「N₂O」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Subsequently, oxidation and nitriding are performed by the heating treatment in the atmosphere of gas containing either of NO, N2O or NO2 as oxidation nitriding gas containing nitrogen (N) in the same reaction furnace to form the SiOxNy film 3 of film thickness B.例文帳に追加

続いて、同一反応炉内で、窒素（Ｎ）を含有する酸化性窒素ガスとして、ＮＯ、Ｎ_2 ＯまたはＮＯ_2 のいずれかを含むガスの雰囲気中で、加熱処理により酸窒化して、膜厚ＢのＳｉＯ_x Ｎ_y 膜３を形成する。 - 特許庁

A silicon oxide nitride film becoming a second insulation layer 2 is then formed on the surface of the first insulation layer 1 by performing annealing at 750-950°C using N2O or NO gas.例文帳に追加

Ｎ_2ＯまたはＮＯガスを用いて７５０〜９５０℃でアニールを行い、第１の絶縁層１表面に第２の絶縁層２となるシリコン酸窒化膜を形成する。 - 特許庁

A silicon substrate is directly nitrided to form a silicon nitride film, which is annealed with mixed gas containing N2O and H2 to form a silicon oxynitride (SION) film.例文帳に追加

シリコン基板を直接窒化して、シリコン窒化膜を形成し、前記シリコン窒化膜を、Ｎ２ＯとＨ２を含む混合ガスでアニールして、シリコン酸窒化（ＳｉＯＮ）膜を形成する。 - 特許庁

In this equipment 10, plasma of the process gases containing SiH4, SiF4 and N2O is generated and a silicon oxide film containing fluorine is deposited on a wafer 14.例文帳に追加

この装置１０において、ＳｉＨ_4、ＳｉＦ_4およびＮ_2Ｏを含むプロセスガスのプラズマを生成して、フッ素含有シリコン酸化膜をウエハ１４上に堆積する。 - 特許庁

Nitrogen peaks 3, 4 are formed in an interface between a gate oxide film 2 and a silicon substrate 1 and in the gate oxide film 2, by repeating alternately a thermal oxidation treatment process and a heat treatment process in gas containing NO or N2O.例文帳に追加

熱酸化処理工程と、ＮＯ或いはＮ_2 Ｏを含むガス中での熱処理工程を交互に繰り返すことによって、ゲート酸化膜２とシリコン基板１との界面と、ゲート酸化膜２中の２か所に窒素ピーク３，４を設ける。 - 特許庁

The strong electric field drift layer 6 is obtained by annealing a porous polycrystalline silicon layer formed by anode oxidizing process in an atmosphere of N2O or NO gas at 900°C for an hour.例文帳に追加

強電界ドリフト層６は、陽極酸化処理にて形成された多孔質多結晶シリコン層を、Ｎ_2ＯガスまたはＮＯガス雰囲気中において基板温度９００℃で１時間のアニールを行うことにより形成されている。 - 特許庁

By making oxidizing gas such as O2, O3 or N2O be contained in the gaseous atmosphere for the heat treatment, a p-type group-III nitride semiconductor having sufficient carrier concentration can be manufactured even if the temperature of the heat treatment is lowered.例文帳に追加

熱処理を行う際の気相雰囲気中に、Ｏ_2、Ｏ_3、Ｎ_2Ｏなどの酸化性のガスを含ませることで、熱処理の温度を低くしても十分なキャリア濃度を有するｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体を製造することができる。 - 特許庁

To provide a separation process (especially TSA type separation process) of dinitrogen monoxide N2O (further carbon dioxide CO2 or ethylene C2H4 and the like as the case may be), contained in gas flow (e.g. air) as impurities.例文帳に追加

ガス流れ（例えば、空気）中に不純物として含まれている亜酸化窒素Ｎ_２Ｏ（場合により更に、二酸化炭素ＣＯ_２またはエチレンＣ_２Ｈ_４など）の分離プロセス（特にＴＳＡタイプの分離プロセス）を提供する。 - 特許庁

In this case, a gas with composition of SiH4+N2O+PH3+N2, SiH4+CO+PH3+N2 or SiH4+CO2+PH3+N2 may be used.例文帳に追加

上記平行平板プラズマＣＶＤ法には、ＳｉＨ_4＋Ｎ_2Ｏ＋ＰＨ_3＋Ｎ_2 又はＳｉＨ_4＋ＣＯ＋ＰＨ_3＋Ｎ_2又はＳｉＨ_4＋ＣＯ_2＋ＰＨ_3＋Ｎ_2 を成分とするガスを使用することも開示している。 - 特許庁

Before depositing the silicon oxide film by plasma CVD, the wafer is heat-treated in an O2 atmosphere or N2O(nitrous oxide) atmosphere.例文帳に追加

本方法では、シリコン酸化膜をプラズマＣＶＤ法により成膜前に、Ｏ_2 雰囲気中又はＮ_2 Ｏ（亜酸化窒素）雰囲気中でウエハに熱処理を施す。 - 特許庁

This invention enables prevention of the variation of the TFT characteristics by using a base film formed by changing the flow rates of H2 and N2O to continuously vary the composition ratio of N, O and H in the film.例文帳に追加

本発明は、H_2、N_2O流量を変化させることにより膜中のN、O、H組成比を連続的に変化させた膜を下地膜として使用することによってTFTの特性変動を防ぐことを可能にする。 - 特許庁

In a reaction tube 2 the internal pressure of which is reduced to a prescribed degree of vacuum, film formation is performed on the surfaces of wafers at a prescribed processing temperature by introducing an N2O gas and an SiH2Cl2 gas into the tube 2.例文帳に追加

所定の真空度に減圧された反応管２内において、Ｎ2ＯガスとＳｉＨ2Ｃｌ2ガスとを導入して所定のプロセス温度にてウエハ表面に成膜を行う。 - 特許庁

An optical constant control part 13 controls the flow rate of the N2O gas, based on the optical constant of a medium adjacent to the SiON film for controlling the optical constant of the NiON film.例文帳に追加

光学定数制御部１３は、ＳｉＯＮ膜に隣接する媒質の光学定数に基づいて、Ｎ２Ｏガスの流量を制御することにより、ＳｉＯＮ膜の光学定数を制御する手段である。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for cleaning ammonia-containing waste water which prevent the N2O concentration in the outlet of a catalyst column from increasing and are low in the amount of the hazardous materials to be generated even if the NH3 concentration in the waste water is lowered.例文帳に追加

排水中のＮＨ_３濃度を低くしても触媒塔出口のＮ_２Ｏ濃度が高くならず、有害物質の発生量が低いアンモニア含有排水の処理方法と装置を提案すること。 - 特許庁

In this case, a gas with a composition of SiH4+PH3+O2 or SiH4+PH3+N2O is used in the plasma CVD or the high- density plasma CVD method.例文帳に追加

上記プラズマＣＶＤ法または高密度プラズマＣＶＤ法には、ＳｉＨ_4＋ＰＨ_3＋Ｏ_2又はＳｉＨ_4＋ＰＨ_3＋Ｎ_2Ｏを成分とするガスを使用することも開示している。 - 特許庁

An oxynitride silicon film is formed using an SiH4, an N2O and H2 by a plasma CVD method and this film is applied to a gate insulating film of a TFT.例文帳に追加

上記問題点を解決するために本発明は、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ_4、Ｎ_2Ｏ、Ｈ_2を用いて酸化窒化シリコン膜を作製し、この膜をＴＦＴのゲート絶縁膜に適用する。 - 特許庁

To provide a purifying device capable of purifying NOx discharged from an internal combustion engine such as a gasoline engine and a diesel engine to drive in lean atmosphere without being accompanied by dinitrogen monoxide (N2O) of a by-product.例文帳に追加

リーン雰囲気で運転をおこなうガソリンエンジンやディーゼルエンジンなどの内燃機関から排出されるＮＯ_Xを、副生成物の亜酸化窒素（Ｎ_2Ｏ）をともなうことなく浄化できる浄化装置とすることを課題とする。 - 特許庁

In the manufacturing process of forming a silicon oxide film at a low temperature, the silicon oxynitride film is formed by the thermal CVD method using bis-tertiary butylaminosilane, NH3 and N2O as raw material gases.例文帳に追加

ビス ターシャル ブチル アミノ シランとＮＨ_３とＮ_２Ｏとを原料ガスとして用いて酸化窒化シリコン膜を熱ＣＶＤ法により形成する。 - 特許庁

To provide a method for refining cryogenic fluid capable of effectively removing impurities such as N2O, CnHm and/or NOx, in particular, which are apt to be easily present in cryogenic fluid such as nitrogen, oxygen, helium, hydrogen and argon.例文帳に追加

この発明は、極低温流体、特にＮ_２O，ＣｎＨｍ又はＮＯｘ不純物を含む、アルゴン、窒素、ヘリウム、又は酸素の精製方法に関する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently decomposing and detoxifing a nitrogen-containing organic compound in exhaust gas, while suppressing the generation of byproducts such as NOx or N2O, in the treating the exhaust gas by oxidativiely decomposing the nitrogen-containing organic compound.例文帳に追加

含窒素有機化合物含有排ガスに含まれる含窒素有機化合物を酸化的に分解除去して排ガスを処理するにあたり、ＮＯｘやＮ_2Ｏの副生を抑制しながら、排ガス中の含窒素有機化合物を効率よく分解して無害化する方法を提供する。 - 特許庁

To produce a catalyst for exhaust gas purification using a hydrocarbon reforming material which is capable of removing NOx at high efficiency while scarcely generating N2O even under exhaust gas emission condition at a low HC/NOx ratio and can provide a catalyst hardly deteriorating in a high temperature condition.例文帳に追加

低ＨＣ／ＮＯｘ比の排気条件の下でも、Ｎ2Ｏを殆ど生成することなく高効率でＮＯｘ浄化でき、更には高温条件下での劣化が少ない触媒を得ることができる炭化水素改質材を用いた排気ガス浄化用触媒を提供すること。 - 特許庁

Three adsorbent beds are used and a first bed mainly removes moisture and a second bed mainly removes CO2 and a third bed removes gaseous components like N2O and hydrocarbons discharged from the second bed.例文帳に追加

この方法は三つの吸着剤の層を使用し、第一の層は主に水分を除去し、第二の層は主にＣＯ_2を除去し、そして第三の層は第二の層から排出されたＮ_2Ｏと炭化水素類のようなガス成分を除去するように構成されている。 - 特許庁

In the method for forming a silicon oxynitride film, silicon substrate is inserted into a furnace, and while the pressure in the furnace is kept at 760 Torr or lower, NO gas or N2O gas is injected into the furnace, making the silicon substrate oxynitride.例文帳に追加

また、本発明によるシリコン酸窒化膜形成方法は、シリコン基板を炉中へ引き込んで、炉内部の圧力を７６０ｔｏｒｒ以下に維持しながら、ＮＯまたはＮ_2Ｏガスを炉中へ注入してシリコン基板を酸窒化することを特徴とする。 - 特許庁

A NO-oxynitride film 12 is formed as bottom oxide film on a semiconductor substrate 11, a tantalum oxide film 13 is formed as an intermediate film on the NO-oxynitride 12, a TEOS film 14 is formed as top oxide film on the tantalum oxide film 13, and then the substrate is heat-treated under N2O atmosphere.例文帳に追加

半導体基板１１上に底部酸化膜としてＮＯ-オキシナイトライド膜１２を形成し、ＮＯ-オキシナイトライド膜上に中間酸化膜としてタンタル酸化膜１３を形成し、次に、タンタル酸化膜上に上部酸化膜としてＴＥＯＳ膜１４を形成し、基板をＮ_２Ｏ雰囲気で熱処理する。 - 特許庁

A film-forming gas, comprising an alkoxy compound having a Si-H bond, or a siloxane having a Si-H bond, and an oxygen containing any one of O2, N2O, NO2, CO, CO2 or H2O, is turned into a plasma and is made to react, and a silicon-containing insulation film 24 is formed.例文帳に追加

Ｓｉ−Ｈ結合を有するアルコキシ化合物、又はＳｉ−Ｈ結合を有するシロキサンと、Ｏ_2、Ｎ_2Ｏ、ＮＯ_2、ＣＯ、ＣＯ_2、又はＨ_2Ｏのうち何れか一の酸素含有ガスとからなる成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、シリコン含有絶縁膜２４を形成することを特徴とする成膜方法による。 - 特許庁

In this case, the gate oxide film 14 is formed by adjusting the partial pressure of the mixed gas of an oxidizing agent with an etchant so that the oxidizing agent (such as an N2O and an CO2) is combined with the etchant (such as H2) and the thin (to 12 Å) and high-quality oxide film 14 is controllably grown.例文帳に追加

ゲート酸化物（１４）が、酸化剤（例えばＮ_2Ｏ、ＣＯ_2）をエッチング剤（例えばＨ_2）と組合わせ、薄い（〜１２Å）高品質の酸化物（１４）を制御自在に成長させるように、分圧を調節することによって形成される。 - 特許庁

The method includes a step of, flowing a plurality of reaction gases consisting of SiH4, N2, NH3 and N2O in identical point of time without the bypass of SiH4 gas, and a step of carrying out a vapor deposition of a PE-SiON film material by turning on the HF-RF power in the chamber.例文帳に追加

ＳｉＨ_4ガスのバイパスなしにＳｉＨ_4、Ｎ_2、ＮＨ_3、Ｎ_2Ｏの複数の反応ガスを同一時点でチャンバ内にフローさせる段階と、前記チャンバにＨＦ−ＲＦパワーをターンオンさせてＰＥ−ＳｉＯＮ膜質蒸着をなす段階と、を含む。 - 特許庁

To improve uniformity in the formed film thickness within a substrate in the case of forming the silicon nitride oxide film by using a material gas with a bis tertiary butylaminosilane (BTBAS), NH3 and N2O in the case of forming a silicon nitride film by using the BTBAS and the NH3 as the material gases.例文帳に追加

ビス ターシャル ブチル アミノ シラン（ＢＴＢＡＳ）とＮＨ_３とを原料ガスとして用いて窒化シリコン膜を成膜する際や、ＢＴＢＡＳとＮＨ_３とＮ_２Ｏとを原料ガスとして用いて酸化窒化シリコン膜を形成する際に、成膜される膜の膜厚の基板面内均一性を向上させる。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for cleaning ammonia-containing wastewater, preventing an increase in the concentration of N2O at the outlet of a catalyst column even if the concentration of NH3 in wastewater or the supply amount of wastewater to a stripping column fluctuates and extremely reducing the generation amount of a harmful substance.例文帳に追加

排水中のＮＨ_３濃度やストリッピング塔への排水の供給量が変動しても触媒塔出口でのＮ_２Ｏ濃度が高くならず、有害物質の発生量が極めて少ないアンモニア含有排水の処理方法と装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for cleaning ammonia-containing wastewater, preventing an increase in the concentration of NOx or N2O at the outlet of a catalyst column oven if the concentration of NH3 in gas after treated in the catalyst column is lowered and extremely reducing the generation amount of a harmful substance.例文帳に追加

触媒塔で処理した後のガス中のＮＨ_３濃度を低くしても触媒塔出口でのＮＯｘ濃度やＮ_２Ｏ濃度が高くならず、有害物質の発生量が極めて少ないアンモニア含有排水の処理方法と装置を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor device is manufactured by a method where a treatment gas containing N2 or N2O is ionized and the surface of a copper wiring layer 110 is exposed to the ionized treatment gas, whereby the surface of the layer 110 is modified to turn the surface into a copper diffusion preventive layer.例文帳に追加

Ｎ_2 又はＮ_ 2Ｏを含む処理ガスをプラズマ化し、該プラズマ化した処理ガスに銅配線層１１０の表面を曝すことにより、該銅配線層１１０の表層部を改質して銅拡散防止層にする半導体装置の製造方法による。 - 特許庁

A process for adjusting the flow rate of the gas in the catalyst bed so that the concentration of N2O in the gas generated in the decomposition process becomes a predetermined range or a process for adjusting the contact time of the gas in the catalyst bed is provided to detoxify NH3-containing wastewater.例文帳に追加

該分解工程で発生したガス中のＮ_２Ｏ濃度が所定の範囲になるように触媒層でのガス流量を調整する工程又は触媒層でのガスの接触時間を調整する工程のいずれかの調整工程を含むＮＨ_３含有排水を無害化する方法である。 - 特許庁

This is a method to clean a crude NF3 gas containing impurities such as HF, CO2, N2O and the like by water and/or aqueous alkaline solution and/or aqueous reducing solution and thereafter to remove water content from the NF3 gas containing moisture by liquefaction or solidification with a heat exchange refining device using liquid NF3 as cooling medium.例文帳に追加

ＨＦ、ＣＯ_2、Ｎ_2Ｏ等の不純物を含む粗ＮＦ_3ガスを、水又は／及びアルカリ水溶液または／及び還元性水溶液を用い洗浄、除去した後、この水分を含むＮＦ_3ガスを熱交換式の精製装置を用い、中の水分を液化もしくは固化して除去する方法に於いて、冷媒に液体ＮＦ_3を用いる。 - 特許庁

In this method for manufacturing a semiconductor device, the wiring interlayer insulating film 34 is formed by making either alkoxy compound having a Si-H bond or siloxane having a Si-H bond and a film forming gas composed of either one of oxygen-containing gas, O2, N2O, NO2, CO, CO2 or H2O into plasma and react each other.例文帳に追加

配線層間絶縁膜３４を、Ｓｉ−Ｈ結合を有するアルコキシ化合物、又はＳｉ−Ｈ結合を有するシロキサンの何れか一と、Ｏ_2、Ｎ_2Ｏ、ＮＯ_2、ＣＯ、ＣＯ_2、又はＨ_2Ｏの何れか一の酸素含有ガスとからなる成膜ガスをプラズマ化し、反応させて形成することを特徴とする半導体装置の製造方法による。 - 特許庁