periods corresponding to the retention time of the memory cell are set, and the memory cell is refreshed according to the plurality of refresh-periods.例文帳に追加

半導体記憶装置がリフレッシュモードにエントリーされた時、ワード線毎にメモリセルのリテンション時間を測定し、メモリセルのリテンション時間に対応する複数のリフレッシュ周期を設定し、複数のリフレッシュ周期にしたがってメモリセルをリフレッシュする。 - 特許庁

If it is impossible to refresh the memory, a reference relationship is established so as to use the data within the refresh cycle of the external memory, while if it is possible to refresh the memory, the external memory is refreshed within the idle time.例文帳に追加

リフレッシュができない場合には使用データが外部メモリのリフレッシュサイクル以内に符号化において使用されるように参照関係を設定し、リフレッシュを行うことが可能な場合には、空き時間内に外部メモリのリフレッシュを行う映像符号化装置。 - 特許庁

The refresh control circuit 12 generates a refresh address 34 for executing refresh of the memory cell array 13 until the refresh address 34 coincides with the most significant row address 44 every timing for supplying the refresh request signal 33 generated by the memory controller 11.例文帳に追加

リフレッシュ制御回路１２は、メモリコントローラ１１で生成されたリフレッシュ要求信号３３が供給されるタイミング毎に、メモリセルアレイ１３のリフレッシュを実施するためのリフレッシュアドレス３４が最上位ロウアドレス４４と一致するまで当該リフレッシュアドレス３４を生成する。 - 特許庁

A refresh zone detection part 22 divides the block of a semiconductor memory into units to refresh, sets each of them to be a refresh zone, and detects which refresh zone the sector of a writing object is included in.例文帳に追加

リフレッシュ・ゾーン検出部２２は、半導体メモリのブロックを、リフレッシュを行なう単位に分割してそれぞれをリフレッシュ・ゾーンとし、書込み対象のセクタがどのリフレッシュ・ゾーンに含まれるかを検出する。 - 特許庁

By a refresh control circuit, a test refresh requisition signal is formed by synchronizing with the access command for executing the refresh operation of the memory cells during a test mode when a refresh mask signal is in an invalid level.例文帳に追加

リフレッシュ制御回路は、テストモード中に、リフレッシュマスク信号が無効レベルのときに、メモリセルのリフレッシュ動作を実行するためにアクセスコマンドに同期してテストリフレッシュ要求信号を生成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory apparatus in which refresh operation of a second time is performed for a memory cell existing in the same memory sub-array which is different from a memory cell refreshed by refresh operation of a first time.例文帳に追加

１回目のリフレッシュ動作でリフレッシュされるメモリセルとは異なるが同一メモリサブアレイ上に存在するメモリセルに２回目のリフレッシュ動作が行われる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The multiport memory system is equipped with; a shared memory bank; and a refresh controller which is connected with the shared memory bank and impresses refresh commands from a plurality of processors alternatively to the shared memory bank.例文帳に追加

共有されたメモリバンクと、その共有されたメモリバンクに接続され、複数のプロセッサーからのリフレッシュコマンドを共有されたメモリバンクに選択的に印加するリフレッシュコントローラと、を備えるマルチポートメモリシステム。 - 特許庁

To provide a dynamic semiconductor memory in which a refresh operating current is deceased and a refresh control method.例文帳に追加

リフレッシュ動作電流を特段に減少させるダイナミック型半導体記憶装置及びリフレッシュ制御方法の提供。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING SEAMLESS SELF-REFRESH FOR DIRECTED BANK REFRESH OF VOLATILE MEMORY例文帳に追加

揮発性メモリの指示された（ｄｉｒｅｃｔｅｄ）バンクリフレッシュのためのシームレスセルフリフレッシュを提供する方法およびシステム - 特許庁

To provide an SDRAM refresh control device for suppressing decrease in data transfer efficiency of a memory resulting from refresh processing.例文帳に追加

リフレッシュ処理に起因するメモリのデータ転送効率低下を抑制できるＳＤＲＡＭリフレッシュ制御装置を実現する。 - 特許庁

To enable memory refresh operation when a power source voltage of a logic circuit is stopped.例文帳に追加

ロジック回路の電源電圧停止時にメモリリフレッシュ動作を可能とする。 - 特許庁

A refresh control circuit 10 receives an interrupt signal REFTEND which requests the refresh of a dynamic random access memory DRAM 200 and is asserted at a specified timing.例文帳に追加

リフレッシュ制御回路１０は、所定のタイミングごとにアサートされるＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）２００のリフレッシュを要求する割込信号ＲＥＦＴＥＮＤを受ける。 - 特許庁

To provide a memory access control circuit preventing specification of refresh conditions from being not satisfied by contension between refresh and memory access.例文帳に追加

リフレッシュとメモリアクセスとの競合によりリフレッシュ条件の規定が満足できなくなるおそれを低減することができるメモリアクセス制御回路を提供する。 - 特許庁

If necessary, the refresh controller changes the signal from the controller to the memory device 135 in such a manner that the memory device 13b is maintained at a refresh mode.例文帳に追加

必要ならば、リフレッシュ・コントローラは、メモリ・デバイス１３６がセルフリフレッシュ・モードに保たれるように、メモリ・コントローラからメモリ・デバイスへの信号を変更する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY WITH OPTIMAL REFRESH CYCLE IN ACCORDANCE WITH TEMPERATURE VARIATION例文帳に追加

温度変化によって最適のリフレッシュ周期を有する半導体メモリ装置 - 特許庁

When readout of data from at least one volatile memory is finished, the volatile memory is shifted from the refresh operation mode to the self-refresh operation mode.例文帳に追加

少なくとも１つの揮発性メモリからのデータ読み出しを終了すると、その揮発性メモリをリフレッシュ動作モードからセルフリフレッシュ動作モードへ移行させる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH OPTIMUM REFRESH CYCLE ACCORDING TO TEMPERATURE VARIATION例文帳に追加

温度変化によって最適なリフレッシュ周期を有する半導体メモリ装置 - 特許庁