「Memory refresh」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

Since refresh is internally conducted and there is no need to rewrite refreshing data prepared in an external memory, the power consumption is reduced.例文帳に追加

内部でリフレッシュを行ない、外部からのメモリに準備されたリフレッシュ用データを再書込する必要がなく、消費電流が低減される。 - 特許庁

A refresh management table is provided in a flash memory device, and the number of times of data read and the number of times of data erasure are stored and updated at any time for each physical block.例文帳に追加

フラッシュメモリデバイスにリフレッシュ管理テーブルを設け、物理ブロック毎のデータ読み出し回数、消去回数を随時記憶、更新する。 - 特許庁

The display data selection circuit B326 stops refresh operation of the volatile memory A when one of the page memories B322 to B324 is selected.例文帳に追加

表示データ選択回路Ｂ３２６は、ページメモリＢ３２２〜Ｂ３２４のいずれかが選択された場合に揮発性メモリＡのリフレッシュ動作を停止させる。 - 特許庁

To conquer the defect of conventional approach for performing refresh operation in a memory device of a DRAM base and an embedded DRAM incorporated device.例文帳に追加

ＤＲＡＭベースのメモリ装置および埋込ＤＲＡＭが組込まれたものにおいてリフレッシュ動作を行なうための従来のアプローチの欠陥を克服する。 - 特許庁

Finally, when the total of the count values in the block reaches an allowable value 32, refresh is operated, and the conditions of memory cells in the block are initialized.例文帳に追加

最終的に、ブロック内のカウント値の合計が許容値、３２に達すると、リフレッシュが行われ、ブロック内のメモリセルの状態が初期化される。 - 特許庁

To provide a dynamic memory in which the number of main word lines to be thinned out in a thinning refresh cycle can be increased and the current consumption is reduced.例文帳に追加

間引きリフレッシュサイクルにおける間引き対象のメインワード線数を増やすことができ、消費電流を削減したダイナミックメモリを提供する - 特許庁

Video Adapter memory The specifications for the monitor are used by X11 to determine the resolution and refresh rate to run at. 例文帳に追加

モニターの仕様ビデオアダプタのチップセットビデオアダプタのメモリーモニターの仕様は、XFree86がどの解像度とリフレッシュレートで動くかを決定するために用いられます。 - FreeBSD

One implementation form is a method for dynamically regulating a refresh rate of a dynamic random access memory (DRAM) 102 in a computer system 100.例文帳に追加

一実施形態は、コンピュータシステム（１００）においてダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（「ＤＲＡＭ」）（１０２）のリフレッシュレートを動的に調節する方法である。 - 特許庁

A host control interface (HCI) 18 provides a periodic memory refresh cycle to a mass storage to prevent cells from being fixed in a state.例文帳に追加

ホスト制御インターフェイス（ＨＣＩ）は、大容量ストレージに周期的なメモリ・リフレッシュ・サイクルを提供し、セルの状態が固定化されるのを防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which the confliction of a selection period of a word line for refresh and a selection period of a word line for read/write can be prevented.例文帳に追加

リフレッシュ用のワード線の選択期間とリード／ライト用のワード線の選択期間の衝突を回避する半導体記憶装置の提供。 - 特許庁

To provide a DRAM which performs burst refresh so as to attain low current fresh not limited by a peak current by minimizing operations of a peripheral circuit of a memory array to the utmost, and also to provide its refresh method .例文帳に追加

本発明の目的は、メモリーアレーの周辺回路の動作を極力少なくして、バーストリフレッシュをおこない、ピーク電流値に制限されない低電流リフレッシュを可能とするＤＲＡＭおよびそのリフレッシュ方法を提供することにある。 - 特許庁

In the SDRAM, built-in memory arrays are sequentially refreshed by that a signal RAS for time-wise dividing the refresh operation becomes active N times (N is two or larger integer) in one refresh period (shown by a signal REF).例文帳に追加

ＳＤＲＡＭは、リフレッシュを時間的に分割して行うための信号ＲＡＳが一つのリフレッシュ期間（信号ＲＥＦで示される）にＮ（Ｎは２以上の整数）回アクティブになることで内蔵のメモリアレイを順次リフレッシュする。 - 特許庁

To provide a refresh method that is simply and efficiently performed with low consumption current, according to a change in temperature when a high temperature state caused by a continuous reading/writing operation is switched to a refresh mode by stopping the reading/writing operation, and a semiconductor memory device provided with the refresh method.例文帳に追加

連続読出し・書込み動作時の素子温度が上昇した状態では容量素子に蓄積された電荷は減衰しやすいため、連続読出し・書込み動作直後にセルフリフレッシュモードに切換った場合、温度が安定するまでの間は通常時よりも短い周期でのリフレッシュが必要とされる。 - 特許庁

When the data in the RFID memory 40 cannot be recognized, a T/C in a developing device 16 is set to be smaller than a reference value, and the number of times of developer refresh operations, the number of drum refresh operations and the number of transfer refresh operations are set to be larger than the normal number of times (reference execution number of times).例文帳に追加

ＲＦＩＤメモリ４０内のデータが認識不可能である場合は、現像装置１６内のＴ／Ｃを基準値よりも小さく設定するとともに、現像剤リフレッシュ動作、ドラムリフレッシュ動作、転写リフレッシュ動作の回数を通常の回数（基準実行回数）よりも多く設定する。 - 特許庁

To provide a high voltage generator being suitable for adopting to a semiconductor memory which has a memory cell refreshing stored data, in which a refresh-function is performed internally and which is operated with timing conditions such as that of a SRAM(static random access memory) product, and a high voltage supply method.例文帳に追加

貯蔵されたデータをリフレッシュすべきメモリセルをもち、内部的にリフレッシュ機能を行いながら、外部的にはSRAM（static random access memory）製品のようなタイミング条件で動作する半導体メモリ装置に採用するに適合した高電圧発生器及び高電圧供給方法を提供するにある。 - 特許庁

The memory controller, of which power supply from the normal power source is cut, is thereby continuously operated by the power source supplied from a battery, while a self-refresh command is transmitted to a memory.例文帳に追加

そして、このバッテリから供給される電源により、通常電源からの電力供給が遮断されたメモリコントローラを引き続き稼動させると共に、メモリにセルフリフレッシュコマンドを送信する。 - 特許庁

Contents of the memory cell are read out, it is confirmed that the contents are erased (all are '0'), after that, the refresh-data is read out from the data storing section for refreshing in which the data is temporarily stored, and rewriting is performed for the memory cell.例文帳に追加

メモリセルの内容を読み出し、内容が消去されたこと（all"0"になったこと）を確認し、その後、一時記憶したリフレッシュ用データ記憶部からリフレッシュデータを読み出し、メモリセルに再書き込みを行う。 - 特許庁

For example, when the clock cycle becomes longer, by increasing the number of dynamic memory cells to be refreshed per refresh request signal, it is possible to reliably maintain data in the dynamic memory cell without depending on the clock cycle.例文帳に追加

例えば、クロック周期が長くなったときに、リフレッシュ要求信号毎にリフレッシュするダイナミックメモリセルの数を増加させることで、クロック周期に依存せずダイナミックメモリセル内のデータを確実に保持できる。 - 特許庁

A memory cell selecting operation is arbitrated by an arbitrating circuit 124 in a control circuit 21 in order to prevent competition with an arithmetic operation in the arithmetic circuit, and the refresh of the memory cell array is executed.例文帳に追加

この演算回路における演算操作と競合を回避するように制御回路（２１）内の調停回路（１２４）によりメモリセル選択動作を調停してメモリセルアレイのリフレッシュを実行する。 - 特許庁

The first circuit is for refreshing only each memory cell within the array of each phase change memory cell that is programmed to a non-crystalline state in response to a request for refresh operation.例文帳に追加

上記第１回路は、リフレッシュ動作のための要求に対応して、上記アレイ内の非結晶状態にプログラムされた各相変化メモリセルの各メモリセルのみをリフレッシュするためのものである。 - 特許庁

To provide a system and method for issuing a refresh cycle which prevents memory cells of a storage device (polymer ferroelectric memory device) from becoming imprinted or stuck in a current state.例文帳に追加

ストレージ装置（高分子強誘電性メモリ装置）のメモリのセルが現在の状態に刻印(imprinted)または膠着されるのを防止するためのリフレッシュ・サイクルを発行するシステムおよび方法を提供する。 - 特許庁

A circuit outside a memory controller in a processing system sets a dynamic random access memory to a self-refresh state by responding to a predetermined condition associated with a power-down or reset event.例文帳に追加

処理システム中のメモリ・コントローラの外部にある回路は、電源遮断またはリセット・イベントに関連付けられた所定の条件に応答して、動的ランダム・アクセス・メモリをセルフリフレッシュ状態にする。 - 特許庁

A DRAM 121 in which a semiconductor integrated circuit is incorporated in a chip is provided with a redundant memory cell array 123 for monitoring a refresh-time other than a regular memory cell array 122 storing actual data.例文帳に追加

半導体集積回路がチップ内に内蔵するＤＲＡＭ１２１に、実際のデータをストアする正規メモリセルアレイ１２２以外にリフレッシュ時間をモニタするための冗長メモリセルアレイ１２３を設ける。 - 特許庁

A semiconductor memory performs the burst operation by generating internally the request signal of refresh operations and is constituted so as to change column addresses and row addresses for accessing a memory core 24 during the burst operation.例文帳に追加

リフレッシュ動作の要求信号を内部発生し、バースト動作を行う半導体記憶装置であって、該バースト動作中にメモリコア２４にアクセスするコラムアドレスおよびロウアドレスを変化させるように構成する。 - 特許庁

To provide a data access method for a semiconductor memory and a semiconductor memory in which time setting being suitable for each operation can be performed when refresh-operation is performed independently from external access operation.例文帳に追加

外部アクセス動作とは独立してリフレッシュ動作を行なう際、各動作に適した時間設定をすることが可能な半導体記憶装置のデータアクセス方法及び半導体記憶装置を提供すること - 特許庁

The number of read times for each page of the memory 4 is counted and stored by a number of read times storing section 331 prepared in the refresh control section 33.例文帳に追加

リフレッシュ制御部３３が備える読み出し回数記憶部３３１は、メモリ４の各ページに対する読み出し回数をカウントして記憶している。 - 特許庁

To provide an IC card which can prevent data stored in a flash memory from being damaged due to unexpected power interruption which has occurred during refresh processing.例文帳に追加

リフレッシュ処理中に発生した不測の電源断により、フラッシュメモリに保持されているデータが破損することを防止できるＩＣカードを提供する。 - 特許庁

To realize a memory of which operation speed is fast, a process cost is inexpensive, in which external refresh-operation is not required, and which is easy to use in the case of plural access.例文帳に追加

速度の速く、プロセスコストが安く、外部からのリフレッシュ動作を不要とし、複数のアクセスがある場合に使い勝手のよいメモリを実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which current consumption in a standby state is reduced by a preferable sampling refresh-function and a method for controlling refreshing.例文帳に追加

好適な間引きリフレッシュ機能により、スタンバイ状態での消費電流を低減する半導体記憶装置およびリフレッシュ制御方法を提供すること - 特許庁

To obtain a semiconductor memory in which a current caused by a process defect can be reduced and the power consumption at the time of a self-refresh can be reduced.例文帳に追加

プロセス的欠陥に起因する電流を削減し、セルフリフレッシュ時の消費電力を低減することのできる半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for controlling an active period of a semiconductor memory arranged so that current consumption at a refresh operation can be reduced.例文帳に追加

リフレッシュ動作時の消費電流を減少させることができるようにした半導体メモリのアクティブ区間制御装置および方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multi-bank semiconductor memory in which current consumption at the time of a self-refresh mode can be scattered without increasing tRC of specification values.例文帳に追加

セルフリフレッシュモード時の電流消費を仕様値ｔＲＣを増大させることなく分散することのできる多バンク半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor memory device using an internal high power supply voltage in a self-refresh operation mode and a method for applying the high power supply voltage to the device are disclosed.例文帳に追加

セルフリフレッシュ動作モードで内部の高電源電圧を使用する半導体メモリ装置及びその高電源電圧の印加方法が開示される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that operates at high speed and prevents performance deterioration due to a conflict between the preparation of write data, output processing of read data, and refresh.例文帳に追加

ライトデータの準備やリードデータの出力処理とリフレッシュとの競合による性能低下を避け、高速に動作する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To enhance reduction of power consumption by extending a refresh cycle of a volatile memory as mush as possible in a video recording apparatus including a plurality of volatile memories.例文帳に追加

複数の揮発性メモリを備えた録画機器において、揮発性メモリのリフレッシュサイクルをできるだけ長くし、消費電力を低減できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory module in which it is suppressed that a plurality of DRAMs enter simultaneously into a refresh-mode and a large peak current flows and stable operation can be performed.例文帳に追加

複数のＤＲＡＭが一斉にリフレッシュモードに入って大きなピーク電流が流れるのを抑制し、安定動作が可能な半導体メモリモジュールを提供する。 - 特許庁

In a data writing method for the synchronous- type flash memory device with the shared system bus, the synchronous-type DRAM device is set firstly from a normal mode into a refresh mode.例文帳に追加

システムバスを共有する同期型フラッシュメモリ装置のデータ書込み方法では、同期型ＤＲＡＭ装置が先ずノーマルモードからリフレッシュモードに設定される。 - 特許庁

Block selection information RDATA which indicates necessity or needlessness of refresh in the block unit of a memory cell array is stored in latch means 20-1, 20-2.例文帳に追加

ラッチ手段２０−１，２０−２には、メモリセルアレイのブロック単位にリフレッシュの要、不要を示すブロック選択情報ＲＢＤＡＴＡが格納される。 - 特許庁

The clock generating part 130 receives the period control signal and generates a refresh clock whose period is calibrated in accordance with the operation temperature of the semiconductor memory device.例文帳に追加

クロック発生部１３０は、周期制御信号を受信して半導体メモリ装置の動作温度に応じて周期が調節されるリフレッシュクロックを発生する。 - 特許庁

To provide technology for improving the refresh characteristics of memory cells and reducing the occurrence of a kink phenomenon in the p- channel type MISFET of a peripheral circuit.例文帳に追加

メモリセルのリフレッシュ特性を向上させ、周辺回路のｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのキンク現象の発生の低減させる技術を提供する。 - 特許庁

A register control circuit writes the inhibiting block information into the refresh register in accordance with an input from the outside during the access cycle of any one of the memory blocks.例文帳に追加

レジスタ制御回路は、メモリブロックのいずれかのアクセスサイクル中に、外部からの入力に応じてリフレッシュレジスタに禁止ブロック情報を書き込む。 - 特許庁

The refresh circuit 40 refreshes each of the plurality of memory cells 11 with some timer period by driving successively the plurality of word lines WL.例文帳に追加

リフレッシュ回路４０は、複数のワード線ＷＬを順次駆動することによって、複数のメモリセル１１の各々をあるタイマー周期でリフレッシュする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory and sense amplifier drive method performing refresh operation with a smaller capacity, thereby reducing the size.例文帳に追加

リフレッシュ動作をより少ない容量で行うことができ、これにより小型化を可能とする半導体記憶装置とセンスアンプ駆動方法を実現する。 - 特許庁

Thereby, consecutive access request can be supplied always at the same timing irrespective of the presence of the refresh request and malfunction of a semiconductor memory can be prevented.例文帳に追加

したがって、リフレッシュ要求の挿入の有無に拘わらず、常に同じタイミングで後続のアクセス要求を供給でき、半導体メモリの誤動作を防止できる。 - 特許庁

To provide a memory capable of performing a refresh operation without competing with an internal access operation even when an external access operation is non-periodically performed.例文帳に追加

外部アクセス動作が非周期的に行われる場合にも、内部アクセス動作と競合することなくリフレッシュ動作を行うことが可能なメモリを提供する。 - 特許庁