「Memory refresh」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain a semiconductor memory capable of appropriately reducing a power consumption at the time of self-refresh.例文帳に追加

セルフリフレッシュ時の低消費電力化を適切に実現できる半導体記憶装置を得る。 - 特許庁

This eliminates the need for a refresh operation that holds the data of the memory cell in the power saving mode.例文帳に追加

このため、低消費電力モード中にメモリセルのデータを保持するリフレッシュ動作は不要になる。 - 特許庁

To provide a concurrent refresh mode using distributed row address counter in a buried dynamic random access memory.例文帳に追加

埋め込みＤＲＡＭで分散行アドレス・カウンタを用いて同時リフレッシュ・モードを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for controlling a refresh sequence for multiple memory elements within an electronic device.例文帳に追加

電子デバイス内の複数のメモリ・エレメントに関するリフレッシュ・シーケンスを制御する方法を提供する。 - 特許庁

To reliably maintain data in a dynamic memory cell without depending on a generation cycle of a refresh request signal.例文帳に追加

リフレッシュ要求信号の生成周期によらずダイナミックメモリセル内のデータを確実に保持する。 - 特許庁

The memory controller 20 includes a refresh controller 26 for executing the rewrite of data retained by the NAND flash memory 10.例文帳に追加

メモリコントローラ２０は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０が保持するデータの再書込みを実行するリフレッシュコントローラ２６を備える。 - 特許庁

A semiconductor storage device relating to this invention includes a memory cell array 13, a memory controller 11, and a refresh control circuit 12.例文帳に追加

本発明にかかる半導体記憶装置は、メモリセルアレイ１３と、メモリコントローラ１１と、リフレッシュ制御回路１２と、を備える。 - 特許庁

To reduce power consumption in a power saving mode in a semiconductor memory having a memory cell requiring a refresh operation.例文帳に追加

リフレッシュ動作が必要なメモリセルを有する半導体メモリにおいて、低消費電力モード中の消費電力を削減する。 - 特許庁

An arbitration part 30 receives the refresh issue request 130, an access request 101 to the semiconductor memory 3, and an access target address 102; outputs a refresh request to the semiconductor memory 3 if the refresh issue request 130 indicates the execution of refresh; and outputs the access request 101 and the address 102 to the semiconductor memory 3 if the request indicates non-execution of refresh.例文帳に追加

調停部３０は、リフレッシュ発行要求１３０と、半導体メモリ３に対するアクセス要求１０１及びアクセス対象のアドレス１０２とを受け取り、リフレッシュ発行要求１３０がリフレッシュの実行を示す場合、半導体メモリ３に対してリフレッシュ要求を出力し、リフレッシュを実行しないことを示す場合、半導体メモリ３に対してアクセス要求１０１及びアドレス１０２を出力する。 - 特許庁

The method involves adjusting a programmable signal delay to avoid a simultaneous memory refresh between two or more of the multiple memory elements and passing a refresh signal from one memory element to another memory element based on the programmable signal delay.例文帳に追加

本方法は、プログラム可能な信号遅延を調節して、複数のメモリ・エレメントのうちの２つ以上のメモリ・エレメントでの同時のメモリ・リフレッシュを回避し、また、プログラム可能な信号遅延に基づいて、或るメモリ・エレメントから別のメモリ・エレメントへとリフレッシュ信号を渡す。 - 特許庁

This circuit is provided with at least one pair of memory core which has plural memory cells consisting of capacitors and in which the same data is written, a refresh generating circuit, a refresh control circuit, and read- out control circuit.例文帳に追加

キャパシタからなる複数のメモリセルを有し、同一のデータが書き込まれる少なくとも一対のメモリコアと、リフレッシュ発生回路と、リフレッシュ制御回路と、読み出し制御回路とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes a refresh synchronous circuit 120 provided between a refresh request circuit 140 and a command decoder 110 and deactivating refresh request if an external access request is output from the command decoder 110.例文帳に追加

半導体記憶装置は、リフレッシュ要求回路140とコマンドデコーダ110との間に設けられ、コマンドデコーダ110から外部アクセス要求が出力されている際にはリフレッシュ要求を非活性にするリフレッシュ同期回路120を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which can finely control refresh period fit for actual data retention time of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルのデータ保持時間の実力値に適合するリフレッシュ周期をきめ細かく制御可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor memory device which can relieve defect without lowering yield even when spare memory cells have poor refresh characteristic.例文帳に追加

予備のメモリセルのリフレッシュ特性が悪い場合にも、歩留りを低下させずに有効に欠陥救済ができる半導体記憶装置を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which comprises a memory cell which does not require a refresh operation and materializes a high integration and a large capacity.例文帳に追加

リフレッシュ動作を必要とせず、かつ、高集積化・大容量化を実現するメモリセルを備える半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a dynamic memory controller capable of realizing periodical refresh operation while satisfying a request for continuous shortest data transfer from a CPU.例文帳に追加

ＣＰＵの連続最短データ転送の要請を満足しつつ、定期的なリフレッシュ動作を実現する。 - 特許庁

To detect exactly data holding defect of a memory cell accelerating noise caused in operation of SR (self-refresh).例文帳に追加

ＳＲの動作で発生するノイズを加速しながら、メモリセルのデータ保持不良を確実に検出すること。 - 特許庁

When a memory section 1 is in a standby mode, a power supply breaking circuit 2 supplies electric power to the memory section 1 synchronously with the timing of refresh operation generated by a clock circuit 3 only in a period that the refresh operation is performed, and breaks the electric power to be supplied to the memory section 1 in a period when the refresh-operation is not performed.例文帳に追加

メモリ部１がスタンドバイモードにあるときには、電源供給遮断回路２は、時計回路３が発生するリフレッシュ動作のタイミングに同期してメモリ部１にリフレッシュ動作を行う期間だけ電力を供給し、リフレッシュ動作を行っていない期間にはメモリ部１への電力供給を遮断する。 - 特許庁

Namely, the memory block, which does not require high speed processing, is operated in a power down mode or self-refresh mode.例文帳に追加

つまり、高速処理が必要ないメモリブロックは、パワーダウンモードあるいはセルフリフレッシュモードで作動させられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit in which necessary irreducible refresh intervals of a memory matrix can be set.例文帳に追加

メモリマトリクスの必要最小限のリフレッシュ間隔を設定可能な半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To improve a data transfer rate at the time of reading a semiconductor memory generating refresh request inside it.例文帳に追加

リフレッシュ要求を内部で発生する半導体メモリの読み出し動作時のデータ転送レートを向上する。 - 特許庁

To refresh a memory without lowering the access efficiency while minimizing an increase of the circuit scale.例文帳に追加

回路規模の増加を最小限に抑えて、アクセス効率を低下させることなくリフレッシュ動作を実行する。 - 特許庁

To provide the refresh method of a NAND type flash memory device which does not apply an excessive load to the controller of the device.例文帳に追加

デバイスのコントローラに過大な負荷を掛ることのない、NAND型フラッシュメモリデバイスのリフレッシュ方法の提供。 - 特許庁

To constitute a refresh cycle as advantageously as possible regarding a required energy demand in a semiconductor memory.例文帳に追加

半導体メモリ装置で、所要のエネルギ需要に関してリフレッシュサイクルをできる限り有利に構成すること。 - 特許庁

Thereby, only if the processor fetches the sleep command, the semiconductor memory can be shifted into the self refresh mode.例文帳に追加

このため、プロセッサがスリープ命令を取り込むだけで、半導体メモリをセルフリフレッシュモードに移行できる。 - 特許庁

To improve processing capability of a processing device comprising a memory system by improving refresh-operation.例文帳に追加

リフレッシュ動作を改善することにより、メモリシステムを含む処理装置の処理能力を向上させる。 - 特許庁

The dynamic memory is required to perform a refresh operation in a fixed cycle even at the time of the power down mode.例文帳に追加

ダイナミックメモリは、パワーダウンモード時においても一定の周期でリフレッシュ動作を行う必要がある。 - 特許庁

The dual-port memory includes a method for hiding refresh and a method for increasing operating speed.例文帳に追加

この発明のデュアルポートメモリは、リフレッシュを隠すための方法と動作速度を上げるための方法とを含む。 - 特許庁

The semiconductor storage device is equipped with the refresh function for holding data stored in a memory cell.例文帳に追加

メモリーセルに記憶されたデーターを保持するためのリフレッシュ機能を備えた半導体記憶装置である。 - 特許庁

To provide a control method of a semiconductor memory device capable of performing efficient refresh processing.例文帳に追加

効率の良いリフレッシュ処理を行うことが可能な半導体記憶装置の制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a refresh control method in a multiport DRAM and a multiport memory system using its method.例文帳に追加

マルチポートＤＲＡＭでのリフレッシュ制御方法及びその方法を利用するマルチポートメモリシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which whether to perform a refresh operation can be specified in more detail.例文帳に追加

リフレッシュ動作の有無をより細かく指定することが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A refresh control circuit outputs, when changing the low power consumption mode to a normal operation mode, refresh control signals at the same interval as that in the normal operation mode, and executes a refresh operation only for a memory cell for which a predetermined time has passed since the last refresh operation.例文帳に追加

リフレッシュ制御回路は、低消費電力モードから通常動作モードに移行するときに、リフレッシュ制御信号を通常動作モード時と同じ間隔で出力するとともに、前回のリフレッシュ動作から所定時間が経過したメモリセルのみにリフレッシュ動作を実行する。 - 特許庁

In a magnetic memory device having a memory cell array 2 provided with a plurality of memory cells 60 having a magneto resistive element 61, the device is provided with a refresh control section reading information stored in the memory cell and performing refresh operation rewriting the information immediately after the information is read out.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子６１を有する記憶セル６０を複数個備えた記憶セルアレイ２を有する磁気記憶装置において、記憶セルに格納された情報を読み出し、この読み出した情報をその直後に再書き込みするリフレッシュ動作を行うリフレッシュ制御部を備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which concentrated refresh is not required to perform after a self-refresh period by refreshing uniformly all words and its address control method.例文帳に追加

全ワードを均一にリフレッシュすることにより、セルフリフレッシュ期間後に集中リフレッシュを行わなくともよい半導体記憶装置およびそのアドレス制御方法を提供する。 - 特許庁

In normal refresh-operation, as the refresh-address counter 17 increases successively the internal row address signal based on a trigger signal, data of all memory cell are refreshed.例文帳に追加

通常のリフレッシュ動作では、リフレッシュアドレスカウンタ１７は、トリガ信号に基づいて、内部ロウアドレス信号を、順次、インクリメントするため、全てのメモリセルのデータがリフレッシュされる。 - 特許庁

In an operation cycle, a memory chip 200 starts a refresh operation in synchronism with an ATD signal that indicate a change in an address after the generation of a refresh timing signal RFTM.例文帳に追加

メモリチップ２００は、オペレーションサイクルでは、リフレッシュタイミング信号ＲＦＴＭの発生後に、アドレスが変化したことを示すＡＴＤ信号に同期してリフレッシュ動作を開始する。 - 特許庁

When an operation mode specification signal specifies a refresh mode, a refresh region specification address specifying a region to be refreshed in a memory array is stored in an address register (87).例文帳に追加

動作モード指示信号がリフレッシュモードを指定するときにメモリアレイのリフレッシュを行なう領域を指定するリフレッシュ領域指定アドレスをアドレスレジスタ（８７）に格納する。 - 特許庁

At the time of self-refresh operation, power source voltage supplied to a semiconductor memory is switched and controlled so as to supply or stop in accordance with a status of self-refresh operation.例文帳に追加

セルフリフレッシュ動作の際、半導体メモリに供給される電源電圧を、セルフリフレッシュ動作の状況に応じて供給又は停止させるように切り替え制御する。 - 特許庁

In order to permit refresh operation of all memory blocks during the period of time that the partial refresh information is changed by external input, the partial setting signal is masked.例文帳に追加

パーシャルリフレッシュ情報が外部入力により変更されている間に、全てのメモリブロックのリフレッシュ動作を許可するために、パーシャル設定信号はマスクされる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which a refresh cycle cannot be seen from the outside, the delay of data access time due to the refresh cycle is shortened.例文帳に追加

本発明は、外部からリフレッシュサイクルが見えず、かつリフレッシュサイクルによるデータアクセス時間の遅れを短縮する半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which current consumption during refresh can be reduced and the reliability of data can be secured by shortening a pause time during partial refresh.例文帳に追加

リフレッシュ時の消費電流を削減でき、パーシャルリフレッシュ時のポーズ時間を短縮してデータの信頼性を確保することが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To reduce an influence on a circuit operation due to the frequency component of power supply noise caused by a refresh operation in a semiconductor storage device having a memory requiring refresh.例文帳に追加

リフレッシュを必要とするメモリを有する半導体記憶装置において、リフレッシュ動作に起因した電源ノイズの周波数成分による回路動作への影響を低減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which no refresh operation is required seemingly by automatically and efficiently performing refresh operation while performing high speed random access.例文帳に追加

高速なランダムアクセスを実現しながら、内部で自動的に且つ効率的にリフレッシュ動作を行って、見掛け上はリフレッシュ動作が不要な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a laminated memory device which can prevent deterioration in performance of the refresh operation of a first memory caused by influence of a heat radiated from other memories different from the first memory in a plurality of memories, and to provide its refresh operation control method.例文帳に追加

複数のメモリの内の第１メモリとは異なる他のメモリが放出する熱の影響を受けて、第１メモリのリフレッシュ動作の性能が劣ることを防止することができる積層型メモリ装置及びそのリフレッシュ動作制御方法を提供する。 - 特許庁